JP2009113060A - TiAl基合金の鋳塊製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】酸素含有量が全領域で低く、室温延性が良好で、鋳造欠陥もなく、軽量・高強度なTiAl基合金で成る大型鋳塊を製造できるTiAl基合金の鋳塊製造方法を提供する。
【解決手段】合金原料aを溶解して形成した溶解母材bを供給しつつ、水冷銅製るつぼ1の底板3を下方に引き抜きTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造する方法において、合金原料aのうち、Ti原料の酸素含有量を800ppm以下、Al原料の酸素含有量を100ppm以下とし、他の合金成分がCr、V、Nbの場合はその酸素含有量を2000ppm以下、他の合金成分がMnの場合はその酸素含有量を3000ppm以下とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、Ti、Al等の合金原料を溶解して合金化させた後に凝固させて一次鋳塊とした後、その一次鋳塊で成る溶解母材をもとに、TiAl基(金属間化合物系)合金で成る大型の長尺鋳塊を製造するTiAl基合金の鋳塊製造方法に関するものである。
TiAl基(金属間化合物系)合金は、軽量・高強度であることから、航空宇宙用、自動車用のエンジン等に利用され始めているが、酸素含有量(酸素濃度)が高くなると延性が大幅に低下してしまうといった問題が残されている。また、酸素含有量を低値に制御した大型鋳塊へのニーズが高まっているものの、まだ、酸素含有量を低値に制御する製造技術自体が確立されるに至っていないのが現状である。
チタン(Ti)合金、ジルカロイなどの実用的に使用されている合金鋳塊は、現在、工業的には真空アーク溶解法、プラズマアーク溶解法、電子ビーム溶解法などにより製造されている。これらの溶解法は、いずれも水冷された銅材をるつぼ溶解容器として用いる溶解法である。これらの溶解法は、合金原料の全量を一括して溶解せずに、少量ずつ供給して溶解を行い、形成される溶融金属浴を下側から順次凝固させて鋳塊を製造することを特徴としている。現在、1〜10ton程度の鋳塊がこれらの溶解法を用いて製造されている。
真空アーク溶解法は、Ti原料やAl原料に、他の様々な合金成分を配合して、プレス成型や溶接などにより棒状の合金原料棒を作製し、この合金原料棒を消耗電極にして溶解を行い、合金化を行う方法である。この溶解法は、全ての合金原料を一括して溶解せずに、一部分ずつを順次溶解凝固させる溶解法である。そのため、合金原料棒に融点差の大きい元素成分が多量に含まれる場合は、低融点の元素成分が合金原料棒から先に溶解落下して、高融点の元素成分が遅れて溶解するなどの現象が起こり、製造される鋳塊の成分偏析が著しくなるという問題があった。
例えば、典型的なチタン合金であるTi−6Al4V(質量%)合金、Ti−15V3Al3Cr3Sn(質量%)合金などの合金量であれば、Al(融点:660℃)やSn(融点:232℃)などの低融点元素の含有量は僅かで、成分偏析などの問題は発生せず、均質な成分組成の合金鋳塊を製造することは可能である。
それに対して、TiAl基(金属間化合物系)合金などのように多量のAlが含有される合金の場合は、高融点のTi(融点:1680℃)と低融点のAl(融点:660℃)を組み合わせて棒状の消耗電極を製作して、真空アーク溶解を行うと、低融点のAlから先に溶解落下して、合金原料棒にTiが残ってしまうことになる。この場合、残ったTi原料の一部は強度不足となって溶解する前に落下したり、あるいはAlが全て溶解した後にTiが溶解したりするなどの状況となってしまい、合金化が不十分となって、成分偏析の大きな鋳塊が製造される可能性が高くなるといった問題がある。従って、真空アーク溶解法で、TiAl基(金属間化合物系)合金を製造すること自体が容易ではない。
