JP2009109768A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 被処理基板上に、遊離酸、熱酸発生剤及び光酸発生剤の少なくともいずれかを含む下層膜を形成する工程と、
前記下層膜の上に、中間膜を形成する工程と、
前記中間膜の上に、光酸発生剤を含有するフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光する工程と、
前記フォトレジスト膜を現像する工程と、
を備えたことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記下層膜を形成する工程は、前記下層膜の材料を積層した後に第１の温度でベークする工程を含み、
前記中間膜を形成する工程は、中間膜の材料を積層した後に前記第１の温度よりも高い第２の温度でベークする工程を含むことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。 - 前記下層膜は、塗布法またはＣＶＤを用いて形成することを特徴とする請求項１または２に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記中間膜は、無機材料からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
- 前記中間膜は、酸を添加していないＳＯＧ膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のレジストパターン形成方法。
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