JP2009145724A - 投影光学系及びそれを有する露光装置 - Google Patents

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雄平 住吉
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Abstract

【課題】結像性能に優れ、比較的小型な投影光学系を提供する。
【解決手段】第1物体101の像を第2物体102上に投影する投影光学系100は、第1物体101の第1中間像を形成する第1結像光学系と、第1中間像からの光束に基づいて第1物体101の第2中間像を形成し、凹面鏡CM21を有する第2結像光学系G2と、第2中間像からの光束に基づいて第1物体101の第3中間像を形成し、凹面鏡CM31を有する第3結像光学系G3と、第3中間像からの光束に基づいて第1物体101の像を第2物体102上に形成する第4結像光学系G4と、第2結像光学系G2において光路に沿って第3結像光学系G3に最も近い屈折部材と、第3結像光学系G3において光路に沿って第2結像光学系G2に最も近い屈折部材との間に配置され、第2結像光学系G2からの光束を第3結像光学系G3に反射する平面ミラーFM1と、を有し、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4は光軸OAを共有することを特徴とする
【選択図】図1

Description

本発明は、投影光学系及びそれを有する露光装置に関する。
近年、露光装置には、高解像度の要請に加えて結像性能の向上と装置の小型化が益々要求されている。結像性能の向上には、収差の影響を安定して低減し、これらの補正に使用する物体面の投影像形成可能領域(良像範囲)を広く確保する必要がある。また、装置の小型化のためにはレンズやミラーの口径をなるべく小さく抑える必要がある。
これらの要請を満足する一手段として、ミラーとレンズを用いた反射屈折型投影光学系が従来から知られている。ミラーを用いることによって色収差を低減することができる。また、負のペッツバール和を有する凹面鏡を使用することによって像面湾曲を補正すると共にレンズの小型化を図ることができる。従来技術としては、特許文献1乃至5がある。
特開2005−107362号公報 特開2006−119244号公報 特開2002−83766号公報 特開2005−37896号公報 特開2007−5558号公報
しかしながら、ペッツバール和を一枚の凹面鏡で補正することは困難であり、凹面鏡の枚数が一枚であれば他の凹レンズにペッツバール和の補正機能をもたせる必要が生じる。すると、レンズ径の大型化や凹レンズの枚数増加による物像間距離の増加を招き、露光装置の小型化の要請に反する。あるいは、凹レンズのパワーが大きくなって高次収差が増加し、光学系全系での収差補正が困難になる場合もある。
また、投影光学系を複数の結像光学系により構成し、その間を平面ミラーで結合する場合、入射光束の上側光線と下側光線の平面ミラーにおける反射角度差は平面ミラーの枚数と共に増加することになる。すると、投影光学系は平面ミラーの反射膜の角度特性に影響を受けやすい系になる。そして、上側光線と下側光線の透過率差が増幅される結果、光学系の射出瞳内での透過率の分布(瞳透過率分布)が悪化し、線幅(CriticalDimension:CD)均一性が悪化する。
更に、物体面のほぼ真下に像面を配置する構成では物像間距離が増加し、この問題を防止しようとすれば凹レンズのパワーが大きくなって高次収差が増加する。
本発明は、結像性能に優れ、比較的小型な投影光学系及びそれを有する露光装置を提供することを例示的な目的とする。
本発明の一側面としての投影光学系は、第1物体の像を第2物体上に形成する投影光学系において、前記第1物体の第1中間像を形成するための第1結像光学系と、前記第1中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第2中間像を形成し、第1の凹面鏡を有する第2結像光学系と、前記第2中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第3中間像を形成し、第2の凹面鏡を有する第3結像光学系と、前記第3中間像からの光束に基づいて前記第1物体の像を前記第2物体上に形成するための第4結像光学系と、前記第2結像光学系において光路に沿って前記第3結像光学系に最も近い屈折部材と、前記第3結像光学系において前記光路に沿って前記第2結像光学系に最も近い屈折部材との間に配置され、前記第2結像光学系からの光束を前記第3結像光学系に反射する第1の平面ミラーと、を有し、前記第3結像光学系と前記第4結像光学系は光軸を共有することを特徴とする。