また、プラズマアーク溶解法や電子ビーム溶解法では、水冷銅製のハース(皿状溶解容器)を用いる方法であれば、ハース内において溶融金属浴を合金化することは可能ではある。しかしながら、通常は溶融金属浴部の体積は、鋳塊全体の体積と比べてかなり小さいため、合金製造には原料配合の段階で、微小なサイズに調整した合金原料を配合しなければならない等の制約があり、均質な合金組成の鋳塊の製造には課題が残る。更には、高真空を用いる電子ビーム溶解法では、Alなどの蒸発ロスによる鋳塊の成分変動が起こりやすいという問題もあって、成分変動の少ないTiAl基(金属間化合物系)合金の鋳塊を製造するのは容易ではない。
一方、コールドクルーシブル誘導溶解(CCIM)法のように、合金原料を一括で全量溶解して合金化した後に、凝固させて鋳塊を製造する方法もある。この溶解方法であれば、融点差の大きな合金でも比較的溶解することが容易であり、成分の均質な溶湯を容易に製造することができると考えられるが、CCIM法によって大型の鋳塊を製造する技術は、現状ではまだ開発途上である。また、通常実施されている重力鋳造法により作製した鋳塊は、鋳塊中心部に凝固収縮による空孔状欠陥(引け巣)が発生しやすく、この欠陥部に合金成分が濃化偏析するなどの問題が発生しやすいという課題も残っている。
CCIM法により比較的大型で長尺の鋳塊を製造する方法として、非特許文献1に記載の製造方法が知られている。この製造方法は、水冷銅るつぼを用いて、その外周部に設置した高周波コイルに高周波電流を通電して、水冷銅るつぼ内に供給した合金原料を誘導溶解し、水冷銅るつぼの底部を下方に引き抜いて大型で長尺の鋳塊を製造する方法である。この製造方法は、水冷銅るつぼと溶湯プールの間にフッ化カルシウム(CaF)などのフッ化物系スラグを、精錬効果、電気的絶縁効果、或いは引き抜き時の潤滑効果などを狙って添加することを特徴としている。この方法により、溶解原料としてスポンジTiを用いて、直径5インチの長尺鋳塊が製造できることが示されているが、Ti溶湯に溶融フッ化カルシウム(CaF)が接触することとなるため、鋳塊中にフッ素(F)が数十ppmほど混入する結果となっており、高清浄な鋳塊を製造するには問題がある。よって、TiAl基(金属間化合物系)合金の鋳塊製造にそのまま適用することは不可能である。
また、CCIM法で長尺の鋳塊を製造する方法として、フッ化カルシウム(CaF)などの精錬材を添加せずに、コイルからの電磁気力により溶融金属浴を保持して、水冷銅るつぼの底部を引き抜くことにより、長尺鋳塊を製造する方法も考えることはできる。この製造方法であれば、フッ素(F)による汚染の問題もなく、複雑な成分組成の鋳塊を製造することが可能になると考えられる。しかしながら、この方法においても、不適切な操業条件を用いると、著しく酸素含有量(酸素濃度)の高い鋳塊が製造される結果となり、高酸素濃度による材料の機械的特性(室温での延性など)の大幅な劣化などの問題が発生し、健全な鋳塊を製造することは困難である。
発明者らは、CCIM法で塊状の合金原料を供給しつつ、水冷銅製るつぼの底板を下方に引き抜くことで、溶解鋳造の操業条件を最適化することにより、合金原料などの解け残りのない健全な鋳塊を製造する方法について特許を出願している(特許文献1,2)。しかしながら、これらの製造方法においても、TiAl基(金属間化合物系)合金の鋳塊中の酸素含有量を低酸素に制御するという課題が残されていた。
特開2006−122920号公報 特開2006−281291号公報 P.G.Clites,「Inductslag Melting Process」,US,Bureau of Mines Bulletin 673,1982
本発明は、上記従来の問題を解消せんとしてなされたもので、酸素含有量(酸素濃度)が全ての領域で低く、室温延性が良好で、しかも鋳造欠陥がなく、軽量・高強度なTiAl基合金で成る大型鋳塊を製造することができるTiAl基合金の鋳塊製造方法を提供することを課題とするものである。
