JP2009108385A - Deposited film formation device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposited film formation device capable of forming a deposited film, which is excellent in the uniformity of film thickness and film properties and less in image defects, in high productivity. <P>SOLUTION: The upper part of a substrate holder 107 is provided with a connection body 201 having: a connection part 202 connected to the upper cover (not shown in Figure) of a reaction vessel; a spindle 203 provided rotatably to the connection part 202; and a sliding part 206 interposed between the connection part 202 and the spindle 203. When the substrate holder 107 is installed at the inside of the reaction vessel, the lower part of the substrate holder 107 is electrically connected to the bottom plate (not shown in figure) of the reaction vessel via a rotation supporting mechanism (not shown in Figure). Meanwhile, the upper part of the substrate holder 107 is electrically connected to the upper cover of the reaction vessel via the connector 201, and the sliding part 206 is separated from the internal space of the reaction vessel by the connection part 202. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、被処理基体上に堆積膜、とりわけアモルファス状あるいは多結晶状等の非単結晶状の堆積膜を利用した光受容部材を形成するための堆積膜形成装置に関するものである。本発明は、特にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって堆積膜を形成する堆積膜形成装置に関する。   The present invention relates to a deposited film forming apparatus for forming a photoreceptive member using a deposited film, particularly an amorphous or polycrystalline deposited film on a substrate to be processed. The present invention particularly relates to a deposited film forming apparatus for forming a deposited film by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

従来、アモルファス材料（本明細書では、以下、「アモルファス」は非単結晶であることを指す。）で構成された半導体等用の堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。例えば水素およびハロゲン（例えばフッ素、塩素等）の少なくとも一方で補償されたアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と略記する。）が、光受容部材として用いられている。このような光受容部材は、例えば半導体デバイス、電子写真用感光体デバイス、画像入力用ラインセンサ、撮像デバイス、光起電力デバイス、その他各種エレクトロニクス素子、光学素子等に、素子部材として用いることができる。   Conventionally, a deposited film for a semiconductor or the like made of an amorphous material (hereinafter, “amorphous” indicates non-single crystal) has been proposed, and some of them are put into practical use. ing. For example, amorphous silicon (hereinafter abbreviated as “a-Si”) compensated for at least one of hydrogen and halogen (for example, fluorine, chlorine, etc.) is used as the light receiving member. Such a light receiving member can be used as an element member in, for example, a semiconductor device, an electrophotographic photoreceptor device, an image input line sensor, an imaging device, a photovoltaic device, other various electronic elements, optical elements, and the like. .

この種の堆積膜を形成する際には、堆積膜の膜厚、膜特性の均一化が求められることが多い。そのために、原料ガスの供給や排気方法を工夫したり、堆積膜が形成される被処理基体を回転させたり、プラズマＣＶＤ法を用いる場合、プラズマを均一にする方策を採ったりすることが有効であることが示されている。   In forming this kind of deposited film, it is often required to make the deposited film uniform in film thickness and film characteristics. Therefore, it is effective to devise a method for supplying and exhausting the source gas, to rotate the substrate to be processed on which the deposited film is formed, and to adopt a method for making the plasma uniform when using the plasma CVD method. It is shown that there is.

また、電極を、原料ガスを吹き出す構成とし、原料ガス吹き出し口と排気口の方向を適切に規定して、膜厚分布の均一化を図った電子写真感光体製造装置も提案されている（特許文献１参照）。   There has also been proposed an electrophotographic photoreceptor manufacturing apparatus in which the electrode is configured to blow out source gas, the direction of the source gas outlet and the outlet is appropriately defined, and the film thickness distribution is made uniform (patent) Reference 1).

また、基体を回転させる際の、基体上下の位置決めと導通方法を適切に規定して、堆積膜の均一化を図った装置も提案されている（特許文献２参照）。   In addition, an apparatus has been proposed in which the positioning of the upper and lower sides of the substrate and the conduction method when rotating the substrate are appropriately defined to make the deposited film uniform (see Patent Document 2).

また、この種の堆積膜を連続して生産するための生産システムも提案されている。このような生産システムとしては、堆積膜形成前の搬送と堆積膜形成後の搬送手段を分離する事により、堆積膜形成前にダスト等が基体に付着することの防止を目的とし、搬送機を用いた一連の堆積膜形成装置が提案されている（特許文献３参照）。
特許第２７７６０８７号公報 実開平７−０１０９３４号公報 特許第２９０７４０４号公報 A production system for continuously producing this kind of deposited film has also been proposed. In such a production system, the transport device before forming the deposited film and the transport means after forming the deposited film are separated to prevent dust and the like from adhering to the substrate before forming the deposited film. A series of deposited film forming apparatuses used has been proposed (see Patent Document 3).
Japanese Patent No. 2776087 Japanese Utility Model Publication No. 7-010934 Japanese Patent No. 2907404

従来、上記のような方策により堆積膜の均一化と画像欠陥の低減が図られてきた。しかし、近年、このような堆積膜を利用した装置の高機能化、例えば電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の均一性と画像欠陥の低減が、従来以上に求められている。すなわち、例えば、電子写真プロセスを利用した近年の高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、従来実用上の問題のなかった程度の、堆積膜の不均一性や画像欠陥でも、形成画像に視覚可能なムラを生じさせる可能性が生じる。   Conventionally, the deposited film has been made uniform and image defects have been reduced by the measures described above. However, in recent years, with the enhancement of the functions of such an apparatus using a deposited film, for example, the digitization and colorization of an electrophotographic apparatus, the uniformity of the deposited film and the reduction of image defects are required more than ever. . That is, for example, in a recent high-quality color apparatus using an electrophotographic process, since the gradation is improved, even with non-uniformity of deposited films and image defects, which had no problem in practical use, There is a possibility of causing visible unevenness in the formed image.

これらに関して、上述したような従来技術では、堆積膜の均一性と画像欠陥低減の両立についての考慮が十分ではない。すなわち、堆積膜の均一性、特に基体の長手方向でのプラズマ処理の均一性向上と、画像欠陥の低減、画像欠陥の原因となるプラズマ処理中の基体への異物付着の低減が求められ、更にそれらに加えて生産性の良い堆積膜形成装置及び生産システムが求められている。具体的には、基体の長手方向でのプラズマ処理の均一性に対しては、放電エネルギーが均等に印加されること、プラズマ処理中の基体への異物付着低減に対しては、堆積膜形成装置内部からの発塵を低減すること、が必要である。また、生産性の良い堆積膜形成装置および生産システムに対しては、基体の自動搬送システムに対応できることが必要である。   In these respects, the conventional techniques as described above do not sufficiently consider the compatibility between the deposited film uniformity and the reduction in image defects. That is, the uniformity of the deposited film, particularly the uniformity of the plasma treatment in the longitudinal direction of the substrate, the reduction of image defects, the reduction of the adhesion of foreign matter to the substrate during the plasma treatment that causes image defects is required, and In addition to these, there is a need for a deposited film forming apparatus and production system with good productivity. Specifically, for the uniformity of the plasma treatment in the longitudinal direction of the substrate, the discharge energy is applied uniformly, and for reducing the adhesion of foreign matter to the substrate during the plasma treatment, a deposited film forming apparatus It is necessary to reduce dust generation from the inside. In addition, it is necessary for a deposited film forming apparatus and a production system with good productivity to be compatible with an automatic substrate transfer system.

本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the prior art as described above, and provides a deposited film forming apparatus that can form a deposited film with excellent film thickness and film property uniformity and with few image defects with high productivity. The purpose is to provide.