本発明の別の一側面としての露光装置は、原版のパターンを基板に露光する露光装置において、第1物体としての前記原版の前記パターンを第2物体としての前記基板に投影する上述の投影光学系を有することを特徴とする。
本発明によれば、結像性能に優れ、比較的小型な投影光学系及びそれを有する露光装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての投影光学系100及び露光装置200について説明する。ここで、図1は、投影光学系100の光路図である。同図において、101は物体面に配置された第1物体(例えば、レチクル)、102は像面に配置された第2物体(例えば、ウエハ)であり、投影光学系100は、第1物体の像を第2物体上に形成する。投影光学系100は、光路に沿って物体側から順に、第1結像光学系G1乃至第4結像光学系G4を有する4回結像系である。
第1結像光学系G1は、第1物体101の実像である第1中間像を点Pに形成し、図1においては、レンズ群(又は屈折部材群)から構成される。
但し、図2に示すように、第1結像光学系G1をレンズ群L11及びL12で構成し、レンズ群L11とL12の間に平面ミラー(第2の平面ミラー)FM2を配置し、第1結像光学系G1の光軸を折り曲げてもよい。レンズ群L11は少なくとも一つ屈折部材を有する屈折系であり、正の屈折力を有する。また、レンズ群L11は第1物体101に光路に沿って最も近い側に配置される。レンズ群L12は、少なくとも一つの屈折部材を有し、正屈折力を有する。また、レンズ群L12は、第2物体102に光路に沿って最も近い側に配置される。平面ミラーFM2はレンズ群L11及びL12の間で、好ましくは、第1結像光学系の瞳近傍に、配置される。
このような構成とすることにより、第1物体101と第2物体102とを平行な配置とすることができ、装置構成上、特に、ステップアンドスキャン方式の露光装置において、ステージ駆動機構が構成し易いというメリットがある。その場合、第1物体101と第2物体102は平行に配置されるが、第1結像光学系G1と第4結像光学系G4とが一本の直線状の光軸を共有しておらず、それぞれ異なる光軸を有している。このため、物像間距離が長くなるという問題を解決することができる。また、平面ミラーFM2が瞳の近傍にある場合、ある一物点から出射した光束のうち全ての光線の入射角、出射角がほぼ同じになる。このため、反射膜の反射率角度特性を考慮しても、瞳各点の透過率は一様な値となり、瞳透過率分布は悪化しない。なお、本出願において、平面ミラーFM2が「第1結像光学系G1の瞳に配置されている」という表現は、瞳から多少ずれた状態も含む趣旨である。
第2結像光学系G2は、第1中間像からの光束に基づいて第1物体101の実像である第2中間像を点Pに形成する。第2結像光学系G2は、レンズ群L21と凹面鏡CM21(第1の凹面鏡)を有する反射屈折系である。レンズ群L21は、少なくとも一つの屈折部材から構成され、正の屈折力を有する。好ましくは、レンズ群L21は、少なくとも1枚の凸レンズと少なくとも1枚の凹レンズを含む。これにより、ペッツバール和の補正に有利な構成となる。凹面鏡CM21は、第2結像光学系G2の瞳近傍に配置されて非点収差の発生を回避している。なお、本出願において、凹面鏡CM21が「第2結像光学系G2の瞳に配置されている」という表現は、瞳から多少ずれた状態も含む趣旨である。
第3結像光学系G3は、第2中間像からの光束に基づいて第1物体101の実像である第3中間像を点Pに形成する。第2結像光学系G2は、レンズ群L31と凹面鏡CM31(第2の凹面鏡)を有する反射屈折系である。レンズ群L31は、少なくとも一つの屈折部材から構成され、正の屈折力を有する。好ましくは、レンズ群L31は、少なくとも1枚の凸レンズと少なくとも1枚の凹レンズを含む。これにより、ペッツバール和の補正に有利な構成となる。凹面鏡CM31は、第3結像光学系G3の瞳近傍に配置されて非点収差の発生を回避している。なお、本出願において、凹面鏡CM31が「第3結像光学系G3の瞳に配置されている」という表現は、瞳から多少ずれた状態も含む趣旨である。
