JP2009117573A - 光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】アレイ状のエミッタに対して一個の波長変換素子を対応可能とすることで、小型化及び低コスト化が実現可能な光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置を提供する。
【解決手段】レーザ光を射出するエミッタ2がライン状に配列されたエミッタ列A1,A2を複数有する光素子1と、光素子1のエミッタ2から射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子20と、光素子1との間で共振器構造を構成する外部共振器30と、光素子2及び波長変換素子20間におけるレーザ光の光路上に設けられ、光素子1から射出されたレーザ光を透過させるとともに外部共振器30で反射されて波長変換素子20により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射ミラーMと、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材M3と、を備える光源装置100である。
【選択図】図1
【解決手段】レーザ光を射出するエミッタ2がライン状に配列されたエミッタ列A1,A2を複数有する光素子1と、光素子1のエミッタ2から射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子20と、光素子1との間で共振器構造を構成する外部共振器30と、光素子2及び波長変換素子20間におけるレーザ光の光路上に設けられ、光素子1から射出されたレーザ光を透過させるとともに外部共振器30で反射されて波長変換素子20により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射ミラーMと、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材M3と、を備える光源装置100である。
【選択図】図1
Description
本発明は、光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置に関するものである。
従来から、プロジェクタ等の小型・高出力化を目的として、光源に半導体レーザチップ等の光素子を用いた光源装置が知られている。このような光源装置のレーザチップとしては、高出力化のために発光面の複数のエミッタをアレイ状に配列したものが使用される。
また、このような光源装置において発光素子の外部に波長変換素子等の光学素子を備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。
特開2007−5352号公報
また、このような光源装置において発光素子の外部に波長変換素子等の光学素子を備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。
ところで、一般に上記波長変換素子は板状形状をしており、その厚みを大きくすることが製造技術上困難となる。そのため、上記従来技術ではアレイの列毎に波長変換素子を設けている。したがって、従来の光源装置ではアレイの列毎に波長変換素子が複数設けられることで光源装置が大型化したり、波長変換素子を複数設けることで光源装置のコストが高くなるといった問題が生じていた。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、アレイ状のエミッタに対して一個の波長変換素子を対応可能とすることで、小型化及び低コスト化が実現可能な光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置を提供することを目的としている。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の光源装置は、レーザ光を射出するエミッタがライン状に配列されたエミッタ列を複数有する光素子と、該光素子の前記エミッタから射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子と、前記光素子との間で共振器構造を構成する外部共振器と、前記光素子及び前記波長変換素子間におけるレーザ光の光路上に設けられ、前記光素子から射出された前記レーザ光を透過させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射ミラーと、該半透過反射ミラーにより反射された前記レーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材と、を備えることを特徴とする。
すなわち、本発明の光源装置は、レーザ光を射出するエミッタがライン状に配列されたエミッタ列を複数有する光素子と、該光素子の前記エミッタから射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子と、前記光素子との間で共振器構造を構成する外部共振器と、前記光素子及び前記波長変換素子間におけるレーザ光の光路上に設けられ、前記光素子から射出された前記レーザ光を透過させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射ミラーと、該半透過反射ミラーにより反射された前記レーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材と、を備えることを特徴とする。
本発明の光源装置によれば、複数のエミッタ列からレーザ光を射出する光素子に対して一つの波長変換素子を備えているため、低コスト化及び装置の小型化を実現できる。また、アレイ状のエミッタを備えることで小型であっても高出力のレーザ光を得ることができる。
また、上記光源装置においては、前記エミッタは、前記エミッタ列間の間隔が同一列内の配列方向において隣り合う前記エミッタ同士の間隔よりも狭くなるように配置されるのが好ましい。
この構成によれば、隣り合うエミッタ列におけるエミッタ同士を近づけた状態に配置することができる。よって、光素子が小さくなることで光源装置のさらなる小型化を実現できる。このとき、波長変換素子の波長変換有効範囲に各エミッタ列のエミッタから射出されたレーザ光を確実に入射させることができる。
さらに、前記エミッタは、千鳥状に配置されるのがより望ましい。
このようにすれば、エミッタが千鳥状に配置されることで隣り合うエミッタ列のエミッタ同士をより近づけることで光素子をさらに小型にできる。