上記目的を達成するため、本発明の堆積膜形成装置は、上蓋と底板とを備え、内部を減圧可能な反応容器と、前記反応容器の内部を減圧する排気手段と、円筒状基体を保持し、前記反応容器の内部に設置される基体ホルダと、該基体ホルダの下部を回転可能に保持する保持手段と、堆積膜形成用の原料ガスを前記反応容器の内部に導入する原料ガス導入手段と、前記原料ガスを励起させる放電エネルギーを印加する印加手段と、を有し、前記円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記基体ホルダの上部には、前記上蓋に接続される接続部と、該接続部に対して回転可能に設けられた支軸と、前記接続部と前記支軸との間に介在する摺動部とを有する接続体が設けられており、前記基体ホルダが前記反応容器の内部に設置されたとき、前記基体ホルダの下部が前記保持手段を介して前記底板に電気的に接続され、前記基体ホルダの上部が前記接続体を介して前記上蓋に電気的に接続され、かつ、前記摺動部は前記接続部によって前記反応容器の内部空間から隔てられることを特徴とする。   In order to achieve the above object, a deposited film forming apparatus of the present invention comprises a reaction vessel that includes an upper lid and a bottom plate, the inside of which can be depressurized, an exhaust means for depressurizing the inside of the reaction vessel, and a cylindrical substrate. A base holder installed inside the reaction vessel, a holding means for rotatably holding a lower portion of the base holder, and a raw material gas introduction means for introducing a raw material gas for forming a deposited film into the reaction vessel. A deposition film forming apparatus for forming a deposition film on the cylindrical substrate, wherein the upper portion of the substrate holder is connected to the upper lid. A connecting body having a connecting portion, a support shaft provided rotatably with respect to the connecting portion, and a sliding portion interposed between the connecting portion and the support shaft, A substrate holder is installed inside the reaction vessel. When this is done, the lower part of the base holder is electrically connected to the bottom plate via the holding means, the upper part of the base holder is electrically connected to the upper lid via the connection body, and the slide The moving part is separated from the internal space of the reaction vessel by the connecting part.

本発明によれば、膜厚や膜特性の均一性に優れ、画像欠陥の少ない堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a deposited film forming apparatus capable of forming a deposited film with excellent uniformity in film thickness and film characteristics and few image defects with high productivity.

次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、ＲＦ（Radio Frequency）−ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって電子写真用感光体を製造するための堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。   FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a deposited film forming apparatus for manufacturing an electrophotographic photoreceptor by an RF (Radio Frequency) -CVD (Chemical Vapor Deposition) method.

堆積膜形成装置１０１は、プラズマ処理によって円筒状基体１０２に堆積膜を形成する装置であり、減圧可能な反応空間を形成する円筒状反応容器１０３と、その中に円筒状基体１０２を保持する基体ホルダ（基体保持手段）１０７を有している。   The deposited film forming apparatus 101 is an apparatus that forms a deposited film on a cylindrical substrate 102 by plasma processing, and a cylindrical reaction vessel 103 that forms a reaction space that can be depressurized, and a substrate that holds the cylindrical substrate 102 therein. A holder (base holding means) 107 is provided.

円筒状基体１０２は、使用目的に応じた材質を有するものであればよい。円筒状基体１０２の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、白金、鉛、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタン、ステンレス等が、電気伝導率が良好であるため、好適である。中でも、加工性や製造コストを考慮すると、アルミニウムが最適である。この場合、円筒状基体１０２を形成するアルミニウムとしては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。   The cylindrical base 102 only needs to have a material corresponding to the purpose of use. As the material of the cylindrical substrate 102, for example, copper, aluminum, gold, silver, platinum, lead, nickel, cobalt, iron, chromium, molybdenum, titanium, stainless steel, and the like are preferable because of their good electrical conductivity. is there. Among these, aluminum is optimal in consideration of workability and manufacturing cost. In this case, as the aluminum forming the cylindrical substrate 102, for example, either an Al—Mg alloy or an Al—Mn alloy is preferably used.

基体ホルダ１０７の内部には、加熱用ヒータ１１１が設けられている。加熱用ヒータ１１１は、真空中で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータ等の電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプや、液体、気体等を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。加熱用ヒータ１１１の表面材料としては、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類や、セラミック、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。   A heater 111 is provided inside the base holder 107. Any heater 111 may be used as long as it can be used in vacuum. Specifically, electrical resistance heating elements such as sheath heaters, plate heaters, ceramic heaters and carbon heaters, heat radiation lamps such as halogen lamps and infrared lamps, and heat exchange means using liquid, gas, etc. as a heat medium Is the target. As the surface material of the heater 111, metals such as stainless steel, nickel, aluminum, and copper, ceramics, heat resistant polymer resins, and the like can be used.

また、円筒状反応容器１０３内には、円筒状反応容器１０３内に堆積膜形成用の原料ガスを導入するための原料ガス導入管（原料ガス導入手段）１０４が設けられている。原料ガス導入管１０４は、保持される円筒状基体１０２の長手方向に平行に延びている。原料ガス導入管１０４は、不図示のガス供給系に接続されている。その接続配管には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を介在させたミキシング１１６と、原料ガス導入管１０４に供給する原料ガスの流量を調整するための原料ガス流入バルブ１１７が設けられている。   Further, in the cylindrical reaction vessel 103, a raw material gas introduction pipe (raw material gas introduction means) 104 for introducing a raw material gas for forming a deposited film into the cylindrical reaction vessel 103 is provided. The source gas introduction pipe 104 extends in parallel with the longitudinal direction of the cylindrical base 102 to be held. The source gas introduction pipe 104 is connected to a gas supply system (not shown). The connecting pipe includes a mixing 116 with a mass flow controller (not shown) for adjusting the flow rate of the source gas, and a source gas inflow valve for adjusting the flow rate of the source gas supplied to the source gas introduction pipe 104. 117 is provided.

円筒状反応容器１０３の円筒状の側壁には、整合回路を有するマッチングボックス１０５を介して、円筒状反応容器１０３内に導入された原料ガスを励起させる放電エネルギーを印加する印加手段としての高周波電源１０６が電気的に接続されている。この側壁は、円筒状反応容器１０３の接地面となる底板１０８および上蓋１０９から、セラミックスからなる絶縁体１１０を介して絶縁されている。上蓋１０９にはゲート弁１２２が設置されており、上蓋１０９はこのゲート弁１２２によって開閉可能になっている。円筒状基体１０２を保持する基体ホルダ１０７は、ゲート弁１２２が開かれた状態のときに、ゲート弁１２２及び上蓋１０９を通して減圧下で図３に示す基体搬送機構３０１によって円筒状反応容器１０３内に搬入・搬出・設置される。   A high frequency power supply as an application means for applying discharge energy for exciting the raw material gas introduced into the cylindrical reaction vessel 103 to the cylindrical side wall of the cylindrical reaction vessel 103 via a matching box 105 having a matching circuit. 106 is electrically connected. This side wall is insulated from the bottom plate 108 and the upper lid 109 serving as the ground contact surface of the cylindrical reaction vessel 103 via an insulator 110 made of ceramics. The upper lid 109 is provided with a gate valve 122, and the upper lid 109 can be opened and closed by the gate valve 122. The substrate holder 107 holding the cylindrical substrate 102 is placed in the cylindrical reaction vessel 103 by the substrate transport mechanism 301 shown in FIG. 3 under reduced pressure through the gate valve 122 and the upper lid 109 when the gate valve 122 is opened. Carry in / out / install.