第4結像光学系G4は、第3中間像からの光束に基づいて第1物体101の実像を第2物体102上に形成する。第4結像光学系G4は、少なくとも一つの屈折部材から構成される屈折系である。第4結像光学系G4は、最終的な像(最終像)を第2物体102上に形成する。
光路に沿って第2結像光学系G2のレンズ群L21と第3結像光学系G3のレンズ群L31との間には平面ミラー(偏向反射鏡、折り曲げミラー)FM1が配置されている。より詳細には、平面ミラー(第1の平面ミラー)FM1は、第2の結像光学系G2において光路に沿って第3の結像光学系G3に最も近い屈折部材と、第3の結像光学系G3において光路に沿って第2の結像光学系G2に最も近い屈折部材との間に配置される。
平面ミラーFM1は、第2結像光学系G2からの光束を第3結像光学系G3に反射する。しかし、第3結像光学系G3から第4結像光学系G4に至る光束を反射しない。この点で、平面ミラーFM3は特許文献1の図3の平面ミラー(M1、M2)と相違する。特許文献1の図3の投影光学系は一枚の平面ミラーを有しているが、その平面ミラーは表裏面を反射面として使用している。これに対して、本実施例の平面ミラーFM1は使用する反射面は一面のみである。そして、平面ミラーFM1は、第3結像光学系G3から前記第4結像光学系に至る光路から外れた位置に配置されている。また、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4との間には反射面が配置されていない。この結果、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4は共通の一本の直線状の光軸OAを共有する。なお、本実施例では、第1物体101から第2結像光学系G2に向かう光軸をOA、第3結像光学系G3から第2物体102に向かう光軸OAとしている。
平面ミラーFM1は、第1乃至第3中間像の形成点P乃至Pの近傍に配置される。点P乃至Pでは光束が集光しており、これらを平面ミラーFM1の近傍に配置することによって、平面ミラーFM1は、第1結像光学系G1から第2結像光学系G2に向かう光束や第3結像光学系G3から第4結像光学系G4に向かう光束と干渉しない。なお、本実施例では、平面ミラーFM1は第2中間像の形成点Pの光路に沿って前段に配置されているが、後段に配置されてもよい。平面ミラーFM1は結像には寄与しない。本実施例では、光軸OAと光軸OAとは直交し、平面ミラーFM1の光軸OAに対する角度は45度である。但し、本発明は平面ミラーFM1の折り曲げ角度を限定するものではない。
このように、投影光学系100は、いくつかの特徴を有する。
まず、投影光学系100は4回結像系であり、4回結像系は光路長を長く確保して各結像光学系における収差の発生量を低減すると共に収差補正の自由度を増大させることができるため収差補正に効果的である。また、投影光学系100は、第1結像光学系G1と第2結像光学系G2、第3結像光学系G3と第4結像光学系G4というように、屈折系と反射屈折系の対を連続して配置している。そして、投影光学系100はこの対を2対以上有することによって、ペッツバール和と軸上色収差の補正を容易にしている。
更に、ペッツバール和の補正が容易ということで、第1結像光学系G1と第4結像光学系G4を、ペッツバール和を補正するための凹レンズを多用することなしに構成することができる。このため、レンズの小径化が可能となる。また、単一硝材の場合、色コマ収差、倍率色収差等の非対称色収差の補正が困難になる。これに対して、第1結像光学系G1と第4結像光学系G4の2つの屈折系によって、光束の上側光線、下側光線及び主光線の制御を容易にすることで非対称色収差を容易に補正している。更に、投影光学系100は瞳の中心が遮光されていない軸外光束のみを使って結像する多数回結像光学系である。
投影光学系100は、2枚の凹面鏡CM21及びCM31を有するのでペッツバール和の補正が容易になる。ペッツバール和を補正する機能を凹レンズに持たせる割合が凹面鏡の数が一枚の場合よりも低減するので、レンズ径の大型化や凹レンズの枚数増加を防止して投影光学系100を小型に構成することができる。また、パワーの強い凹レンズを使用する必要がないので高次収差の増加を防止して収差補正を容易に行うことができる。
投影光学系100は、一枚のみの平面ミラーFM1又は一面のみの反射面を有している。平面ミラー又は反射面の数が増加すると上側光線と下側光線の透過率差が増幅されて、光学系の射出瞳内での透過率の分布(瞳透過率分布)が悪化し、CD均一性が悪化するが、本実施例はかかる問題を最小限に抑えている。