さらに、複数の前記エミッタは、近接して配置される他のエミッタへの距離が等しくなるように配置されるのが望ましい。
このようにすれば、近接して配置される他のエミッタ同士の距離が等しくなっているので、レーザ光の射出時に隣接するエミッタのレーザ光同士の波長干渉や熱干渉を防止できる。
この構成によれば、隣り合うエミッタ列におけるエミッタ同士を近づけた状態に配置することができる。よって、光素子が小さくなることで光源装置のさらなる小型化を実現できる。このとき、波長変換素子の波長変換有効範囲に各エミッタ列のエミッタから射出されたレーザ光を確実に入射させることができる。
さらに、前記エミッタは、千鳥状に配置されるのがより望ましい。
このようにすれば、エミッタが千鳥状に配置されることで隣り合うエミッタ列のエミッタ同士をより近づけることで光素子をさらに小型にできる。
さらに、複数の前記エミッタは、近接して配置される他のエミッタへの距離が等しくなるように配置されるのが望ましい。
このようにすれば、近接して配置される他のエミッタ同士の距離が等しくなっているので、レーザ光の射出時に隣接するエミッタのレーザ光同士の波長干渉や熱干渉を防止できる。
また、上記光源装置においては、前記半透過反射ミラーは前記エミッタ列に対応して設けられた複数のミラーを含み、該各ミラーには、対応する前記エミッタ列から射出された前記レーザ光を透過させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射膜が形成されるのが好ましい。
この構成によれば、半透過反射ミラーが複数のミラーから構成されるため、例えばエミッタ列毎にミラーを設けることでレーザ光の射出方向を調整可能となり、光源装置の信頼性を向上させることができる。
このとき、前記半透過反射膜は、前記半透過反射膜は、他のミラーで反射されたレーザ光の入射領域に重ならないように形成されているのがより好ましい。
この構成によれば、他のミラーで反射された光は半透過反射膜が設けられない領域に入射されて、そのままミラー内を通過することで光学部材に向かわせることができる。よって、半透過反射ミラーを複数のミラーで構成した場合においても、各エミッタの光を効率的に利用することができる。
この構成によれば、半透過反射ミラーが複数のミラーから構成されるため、例えばエミッタ列毎にミラーを設けることでレーザ光の射出方向を調整可能となり、光源装置の信頼性を向上させることができる。
このとき、前記半透過反射膜は、前記半透過反射膜は、他のミラーで反射されたレーザ光の入射領域に重ならないように形成されているのがより好ましい。
この構成によれば、他のミラーで反射された光は半透過反射膜が設けられない領域に入射されて、そのままミラー内を通過することで光学部材に向かわせることができる。よって、半透過反射ミラーを複数のミラーで構成した場合においても、各エミッタの光を効率的に利用することができる。
また、上記光源装置においては、前記光素子と前記波長変換素子と前記外部共振器と前記半透過反射ミラーとをそれぞれ備える第1光学系及び第2光学系が構成され、該第1、第2光学系において前記光学部材が共通に用いられるのが好ましい。
この構成によれば、上記光源装置を2個組み合わせる場合に比べ、光学部材を共通化することで装置の小型化を図るとともにより強い光出力を得ることができる。
この構成によれば、上記光源装置を2個組み合わせる場合に比べ、光学部材を共通化することで装置の小型化を図るとともにより強い光出力を得ることができる。
また、本発明の光源装置の他の態様としては、複数のエミッタがライン状に配列されたエミッタ列を複数有し前記エミッタからレーザ光を射出する光素子と、該光素子の前記エミッタから射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子と、前記光素子との間で共振器構造を構成する外部共振器と、前記光素子及び前記波長変換素子の光路上に設けられ、前記光素子から射出された前記レーザ光を反射して前記波長変換素子に入射させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射することで外部に射出するプリズム部と、を備えることを特徴とする。
本発明の光源装置によれば、半透過反射ミラー及び光学部材をプリズム部に置き換えることにより、同様に低コスト且つ小型の光源装置を提供でき、アレイ状のエミッタを備えることで高出力のレーザ光を得ることができる。
本発明のプロジェクタは、上記の光源装置と、該光源装置から射出されたレーザ光を画像情報に応じて変調する光変調素子と、該光変調素子によって形成された画像を投射する投射装置と、を備えることを特徴とする。
本発明のプロジェクタによれば、上述したように小型且つ低コストであって高出力を得る光源装置を備えているので、小型で高精細な画像を投影することのできるプロジェクタを低コストで提供できる。
本発明のモニタ装置は、上記の光源装置と、該光源装置により照射された被写体を撮像する撮像手段と、を備えることを特徴とする。
モニタ装置は、光源装置より射出されたレーザ光は被写体を照射し、撮像手段により被写体を撮像する。本発明によれば、上述したように小型且つ低コストで高出力の光源装置を備えているので、輝度むらのない明るい光により被写体が照射される。したがって、撮像手段により被写体を鮮明に撮像することが可能な小型のモニタ装置を低コストで得ることができる。
(第一実施形態)
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
(光源装置)
図1に示すように、本実施形態に係る光源装置100は、半導体レーザチップ1(光素子)と、この半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子20と、上記半導体レーザチップ1との間で共振器構造を構成する外部共振器30とを備えている。なお、半導体レーザチップ1としては、寸法が10x1.5x0.1(単位はいずれもmm)のものを用い、波長変換素子20としては、寸法が10x(0.5〜1)x5(単位はいずれもmm)のものを用い、外部共振器30としては、寸法が10x2x5(単位はいずれもmm)のものを用いた。
図1に示すように、本実施形態に係る光源装置100は、半導体レーザチップ1(光素子)と、この半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子20と、上記半導体レーザチップ1との間で共振器構造を構成する外部共振器30とを備えている。なお、半導体レーザチップ1としては、寸法が10x1.5x0.1(単位はいずれもmm)のものを用い、波長変換素子20としては、寸法が10x(0.5〜1)x5(単位はいずれもmm)のものを用い、外部共振器30としては、寸法が10x2x5(単位はいずれもmm)のものを用いた。