請求項1記載の発明は、合金原料を溶解した後、凝固させて事前に成分調整した一次鋳塊で成る溶解母材を、水冷銅製るつぼ内に供給し、その水冷銅製るつぼの周囲を取り巻く高周波コイルによる誘導加熱で前記溶解母材を溶解して溶湯プールとし、前記水冷銅製るつぼを構成する上下方向に移動自在に形成された底板を下方に移動させて、その底板上の前記溶湯プールを下方に引き抜き凝固させることによって、TiAl基合金で成る長尺鋳塊を製造するTiAl基合金の鋳塊製造方法において、前記合金原料のうち、Ti原料の酸素含有量を800ppm以下、Al原料の酸素含有量を100ppm以下とすると共に、他の合金成分がCr、V、Nbの場合はそれらの酸素含有量を2000ppm以下、他の合金成分がMnの場合はその酸素含有量を3000ppm以下とすることを特徴とするTiAl基合金の鋳塊製造方法である。
請求項2記載の発明は、前記合金原料のうち、Ti原料の酸素含有量を700ppm以下、Al原料の酸素含有量を50ppm以下とすると共に、他の合金成分の酸素含有量を1000ppm以下とすることを特徴とする請求項1記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法である。
請求項3記載の発明は、前記合金原料は、予め溶解して脱酸処理した材料であることを特徴とする請求項1または2記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法である。
本発明の請求項1記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法によると、製造される鋳塊の全ての領域での酸素含有量(酸素濃度)を、室温延性が大幅に低下することが懸念される1000ppm超とせず、確実に1000ppm以下とすることができ、室温延性が良好で、しかも鋳造欠陥がなく、軽量・高強度なTiAl基合金で成る大型鋳塊を製造することができる。
本発明の請求項2記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法によると、製造される鋳塊の全ての領域での酸素含有量(酸素濃度)を、室温延性を確実に確保できる800ppm以下とすることができ、室温延性が極めて良好で、しかも鋳造欠陥がなく、軽量・高強度なTiAl基合金で成る大型鋳塊を製造することができる。
本発明の請求項3記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法によると、合金原料を予め脱酸処理することで、より確実に、製造される鋳塊の全ての領域での酸素含有量(酸素濃度)を低下させることができ、室温延性が良好で、しかも鋳造欠陥がなく、軽量・高強度なTiAl基合金で成る大型鋳塊を製造することができる。
以下、本発明を添付図面に示す実施形態に基づいて更に詳細に説明する。
本発明のTiAl基合金の鋳塊製造方法は、まず、Ti、Al、Cr、V、Nb、Mn等の合金原料aを、コールドクルーシブル誘導溶解装置A等を用いて溶解(一次溶解)した後、凝固させて事前に成分調整した一次鋳塊を製造して、二次溶解に用いる溶解母材bとする。
一次溶解に用いるコールドクルーシブル誘導溶解装置Aは、図2に示すように、水冷銅製るつぼ1と、その水冷銅製るつぼ1の周囲を取り巻くように配置された高周波コイル2より構成されている。水冷銅製るつぼ1は、複数本の銅製セグメント4を円筒状に組み合わせて構成されており、底部には円形で銅製の底板3が配置されている。水冷銅製るつぼ1の内径は、例えば220mmである。複数本の銅製セグメント4、4、…の間には、0.05〜2mmのスリットが設けられており、それらスリットには、電気的絶縁のため、イットリア(Y)系セメント、あるいはアルミナ系(Al)系セメント等の絶縁材が埋め込まれている。高周波コイル2は、水冷銅製るつぼ1の周囲をその上下端をある程度残し、螺旋状に取り巻くように水冷銅製るつぼ1の表面より僅かに離れて設けられており、大出力の高周波電源5に接続されている。銅製セグメント4、底板3、高周波コイル2は中空状であり、中空内部には冷却水が注入されている。この一次溶解に用いるコールドクルーシブル誘導溶解装置Aは、図3〜5に示すように、真空チャンバーB内に設けられている。