また、投影光学系100は、平面ミラーFM1を使用することによって投影光学系の全ての光学素子が一本の直線状の光軸を共有することを防止している。全ての光学素子が光軸を共有すると物像間距離が増加し易い。この場合、第2物体102が第1物体101の真下に配置されるなどの構成になり易い。特に、投影光学系が反射屈折系の場合には、ミラーからの反射光が他のミラーの外側を通過することになり、広い良像範囲を確保しづらくなるか、広い良像範囲を確保すれば前記別のミラーの外側を通過する光束がより高くなるために後段のレンズ径が増大する。本実施例の平面ミラーFM1はかかる問題を解決している。
正の屈折力をもつ屈折部材(例えば、凸レンズ)からは正のペッツバール和が生じ、負の屈折力をもつ屈折部材(例えば、凹レンズ)からは負のペッツバール和が生じる。また、正の屈折力をもつ反射部材(例えば、凹面ミラー)からは、負のペッツバール和が生じる。各部材からのペッツバール和の和として表される第1〜第4の各結像光学系のペッツバール和は、以下のようになる。第1結像光学系と第4結像光学系のペッツバール和は正の値となる。これを、第2結像光学系と第3結像光学系の負のペッツバール和で補正(相殺)する。このとき、第1結像光学系のペッツバール和P11、第4結像光学系のペッツバール和P14は、それぞれ数式1を満足し、第2結像光学系のペッツバール和P12、第3結像光学系のペッツバール和P13は、数式2を満足することが好ましい。
第1結像光学系G1の近軸横倍率の絶対値は、0.9倍以上1.7倍以下が好ましく、より好ましくは1.3倍程度である。第1結像光学系G1の近軸横倍率の絶対値が1.7倍よりも大きいと、第1中間像付近のレンズ径が巨大化し、干渉を避けながらレンズを構成すると全系が巨大化し、コスト上不利になるためである。また、第1結像光学系G1の近軸横倍率の絶対値が0.9倍よりも小さいと、第1中間像におけるNAが大きくなり、干渉を避けてレンズを構成するのが困難になるからである。
第2結像光学系G2と第3結像光学系G3の近軸横倍率の積の絶対値は、0.8以上1.2以下が好ましく、より好ましくは1.0である。なぜならば、平面ミラーFM1の周囲での光束の干渉を避けながら、かつ広い画面サイズを確保するために有利だからである。
以下、それについて詳しく説明する。物体面上の任意の点と光軸との、光軸と垂直方向に測った高さを物高と呼ぶ。投影光学系100にはその構成上、最小となる物高、いわゆる最小物高、と最大となる物高、いわゆる最大物高が存在する。最大物高と最小物高の差が大きくなるほど広い画面サイズを確保することができることは明らかである。最大物高は製作可能な硝子材料やレンズの大きさなどの制約を受け、最小物高は、平面ミラーFM1周りでの光線の干渉条件の制約を受ける。
図12は、図2において平面ミラーFM1と光束との関係を説明する光路図である。物高h0の軸外物点から出た光束が第1結像光学系G1によって結像された第1中間像の形成位置(点P)の光軸OAに垂直に測った高さをh1とする。また、物高h0の軸外物点から出た光束が第3結像光学系G3によって結像された第3中間像の形成位置(点P)の光軸OAに垂直に測った高さをh3とする。第1結像光学系G1から第2結像光学系G2へ向かう光束が平面ミラーFM1によってケラレない(干渉しない)ためには、h1をある程度、例えば、5mm以上、確保しなければならない。同様に、第3結像光学系G3から第4結像光学系G4へ向かう光束が平面ミラーFM1によってケラレない(干渉しない)ためには、h3をある程度、例えば5mm以上、確保しなければならない。一方で、物高h0とh1、h3は、それぞれが共役な点同士ゆえに比例関係にあるので、h1とh3を可能な範囲でできるだけ小さくすることによって、可能な最小物高h0が決定されることになる。
ここで、第2結像系の近軸倍率をβ2、第3結像系の近軸倍率をβ3とすると、h1とh3の間には数式3の関係が成立する。
即ち、第2結像光学系G2と第3結像光学系G3の近軸倍率の積によって、h1とh3の大小関係が定まることになる。この関係式を用いて、h1及びh3が、例えば、5mm以上でできるだけ小さくなる条件を計算すると、β2×β3の各値に対してh1とh3のとる値は、図13に示すようになる。β2×β3=1のとき、h1=h3=5mmとなり、h1及びh3が最も小さくなり、それ以外の値では、β2×β3が1から離れるに従って、h1あるいはh3が徐々に大きくなる。即ち、β2×β3=1の時に最も小さい最小物高を得ることができ、この条件から外れるに従って可能な最小物高が徐々に大きくなる。ここでは干渉制約を例として5mmと置いたが、これ以外の値のときも当然ながら同じ振る舞いを示す。なお、最良の状態から20%程度大きくなるのを許容するとして、β2×β3は、0.8から1.2が好ましい範囲となる。