さらに、円筒状反応容器１０３の下部には、円筒状基体１０２を保持する基体ホルダ１０７を回転可能に支持する回転支持機構１１５が設けられている。この回転支持機構１１５は、基体ホルダ１０７が載置された回転台１１２と、この回転台１１２を支持する支軸１１３と、支軸１１３に接続され回転台１１２を回転させるためのモータ１１４とを有している。したがって、円筒状基体１０２は、基体ホルダ１０７上に装着された状態で、回転台１１２と共に支軸１１３を中心として回転させることができる。なお、回転支持機構１１５は接地面となる底板１０８と接続しているため、電気的に接地状態となっている。   Further, a rotation support mechanism 115 that rotatably supports a substrate holder 107 that holds the cylindrical substrate 102 is provided at the lower portion of the cylindrical reaction vessel 103. The rotation support mechanism 115 includes a turntable 112 on which the base holder 107 is placed, a support shaft 113 that supports the turntable 112, and a motor 114 that is connected to the support shaft 113 and rotates the turntable 112. Have. Therefore, the cylindrical base body 102 can be rotated around the support shaft 113 together with the turntable 112 while being mounted on the base body holder 107. The rotation support mechanism 115 is electrically connected to the ground because it is connected to the bottom plate 108 serving as a ground surface.

堆積膜形成装置１０１が備える排気系は、排気手段である真空ポンプユニット（不図示）が、排気配管１２１を介して、底板１０８の排気口１１８に接続されている。排気配管１２１には、排気メインバルブ１１９が設けられている。また、円筒状反応容器１０３には、その内部の圧力を測定する真空計１２０が取り付けられている。これらを用いて、円筒状反応容器１０３内を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。真空ポンプユニットには、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプ等を用いることができる。   In the exhaust system provided in the deposited film forming apparatus 101, a vacuum pump unit (not shown) as exhaust means is connected to an exhaust port 118 of the bottom plate 108 through an exhaust pipe 121. An exhaust main valve 119 is provided in the exhaust pipe 121. In addition, a vacuum gauge 120 for measuring the internal pressure is attached to the cylindrical reaction vessel 103. By using these, the inside of the cylindrical reaction vessel 103 can be maintained at a predetermined pressure suitable for each step. For example, a rotary pump or a mechanical booster pump can be used as the vacuum pump unit.

次に、図２Ａ及び図２Ｂを参照して基体ホルダ１０７について説明する。   Next, the substrate holder 107 will be described with reference to FIGS. 2A and 2B.

図２Ａ及び図２Ｂは基体ホルダの上部を模式的に示した図である。図２Ａ（ａ）は基体ホルダの縦断面図、図２Ａ（ｂ）はその上視図、図２Ａ（ｃ）は図２Ａ（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図２Ｂ（ｄ）は基体ホルダが不図示の基体搬送機構で保持されて吊り上げられた状態を示す断面図、図２Ｂ（ｅ）は基体ホルダが加熱された状態を示す断面図である。   2A and 2B are diagrams schematically showing the upper part of the base holder. 2A (a) is a longitudinal sectional view of the substrate holder, FIG. 2A (b) is a top view thereof, and FIG. 2A (c) is a sectional view taken along line AA in FIG. 2A (a). 2B (d) is a cross-sectional view showing a state in which the base holder is held and lifted by a base transport mechanism (not shown), and FIG. 2B (e) is a cross-sectional view showing a state in which the base holder is heated.

基体ホルダ１０７の上部には接続体２０１が設けられている。接続体２０１は、基体ホルダ１０７を接地面である上蓋１０９と接続して電気的に接地状態にすること、基体ホルダ１０７を上部で回転可能に支持すること、基体ホルダ１０７を基体搬送機構（不図示）が保持すること、を可能にしている。   A connection body 201 is provided on the upper portion of the substrate holder 107. The connection body 201 connects the base holder 107 to the upper lid 109 that is a grounding surface so that the base holder 107 is electrically grounded, supports the base holder 107 rotatably at the top, Can be held.

接続体２０１は、上蓋との接続部２０２、凸部２０５、摺動部２０６、基体搬送機構（不図示）よって保持される保持部２０７を有している。接続体２０１は、接続部２０２に対して回転可能に設けられた支軸２０３と、支軸２０３に吊り下げられた状態に取り付けられた基体保持部２０９とをさらに有している。また、接続部２０２には複数の貫通穴２０８が形成されており、これらの貫通穴２０８によって接続体２０１の上部空間を排気可能としている。   The connecting body 201 has a connecting portion 202 with the upper lid, a convex portion 205, a sliding portion 206, and a holding portion 207 that is held by a substrate transport mechanism (not shown). The connection body 201 further includes a support shaft 203 provided so as to be rotatable with respect to the connection portion 202 and a base body holding portion 209 attached to the support shaft 203 in a suspended state. In addition, a plurality of through holes 208 are formed in the connection portion 202, and the upper space of the connection body 201 can be exhausted by these through holes 208.

基体ホルダ１０７は、円筒状反応容器１０３内に設置されると、上蓋１０９と接続部２０２とが接続される。次に、回転支持機構１１５によって、基体保持部２０９および支軸２０３が回転させられる。接続体２０１は、基体保持部２０９および支軸２０３の回転時も固定されており、摺動部２０６を介して基体保持部２０９および支軸２０３を回転可能に支持し、かつ電気的に接地状態にしている。なお、摺動部２０６は、支軸２０３と摺動して導通すればよく、金属製の板バネ、ワイヤブラシ、渦巻きバネ、ベアリング、固体潤滑剤等が使用可能であるが、発塵や高温下での密着性、繰り返し使用時の耐久性の点からベアリング、固体潤滑剤が好ましい。   When the substrate holder 107 is installed in the cylindrical reaction vessel 103, the upper lid 109 and the connecting portion 202 are connected. Next, the base holder 209 and the support shaft 203 are rotated by the rotation support mechanism 115. The connection body 201 is fixed even when the base body holding portion 209 and the support shaft 203 are rotated, supports the base body holding portion 209 and the support shaft 203 via the sliding portion 206, and is electrically grounded. I have to. Note that the sliding portion 206 only needs to slide and conduct with the support shaft 203, and a metal leaf spring, wire brush, spiral spring, bearing, solid lubricant, etc. can be used. Bearings and solid lubricants are preferred from the standpoint of adhesion at the bottom and durability during repeated use.

また、支軸２０３は上部が傘型の形状に構成されており、その傘型形状部の端部２０４が鍵型に形成されている。   Further, the upper portion of the support shaft 203 is configured in an umbrella shape, and an end portion 204 of the umbrella shape portion is formed in a key shape.

その目的は、第１に、基体搬送機構３０１が保持部２０７を保持して吊り上げた時に、基体保持部２０９が落下しないようにするためである（図２Ｂ（ｄ）参照）。更に、端部２０４及び凸部２０５を設けることで、摺動部２０６に負荷がかかって破損することを防いでいる。   The purpose is to prevent the substrate holding unit 209 from dropping when the substrate transport mechanism 301 holds and holds the holding unit 207 (see FIG. 2B (d)). Further, by providing the end portion 204 and the convex portion 205, the sliding portion 206 is prevented from being damaged by being loaded.

第２に、円筒状基体１０２を加熱した時に、基体保持部２０９および支軸２０３は熱膨張して上方向へ伸びるが、その際に接続体２０１が上昇して上蓋１０９と接続しなくなることを防ぐためである（図２（ｅ）参照）。つまり、支軸２０３が上方へ移動しても、接続体２０１は上蓋１０９と接続したままで、かつ端部２０４は摺動部２０６と接触した状態を保つためである。   Secondly, when the cylindrical base body 102 is heated, the base body holding portion 209 and the support shaft 203 are thermally expanded and extend upward, but at that time, the connection body 201 rises and is not connected to the upper lid 109. This is to prevent it (see FIG. 2E). That is, even if the support shaft 203 moves upward, the connection body 201 remains connected to the upper lid 109 and the end portion 204 remains in contact with the sliding portion 206.