まず、図3に示すように、この水冷銅製るつぼ1内に、Ti、Alのほか、適宜Cr、V、Nb、Mn等の合金原料aを、所定の分量だけ装入する。次に、図4に示すように、高周波コイル2に高周波電流を通電することにより、合金原料aに誘導電流を発生させ、その誘導電流の抵抗発熱により合金原料aを溶解して溶湯プールcとする。合金原料aが溶湯プールcとなった状態で一定時間保持した後、十分に攪拌する。その後、図5に示すように、水冷銅製るつぼ1を傾け、水冷銅製るつぼ1内の溶湯を出湯させ、予め設置した鋳型6内に溶湯を注入して凝固させることにより一次鋳塊を作製する。一次鋳塊は、配合する合金原料aの量により成分調整されており、次工程の二次溶解で用いる溶解母材bとなる。
二次溶解は、図1に示すコールドクルーシブル誘導溶解装置Aを用いて行われる。この二次溶解で用いられるコールドクルーシブル誘導溶解装置Aは、真空チャンバーB内に設けられている。このコールドクルーシブル誘導溶解装置Aは、一次溶解に用いられるコールドクルーシブル誘導溶解装置Aとは異なり、底部の円形で銅製の底板3が、上下方向に移動自在に形成されている。底板3はシリンダ等に連結されており、水冷銅製るつぼ1の銅製セグメント4で成る円筒状の本体から引き出すように下方に移動させることができる。
尚、真空チャンバーB内の空気は、溶解母材bの溶解前に、拡散ポンプ7(図3に示す)により1.3×10−2Pa程度の圧力になるまで排気しておくことが、酸素ピックアップ防止のためには望ましい。TiAl基(金属間化合物系)合金の溶解では、合金元素の蒸発ロスを抑制するため、その後、不活性ガス(Arなど)を真空チャンバーB内に導入し、圧力は27〜80KPa程度にしておく。また、二次溶解を示す図1では、拡散ポンプ7の図示を省略しているが、一次溶解を示す図3と同様に、真空チャンバーBには拡散ポンプ7が設けられている。
水冷銅製るつぼ1内に供給した溶解母材bを溶解することで、二次溶解が行われるが、水冷銅製るつぼ1内に供給する溶解母材bは、鋳型内で一次鋳塊とした時点で棒状に形成されており、例えば、その複数本を束ねた状態で、下端側から水冷銅製るつぼ1内に装入される。この水冷銅製るつぼ1内に装入された溶解母材bには、水冷銅製るつぼ1を取り巻く高周波コイル2に高周波電流を通電することにより、誘導電流が発生され、その誘導電流の抵抗発熱で溶解母材bは溶解されて溶湯プールcとなる。その際、高周波加熱により供給される電力(入熱速度)と、溶湯プールcから水冷銅製るつぼ1に伝熱される熱量(出熱速度)との収支により、形成される溶湯プールcの容積、温度などが決定する。
次に底板3を下方に引き下げれば、底板3上の溶湯プールcは、高周波コイル2による誘導発熱領域から徐々に下方に抜き出されることとなり、その下方から凝固を開始する。尚、溶湯プールcのうち水冷銅製るつぼ1の内壁面に接触している外表面は、水冷により事前に凝固を開始して凝固スカルとなっているため、流れ出すことはない。溶湯プールcを徐々に下方に引き抜くにつれて、水冷銅製るつぼ1内の溶湯プールcの量が減少するため、その引き抜き量と見合う溶解母材bを上方より供給することにより、溶湯プールc量を常に一定に保つことができる。この引き抜きによって凝固した部位が目的の大型の長尺鋳塊dとなる。
この引き抜き法によって作製される長尺鋳塊dには、一般に行われている重力鋳造法で作製する鋳塊のように中心部に引け巣欠陥が発生することはなく、健全な鋳塊となる。TiAl基合金のように特に割れやすい合金材料で成る鋳塊の製造方法として、この引き抜き法は適したものということができる。
