JP2009117876A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009117876A JP2009117876A JP2009040820A JP2009040820A JP2009117876A JP 2009117876 A JP2009117876 A JP 2009117876A JP 2009040820 A JP2009040820 A JP 2009040820A JP 2009040820 A JP2009040820 A JP 2009040820A JP 2009117876 A JP2009117876 A JP 2009117876A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- wafer
- plasma
- film forming
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】成膜装置内ターゲットに直流電源から電圧を印加しプラズマを発生させる。プラズマ中のイオンがターゲットに衝突しターゲット材料が飛散しウェハに付着して薄膜を形成する。エッチング処理の精度は、プラズマ中のイオンと薄膜が衝突する方向、エネルギーで決まり、イオンを制御性よく薄膜に衝突させるため交流電力源の交流電力を印加する。ウェハを流れる交流電力の電圧,電流,位相を交流電力モニタ装置で測定する。ウェハを流れる交流電力のインピーダンス値の変化により、薄膜形成工程に起因の異常を検出し、ウェハ温度コントローラを制御する。このウェハを流れる交流電力測定で薄膜異常を精度よく監視し、早期に異常を発見することを、新たに成膜装置の監視装置を追加することなく低コストにできる。
【選択図】図1
Description
2 エッチング装置
3 ウェハ
4 検査装置
5 プラズマ(エッチング装置内)
6 交流電力モニタ装置
7 交流電力源
8 プラズマソース
9 ウェハ温度コントローラ
10 プラズマ(成膜装置内)
11 直流電源
12 ターゲット
15 電極
16 交流電力モニタ装置
17 交流電力源
18 プラズマソース
Claims (4)
- ウェハ上に薄膜を形成処理する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後にプラズマを発生させてウェハ上から薄膜を除去するエッチング処理の工程を含むプラズマ処理方法であって、
前記エッチング処理を行うエッチング装置において、処理中にプラズマに接した薄膜を通して前記ウェハを流れる交流電力の電圧,電流,位相を測定装置により測定し、前記測定した電圧,電流,位相のいずれかを含む関数の値が予め定めた値の範囲外となったときに前記ウェハを異常として検知し、前記薄膜形成工程の成膜条件の変更を行うこと
を特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記ウェハの異常を検知する関数が、電圧を電流で割ったものであることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
- 前記薄膜形成工程が、直流放電によるスパッタリング成膜を行う工程であることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理方法。
- ウェハ上に薄膜を形成処理する薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程の後にプラズマを発生させてウェハ上から薄膜を除去するエッチング処理の工程を含むみ前記ウェハが同一装置において複数回エッチング処理するプラズマ処理方法であって、
前記エッチング処理を行うエッチング装置が、処理中にプラズマに接した薄膜を通して前記ウェハを流れる交流電力の電圧,電流,位相を測定装置により測定し、前記測定した電圧,電流,位相のいずれかを含む関数の値と、同一の前記ウェハを前回のエッチング処理時に測定した関数の値との差が予め定めた値の範囲外となったときに前記ウェハを異常として検知し、前記薄膜形成工程の成膜条件の変更を行うこと
を特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009040820A JP4873025B2 (ja) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009040820A JP4873025B2 (ja) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | プラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004067377A Division JP4294516B2 (ja) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117876A true JP2009117876A (ja) | 2009-05-28 |
JP4873025B2 JP4873025B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=40784567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009040820A Expired - Fee Related JP4873025B2 (ja) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4873025B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298259A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Nec Corp | ドライエッチング方法及び装置 |
JPH10275753A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JPH11238723A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理のモニタリング方法及び装置 |
JP2003163200A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | プラズマ管理方法と管理装置およびプラズマ処理方法と処理装置 |
-
2009
- 2009-02-24 JP JP2009040820A patent/JP4873025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298259A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Nec Corp | ドライエッチング方法及び装置 |
JPH10275753A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Hitachi Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JPH11238723A (ja) * | 1998-02-19 | 1999-08-31 | Hitachi Ltd | プラズマ処理のモニタリング方法及び装置 |
JP2003163200A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | プラズマ管理方法と管理装置およびプラズマ処理方法と処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4873025B2 (ja) | 2012-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4674177B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3630931B2 (ja) | プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP4657949B2 (ja) | エッチング処理装置および自己バイアス電圧測定方法ならびにエッチング処理装置の監視方法 | |
KR102457883B1 (ko) | 챔버 매칭 및 모니터링을 위한 방법 및 시스템 | |
JP2007214254A (ja) | 半導体装置の製造方法およびプラズマ処理装置 | |
JP4796372B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3893276B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4365109B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2008287999A (ja) | プラズマ処理装置およびその制御方法 | |
JP6386287B2 (ja) | プラズマの安定性判定方法及びプラズマ処理装置 | |
US20060063284A1 (en) | DC bias voltage measurement circuit and plasma CVD apparatus comprising the same | |
US20060151429A1 (en) | Plasma processing method | |
JP4873025B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP4695362B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4294516B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2007214176A (ja) | 半導体装置の製造方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2004363405A (ja) | プラズマ処理装置の異常検出方法 | |
JP2022088076A (ja) | 配線異常の検知方法及びプラズマ処理装置 | |
JP2001007084A (ja) | エッチング終点判定方法 | |
JP2003045846A (ja) | 半導体製造装置の監視方法及びその制御方法 | |
JP2004079929A (ja) | プラズマリーク監視方法,プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4800044B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
KR100938679B1 (ko) | 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 | |
JP2007115838A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
JP2002305182A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090224 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110926 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111107 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4873025 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |