JP2009133782A - 水素センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】常温での水素検知を可能とする共に、応答速度の高い水素センサを提供する。
【解決手段】水素脆性材料からなるナノワイヤーWを有し、このナノワイヤーWが水素と反応して断線することを検出することにより水素を検知する。これにより、水素を常温で検知可能とする共に、その応答速度を高めることが可能である。
【選択図】図2

Description

本発明は、水素を検知する水素センサに関する。
近年、環境問題や資源問題に対する関心の高まりから、水素をエネルギーとして利用することが注目されている。その中でも、燃料電池は、水素を用いたクリーンなエネルギーシステムとして、家庭用発電システムや自動車などの分野において急速な技術開発が進められている。したがって、燃料電池の技術分野は、今後ますます発展していくことが予想される。
ところで、水素は、爆発の危険性があることから取り扱いに注意が必要である。このため、上述した燃料電池においても、水素漏れを検知する水素センサが必要不可欠なものとなっている。
従来、水素を検知する方法としては、酸化スズを用いた半導体式の水素センサが広く用いられている。しかしながら、この半導体式の水素センサは、動作温度が400℃程度と高いために加熱を要することや、価格が高いといった欠点がある。
そこで、常温で作動する水素センサとして、ガラス基板上にマグネシウム・パラジウム合金薄膜を形成し、その上にパラジウムや白金等からなる触媒層を形成したものが提案されている(特許文献1を参照。)。しかしながら、この特許文献1に記載される水素センサは、室温で水素を検出できるものの、応答速度が遅く、検出精度も低いといった欠点がある。
特開2007−71547号公報
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、常温での水素検知を可能とする共に、応答速度の高い水素センサを提供することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明に係る水素センサは、水素脆性材料からなるナノワイヤーを有し、このナノワイヤーが水素と反応して断線することを検出することにより水素を検知することを特徴とする。
この水素センサでは、水素脆性材料からなるナノワイヤーが水素と反応して断線することを水素検知に用いることによって、水素を常温で検知可能とする共に、その応答速度を高めることが可能である。
また、上記ナノワイヤーの太さは、100nm以下であることが好ましい。
これにより、水素検知の応答速度を高めることができる。なお、ナノワイヤーの太さの下限については、物理的に形成可能な太さの限界値であればよい。
また、本発明に係る水素センサは、開口部が設けられた支持部材を備え、上記ナノワイヤーを支持部材の開口部に臨む位置に架橋した状態で、少なくとも1本以上配置した構成とすることが好ましい。
これにより、支持部材の開口部を通過する水素が、この開口部に臨む位置に架橋されたナノワイヤーに接触した場合に、ナノワイヤーが水素と反応して断線しやすくなる。したがって、水素の検出精度を高めることが可能である。
以上のように、本発明によれば、常温での水素検出を可能とする共に、応答速度の高い水素センサを提供することが可能である。
以下、本発明を適用した水素センサについて、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
図1は、本発明を適用した水素センサ1の一例を示す斜視図であり、図2は、図1に示す水素センサ1の構造を示す縦断面図である。
本発明を適用した水素センサ1は、図1及び図2に示すように、水素脆性材料からなるナノワイヤーWを有し、このナノワイヤーWが水素と反応して断線したことを検出することにより水素を検知することを特徴としている。
具体的に、この水素センサ1は、支持部材2と、この支持部材2に支持された検出部3とを備えている。
支持部材2は、例えばガラス等の剛性を有する絶縁部材からなる。この支持部材2は、その形状について特に限定されないものの、例えば、開口部2aが形成された枠部4と、この枠部4を支持する一対の脚部5a,5bとを有している。
枠部4は、平面視で矩形枠状に形成されており、その中央部に矩形状の開口部2aを有している。すなわち、この枠部4は、開口部2aの周囲を囲む一の相対する2辺4a,4bと、これに直交する他の相対する2辺4c,4dとを有して構成されている。
一対の脚部5a,5bは、枠部4を構成する一の相対する2辺4a,4bに沿ってフレーム2bと一体に形成されている。また、一対の脚部5a,5bは、フレーム2bの下面から所定の高さ寸法を有している。これにより、支持部材2の開口部2aは、この支持部材2が設置される設置面よりも一対の脚部5a,5bに支持された枠部4の高さ分だけ上方に浮かせた状態となっている。
検出部3は、水素脆性材料からなるナノワイヤーWを有し、このナノワイヤーWが水素と反応して断線したことを検出する。具体的に、この検出部3は、支持部材2の開口部2aに臨む位置に一対のリードフレーム6a,6bを有している。一対のリードフレーム6a,6bは、例えばアルミニウムやチタンなどの導線性の金属部材からなり、その基端部から先端部に向かって尖形となる平板形状を有している。そして、これら一対のリードフレーム6a,6bは、互いの先端部を対向させた状態で、それぞれの基端部を枠部4を構成する一の相対する2辺4a,4bに固定することによって、支持部材2の開口部2aに臨んで配置されている。
ナノワイヤーWは、互いに対向するリードフレーム6a,6bの先端部の間に架橋した状態で設けられている。ナノワイヤーWには、水素脆性材料として、例えば銀や銅などを用いることができる。また、ナノワイヤーWの太さは、100nm以下であることが好ましい。このナノワイヤーWを細く形成することによって、後述する水素検知の応答速度を高めることができる。なお、ナノワイヤーWの太さの下限については、物理的に形成可能な太さの限界値であればよく、その限界値としては例えば1nm程度である。また、ナノワイヤーの作製方法としては、例えば銀イオンを保持した母体に電子線を照射してナノワイヤーを合成する方法などがある。この方法によれば、直径が数〜数十nmの金属銀ナノワイヤーを容易に生成することができる。
一対のリードフレーム6a,6bの基端部上には、それぞれ外部接続用の電極パッド7a,7bが設けられている。これら電極パッド7a,7bは、例えばアルミニウムなどの導線性の金属部材からなり、一対のリードフレーム6a,6bと電気的に接続されている。
以上のような構造を有する水素センサ1では、電極パッド7a,7bに接続された外部電源から供給される微小な電流を、一対のリードフレーム6a,6bを介してナノワイヤーWに通電することが可能となっている。そして、この水素センサ1では、通電された状態で、水素漏れ等により水素を含む雰囲気に晒されると、ナノワイヤーWが水素と反応して断線する。このとき、ナノワイヤーWへの通電が遮断されるため、これを検出することにより水素(水素漏れ)を常温において素早く検知することが可能となっている。
以上のように、本発明を適用した水素センサ1では、水素脆性材料からなるナノワイヤーWが水素と反応して断線することを水素検知に用いることによって、水素を常温で検知することが可能となると共に、水素を検知する際の応答速度を大幅に高めることが可能である。さらに、この水素センサ1では、微小な電流を流すだけ水素を検知できるため、非常に省エネルギーである。
なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記水素センサ1では、上記リードフレーム6a,6bの先端部の間にナノワイヤーWが配置された構成となっているが、このような構成に限らず、ナノワイヤーWは、支持部材2の開口部2aに臨む位置に架橋した状態で、少なくとも1本以上配置されていればよい。これにより、上記支持部材2の開口部2aを通過する水素が、この開口部2aに臨む位置に架橋されたナノワイヤーWに接触した場合に、ナノワイヤーWが水素と反応して断線しやすくなる。したがって、水素の検出精度を高めることが可能である。また、ナノワイヤーWを複数本配置した場合には、何れかのナノワイヤーWが断線したことを検出することによって、水素検知に対する応答速度を更に高めることが可能である。
また、上記水素センサ1では、上記リードフレーム6a,6bや電極パッド7a,7bに金属材料を用いた構成となっているが、このような構成に限らず、シリコンなどの半導体基板を用いて、これらを一体に形成していくことも可能である。
図1は、本発明を適用した水素センサの一例を示す斜視図である。 図2は、図1に示す水素センサの縦断面図である。
符号の説明
1…水素センサ 2…支持部材 2a…開口部 3…検出部 4…枠部 5a,5b…脚部 6a,6b…リードフレーム 7a,7b…電極パッド