尚、本発明が対象とする大型の長尺鋳塊dについては、特にその大きさを限定しないが、例えば、その寸法は、直径200mm以上、その直径に対する高さ寸法が1.5倍以上、即ち300mm以上とすることが好ましい。前記した寸法に達しない小型の鋳塊であれば、特にコールドクルーシブル誘導溶解装置Aを用いなくても比較的容易に製造することができると共に、30kg以下の小型であって特に実用性もないからである。また、長尺鋳塊dの直径は1000mm以下、直径に対する高さ寸法の倍率は5倍以下とすることが好ましい。
以上の説明では、一次溶解、二次溶解ともに、コールドクルーシブル誘導溶解(CCIM)装置Aを用いて行われる実施形態について説明したが、一次溶解については、必ずしもコールドクルーシブル誘導溶解装置Aを用いて実施されなくても良く、真空アーク溶解法、プラズマアーク溶解法、電子ビーム溶解法のほか、従来から行われている種々の溶解法で実施されても良い。尚、一次溶解、二次溶解ともにコールドクルーシブル誘導溶解法で行えば、コールドクルーシブル誘導溶解装置A、真空チャンバーB等を共用することも可能であるという利点がある。
次に、本発明の要点である酸素含有量について説明する。
TiAl基合金では、酸素含有量が1000ppmを超えると室温延性(伸び)が大幅に低下する。酸素含有量は低いほど室温延性が良好となり、確実に高い室温延性を確保するためには酸素含有量を800ppm以下とすることが必要である。例えば、TiAl(50/50)合金では、酸素含有量が1000ppmを超えると伸びは0.5%未満となってしまい、非常に取り扱いにくい合金材料となる。酸素含有量が800ppm以下であれば0.5%以上の伸びを確実に確保することができる。
コールドクルーシブル誘導溶解装置Aを用いた二次溶解で、溶解母材bからTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを溶解製造する際には、1度の溶解で、酸素含有量は50〜150ppm増加する。酸素含有量が最も多く増加することを想定した場合、酸素含有量が1000ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを溶解製造しようとすると、溶解母材b中の酸素含有量は850ppm以下であることが条件となる。
また、Ti、Al、Cr、V、Nb、Mn等の合金原料aから溶解母材bを一次溶解で溶解製造する際にも、1度の溶解で、酸素含有量は50〜100ppm増加する。溶解母材bを作製する合金原料aのうち、主原料となるTi原料の酸素含有量は800ppm以下であることが条件となる。その理由については別途説明する。(図6に示す。)
Al原料については、金属Al原料中の酸素含有量は50ppmより高くなることは非常に稀であると想定することができるが、通常の原料保管であっても条件によっては、表面酸化などで酸素含有量(酸素濃度)が高くなることも考えることができるので、酸素含有量の上限値は100ppmとする。
また、他の合金成分については、主原料のTiやAlほど酸素含有量を低くする必要はないが、Cr、V、Nb、Mnは市販の原料購入時に1000ppm以下であっても、原料保管時に表面酸化などが起こり、酸素含有量(酸素濃度)が高くなっていることが懸念される。通常の原料保管であっても条件によっては、Cr、V、Nbでは2000ppm、Mnでは3000ppmになっている可能性がある。これらの合金成分は、主原料のTiやAlと比べてその含有量は僅かであるので、これらの酸素含有量を上限値とする。
TiAl基合金の成分組成については、米国、日本などから多数の報告がでているが、ここでは合金成分を10質量%含有する以下の2種類のTiAl基合金について、Ti原料の酸素含有量が、合金原料a配合後の酸素含有量に及ぼす影響について確認した。確認に用いたTiAl基合金は、Ti−30Al−2Cr−2V−6Nb(質量%)合金(以下、合金Aと記載)と、Ti−30Al−3Cr−3V−4Mn(質量%)合金(以下、合金Bと記載)である。図6がその確認結果である。尚、Ti原料以外の合金原料aの酸素含有量は、通常の原料保管で、表面酸化の影響を受け最も酸化が進んだ状態と考えられる材料を用いた。即ち、Al原料の酸素含有量は100ppm、Cr、V、Nb原料の酸素含有量は2000ppm、Mn原料の酸素含有量は3000ppmとした。