半導体レーザチップ1の発光面3には、レーザ光L1を射出するエミッタ2が複数形成されている。以下の説明では、各エミッタ2から射出されるレーザ光の光軸に平行な方向をZ軸方向とし、Z軸に垂直で上記エミッタ2の配列方向をX軸方向、Z軸とX軸の双方に垂直な方向をY軸方向とするXYZ直交座標系を用いて説明する。
図2は半導体レーザチップ1の平面図である。図2に示すように半導体レーザチップ1の発光面3には、エミッタ2がライン状(本実施形態では、20個)に配列されたエミッタ列が複数設けられている(本実施形態では、2列)。以下、図2中左側のエミッタ列を第一エミッタ列A1、同図中右側のエミッタ列を第二エミッタ列A2と称することとする。
なお、図1において、O1は第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換され、外部共振器30から射出される光を示している。また、図1において、L1は第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換されること無く射出され、外部共振器30によって反射され、波長変換素子20を再度透過する際に第二の波長に変換される光を示している。
また、同図において、O2は第ニエミッタ列A2のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換され、外部共振器30から射出される光を示している。また、同図において、L2は第一エミッタ列A2のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換されること無く射出され、外部共振器30によって反射され、波長変換素子20を再度透過する際に第二の波長に変換される光を示している。
また、同図において、O2は第ニエミッタ列A2のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換され、外部共振器30から射出される光を示している。また、同図において、L2は第一エミッタ列A2のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換されること無く射出され、外部共振器30によって反射され、波長変換素子20を再度透過する際に第二の波長に変換される光を示している。
また、エミッタ2は、第一エミッタ列A1及び第二エミッタ列A2間の間隔が同一列内の配列方向(図2中X軸方向)において隣り合うエミッタ同士の間隔よりも狭くなるように配置されている。これにより、隣り合うエミッタ列A1,A2におけるエミッタ2同士を近づけた状態に配置することで、半導体レーザチップ1の小型化が図られている。具体的に本実施形態では、第一エミッタ列A1及び第二エミッタ列A2のエミッタ2がそれぞれ千鳥状に配置されたものとなっている。
図3は半導体レーザチップ1の発光面3の要部拡大図である。図3に示されるように、第一エミッタ列A1において隣合うエミッタ2a,2bの中心とこれらエミッタ2a,2bに近接する第二エミッタ列A2のエミッタ2cの中心とを結ぶことで正三角形が形成されるようになっている。すなわち、エミッタ2aは、近接して配置される他のエミッタ2b,2cへの距離が等しくなっている。具体的に本実施形態では、各エミッタ2の径を240μm、同一エミッタ列内において隣り合うエミッタ2間の距離を300μm、第一、第二エミッタ列A1,A2において隣接するエミッタ2間の距離を300μmとした。このように隣接して配置されるエミッタ2a,2b,2c同士が等距離で配置されることで、レーザ光を射出する際に隣接するエミッタ2のレーザ光同士の波長干渉や熱干渉を防止できる。
半導体レーザチップ1は、ベース部材7上に接合材等により固定されている。なお、サブマウント上に半導体レーザチップを固定し、このサブマウントをベース部材7上に固定するようにしてもよい。これによりサブマウント材および半導体レーザチップ1は、ベース部材7上の基準点に対してX軸方向およびY軸方向に精密な位置決めが可能となる。
半導体レーザチップ1は、例えば、GaAs等の材料を用いて形成されている。また、サブマウント材6およびベース部材7は、例えば、AlN、SiC、AlSiC等のセラミック材料、Cu−W、Cu−Mo、BeO等のコンポジット材料、または、カーボン(C)、グラファイト、ダイヤモンド等の炭素系材料等の高熱伝導率材料により形成されている。また、接合材としては、例えば、In、Pb,Sn等の導電性低融点材料を単独で用いることができる。また、例えば、AuSn、AgSn、InAg、InSn、PbSn、SnBi、AnAgCu等の合金状の導電性低融点材料を用いてもよい。
ベース部材7上には、半導体レーザチップ1の光軸L1,O1,L2,O2(図中Z軸)方向に延設された光学部品保持部材8が固定されている。光学部品保持部材8は、例えば、ベース部材7と同様の材料によって形成されている。
上記波長変換素子20は、周期的な分極反転構造を備え、入射した光の波長を特定の波長の光に変換するように構成されている。例えば、エミッタ2から射出される光の波長(第一の波長)が1064nm(近赤外)である場合、波長変換素子20は、これを半分の波長(第二の波長)532nmに変換して、緑色の光を生成する。なお、波長変換素子20の波長変換効率は、一般的に30〜40%程度である。つまり、エミッタ2から射出された光のすべてが波長変換されるわけではない。周期的な分極反転構造は、例えば、ニオブ酸リチウム(LN:LiNbO3)やタンタル酸リチウム(LT:LiTaO3)などの無機非線形光学材料の結晶基板内部に形成されている。
また、上記外部共振器30は、内部にブラッグ格子を備え、特定の波長の光(波長変換前のエミッタ2の光)を透過させ、それ以外の波長の光(波長変換後のエミッタ2の光)を選択的に反射するように構成されている。ブラッグ格子は、例えば、SiO2を主体としたアルカリボロアルミノシリケートガラスなどのガラス層に所定波長の紫外線を照射し、ガラス層中に屈折率の異なる干渉パターンを層状に形成することで形成されている。
半導体レーザチップ1及び波長変換素子20におけるレーザ光の光路上には、半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光を透過させるとともに外部共振器30で反射されて波長変換素子20により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射膜11が形成された半透過反射ミラーMが設けられている。