Claims (3)

  1. 水素脆性材料からなるナノワイヤーを有し、このナノワイヤーが水素と反応して断線したことを検出することにより水素を検知することを特徴とする水素センサ。
  2. 前記ナノワイヤーの太さが100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の水素センサ。
  3. 開口部が設けられた支持部材を備え、
    前記ナノワイヤーは、前記支持部材の開口部に臨む位置に架橋した状態で、少なくとも1本以上配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の水素センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504442A (ja) * 2009-09-11 2013-02-07 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002228615A (ja) * 2001-02-05 2002-08-14 Okazaki Mfg Co Ltd 水素ガス漏洩検知センサ
JP2003161712A (ja) * 2002-10-07 2003-06-06 Riken Keiki Co Ltd 結露防止機能を備えたガスセンサ
JP2005537469A (ja) * 2002-08-30 2005-12-08 ナノ−プロプライエタリー, インコーポレイテッド 可変範囲水素センサとして使用するための金属ナノワイヤの形成
JP2007086020A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 水素ガス漏れ検知器及び水素ガス漏れ制御装置
JP2007178377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Showa Denko Kk ガスセンサ、反応性ガス漏洩検知器および検知方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002228615A (ja) * 2001-02-05 2002-08-14 Okazaki Mfg Co Ltd 水素ガス漏洩検知センサ
JP2005537469A (ja) * 2002-08-30 2005-12-08 ナノ−プロプライエタリー, インコーポレイテッド 可変範囲水素センサとして使用するための金属ナノワイヤの形成
JP2003161712A (ja) * 2002-10-07 2003-06-06 Riken Keiki Co Ltd 結露防止機能を備えたガスセンサ
JP2007086020A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 水素ガス漏れ検知器及び水素ガス漏れ制御装置
JP2007178377A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Showa Denko Kk ガスセンサ、反応性ガス漏洩検知器および検知方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504442A (ja) * 2009-09-11 2013-02-07 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法
JP2016028238A (ja) * 2009-09-11 2016-02-25 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法
EP2475612A4 (en) * 2009-09-11 2017-09-13 Jp Laboratories, Inc. Monitoring devices and processes based on transformation, destruction and conversion of nanostructures
JP2017205868A (ja) * 2009-09-11 2017-11-24 ジェイピー ラボラトリーズ インコーポレイテッド ナノ構造の変形、破壊、および変換に基づくモニタリング装置およびモニタリング方法

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