図6によると、合金Aと合金Bともに、Ti原料の酸素含有量を800ppm以下とすることにより、たとえ他の合金原料aが通常の酸素含有量(酸素濃度)を超えてしまった場合であっても、合金原料a配合後の酸素含有量を750ppm以下とすることができることを示している。(合金原料a配合後の酸素含有量を750ppm以下とすれば、一次溶解の溶解製造で最大の100ppm増加したとしても確実に溶解母材b中の酸素含有量を850ppm以下とすることができる。)
実際の溶解操作に使用するAl原料の酸素含有量は10〜50ppmであり、100ppmとなることは極めて稀であり、また、Cr、V、NbやMnについても酸素含有量が2000ppmや3000ppmとなることも極めて稀であるので、Ti原料の酸素含有量を800ppm以下とすることにより、合金原料a配合後の酸素含有量を確実に750ppm以下とすることができる。
以上により、Ti原料の酸素含有量を800ppm以下、Al原料の酸素含有量を100ppm以下とすると共に、他の合金成分がCr、V、Nbの場合はそれらの酸素含有量を2000ppm以下、他の合金成分がMnの場合はその酸素含有量を3000ppm以下とすることで、酸素含有量が1000ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造することができることを確認できた。
上記の説明と同様に、酸素含有量が800ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを溶解製造する場合の酸素含有量について説明する。コールドクルーシブル誘導溶解装置Aを用いた二次溶解で、溶解母材bからTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを溶解製造する際には、1度の溶解で、酸素含有量は50〜150ppm増加する。酸素含有量が最大の150ppm増加すると仮定すると、酸素含有量が800ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを溶解製造する場合には、溶解母材b中の酸素含有量は650ppm以下とする必要がある。
また、Ti、Al、Cr、V、Nb、Mn等の合金原料aから溶解母材bを溶解製造する際にも、1度の溶解で、酸素含有量は50〜100ppm増加する。従って、酸素含有量が最大の100ppm増加すると仮定すると、合金原料a配合後の酸素含有量は550ppm以下としなければならない。
酸素含有量が800ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造する際には、Ti原料以外については、酸素含有量が1000ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造する場合よりも合金原料aの酸素含有量をより厳格に管理する必要がある。従って、合金原料a配合後の酸素含有量を550ppm以下とするためには、Al、Cr、V、Nb、Mnについては、原料購入時の酸素含有量を維持することを条件とする必要がある。Al原料については50ppm、Cr、V、Nb、Mn等の他の合金成分については1000ppmを上限とする。この条件を満足するためには、これら合金原料aが表面酸化などの影響を受けないように、不活性ガス雰囲気中で保管すること等を行えば良い。