第３に、摺動部２０６から発塵があった場合、円筒状基体１０２の表面に塵が落下し難いようにするためである。更に、摺動部２０６は、接続部２０２によって円筒状反応容器１０３の内部空間から隔てられており、接続体２０１の上面側、即ち、円筒状反応容器１０３の内部の反応空間外にあることから、堆積膜形成中に高温およびプラズマにさらされず、劣化が抑制される。   Thirdly, when dust is generated from the sliding portion 206, it is difficult for the dust to fall on the surface of the cylindrical substrate 102. Further, the sliding portion 206 is separated from the internal space of the cylindrical reaction vessel 103 by the connection portion 202 and is located outside the reaction space inside the connection body 201, that is, inside the cylindrical reaction vessel 103. During the formation of the deposited film, it is not exposed to high temperature and plasma, and deterioration is suppressed.

次に、図３を参照して基体搬送機構３０１について説明する。   Next, the substrate transport mechanism 301 will be described with reference to FIG.

図３は基体搬送機構を模式的に示す図である。基体搬送機構３０１は、真空気密可能で堆積膜形成装置１０１にドッキングするための上下機構を有した搬送容器３０２を備えている。搬送容器３０２の下部にはゲート弁３０５が設けられ、搬送容器３０２の内部には基体ホルダ１０７を保持する保持部３０４を有し上下動可能なアーム３０３が設けられている。また、搬送容器３０２はレール３０６に沿って水平方向に移動可能となっている。この基体搬送機構３０１によって、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を、堆積膜形成装置１０１を真空状態に維持したまま堆積膜形成装置１０１へ搬入、設置、搬出することができる。これにより、生産性が向上することだけでなく、堆積膜形成装置１０１の内部の汚染を防ぐことも可能であるため、画像欠陥の低減にも効果がある。   FIG. 3 is a diagram schematically showing the substrate transport mechanism. The substrate transport mechanism 301 includes a transport container 302 that can be vacuum-tight and has a vertical mechanism for docking with the deposited film forming apparatus 101. A gate valve 305 is provided in the lower part of the transport container 302, and an arm 303 having a holding part 304 for holding the substrate holder 107 and capable of moving up and down is provided in the transport container 302. Further, the transport container 302 is movable in the horizontal direction along the rail 306. By this substrate transport mechanism 301, the substrate holder 107 on which the cylindrical substrate 102 is mounted can be carried into, set in, and unloaded from the deposited film forming apparatus 101 while maintaining the deposited film forming apparatus 101 in a vacuum state. As a result, not only the productivity is improved, but also contamination inside the deposited film forming apparatus 101 can be prevented, which is effective in reducing image defects.

この基体搬送機構３０１を用い、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を、堆積膜形成装置１０１へ搬入、設置、搬出する方法について、具体的に説明する。   A method for carrying in, setting up, and carrying out the substrate holder 107 on which the cylindrical substrate 102 is mounted using the substrate transport mechanism 301 will be specifically described.

まず、搬入、設置方法について説明する。予め、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を保持、格納し、内部が真空排気された搬送容器３０２を、レール３０６に沿って堆積膜形成装置１０１上へ移動させる。次に、搬送容器３０２を下降させ、搬送容器３０２のゲート弁３０５を堆積膜形成装置のゲート弁１２２にドッキングさせる。ドッキング後、搬送容器３０２のゲート弁３０５と堆積膜形成装置１０１のゲート弁１２２との間を排気する排気装置（不図示）により真空排気を行う。搬送容器３０２内、ゲート弁３０５とゲート弁１２２との間、及び堆積膜形成装置１０１の円筒状反応容器１０３内が略同圧となった時点で、ゲート弁３０５とゲート弁１２２を開ける。次に、搬送容器３０２の内部から、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を保持するアーム３０３を下降させて基体ホルダ１０７を回転支持機構１１５に載置する。そして、保持部３０４を非保持状態にすることで、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７が堆積膜形成装置１０１内に設置される。設置後、アーム３０３を上昇させ、ゲート弁３０５とゲート弁１２２を閉め、ゲート弁３０５とゲート弁１２２を大気圧に戻す。その後、搬送容器３０２を上昇させて堆積膜形成装置１０１から切り離し、搬入、設置動作が終了する。   First, how to carry in and install will be described. The substrate holder 107 to which the cylindrical substrate 102 is mounted is held and stored in advance, and the transfer container 302 whose inside is evacuated is moved onto the deposited film forming apparatus 101 along the rail 306. Next, the transfer container 302 is lowered, and the gate valve 305 of the transfer container 302 is docked with the gate valve 122 of the deposited film forming apparatus. After docking, vacuum exhaust is performed by an exhaust device (not shown) that exhausts between the gate valve 305 of the transfer container 302 and the gate valve 122 of the deposited film forming apparatus 101. The gate valve 305 and the gate valve 122 are opened when the pressure in the transfer container 302, between the gate valve 305 and the gate valve 122, and in the cylindrical reaction container 103 of the deposited film forming apparatus 101 becomes substantially the same pressure. Next, the arm 303 that holds the substrate holder 107 on which the cylindrical substrate 102 is mounted is lowered from the inside of the transport container 302, and the substrate holder 107 is placed on the rotation support mechanism 115. Then, by setting the holding unit 304 in a non-holding state, the base holder 107 to which the cylindrical base 102 is mounted is installed in the deposited film forming apparatus 101. After installation, the arm 303 is raised, the gate valve 305 and the gate valve 122 are closed, and the gate valve 305 and the gate valve 122 are returned to atmospheric pressure. Thereafter, the transfer container 302 is raised and separated from the deposited film forming apparatus 101, and the carry-in and installation operations are completed.

次に、搬出方法について説明する。予め内部が真空排気された搬送容器３０２を、レール３０６に沿って堆積膜形成装置１０１上へ移動させる。次に、搬送容器３０２を下降させ、搬送容器３０２のゲート弁３０５を堆積膜形成装置のゲート弁１２２にドッキングさせる。ドッキング後、搬送容器３０２のゲート弁３０５と堆積膜形成装置１０１のゲート弁１２２との間を排気する排気装置（不図示）により真空排気を行う。搬送容器３０２内、ゲート弁３０５とゲート弁１２２との間、及び堆積膜形成装置１０１の円筒状反応容器１０３内が略同圧となった時点で、ゲート弁３０５とゲート弁１２２を開ける。次に、搬送容器３０２の内部から、アーム３０３を下降させ、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を保持部３０４に保持させる。保持後、アーム３０３を上昇させ、ゲート弁３０５とゲート弁１２２を閉め、ゲート弁３０５とゲート弁１２２を大気圧に戻す。その後、搬送容器３０２を上昇させ堆積膜形成装置１０１から切り離し、搬出動作が終了する。   Next, the carrying-out method will be described. The transfer container 302 whose inside is evacuated in advance is moved onto the deposited film forming apparatus 101 along the rail 306. Next, the transfer container 302 is lowered, and the gate valve 305 of the transfer container 302 is docked with the gate valve 122 of the deposited film forming apparatus. After docking, vacuum exhaust is performed by an exhaust device (not shown) that exhausts between the gate valve 305 of the transfer container 302 and the gate valve 122 of the deposited film forming apparatus 101. The gate valve 305 and the gate valve 122 are opened when the pressure in the transfer container 302, between the gate valve 305 and the gate valve 122, and in the cylindrical reaction container 103 of the deposited film forming apparatus 101 becomes substantially the same pressure. Next, the arm 303 is lowered from the inside of the transport container 302, and the substrate holder 107 to which the cylindrical substrate 102 is attached is held by the holding unit 304. After holding, the arm 303 is raised, the gate valve 305 and the gate valve 122 are closed, and the gate valve 305 and the gate valve 122 are returned to atmospheric pressure. Thereafter, the transfer container 302 is raised and separated from the deposited film forming apparatus 101, and the carry-out operation is completed.