本実施形態では、上記半透過反射ミラーMは互いが対向配置された第一ミラーM1及び第二ミラーM2を含んで構成される。これら第一ミラーM1及び第二ミラーM2は、それぞれ第一エミッタ列A1及び第二エミッタ列A2に対応して設けられている。
さらに光源装置100は、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する第三ミラー(光学部材)M3を備えている。この第三ミラーM3は、第一、第二ミラーM1,M2に所定の角度を有して対向配置されており、その対向面側に反射膜14を備えている。反射膜14は、例えば、Al等の反射性に優れた薄膜等によって形成される。第三ミラーM3は、例えばガラス等の透明板の表面に上記反射膜14としてAl等の反射性に優れた薄膜を成膜することにより構成される。
具体的に本実施形態では、上記第一、第二ミラーM1、M2は、特定の波長の光(波長変換素子20による波長変換後の光)を反射し、それ以外の波長の光(レーザ光と同じ波長の光)を透過する半透過反射膜11A,11Bをそれぞれ備えている。すなわち、これら第一、第二ミラーM1,M2は、例えばガラス等の透明板の表面に上記半透過反射膜11A,11Bとして誘電体多層膜を成膜することにより構成されている。
これにより、第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出されたレーザ光は、第一ミラーM1(半透過反射膜11A)を透過した後、波長変換素子20を透過する際に一部の光が1/2の波長に変換されて装置外部に射出されるようになっている。また、波長変換素子20を透過する際に波長変換されなかった光は、外部共振器30で反射されて再び波長変換素子20を透過する際に波長変換されて第一ミラーM1(半透過反射膜11A)により上記第ニミラーM2側に反射される。そして、反射された光は、第二ミラーM2を透過するとともに第三ミラーM3で反射されて外部に射出されるようになっている。
また、第二エミッタ列A2のエミッタ2から射出されたレーザ光は、第二ミラーM2(半透過反射膜11B)を透過した後、波長変換素子20を透過する際に一部の光が1/2の波長に変換されて装置外部に射出されるようになっている。また、波長変換素子20を透過する際に波長変換されなかった光は、外部共振器30で反射されて再び波長変換素子20を透過する際に波長変換されて第二ミラーM2(半透過反射膜11B)により上記第三ミラーM3側に反射されて、この第三ミラーM3で反射されて外部に射出されるようになっている。
上述したように、第二ミラーM2には、第二エミッタ列A2からの光に加えて、第一エミッタ列A1からの光が入射するようになっている。図4は第二ミラーM2における平面図である。具体的に本実施形態では、図4に示されるように、第二ミラーM2の半透過反射膜11Bは、他のミラー(第一ミラーM1)で反射されたレーザ光が入射する領域Bに重ならない領域Aに形成されている。これにより、第一ミラーM1で反射された光は第二ミラーM2における半透過反射膜11Bが設けられない領域Aに入射されて、そのままミラー内を通過することで第三ミラーM3に向かうようになっている。よって、エミッタ列A1,A2の各エミッタ2の光を効率的に利用できるようになっている。なお、第一ミラーM1においては、図示しないものの平面視した際に各エミッタ2に重なる位置に半透過反射膜が形成されている。
続いて、本実施形態に係る光源装置100を駆動し、出力光が得られるまでの工程について説明する。なお、図1では、第一ミラーA1と外部共振器30との間のレーザ光における光路L1、O1、及び第二ミラーA2と外部共振器30との間のレーザ光における光路L2、O2をそれぞれ異なる位置に示されているものの、これは説明の便宜上、異なる位置に示されているだけであり、本来は同じ位置に存在する。
半導体レーザチップ1は、第一、第二エミッタ列A1,A2のエミッタ2からそれぞれレーザ光を射出する。第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出されたレーザ光は、第一ミラーM1を通過し波長変換素子20に入射する。波長変換素子20に入射したレーザ光の一部は、波長変換素子20により1/2の波長に変換されて外部共振器30を通過し、装置外部に出射される(図1、光路O1に対応)。
波長変換素子20の波長変換効率は、上述したように30〜40%程度となっている。そのため、波長変換素子20で波長変換されなかった光L1は、外部共振器30で反射され、再び波長変換素子20に入射する。反射光L1は波長変換素子20を通過することで1/2の光に波長変換され、第一ミラーM1で反射されて、対向配置される第二ミラーM2に入射する。このとき、図4に示したように第二ミラーM2の半透過反射膜11Bは、第一ミラーM1で反射されたレーザ光が入射する領域Bに重ならない領域Aに形成されているため、上記反射光L1は第二ミラーM2を透過し、第三ミラーM3に入射する。そして、第三ミラーM3に入射した光は、反射膜14で反射されて装置外部に射出されるようになる。なお、上記光L1のうち、波長変換素子20で波長変換されなかった光は第一ミラーM1を通過し、第一エミッタ列A1のエミッタ2に入射して新たなレーザ光の生成源となる。
一方、第二エミッタ列A2のエミッタ2から射出されたレーザ光は、第一ミラーM1を通過し波長変換素子20に入射する。波長変換素子20に入射したレーザ光の一部は、波長変換素子20により1/2の波長に変換されて外部共振器30を通過し、装置外部に出射される(図1、光路O2に対応)。
また、上記波長変換素子20で波長変換されなかった光L2は、外部共振器30で反射され、再び波長変換素子20に入射する。反射光は波長変換素子20を通過することで1/2の光に波長変換され、第二ミラーM2で反射されて、第三ミラーM3に入射する。そして、第三ミラーM3に入射した光は、反射膜14で反射されて装置外部に射出されるようになる。なお、上記光L2のうち、波長変換素子20で波長変換されなかった光は第二ミラーM2を通過し、第二エミッタ列A2のエミッタ2に入射して新たなレーザ光の生成源となる。よって、各エミッタ列A1,A2におけるエミッタ2の光を効率的に利用できる。