そこで、以下の典型的な2種類のTiAl基合金について、Ti原料の酸素含有量が、合金原料a配合後の酸素含有量に及ぼす影響について確認した。確認に用いたTiAl基合金は、前記した酸素含有量が1000ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを溶解製造する際の確認と同様に、合金Aと合金Bである。図7がその確認結果である。尚、合金原料aのうちAl原料の酸素含有量は50ppm、Cr、V、Nb、Mn原料の酸素含有量は1000ppmとした。
図7から、合金Aと合金B共に、合金原料a配合後の酸素含有量を550ppm以下とするためには、Ti原料の酸素含有量を700ppm以下とすれば良いことが解る。尚、合金Aと合金Bは、共に同じデータが得られたため、グラフ上での斜線は重なっている。
以上により、Ti原料の酸素含有量を700ppm以下、Al原料の酸素含有量を50ppm以下とすると共に、他の合金成分の酸素含有量を1000ppm以下とすれば、合金原料a配合後の酸素含有量を550ppm以下とすることができ、その結果、酸素含有量が800ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造することができることが確認できた。
以上のように、本発明のTiAl基合金の鋳塊製造方法においては、合金原料aの酸素含有量を調整することで、目的のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造することができるが、より確実に目的のTiAl基合金で成る長尺鋳塊dを製造するためには、合金原料aを予め溶解して脱酸処理しておけば良い。例えば、Alとその他の合金成分元素(Cr、V、Nb、Mn)とを事前に混合溶解した母合金(Al−Cr合金、Al−V合金、Al−Nb合金、Al−Mn合金)として合金原料aとすることで、合金原料aを予め低酸素化することが可能である。
一次溶解、二次溶解ともに、コールドクルーシブル誘導溶解装置Aを用いることで、実際に合金A(表1に記載)で成る長尺鋳塊dと、合金B(表2記載)で成る長尺鋳塊dを製造した。
コールドクルーシブル誘導溶解装置Aは、周波数:3000Hz、出力:400kW(Max)の高周波電源5を有しており、製合盤を介して、水冷ケーブルにより水冷銅製コイルと接続されている。一次溶解に用いた水冷銅製るつぼ1の内径は220mmであり、この水冷銅製るつぼ1に、前記TiAl基合金を製造するために必要な合金原料aを合計25kg装入して溶湯プールcを形成させる。その状態で、30分間保持して十分に溶湯を攪拌して溶湯プールcの成分均一化を図った後、水冷銅製るつぼ1を傾けて内部の溶湯を出湯し、下方に設けた鋳型6に注入して凝固させる。これにより、約20kgの一次鋳塊が作製できる。因みに、残りの約5kgは凝固シェル(スカル)として水冷銅製るつぼ1の内壁面に付着した状態で残る。この一次溶解を複数回繰り返して行い、複数個の一次鋳塊を作製する。これらを集めて二次溶解用の溶解母材bとする。尚、この実施例では、1個の20kgの一次鋳塊と、6個の15kgで棒状の一次鋳塊を作製した。
二次溶解に用いた水冷銅製るつぼ1の内径は250mmであり、この水冷銅製るつぼ1は高周波コイル2等と共に、真空チャンバーB内に設けられている。この水冷銅製るつぼ1に前記した7個の一次鋳塊で成る溶解母材bを装入し、一次溶解と同様のコールドクルーシブル誘導溶解と、下方への引き抜きを行うことで、長尺鋳塊dを製造する。この方法で製造できる長尺鋳塊dは、直径250mm、長さ550mmほどの略円柱状のものであり、その重量は約110kgである。
以上の製造方法で製造した長尺鋳塊dについて、合金原料a、溶解母材b(一次鋳塊)、長尺鋳塊dの、夫々の状態での酸素含有量(表には酸素値、酸素分析値、酸素濃度と記載)を、合金Aについては表1に、合金Bについては表2に示す。Ti、Al、Cr、V、Nb、Mnについては、IPC発光分析法で、Oについては、不活性ガス融解法で夫々分析した。尚、長尺鋳塊dの酸素含有量(酸素濃度)については、トップ部、ボトム部の酸素含有量(酸素濃度)を夫々示している。