以上のように構成された堆積膜形成装置１０１を用いて堆積膜を形成する手順の一例について、図１を参照して以下に説明する。   An example of a procedure for forming a deposited film using the deposited film forming apparatus 101 configured as described above will be described below with reference to FIG.

まず、円筒状反応容器１０３内に、基体搬送機構３０１で円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を搬入、設置し、真空ポンプユニット（不図示）により円筒状反応容器１０３内を排気する。続いて、円筒状反応容器１０３内に、ミキシング１１６、原料ガス流入バルブ１１７、および原料ガス導入管１０４を介して、円筒状基体１０２の加熱に必要な、例えばＡｒ，Ｈｅ等のガスを導入する。そして、真空ポンプユニット（不図示）および排気メインバルブ１１９を用いて、円筒状反応容器１０３内を所定の圧力になるように真空計１２０を見ながら調整を行う。次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ１１１により円筒状基体１０２の温度を２００[℃]〜４５０[℃]程度、より好ましくは２５０[℃]〜３５０[℃]程度の所望の温度に制御する。   First, the substrate holder 107 on which the cylindrical substrate 102 is mounted is loaded and installed in the cylindrical reaction vessel 103 by the substrate transfer mechanism 301, and the inside of the cylindrical reaction vessel 103 is evacuated by a vacuum pump unit (not shown). Subsequently, a gas such as Ar or He necessary for heating the cylindrical substrate 102 is introduced into the cylindrical reaction vessel 103 via the mixing 116, the source gas inflow valve 117, and the source gas introduction pipe 104. . Then, using a vacuum pump unit (not shown) and an exhaust main valve 119, adjustment is performed while looking at the vacuum gauge 120 so that the inside of the cylindrical reaction vessel 103 becomes a predetermined pressure. Next, after a predetermined pressure is reached, the temperature of the cylindrical substrate 102 is set to a desired value of about 200 [° C.] to 450 [° C.], more preferably about 250 [° C.] to 350 [° C.] by the heater 111. Control to temperature.

以上の手順によって堆積膜を形成する準備が完了した後、円筒状基体１０２上に光導電層の形成を行う。   After the preparation for forming the deposited film is completed by the above procedure, a photoconductive layer is formed on the cylindrical substrate 102.

このために、まず、加熱用のガスと堆積膜形成用の原料ガスとをミキシング１１６を介して混合して導入し、導入ガスが所望の流量になるように調整する。その際、円筒状反応容器１０３内が１３．３[ｍＰａ]〜１３３０[Ｐａ]程度の所望の圧力になるように、真空計１２０を確認しながら真空ポンプユニット（不図示）と排気メインバルブ１１９を調整する。この調整は、例えば、真空ポンプユニット（不図示）のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。   For this purpose, first, a heating gas and a raw material gas for forming a deposited film are mixed and introduced through a mixing 116, and the introduced gas is adjusted to have a desired flow rate. At that time, the vacuum pump unit (not shown) and the exhaust main valve 119 are checked while checking the vacuum gauge 120 so that the inside of the cylindrical reaction vessel 103 has a desired pressure of about 13.3 [mPa] to 1330 [Pa]. Adjust. This adjustment can be performed, for example, by adjusting the rotation frequency of a mechanical booster pump of a vacuum pump unit (not shown).

堆積膜形成時に使用する原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ₄）、ジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）、四フッ化珪素（ＳｉＦ₄）、六フッ化二珪素（Ｓｉ₂Ｆ₆）等のアモルファスシリコン形成用の原料ガス、またはそれらの混合ガスを用いることができる。希釈ガスとしては、水素（Ｈ₂）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を用いることができる。また、堆積膜のバンドギャップ幅を変化させる等の特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭化水素、またはフッ素化合物、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。この際に用いる窒素原子を含むものとしては、窒素（Ｎ₂）、アンモニア（ＮＨ₃）等が挙げられる。酸素原子を含むものとしては、酸素（Ｏ₂）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ₂）、酸化二窒素（Ｎ₂Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ₂）等が挙げられる。炭化水素としては、メタン（ＣＨ₄）、エタン（Ｃ₂Ｈ₆）、エチレン（Ｃ₂Ｈ₄）、アセチレン（Ｃ₂Ｈ₂）、プロパン（Ｃ₃Ｈ₈）等が挙げられる。フッ素化合物としては、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ₄）、フッ化窒素（ＮＦ₃）等が挙げられる。また、ドーピング処理を目的として、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）、フッ化硼素（ＢＦ₃）、ホスフィン（ＰＨ₃）等のドーパントガスを同時に放電空間に導入してもよい。 As a source gas used for forming a deposited film, amorphous silicon such as silane (SiH ₄ ), disilane (Si ₂ H ₆ ), silicon tetrafluoride (SiF ₄ ), and disilicon hexafluoride (Si ₂ F ₆ ) is formed. Raw material gas or a mixed gas thereof can be used. As the dilution gas, hydrogen (H ₂ ), argon (Ar), helium (He), or the like can be used. Further, as a characteristic improving gas for changing the band gap width of the deposited film, a gas containing nitrogen atoms, a gas containing oxygen atoms, a hydrocarbon, a fluorine compound, or a mixed gas thereof may be used in combination. As those containing nitrogen atoms for use in this, nitrogen (N _2), ammonia (NH _3), and the like. Oxygen (O ₂ ), nitrogen monoxide (NO), nitrogen dioxide (NO ₂ ), dinitrogen oxide (N ₂ O), carbon monoxide (CO), carbon dioxide (CO ₂ ) are included as those containing oxygen atoms. Etc. Examples of the hydrocarbon include methane (CH ₄ ), ethane (C ₂ H ₆ ), ethylene (C ₂ H ₄ ), acetylene (C ₂ H ₂ ), propane (C ₃ H ₈ ) and the like. Examples of the fluorine compound include germanium tetrafluoride (GeF ₄ ) and nitrogen fluoride (NF ₃ ). Further, for the purpose of doping treatment, a dopant gas such as diborane (B ₂ H ₆ ), boron fluoride (BF ₃ ), or phosphine (PH ₃ ) may be simultaneously introduced into the discharge space.

次に、円筒状反応容器１０３内の圧力が安定した後、高周波電源１０６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１０５を介して円筒状反応容器１０３に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度のＲＦ帯、特に１３．５６[ＭＨｚ]の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１０３内に導入された原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１０２上に所望のシリコン原子を主成分とする堆積膜が形成される。   Next, after the pressure in the cylindrical reaction vessel 103 is stabilized, the high-frequency power source 106 is set to a desired power, and the high-frequency power is supplied to the cylindrical reaction vessel 103 via the high-frequency matching box 105, thereby Causes a glow discharge. The supplied power can be, for example, an RF band of about 13.56 [MHz] to 45 [MHz], particularly a frequency of 13.56 [MHz]. By this discharge energy, the source gas introduced into the cylindrical reaction vessel 103 is excited to generate excited species, that is, decomposed, and a deposited film mainly containing desired silicon atoms is formed on the cylindrical substrate 102. It is formed.