図3は、本発明の一側面としての露光装置200の概略ブロック図である。露光装置200は、図3に示すように、照明装置210と、原版220のパターンを基板230に投影する上述の投影光学系100とを有する。
露光装置200は、ステップアンドスキャン方式で原版220に形成されたパターンを基板230に露光する投影露光装置である。照明装置210は転写用の回路パターンが形成された原版220を照明し、光源部212と照明光学系214とを有する。光源部212は、光源としてレーザーを使用する。照明光学系214は、原版220を均一に照明する。原版220は、転写されるべき回路パターン(又は像)が形成されたレチクル(マスク)であり、図示しないステージに支持及び駆動される。原版220から発せられた回折光は投影光学系100を通り基板230上に投影される。基板230としては、ウエハを用いても、ガラスプレートを用いても良い。基板230にはフォトレジストが塗布されている。原版220と基板230とは共役の関係に配置される。露光装置200は、ステップアンドスキャン方式の露光装置であるため、原版220と基板230を走査することによりパターンを基板230に縮小投影する。
図4は、実施例1の反射屈折型投影光学系100Aの光路図である。図4を参照するに、投影光学系100Aは、光路に沿って第1物体101側から順に、第1結像光学系G1乃至第4結像光学系G4を有する。
第1結像光学系G1は往復光学系を形成しない屈折系であり、少なくとも1つのレンズから構成される屈折レンズ群を有する。第2結像光学系G2は往復光学系を形成する反射屈折系である。第2結像光学系G2は、往復光学系を形成するレンズ群L21と、凹面鏡CM21から構成される。また、往復光学系を形成するレンズ群L21は、正の屈折力のレンズ群L211と、負の屈折力のレンズ群L212から構成される。第3結像光学系G3は、往復光学系を形成する反射屈折系である。反射屈折系の第3結像光学系G3は、往復光学系を形成するレンズ群L31と、凹面鏡CM31から構成される。また、往復光学系を形成するレンズ群L31は、正の屈折力のレンズ群L311と、負の屈折力のレンズ群L312から構成される。第4結像光学系G3は往復光学系を形成しない屈折系であり、少なくとも1つのレンズから構成される屈折レンズ群を有する。
本実施例では、第1結像光学系中に平面ミラーFM2を含み、これにより第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)が対向している。
投影光学系100は、光学系全体としてペッツバール項の和がゼロ又はゼロ近傍となるように、ミラー形状、レンズパワーを決定するのが好ましい。非球面のミラー及びレンズの形状は、数式4に示す一般的な非球面の式で表現される。
数式4において、Zは光軸方向の座標、cは曲率(曲率半径rの逆数)、hは光軸からの高さ、kは円錐係数である。また、A、B、C、D、E、F、G、H、J、・・・は各々、4次、6次、8次、10次、12次、14次、16次、18次、20次、・・・の非球面係数である。
表1に、このレンズ構成における、各面の曲率半径、面間隔、材質などの数値データを示す。また、表2に、このレンズ構成に含まれる非球面について、その係数データを示す。
このレンズ構成の仕様は次の通りである。最終レンズと第2物体(ウエハ)との間に純水を満たした液浸露光装置の投影光学系であり、NAは1.35である。最終レンズとウエハとの距離(作動距離)は、2mmである。露光光源はArFエキシマレーザを想定しており、露光波長は193nmである。投影倍率は、1/4倍である。物像間距離(光路長ではなく、実際の距離)は、1705mmである。この実施例では合成石英を硝材として使用しており、合成石英(表1ではsio2と表記)の波長193nmにおける屈折率は、1.56029であり、純水(表中、waterと表記)の波長193nmにおける屈折率は、1.43669である。