本実施形態によれば、複数のエミッタ列(第一、第二エミッタ列A1,A2)のエミッタ2からレーザ光を射出する半導体レーザチップ1に対して波長変換素子20が一つ設けられた構成となっており、上記各エミッタ列A1,A2の光を効率的に外部に取り出すことができる。また、複数のエミッタ列A1,A2に対して一つの波長変換素子20を設けた構成としているので、低コスト化及び小型化を実現できる。また、アレイ状のエミッタ2を備えることで小型であっても高出力のレーザ光を得ることができる。
また、本実施形態に係る光源装置100では、エミッタ2が第一エミッタ列A1及び第二エミッタ列A2間の間隔が同一列内の配列方向(図2中X軸方向)において隣り合うエミッタ同士の間隔よりも狭くなるように配置(千鳥状)されているため、波長変換素子20の波長変換有効範囲に各エミッタ列A1,A2のエミッタ2から射出されたレーザ光を確実に入射させることができる。よって、半導体レーザチップ1が小型化することで光源装置100のさらなる小型化を実現できる。さらに、図3に示したようにエミッタ2a(第一エミッタ列A1)は、近接して配置される他のエミッタ2b,2c(第二エミッタ列A2)への距離が等しいので、レーザ光を射出する際に隣接するエミッタ2間で生じる熱干渉を最小限に抑えることができる。
(第ニ実施形態)
次に、本発明の光源装置における第ニ実施形態について図面を参照にして説明する。図5は本実施形態に係る光源装置200の概略構成を示す図である。本実施形態に係る光源装置200は、上記実施形態と異なり、半透過反射ミラーMを一枚ミラーで構成している。それ以外の構成は上記第一実施形態に係る構成と同様であるため、これら同一部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
次に、本発明の光源装置における第ニ実施形態について図面を参照にして説明する。図5は本実施形態に係る光源装置200の概略構成を示す図である。本実施形態に係る光源装置200は、上記実施形態と異なり、半透過反射ミラーMを一枚ミラーで構成している。それ以外の構成は上記第一実施形態に係る構成と同様であるため、これら同一部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
半透過反射ミラーMの表面にはベタ膜状の半透過反射膜11が形成されている。続いて、本実施形態に係る光源装置200を駆動し、出力光が得られるまでの工程について説明する。
本実施形態では、図5に示されるように半透過反射ミラーMが一枚のミラーで構成されていることから、第一エミッタ列A1のエミッタ2及び第二エミッタ列A2のエミッタ2における上記半透過反射ミラーMの半透過反射膜11に対する入射位置が上記実施形態と異なり、同図中、Y軸方向においてずれた状態となる。同様に、上記半透過反射ミラーMの半透過反射膜11におけるレーザ光の反射位置も上記実施形態に対して、同図中Y軸方向においてずれた状態となる。
したがって、第一ミラーA1と外部共振器30との間のレーザ光における光路L1、O1は上記実施形態と異なり、互いにずれた位置となる。また、第二ミラーA2と外部共振器30との間のレーザ光における光路L2、O2は上記実施形態と異なり、互いにずれた位置となる。このように本実施形態に係る光源装置200では、半導体レーザチップ1から射出されるレーザ光の光軸が4本(L1,O1,L2,O2)となる。
本実施形態によれば、一枚のミラーから半透過反射ミラーMを構成することで、上記実施形態のように2枚のミラーを組み合わせる場合に比べて、半透過反射ミラーMのアライメント調整を容易とすることができる。
本実施形態によれば、一枚のミラーから半透過反射ミラーMを構成することで、上記実施形態のように2枚のミラーを組み合わせる場合に比べて、半透過反射ミラーMのアライメント調整を容易とすることができる。
(第三実施形態)
次に、本発明の光源装置における第三実施形態について図面を参照にして説明する。図6は本実施形態に係る光源装置300の概略構成を示す図である。本実施形態に係る光源装置300は、上記第一実施形態における半導体レーザチップ1、波長変換素子20、外部共振器30、及び半透過反射ミラーMを備える第一光学系350及び第二光学系351を備えている。半透過反射ミラーMとしては、上述したように複数のミラー(第一、第二ミラーM1,M2)で構成しても良いし、一枚のミラーで構成しても良い。さらに、本実施形態に係る光源装置300は、第一光学系350における半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光のうち、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する共通ミラー(光学部材)352を備えている。同様に、本実施形態に係る光源装置300は、第ニ光学系351における半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光のうち、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材として、上記共通ミラー352を備えている。すなわち、第一、第二光学系350,351において光学部材(共通ミラー352)とされている。
次に、本発明の光源装置における第三実施形態について図面を参照にして説明する。図6は本実施形態に係る光源装置300の概略構成を示す図である。本実施形態に係る光源装置300は、上記第一実施形態における半導体レーザチップ1、波長変換素子20、外部共振器30、及び半透過反射ミラーMを備える第一光学系350及び第二光学系351を備えている。半透過反射ミラーMとしては、上述したように複数のミラー(第一、第二ミラーM1,M2)で構成しても良いし、一枚のミラーで構成しても良い。さらに、本実施形態に係る光源装置300は、第一光学系350における半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光のうち、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する共通ミラー(光学部材)352を備えている。同様に、本実施形態に係る光源装置300は、第ニ光学系351における半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光のうち、半透過反射ミラーMにより反射されたレーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材として、上記共通ミラー352を備えている。すなわち、第一、第二光学系350,351において光学部材(共通ミラー352)とされている。