均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体１０２を加熱する段階から、円筒状基体１０２を回転させる。この回転は、１[ｒｐｍ]〜１０[ｒｐｍ]程度、例えば１[ｒｐｍ]の回転速度とする。こうすることで、円筒状基体１０２の周方向に均一な堆積膜が形成される。   In order to form a uniform deposited film, the cylindrical substrate 102 is rotated at the same time as the deposited film is formed or from the stage of heating the cylindrical substrate 102. This rotation is about 1 [rpm] to 10 [rpm], for example, 1 [rpm]. By doing so, a uniform deposited film is formed in the circumferential direction of the cylindrical substrate 102.

以上のようにして円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜が形成される。   As described above, a deposited film is formed on the outer peripheral surface of the cylindrical substrate 102.

堆積膜が形成された後には、原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１０３内を排気する。その後、円筒状反応容器１０３および原料ガス導入管１０４内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ₂の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、基体搬送機構３０１を用いて、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７を円筒状反応容器１０３内から搬出する。 After the deposited film is formed, the supply of the source gas and the high frequency power is stopped and the inside of the cylindrical reaction vessel 103 is exhausted. Thereafter, the inside of the cylindrical reaction vessel 103 and the raw material gas introduction pipe 104 is purged using a purge gas, for example, at least one of an inert gas such as Ar and N ₂ . After the purge process is completed, the substrate holder 107 to which the cylindrical substrate 102 is mounted is unloaded from the cylindrical reaction vessel 103 using the substrate transport mechanism 301.

その後に、必要に応じて、堆積した粉状の副生成物をクリーニング処理する。その時の手順としては、まず、円筒状基体１０２の替わりに、これと同一形状をしたクリーニング用のダミー基体（不図示）を、基体搬送機構３０１を用いて円筒状反応容器１０３内に搬入、設置する。そして、真空ポンプユニット（不図示）により円筒状反応容器１０３内を排気する。続いて、円筒状反応容器１０３内に、ミキシング１１６および原料ガス導入管１０４を介して、クリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、真空ポンプユニット（不図示）および排気メインバルブ１１９を用いて、円筒状反応容器１０３内が所定の圧力になるように真空計１２０を見ながら調整を行う。   Thereafter, the deposited powdery by-product is cleaned as necessary. As a procedure at that time, first, instead of the cylindrical substrate 102, a cleaning dummy substrate (not shown) having the same shape is carried into the cylindrical reaction vessel 103 using the substrate transport mechanism 301 and installed. To do. Then, the inside of the cylindrical reaction vessel 103 is exhausted by a vacuum pump unit (not shown). Subsequently, a cleaning gas necessary for the cleaning process is introduced into the cylindrical reaction vessel 103 via the mixing 116 and the source gas introduction pipe 104. Then, using a vacuum pump unit (not shown) and an exhaust main valve 119, adjustment is performed while looking at the vacuum gauge 120 so that the inside of the cylindrical reaction vessel 103 becomes a predetermined pressure.

クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ₄、ＣＦ₄／Ｏ₂、ＳＦ₆、ＣｌＦ₃（三フッ化塩素）等が挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ₃を用いる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、なかでもＡｒを用いることが好ましい。 Examples of the cleaning gas used during the cleaning process include CF ₄ , CF ₄ / O ₂ , SF ₆ , and ClF ₃ (chlorine trifluoride). In this embodiment, the cleaning time is shortened. Use ClF ₃ which is effective. In the present embodiment, it is effective to use an inert gas for dilution in order to adjust the concentration of the cleaning gas. Examples of the inert gas include He, Ne, and Ar. Among them, it is preferable to use Ar.

円筒状反応容器１０３内の圧力が安定した後、高周波電源１０６を所望の電力に設定して、高周波電力を高周波マッチングボックス１０５を介して円筒状反応容器１０３に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６[ＭＨｚ]〜４５[ＭＨｚ]程度のＲＦ帯、特に１３．５６[ＭＨｚ]の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、円筒状反応容器１０３内に導入されたクリーニング用の原料ガスが分解され、円筒状反応容器１０３内がクリーニング処理される。   After the pressure in the cylindrical reaction vessel 103 is stabilized, the high frequency power supply 106 is set to a desired power, and the high frequency power is supplied to the cylindrical reaction vessel 103 via the high frequency matching box 105, thereby generating high frequency glow discharge. Raise it. The supplied power can be, for example, an RF band of about 13.56 [MHz] to 45 [MHz], particularly a frequency of 13.56 [MHz]. With this discharge energy, the cleaning source gas introduced into the cylindrical reaction vessel 103 is decomposed, and the inside of the cylindrical reaction vessel 103 is cleaned.

次に、クリーニング処理後に高周波電力の供給を停止し、円筒状反応容器１０３内を排気する。その後、円筒状反応容器１０３および原料ガス導入管１０４内をパージガス、例えばＡｒ等の不活性ガスおよびＮ₂の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、基体搬送機構３０１を用いて、クリーニング用のダミー基体（不図示）を円筒状反応容器１０３内から搬出する。 Next, the supply of high frequency power is stopped after the cleaning process, and the inside of the cylindrical reaction vessel 103 is evacuated. Thereafter, the inside of the cylindrical reaction vessel 103 and the raw material gas introduction pipe 104 is purged using a purge gas, for example, at least one of an inert gas such as Ar and N ₂ . After the purge process is completed, a cleaning dummy substrate (not shown) is carried out from the cylindrical reaction vessel 103 using the substrate transport mechanism 301.

以上のように構成された本実施形態の堆積膜形成装置では、円筒状反応容器１０３内で、円筒状基体１０２および基体ホルダ１０７の上部及び下部を接地させることで、円筒状基体１０２および基体ホルダ１０７の長手方向における電気的な状態が等しくなる。その結果、放電エネルギーが均等に印加され、プラズマ処理の均一性を向上させることができる。また、基体ホルダ１０７の上部の接続体２０１の上面、つまり反応空間外に摺動部２０６を置くことで、プラズマ処理中の発塵が抑えられ、円筒状基体１０２への異物付着が低減される。更に、本実施形態の堆積膜形成装置は、円筒状基体１０２を基体搬送機構３０１で自動搬送（搬入・設置・搬出）できるため、生産性に優れている。   In the deposited film forming apparatus of the present embodiment configured as described above, the cylindrical substrate 102 and the substrate holder are grounded by grounding the upper and lower portions of the cylindrical substrate 102 and the substrate holder 107 in the cylindrical reaction vessel 103. The electrical state in the longitudinal direction of 107 becomes equal. As a result, the discharge energy is applied uniformly, and the uniformity of the plasma processing can be improved. Further, by placing the sliding portion 206 on the upper surface of the connection body 201 above the substrate holder 107, that is, outside the reaction space, dust generation during plasma processing is suppressed, and foreign matter adhesion to the cylindrical substrate 102 is reduced. . Furthermore, the deposited film forming apparatus of the present embodiment is excellent in productivity because the cylindrical substrate 102 can be automatically conveyed (carrying in / installing / carrying out) by the substrate conveying mechanism 301.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した各実施形態において示したのと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited at all by these. In the following description, the same reference numerals are used for the same portions as those shown in the above-described embodiments.