本実施例の光学性能を示す収差図を図5に示す。図5(a)は球面収差、像面湾曲、ディストーションを示し、図5(b)は最小物点から最大物点までの間の5物点における波面収差を示している。また、本実施例における波面収差RMSは、使用領域全てにわたって0.007λ以下を達成しており、良好な収差補正がなされている。また、本実施例における各部分系の近軸倍率は、第1結像光学系が−1.397であり、第2結像光学系G2が−0.997であり、第3結像光学系G3が−1.018であり、第4結像光学系G4が−0.176である。第2結像光学系G2と第3結像光学系G3の近軸倍率の積は1.015であり、0.8〜1.2の範囲内に入っている。
本実施例では、第1物体面(レチクル面)における高さで12.5mmから68.5mmまでの物点について、光路の干渉がなく、かつ良好な収差補正がなされている。従って、図6(a)に示すように、第2物体面(ウエハ面)上において、26mm×8mmの長方形領域を露光に使用することができている。また、図6(b)に示すように、長方形の対応する2辺を円弧形状にすることにより、更に、広い26mm×11mmの領域を露光に使用するようにしてもよい。
また、本実施例は、第4結像光学系G4中に開口絞りを備えており(表1中の75面)、これによりNAの制御などを行う。もちろん、開口絞りは1枚に限定されることはなく、第4結像光学系G4中に複数枚設けても構わないし、他の、第1〜第3結像光学系中に設けても構わない。
本実施例は、負の屈折力を有するレンズ群L212を第2結像光学系G2の凹面鏡CM21の直前に配置し、更に、負の屈折力を有するレンズ群L312を第3結像光学系G3の凹面鏡CM31の直前に配置している。これにより、光学系の大型化を招くことなく、軸上色収差を効率良く補正している。また、第2結像光学系G2に正の屈折力を有するレンズ群L211を配置し、第1中間像から第2結像光学系G2に導かれる光束と、第2結像光学系G2で形成される第2中間像から第3結像光学系G3に導かれる光束が過度に広がるのを防止している。これにより、光学系の小型化を図ることができる。また、第3結像光学系G3に正の屈折力を有するレンズ群L311を配置し、第2中間像から第3結像光学系G3に導かれる光束と、第3結像光学系から第4結像光学系に導かれる光束が過渡に広がるのを防止している。これにより、光学系の小型化を図ることができる。
図7は、平面ミラーFM1と光路との干渉を避ける図4とは異なる構成を有する投影光学系100Bの光路図である。露光に使用する物体高が両者で異なっており、従って、平面ミラーFM1の配置に違いが見られる。図4と図7の構成のいずれかが、鏡筒構成の容易さや反射膜設計上の条件など、総合的な条件に鑑みて決定される。
図8は、実施例2の反射屈折型投影光学系100Cの光路図である。このレンズ構成の仕様は次の通りである。実施例1と同様に液浸露光装置の投影光学系であり、NAは1.35であり、作動距離は2mmであり、露光波長は193nmである。また、投影倍率は1/4倍であり、物像間距離は1705mmであり、材質の屈折率は実施例1と同じであり、収差補正されている物高の範囲も実施例1と同じである。
表3に、このレンズ構成における、各面の曲率半径、面間隔、材質などの数値データを示す。また、表4に、このレンズ構成に含まれる非球面について、その係数データを示す。なお、非球面の面形状の定義は実施例1と同様である。
本実施例でも、第1結像光学系G1の瞳近傍に平面ミラーFM2を含み、これにより第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)が対向している。
本実施例の光学性能を示す収差図を図9に示す。図9(a)は球面収差、像面湾曲、ディストーションを示し、図9(b)は最小物点から最大物点までの間の5物点における波面収差を示している。また、本実施例における波面収差RMSは、使用領域全てにわたって0.005λ以下を達成しており、第2結像光学系G2中に非球面レンズを1枚追加することにより、実施例1よりも更に良好な収差補正がなされている。
また、本実施例における各部分系の近軸倍率は、第1結像光学系G1が−1.322であり、第2結像光学系G2が−0.992であり、第3結像光学系G3が−1.027であり、第4結像光学系G4が、−0.186である。第2結像光学系と第3結像光学系の近軸倍率の積は1.019であり、0.8〜1.2の範囲内に入っている。
図10は、実施例3の反射屈折型投影光学系100Dの光路図である。このレンズ構成の仕様は次の通りである。実施例1と同様に液浸露光装置の投影光学系であり、NAは1.35であり、作動距離は2mmであり、露光波長は193nmである。また、投影倍率は1/4倍であり、材質の屈折率は実施例1に同じであり、収差補正されている物高の範囲も実施例1と同じである。