より明るさが要求される光源装置の提供が望まれる際に、上述した第一実施形態に係る光源装置を複数組み合わせて光源装置を構成することが考えられる。この場合においても、光源装置の大きさを極力小さくするのが望ましい。そこで、本実施形態では、上述したように第一、第二光学系350,351において光学部材(共通ミラー352)を共通化することで、上記光源装置100を単純に2個組み合わせる場合に比べ、装置の小型化を図るとともにより強い光出力を得ることができる。また、図示していないが本実施例においては、エミッタの列方向の長さを前述の実施例のものより短縮することによって、エミッタの列方向において装置の小型化を図ることができる一方で、光出力は前述の実施例と同等とすることができる。
(第四実施形態)
次に、本発明の光源装置における第四実施形態について図面を参照にして説明する。図7は本実施形態に係る光源装置400の概略構成を示す図である。本実施形態に係る光源装置400は上記第一実施形態における半透過反射ミラーMの代わりとして、図7に示されるようなプリズム部Pを備えた構成となっている。それ以外の構成は上記第一実施形態に係る構成と同様であるため、これら同一部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
次に、本発明の光源装置における第四実施形態について図面を参照にして説明する。図7は本実施形態に係る光源装置400の概略構成を示す図である。本実施形態に係る光源装置400は上記第一実施形態における半透過反射ミラーMの代わりとして、図7に示されるようなプリズム部Pを備えた構成となっている。それ以外の構成は上記第一実施形態に係る構成と同様であるため、これら同一部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略若しくは簡略化する。
図7に示されるように、接合材を介して半導体レーザチップ1が固定されたサブマウント材6がベース部材7上に固定されており、この半導体レーザチップ1のレーザ光の出射方向に向かって順番に波長変換素子20及び外部共振器30が配置されている。上記実施形態では、半導体レーザチップ1の発光面3と波長変換素子20における光入射面20aとが対向した状態となっていたが、本実施形態では発光面3と上記光入射面20aとが直交状態となっている。
本実施形態では、半導体レーザチップ1及び波長変換素子20の光路上に設けられ、半導体レーザチップ1から射出されたレーザ光を反射して波長変換素子20に入射させるとともに外部共振器30で反射されて波長変換素子20により波長変換されたレーザ光を反射するプリズム部Pを備えている。このプリズム部Pは、発光面3から射出されるレーザ光(図7中Y軸方向)を図7中Z軸方向に導くものである。
プリズム部Pは、半導体レーザチップ1側に設けられる第一プリズムP1と、波長変換素子20側に設けられる第二プリズムP2とを備えて構成される。第一プリズムP1は、例えばBK7などの光学ガラスからなり二等辺三角柱の形を有している。この第一プリズムP1の側面は、二等辺三角形の頂角を挟む二辺を含む面300B,Cと、斜辺を含む面300Aとから構成されている。また、第二プリズムP2は、例えばBK7などの光学ガラスからなり二等辺三角柱の形を有している。このプリズムP2の側面は、二等辺三角形の頂角を挟む二辺を含む面301B,Cと、斜辺を含む面301Aとから構成されている。なお、面300Cと面300Aとの傾斜角は45°に設定される。
第一、第二プリズムP1,P2における面300B,301Bの間には、半透過反射膜11が形成されている。また、上記第一、第二プリズムP1,P2における面300A,301Aには、反射膜14が形成されている。
このような構成により、プリズム部Pは、各エミッタ列A1,A2のエミッタ2からの光を上記波長変換素子20側に射出するとともに、波長変換素子20で波長変換されずに外部共振器30で反射された光を各エミッタ2に導くようになっている。さらに、上記プリズム部Pは、各エミッタ列A1,A2のエミッタ2からの光のうち、上記外部共振器30で反射されて波長変換素子20を透過する際に波長変換されたレーザ光を反射して装置外部に取り出すようになっている。
続いて、本実施形態に係る光源装置400を駆動し、出力光が得られるまでの工程について説明する。なお、図7において、O1´は第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換され、外部共振器30から射出される光を示している。また、図7において、L1´は第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換されること無く射出され、外部共振器30によって反射され、波長変換素子20を再度透過する際に第二の波長に変換される光を示している。また、同図において、O2´は第ニエミッタ列A2のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換され、外部共振器30から射出される光を示している。また、同図において、L2´は第一エミッタ列A2のエミッタ2から射出され、波長変換素子20によって第二の波長に変換されること無く射出され、外部共振器30によって反射され、波長変換素子20を再度透過する際に第二の波長に変換される光を示している。なお、第一プリズムP1と外部共振器30との間のレーザ光における光路L1´、O1´、及び第二プリズムP2と外部共振器30との間のレーザ光における光路L2´、O2´はそれぞれ異なる位置に示されているものの、これは説明の便宜上、異なる位置に示されているだけであり、本来は同じ位置に存在する。
半導体レーザチップ1は、第一、第二エミッタ列A1,A2のエミッタ2からそれぞれレーザ光を射出する。第一エミッタ列A1のエミッタ2から射出されたレーザ光は、第二プリズムP2の面301Aから入射し、面301Cに設けられた反射膜14によって反射される。この反射光は、上記半透過反射膜11を通過し波長変換素子20に入射する。波長変換素子20に入射したレーザ光の一部は、波長変換素子20により1/2の波長に変換されて外部共振器30を通過し、装置外部に出射される(図7、光路O1´に対応)。
波長変換素子20で波長変換されなかった光L1´は、外部共振器30で反射され、再び波長変換素子20に入射する。反射光L1´は波長変換素子20を通過することで1/2の光に波長変換され、上記第一プリズムP1の面300Aから入射する。そして、上記半透過反射膜11により面300B側に反射され、面301Bに設けられる半透過反射膜11で反射されることで装置外部に出射される。なお、上記光L1´のうち、波長変換素子20で波長変換されなかった光は半透過反射膜11を通過し、第二プリズムP2の面301Cで反射されて第一エミッタ列A1のエミッタ2に入射することで新たなレーザ光の生成源となる。