（実施例１）
図１に示す堆積膜形成装置１０１を用いて、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１０２上に、図８に示す層構成のアモルファスシリコン堆積膜（以下、電子写真感光体とも略記する）を形成した。その形成条件は、下記の表１に示す条件とした。円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ１０７の搬送には、基体搬送機構３０１（図３参照）を用いた。 Example 1
Using the deposited film forming apparatus 101 shown in FIG. 1, an amorphous silicon deposited film (hereinafter referred to as an electrophotographic film) having a layer structure shown in FIG. 8 is formed on a cylindrical substrate 102 made of aluminum having a diameter of 80 mm, a length of 358 mm, and a thickness of 3 mm. (Also abbreviated as “photoreceptor”). The formation conditions were as shown in Table 1 below. A substrate transport mechanism 301 (see FIG. 3) was used to transport the substrate holder 107 on which the cylindrical substrate 102 was mounted.

なお、図８において、符号８０１は円筒状基体１０２の構成部材を示し、符号８０２は下部阻止層（第１層）、符号８０３は光導電層（第２層）、符号８０４は表面層（第３層）をそれぞれ示している。   In FIG. 8, reference numeral 801 denotes a component of the cylindrical substrate 102, reference numeral 802 denotes a lower blocking layer (first layer), reference numeral 803 denotes a photoconductive layer (second layer), and reference numeral 804 denotes a surface layer (first layer). 3 layers).

本実施例においては、図２Ａ（ａ）に示す摺動部２０６に複数の金属製の板バネを使用した。   In this example, a plurality of metal leaf springs were used for the sliding portion 206 shown in FIG. 2A (a).

作製された電子写真感光体に関して、「膜厚母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｈ母線ムラ」「白ポチ」の評価を以下のように実施した。また、「装置コスト」についても評価を行った。   With respect to the produced electrophotographic photosensitive member, evaluation of “thickness bus bar unevenness”, “Vd bus bar unevenness”, “Vh bus bar unevenness”, and “white spot” was performed as follows. In addition, “apparatus cost” was also evaluated.

「膜厚母線ムラ」の評価
膜厚計（フィッシャーインストルメンツ社のＦＩＳＣＨＥＲ ＳＣＯＰＥ ＭＭＳ）を用い、電子写真感光体の母線方向に４０ｍｍ間隔の９点について膜厚を計測し、その９点での計測値の最大値と最小値の差を膜厚母線ムラとして評価した。この際、母線方向の各点での膜厚の値は、周方向に９０度間隔の４点での計測値の平均値とした。評価は、後述する比較例１で得られた結果を１００とした時の、相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。 Evaluation of “thickness bus line irregularity” Using a film thickness meter (Fischer Instruments' FISCHER SCOPE MMS), the film thickness was measured at 9 points at intervals of 40 mm in the bus line direction of the electrophotographic photosensitive member, and measurement was performed at the 9 points. The difference between the maximum value and the minimum value was evaluated as film thickness bus unevenness. At this time, the value of the film thickness at each point in the busbar direction was an average value of the measured values at four points at intervals of 90 degrees in the circumferential direction. Evaluation was carried out by relative evaluation when the result obtained in Comparative Example 1 described later was taken as 100. In other words, the smaller the number, the better the evaluation result.

「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｈ母線ムラ」の評価
これらの電子写真感光体特性の評価には、複写機（キヤノン社製ｉＲ５０００改造機）を用いた。図９にこの複写機の概略図を示した。図９において、電子写真感光体９０１は図の時計周りに回転駆動可能に支持されている。この電子写真感光体９０１の周りには、前露光器９０８、主帯電器９０２、電位センサー９０３、および潜像形成用露光器９０９が時計周り方向に順に配置されている。さらに、静電潜像上にトナーを付着させて現像を行うための現像器９０４、トナー像を被記録媒体に転写するための転写帯電器９０５ａ、分離帯電器９０５ｂが配置されている。さらに、残留トナーを除去するためのクリーニングローラー９０６及びクリーニングブレード９０７を具備したクリーナー９１０が配置されている。 Evaluation of “Vd bus line unevenness” and “Vh bus line unevenness” A copy machine (an iR5000 modified machine manufactured by Canon Inc.) was used for evaluating these electrophotographic photosensitive member characteristics. FIG. 9 shows a schematic diagram of the copying machine. In FIG. 9, an electrophotographic photosensitive member 901 is supported so as to be rotatable in the clockwise direction in the figure. Around the electrophotographic photoreceptor 901, a pre-exposure device 908, a main charger 902, a potential sensor 903, and a latent image forming exposure device 909 are sequentially arranged in the clockwise direction. Further, a developing device 904 for performing development by attaching toner on the electrostatic latent image, a transfer charging device 905a for transferring the toner image to a recording medium, and a separation charging device 905b are arranged. Further, a cleaner 910 having a cleaning roller 906 and a cleaning blade 907 for removing residual toner is disposed.

電子写真感光体特性を測定する際には、現像器９０４及びクリーナー９１０を取り外す。そして、現像器９０４の代わりに電子写真感光体母線方向の所定位置の電子写真特性を測定できる不図示の電位プローブ（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ３４４）を装着し、電子写真感光体の電子写真特性を測定する。この様にして測定した電子写真特性の評価を下記に示す基準で行った。   When measuring the electrophotographic photosensitive member characteristics, the developing device 904 and the cleaner 910 are removed. Then, a potential probe (Model 344 manufactured by TREK) that can measure the electrophotographic characteristics at a predetermined position in the direction of the bus of the electrophotographic photosensitive member is attached instead of the developing unit 904, and the electrophotographic characteristics of the electrophotographic photosensitive member are measured. . The electrophotographic characteristics thus measured were evaluated according to the following criteria.

「Ｖｄ母線ムラ」
プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）の光量を４ｌｘ・ｓとし、電子写真感光体の母線方向中位置の表面電位が、電位プローブで測定して４５０Ｖ（暗電位）になるように主帯電器９０２の電流値を調整する。その後、電位プローブを電子写真感光体の端部より母線方向に移動させて、母線方向に４０ｍｍ間隔の９点で測定を行い、その９点での測定値の最大値と最小値の差をＶｄ母線ムラとして評価した。評価は、後述する比較例１で得られた結果を１００とした時の相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。 "Vd bus line unevenness"
The process speed is 265 mm / sec, the amount of light for pre-exposure (LED with a wavelength of 660 nm) is 4 lx · s, and the surface potential at the middle position in the bus bar direction of the electrophotographic photosensitive member is 450 V (dark potential) as measured by the potential probe. The current value of the main charger 902 is adjusted. Thereafter, the potential probe is moved in the direction of the bus from the end of the electrophotographic photosensitive member, and measurement is performed at 9 points at intervals of 40 mm in the direction of the bus. The difference between the maximum value and the minimum value at the 9 points is calculated as Vd. It was evaluated as busbar unevenness. Evaluation was carried out by relative evaluation with the result obtained in Comparative Example 1 described later as 100. In other words, the smaller the number, the better the evaluation result.