表5に、このレンズ構成における、各面の曲率半径、面間隔、材質などの数値データを示す。また、表6に、このレンズ構成に含まれる非球面について、その係数データを示す。なお、非球面の面形状の定義は実施例1と同様である。
投影光学系100Dは、第1結像光学系G1中に平面ミラーFM2を配置せず、ストレートな構成としている。これにより、第1物体(レチクル)と第2物体(ウエハ)は対向せずに直交している。露光装置を、ウエハステージが地面と平行になるように構成したとすると、この投影光学系の高さは、第2物体面(ウエハ面)から第3結像光学系中の凸面反射鏡までの距離で決まり、その値は1370mmとなる。即ち、他の実施例に比べて、露光装置の高さを低く抑えられるという有利な点がある。
また、第1結像光学系G1がストレートな構成となったことで、第1結像光学系G1中に開口絞りを設けやすいという特徴もある。第1結像光学系G1中のみに絞りを設けてNAを制御してもよいし、第4結像光学系G4中の開口絞りと連動させてより高精度にNAを制御してもよい。
本実施例の光学性能を示す収差図を図11に示す。図11(a)は球面収差、像面湾曲、ディストーションを示し、図11(b)には、最小物点から最大物点までの間の5物点における波面収差を示している。また、本実施例における波面収差RMSは、使用領域全てにわたって0.005λ以下を達成しており、実施例1よりも更に良好な収差補正がなされている。
また、本実施例における各部分系の近軸倍率は、第1結像光学系が−1.398であり、第2結像光学系が−0.993であり、第3結像光学系が−1.022であり、第4結像光学系が、−0.176である。第2結像光学系と第3結像光学系の近軸倍率の積は1.015であり、0.8〜1.2の範囲内に入っている。
以下、図14及び図15を参照して、露光装置200を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図14は、デバイス(半導体デバイスや液晶デバイス等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体デバイスの製造を例に説明する。ステップ1(回路設計)では、デバイスの回路設計を行う。ステップ2(レチクル製作)では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ3(ウエハ製造)では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップ4によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)では、ステップ5で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
図15は、ステップ4のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ11(酸化)では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ14(イオン打ち込み)では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では、露光装置200によってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ17(現像)では、露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、結像性能の優れた投影光学系を使用して、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置200を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、反射屈折型投影光学系は、液浸露光装置でなくても適用することができる。また、LuAGなどの高屈折材料を用いた更に高NAの投影光学系にも適用することができる。