一方、第二エミッタ列A2のエミッタ2から射出されたレーザ光は、第二プリズムP2の面301Aから入射し、面301Cに設けられた反射膜14によって反射されて、半透過反射膜11を通過し波長変換素子20に入射する。波長変換素子20に入射したレーザ光の一部は、波長変換素子20により1/2の波長に変換されて外部共振器30を通過し、装置外部に出射される(図7、光路O2´に対応)。
波長変換素子20で波長変換されなかった光L2´は、外部共振器30で反射され、再び波長変換素子20に入射する。反射光L2´は波長変換素子20を通過することで1/2の光に波長変換され、上記第一プリズムP1の面300Aから入射する。そして、上記半透過反射膜11により面301B側に反射され、面301Bに設けられる反射膜14で反射されることで装置外部に出射される。なお、上記光L2´のうち、波長変換素子20で波長変換されなかった光は半透過反射膜11を通過し、第ニプリズムP2の面301Cで反射されて第二エミッタ列A2のエミッタ2に入射することで新たなレーザ光の生成源となる。
本実施形態によれば、上記実施形態の半透過反射ミラーMをプリズム部Pで代用している。よって、上記実施形態と同様に低コスト且つ小型で、高出力のレーザ光を得る光源装置400を提供できる。
以上に述べたような光源装置100,200,300,400を画像表示装置やモニタ装置に応用することにより、これらの装置におけるレーザの出力を向上させることが可能である。以下、画像表示装置とモニタ装置への応用例について説明する。
(プロジェクタ)
次に、光源装置を応用した画像表示装置の一例として、プロジェクタ500の構成について説明する。図8は、プロジェクタ500の光学系の概略を示す模式図である。
図8において、プロジェクタ500は、例えば上記光源装置100、光変調装置としての液晶パネル520、偏光板531及び532、クロスダイクロイックプリズム540、投射レンズ550などを備えている。なお、液晶パネル520と、その光入射側に設けられた偏光板531及び光射出側に設けられた偏光板532によって液晶ライトバルブ530が構成される。
次に、光源装置を応用した画像表示装置の一例として、プロジェクタ500の構成について説明する。図8は、プロジェクタ500の光学系の概略を示す模式図である。
図8において、プロジェクタ500は、例えば上記光源装置100、光変調装置としての液晶パネル520、偏光板531及び532、クロスダイクロイックプリズム540、投射レンズ550などを備えている。なお、液晶パネル520と、その光入射側に設けられた偏光板531及び光射出側に設けられた偏光板532によって液晶ライトバルブ530が構成される。
光源装置100は、赤色レーザ光を射出する赤色光用光源装置100Rと、青色レーザ光を射出する青色光用光源装置100Bと、緑色レーザ光を射出する緑色光用光源装置100Gを備えている。これらの光源装置100(100R,G,B)は、それぞれクロスダイクロイックプリズム540の側面三方にそれぞれ対向するように配置されている。図7では、クロスダイクロイックプリズム540を挟んで、赤色光用光源装置100Rと青色光用光源装置100Bとが互いに対向し、投射レンズ(投写装置)550と緑色光用光源装置100Gが互いに対向しているが、これらの位置は、適宜入れ替えることが可能である。
液晶パネル520は、例えば、ポリシリコンTFT(Thin Film Transistor)をスイッチング素子として用いたものである。各光源装置100から射出された色光は、入射側偏光板531を介して液晶パネル520に入射する。液晶パネル520に入射した光は、画像情報に応じて変調されて、液晶パネル520から射出される。液晶パネル520によって変調された光のうち、特定の直線偏光だけが、射出側偏光板532を透過して、クロスダイクロイックプリズム540に向かう。
クロスダイクロイックプリズム540は、各液晶パネル520によって変調された各色光を合成して、カラー画像を形成する光学素子である。このクロスダイクロイックプリズム540は、4つの直角プリズムを貼り合わせた平面視略正方形状をなしている。そして、これら4つの直角プリズムの界面には、2種類の誘電体多層膜がX字状に設けられている。これら誘電体多層膜は、互いに対向する各液晶パネル320から射出された各色光を反射し、投射レンズ550に対向する液晶パネル520から射出された色光を透過する。
このようにして、各液晶パネル520にて変調された各色光が合成されて、カラー画像が形成される。
投射レンズ550は、複数のレンズが組み合わされた組レンズとして構成される。この投射レンズ550は、カラー画像CIを拡大投射する。
このようにして、各液晶パネル520にて変調された各色光が合成されて、カラー画像が形成される。
投射レンズ550は、複数のレンズが組み合わされた組レンズとして構成される。この投射レンズ550は、カラー画像CIを拡大投射する。
以上説明したように、プロジェクタ500は、第一実施形態において説明した小型且つ低コストであって高出力を得る光源装置100を用いているため、小型で高精細な画像を投影することのできるプロジェクタを低コストで提供できる。
なお、この応用例では、第一実施形態に係る光源装置100(100R,G,B)を用いているが、これらのうち一部もしくは全部を、第二〜第四実施形態に係る光源装置200〜400に置き換えても良い。
なお、この応用例では、第一実施形態に係る光源装置100(100R,G,B)を用いているが、これらのうち一部もしくは全部を、第二〜第四実施形態に係る光源装置200〜400に置き換えても良い。
(モニタ装置)
次に、第一実施形態に係る光源装置100を応用したモニタ装置600の構成例について説明する。図9は、モニタ装置の概略を示す模式図である。モニタ装置600は、装置本体610と、光伝送部620とを備える。装置本体610は、前述した第一実施形態の光源装置100を光源604として備える。
次に、第一実施形態に係る光源装置100を応用したモニタ装置600の構成例について説明する。図9は、モニタ装置の概略を示す模式図である。モニタ装置600は、装置本体610と、光伝送部620とを備える。装置本体610は、前述した第一実施形態の光源装置100を光源604として備える。