表1及び表2の実施例と比較例には、○で囲んだ1〜7の数字を記載しているが、夫々溶解母材bを構成する個々の一次鋳塊を示している。図8に示すように、1〜6は、束ねて一端部から水冷銅製るつぼに装入する溶解母材bを構成する棒状の一次鋳塊、7は、1〜6に先立ち水冷銅製るつぼ内に装入する溶解母材bを構成する一次鋳塊である。
合金A、合金Bの両合金とも、各合金原料aの酸素含有量を請求項1記載の条件で製造した発明例1、発明例3では、製造された長尺鋳塊dの酸素含有量(酸素濃度)は、そのトップ部、ボトム部ともに、1000ppm以下である(評価:○)。また、各合金原料aの酸素含有量を請求項2記載の条件で製造した発明例2、発明例4では、製造された長尺鋳塊dの酸素含有量(酸素濃度)は、そのトップ部、ボトム部ともに、800ppm以下である(評価:◎)。これに対し、請求項記載の条件を外す比較例1、比較例2では、製造された長尺鋳塊dの酸素含有量(酸素濃度)は、そのトップ部、ボトム部ともに、室温延性(伸び)が大幅に低下する1000ppm超となっている(評価:×)。
本発明の一実施例において、コールドクルーシブル誘導溶解装置を用いた二次溶解を示す縦断面図である。 同実施例において、コールドクルーシブル誘導溶解装置を用いた一次溶解を示す縦断面斜視図である。 同実施例の一次溶解で、水冷銅製るつぼ内に合金原料を供給した状態を示す縦断面図である。 同実施例の一次溶解で、水冷銅製るつぼ内の合金原料を溶解して溶湯プールとした状態を示す縦断面図である。 同実施例の一次溶解で、水冷銅製るつぼを傾け溶湯プールを鋳型内に注入した状態を示す縦断面図である。 酸素含有量が1000ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊を溶解製造する際の、Ti原料中の酸素含有量と合金原料配合後の酸素含有量の関係を示す説明図である。 酸素含有量が800ppm以下のTiAl基合金で成る長尺鋳塊を溶解製造する際の、Ti原料中の酸素含有量と合金原料配合後の酸素含有量の関係を示す説明図である。 本発明の一実施例において、コールドクルーシブル誘導溶解装置を用いた二次溶解での溶解母材の供給時の詳細を示す縦断面図である。
符号の説明
1…水冷銅製るつぼ
2…高周波コイル
3…底板
4…銅製セグメント
5…高周波電源
6…鋳型
7…拡散ポンプ
a…合金原料
b…溶解母材
c…溶湯プール
d…長尺鋳塊
A…コールドクルーシブル誘導溶解装置
B…真空チャンバー

Claims (3)

  1. 合金原料を溶解した後、凝固させて事前に成分調整した一次鋳塊で成る溶解母材を、水冷銅製るつぼ内に供給し、その水冷銅製るつぼの周囲を取り巻く高周波コイルによる誘導加熱で前記溶解母材を溶解して溶湯プールとし、前記水冷銅製るつぼを構成する上下方向に移動自在に形成された底板を下方に移動させて、その底板上の前記溶湯プールを下方に引き抜き凝固させることによって、TiAl基合金で成る長尺鋳塊を製造するTiAl基合金の鋳塊製造方法において、
    前記合金原料のうち、Ti原料の酸素含有量を800ppm以下、Al原料の酸素含有量を100ppm以下とすると共に、他の合金成分がCr、V、Nbの場合はそれらの酸素含有量を2000ppm以下、他の合金成分がMnの場合はその酸素含有量を3000ppm以下とすることを特徴とするTiAl基合金の鋳塊製造方法。
  2. 前記合金原料のうち、Ti原料の酸素含有量を700ppm以下、Al原料の酸素含有量を50ppm以下とすると共に、他の合金成分の酸素含有量を1000ppm以下とすることを特徴とする請求項1記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法。
  3. 前記合金原料は、予め溶解して脱酸処理した材料であることを特徴とする請求項1または2記載のTiAl基合金の鋳塊製造方法。
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