JP2009147198A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光処理され現像処理された半導体ウエハWの表面に形成されたレジストパターンRの表面に水分子mを付着させる。水分子mが付着されたレジストパターンRの表面に対し、水溶性を有するレジストの溶剤蒸気(例えばNMP)を供給し、水分子mに結合する溶剤蒸気によりレジストパターンRの表面を膨潤させるスムージング処理を行う。スムージング処理されたウエハW上のレジストパターンRに付着する水分子m及び溶剤sを乾燥により除去する。
【選択図】 図7
Description
50 スムージング処理装置
51 チャック(基板保持台)
52 モータ(回転駆動機構)
53 熱処理ユニット(加熱装置:乾燥手段)
54 ペルチェ素子(冷却手段)
61 ミストノズル(水供給ノズル)
71 溶剤供給ノズル(溶剤蒸気供給ノズル)
100 コントローラ(制御手段)
m 水分子
s 溶剤成分
Claims (9)
- 露光処理され現像処理された基板の表面に形成されたレジストパターンの表面荒れを平滑化する基板処理方法であって、
前記基板上のレジストパターンの表面に水分子を付着させる前処理工程と、
前記水分子が付着されたレジストパターンの表面に対し、水溶性を有するレジストの溶剤蒸気を供給し、前記水分子に結合する溶剤蒸気によりレジストパターンの表面を膨潤させるスムージング処理工程と、
前記スムージング処理された基板上のレジストパターンに付着する水分子及び溶剤を乾燥により除去する後処理工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
前記前処理工程は、基板を冷却した状態で行うことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
前記後処理工程における乾燥の前に、レジストパターンの表面に、該レジストパターンの表面に付着する水分子及び溶剤を誘発するための水分子を供給する工程を更に有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記後処理工程は、基板を鉛直軸回りに回転させて行うことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記後処理工程は、基板を加熱させることによって行うことを特徴とする基板処理方法。 - 露光処理され現像処理された基板の表面に形成されたレジストパターンの表面荒れを平滑化する基板処理装置であって、
基板の表面を上面にして保持する基板保持台と、
基板上のレジストパターンの表面に水分子を供給する水供給ノズルと、
水分子が付着された基板上のレジストパターンの表面に、水溶性を有するレジストの溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給ノズルと、
前記レジストパターンの表面に付着した水分子及び溶剤を除去する乾燥手段と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6記載の基板処理装置において、
前記基板保持台に、基板を冷却する冷却手段を具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6又は7記載の基板処理装置において、
前記乾燥手段は、前記基板保持台を鉛直軸回りに回転する回転駆動機構によって形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6又は7記載の基板処理装置において、
前記乾燥手段は、基板を載置する熱板を有する加熱装置によって形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
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