光伝送部620は、光を送る側と受ける側の2本のライトガイド621,622を備える。各ライトガイド621,622は、多数本の光ファイバを束ねたもので、レーザ光を遠方に送ることができる。光を送る側のライトガイド621の入射側には光源604が配設され、その出射側には拡散板623が配設されている。光源604から出射したレーザ光は、ライトガイド621を伝って光伝送部620の先端に設けられた拡散板623に送られ、拡散板623により拡散されて被写体を照射する。
光伝送部620の先端には、結像レンズ624も設けられており、被写体からの反射光を結像レンズ624で受けることができる。その受けた反射光は、受け側のライトガイド622を伝って、装置本体610内に設けられた撮像手段としてのカメラ611に送られる。この結果、光源604により出射したレーザ光により被写体を照射したことで得られる反射光に基づく画像をカメラ611で撮像することができる。
以上のように構成されたモニタ装置600によれば、小型且つ低コストで高出力の光源装置100により輝度むらのない明るい光により被写体を照射することができることから、カメラ411により被写体を鮮明に撮像し、且つ小型なものを低コストで得ることができる。
なお、この応用例では、第一実施形態に係る光源装置100を用いているが、これを、第二〜第四実施形態に係る光源装置200〜400に置き換えても良い。
なお、この応用例では、第一実施形態に係る光源装置100を用いているが、これを、第二〜第四実施形態に係る光源装置200〜400に置き換えても良い。
なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
上述の応用例では、光変調素子を3つ用いたプロジェクタの例について説明したが、第一〜第四実施形態の光源装置100〜400は、光変調装置を1つ、2つ、あるいは4つ以上用いたプロジェクタにも適用することができる。また、上述の応用例では、透過型のプロジェクタについて説明したが、本発明の光源装置は、反射型プロジェクタにも適用することが可能である。ここで、「透過型」とは、光変調素子が光を透過するタイプであることを意味しており、「反射型」とは、光変調素子が光を反射するタイプであることを意味している。
また、光源装置から射出されたレーザ光をスクリーンに向かってMEMSミラー等により走査する走査型のプロジェクタにも、この発明の光源装置を適用することができる。
また、光源装置から射出されたレーザ光をスクリーンに向かってMEMSミラー等により走査する走査型のプロジェクタにも、この発明の光源装置を適用することができる。
1…半導体レーザチップ(光素子)、2…エミッタ、11…半透過反射膜、11A…半透過反射膜、11B…半透過反射膜、20…波長変換素子、30…外部共振器、100,200,300,400…光源装置、350…第一光学系、351…第二光学系、352…共通ミラー(光学部材)、520…液晶パネル(光変調素子)、550…投射レンズ(投写装置)、600…モニタ装置、A1…第一エミッタ列(エミッタ列)、A2…第二エミッタ列(エミッタ列)、M…半透過反射ミラー、M1…第一ミラー(ミラー)、M2…第二ミラー(ミラー)、M3…第三ミラー(光学部材)、P…プリズム部、P1…第一プリズム、P2…第二プリズム
Claims (10)
- レーザ光を射出するエミッタがライン状に配列されたエミッタ列を複数有する光素子と、
該光素子の前記エミッタから射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子と、
前記光素子との間で共振器構造を構成する外部共振器と、
前記光素子及び前記波長変換素子間におけるレーザ光の光路上に設けられ、前記光素子から射出された前記レーザ光を透過させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射ミラーと、該半透過反射ミラーにより反射された前記レーザ光をさらに反射して外部に射出する光学部材と、を備えることを特徴とする光源装置。 - 前記エミッタは、前記エミッタ列間の間隔が同一列内の配列方向において隣り合う前記エミッタ同士の間隔よりも狭くなるように配置されることを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
- 前記エミッタは、千鳥状に配置されることを特徴とする請求項2に記載の光源装置。
- 複数の前記エミッタは、近接して配置される他のエミッタへの距離が等しくなるように配置されることを特徴とする請求項3に記載の光源装置。
- 前記半透過反射ミラーは前記エミッタ列に対応して設けられた複数のミラーを含み、該各ミラーには、対応する前記エミッタ列から射出された前記レーザ光を透過させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射させる半透過反射膜が形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光源装置。
- 前記半透過反射膜は、他のミラーで反射されたレーザ光の入射領域に重ならないように形成されていることを特徴とする請求項5に記載の光源装置。
- 前記光素子と前記波長変換素子と前記外部共振器と前記半透過反射ミラーとをそれぞれ備える第1光学系及び第2光学系が構成され、該第1、第2光学系において前記光学部材が共通に用いられることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の光源装置。
- 複数のエミッタがライン状に配列されたエミッタ列を複数有し前記エミッタからレーザ光を射出する光素子と、
該光素子の前記エミッタから射出されたレーザ光の光路上に配置される波長変換素子と、
前記光素子との間で共振器構造を構成する外部共振器と、
前記光素子及び前記波長変換素子の光路上に設けられ、前記光素子から射出された前記レーザ光を反射して前記波長変換素子に入射させるとともに前記外部共振器で反射されて前記波長変換素子により波長変換されたレーザ光を反射することで外部に射出するプリズム部と、を備えることを特徴とする光源装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の光源装置と、該光源装置から射出されたレーザ光を画像情報に応じて変調する光変調素子と、該光変調素子によって形成された画像を投射する投射装置と、を備えることを特徴とするプロジェクタ。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の光源装置と、該光源装置により照射された被写体を撮像する撮像手段と、を備えることを特徴とするモニタ装置。
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