本発明の一側面としての投影光学系の光路図である。 図1に示す投影光学系の変形例の光路図である。 本発明の一側面としての投影光学系を有する露光装置の光路図である。 実施例1の投影光学系の光路図である。 図5(a)及び図5(b)は、図4に示す投影光学系の収差図である。 図6(a)は、図4に示す投影光学系の物体面の投影像形成可能領域(良像領域)と光軸との関係を示す平面図である。図6(b)は、図4に示す投影光学系の物体面の投影像形成可能領域(良像領域)と光軸との別の関係を示す平面図である。 図4に示す投影光学系の変形例の光路図である。 実施例2の投影光学系の光路図である。 図9(a)及び図9(b)は、図8に示す投影光学系の収差図である。 実施例3の投影光学系の光路図である。 図11(a)及び図11(b)は、図10に示す投影光学系の収差図である。 図2に示す平面ミラーと光束との干渉状態を説明するための光路図である。 図12に示す中間像形成位置の光軸からの高さと近軸倍率との関係を示すグラフである。 図3に示す露光装置を使用したデバイス製造方法のフローチャートである。 図14に示すステップ4の詳細を示すフローチャートである。
符号の説明
FM1 (第1の)平面ミラー
FM2 (第2の)平面ミラー
G1 第1結像光学系
G2 第2結像光学系
G3 第3結像光学系
G4 第4結像光学系
OA、OA 光軸
101 第1物体
102 第2物体
100乃至100D 投影光学系
200 露光装置

Claims (10)

  1. 第1物体の像を第2物体上に投影する投影光学系において、
    前記第1物体の第1中間像を形成する第1結像光学系と、
    前記第1中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第2中間像を形成し、第1の凹面鏡を有する第2結像光学系と、
    前記第2中間像からの光束に基づいて前記第1物体の第3中間像を形成し、第2の凹面鏡を有する第3結像光学系と、
    前記第3中間像からの光束に基づいて前記第1物体の像を前記第2物体上に形成する第4結像光学系と、
    前記第2結像光学系において光路に沿って前記第3結像光学系に最も近い屈折部材と、前記第3結像光学系において前記光路に沿って前記第2結像光学系に最も近い屈折部材との間に配置され、前記第2結像光学系からの光束を前記第3結像光学系に反射する第1の平面ミラーと、を備え、
    前記第3結像光学系と前記第4結像光学系は光軸を共有することを特徴とする投影光学系。
  2. 前記第1結像光学系と前記第4結像光学系とは屈折系であり、前記第2結像光学系と前記第3結像光学系とは反射屈折系であることを特徴とする請求項1記載の投影光学系。
  3. 第1及び第4結像光学系はそれぞれ正のペッツバール和を有し、第2及び第3結像光学系はそれぞれ負のペッツバール和を有することを特徴とする請求項1又は2記載の投影光学系。
  4. 前記第1結像光学系の近軸横倍率の絶対値は、0.9倍以上かつ1.7倍以下の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の投影光学系。
  5. 前記第2結像光学系の近軸倍率と前記第3結像光学系の近軸倍率の積の絶対値は、0.8以上かつ1.2以下の範囲にあることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の投影光学系。
  6. 前記第1の凹面鏡は前記第2結像光学系の瞳に配置されていることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか一項記載の投影光学系。
  7. 前記第1結像光学系の瞳に配置された第2の平面ミラーを備えることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか一項記載の投影光学系。
  8. 前記第1物体と前記第2物体は平行に配置され、前記第1結像光学系と前記第4結像光学系とはそれぞれ異なる光軸を有することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか一項記載の投影光学系。
  9. 原版のパターンを基板に露光する露光装置において、
    第1物体としての前記原版の前記パターンを第2物体としての前記基板に投影する請求項1乃至8のうちいずれか一項記載の投影光学系を有することを特徴とする露光装置。
  10. 請求項9に記載の露光装置を利用して基板を露光するステップと、
    露光された前記基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
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