「Ｖｈ母線ムラ」
上記のＶｄ母線ムラと同じ手順で、電子写真感光体の母線方向中位置の表面電位が４５０Ｖ（暗電位）になるように主帯電器９０２の電流値を調整した。その後、像露光（波長６５５ｎｍのレーザー）の照射を行い、像露光光源の光量を調整して、電位プローブで測定した中位置の表面電位が２００Ｖ（明電位）となるようにした。その後、電位プローブを電子写真感光体の端部より母線方向に移動させて、母線方向に４０ｍｍ間隔の９点で測定を行い、その９点での測定値の最大値と最小値の差をＶｈ母線ムラとして評価した。評価は、比較例１で得られた結果を１００とした時の相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。 "Vh bus unevenness"
The current value of the main charger 902 was adjusted by the same procedure as the above-described Vd bus bar unevenness so that the surface potential at the middle position in the bus bar direction of the electrophotographic photosensitive member was 450 V (dark potential). Thereafter, image exposure (laser with a wavelength of 655 nm) was irradiated to adjust the light amount of the image exposure light source so that the surface potential at the middle position measured with the potential probe was 200 V (bright potential). Thereafter, the potential probe is moved in the direction of the bus from the end of the electrophotographic photosensitive member, and measurement is performed at 9 points at intervals of 40 mm in the direction of the bus. The difference between the maximum value and the minimum value at the 9 points is calculated as Vh It was evaluated as busbar unevenness. Evaluation was carried out by relative evaluation with the result obtained in Comparative Example 1 as 100. In other words, the smaller the number, the better the evaluation result.

「白ポチ」の評価
キヤノン社製複写機ｉＲ５０００を用い、Ａ３サイズの全面を塗りつぶした原稿を複写して得られた画像を観察し、電子写真感光体１周分当たりの、直径０.１０ｍｍ以上の白ポチ（画像欠陥の部分）の個数を数えた。評価は、後述する比較例２で得られた結果を１００とした時の相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。 Evaluation of “White Pochi” Using a Canon iR5000 copying machine, an image obtained by copying an A3-sized original was observed, and the diameter per electrophotographic photosensitive member was 0.10 mm or more. The number of white spots (image defect portions) was counted. Evaluation was carried out by relative evaluation with the result obtained in Comparative Example 2 described later as 100. In other words, the smaller the number, the better the evaluation result.

「生産性」の評価
連続して電子写真感光体を作製した時の一連の工程にかかる時間、つまり生産タクトで比較した。評価は、比較例２で得られた結果を１００とした時の相対評価で実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。 Evaluation of “Productivity” The time required for a series of steps when producing electrophotographic photoreceptors continuously, that is, production tact time, was compared. Evaluation was carried out by relative evaluation when the result obtained in Comparative Example 2 was taken as 100. In other words, the smaller the number, the better the evaluation result.

各評価結果のランク付け
各評価結果に対して、以下に示す基準でランク付けを行った。
☆・・・５０未満
◎・・・５０以上７５未満
○・・・７５以上１００未満
△・・・１００（変化なし）
×・・・１００超
総合評価
上記５項目（「膜厚母線ムラ」「Ｖｄ母線ムラ」「Ｖｈ母線ムラ」「白ポチ」「生産性」）の評価結果に対し、以下の基準で総合評価を行った。
☆・・・各項目で☆レベルが４個以上
◎・・・各項目で◎レベル以上が４個以上
○・・・各項目で○レベル以上が４個以上
△・・・各項目で△レベル以上が４個以上
×・・・各項目で△レベル以上が３個以下
但し、各項目で○レベル以上が４個以上であっても、１つでも△があれば総合評価は△、各項目で△レベル以上が４個以上であっても、１つでも×があれば総合評価は×とする。 Ranking of each evaluation result Each evaluation result was ranked according to the following criteria.
☆ ... Less than 50 ◎ ... 50 to less than 75 ○ ... 75 to less than 100 △ ... 100 (no change)
× ... Over 100 Overall evaluation For the evaluation results of the above five items ("Thickness bus unevenness", "Vd bus unevenness", "Vh bus unevenness", "White potty", "Productivity") went.
☆ ・ ・ ・ 4 or more levels for each item ◎ ・ ・ ・ 4 or more for each item ◎ 4 or more for each item ○ ・ ・ ・ 4 or more for each item △ ・ ・ ・ △ for each item 4 or more x above ... △ level or more is 3 or less for each item However, even if there are 4 or more ○ levels or more for each item, if there is one △, overall evaluation is △, each item Even if there are four or more Δ levels or more, if there is at least one x, the overall evaluation is x.

各評価および総合評価の結果を下記の表２に示す。   The results of each evaluation and comprehensive evaluation are shown in Table 2 below.

（実施例２）
実施例１に対して、摺動部２０６を金属製のベアリング、言い換えれば導電性部材からなるベアリングに変更して、電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。 (Example 2)
In contrast to Example 1, the sliding portion 206 was changed to a metal bearing, in other words, a bearing made of a conductive member to produce an electrophotographic photosensitive member, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 2.

（実施例３）
実施例１に対して、摺動部２０６を導電性を有する固体潤滑材に変更して、電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。 (Example 3)
In contrast to Example 1, the sliding portion 206 was changed to a conductive solid lubricant to produce an electrophotographic photosensitive member, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 2.

［比較例１］
図４に示す堆積膜形成装置４０１を用いて、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１０２上に、電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ４０２の搬送は、基体搬送機構３０１（図３参照）を用いた。結果を表２に示す。 [Comparative Example 1]
Using the deposited film forming apparatus 401 shown in FIG. 4, an electrophotographic photosensitive member was produced on a cylindrical substrate 102 made of aluminum having a diameter of 80 mm, a length of 358 mm, and a thickness of 3 mm, and the same evaluation as in Example 1 was performed. went. The substrate holder 402 mounted with the cylindrical substrate 102 was transported using a substrate transport mechanism 301 (see FIG. 3). The results are shown in Table 2.

本比較例において用いた堆積膜形成装置４０１は、図１に示す実施形態の堆積膜形成装置１０１に対して、基体ホルダ４０２の上部に上蓋４０３と接続する接続体が設けられていない点で異なっている。つまり、基体ホルダ４０２の下部のみが電気的に接地状態となっている。なお、基体ホルダ４０２は上部に基体搬送機構３０１による保持部４０４が設けられているため、自動搬送に対応可能である。   The deposited film forming apparatus 401 used in this comparative example is different from the deposited film forming apparatus 101 of the embodiment shown in FIG. 1 in that a connection body connected to the upper lid 403 is not provided on the upper part of the base holder 402. ing. That is, only the lower part of the base holder 402 is electrically grounded. Note that the substrate holder 402 is provided with a holding unit 404 by the substrate conveyance mechanism 301 at the upper portion, and therefore can support automatic conveyance.

［比較例２］
図５に示す堆積膜形成装置５０１を用いて、電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。 [Comparative Example 2]
An electrophotographic photosensitive member was produced using the deposited film forming apparatus 501 shown in FIG. 5 and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

本比較例の基体ホルダ５０２の上部構造について、図６の模式図を用いて説明する。基体ホルダ５０２の上部には、筒状体６０２の内部に摺動部６０３が設けられている。天板５０４に固定された支軸６０１が、筒状体６０２に差し込まれて摺動部６０３と接触して摺動し、基体ホルダ５０２の上部を電気的に接地状態として回転可能に支持する。なお、本比較例では摺動部６０３に複数の金属製の板バネを使用した。   The upper structure of the substrate holder 502 of this comparative example will be described with reference to the schematic diagram of FIG. A sliding portion 603 is provided inside the cylindrical body 602 at the top of the base holder 502. A support shaft 601 fixed to the top plate 504 is inserted into the cylindrical body 602 and slides in contact with the sliding portion 603, and the upper portion of the base holder 502 is electrically grounded and rotatably supported. In this comparative example, a plurality of metal leaf springs were used for the sliding portion 603.

本比較例において用いた堆積膜形成装置５０１は、図１に示す実施形態の堆積膜形成装置１０１に対して、基体ホルダ５０２は上部及び下部で電気的に接地状態になっている点は同じである。しかし、摺動部６０３が反応空間内にあること、自動搬送に対応できないことの２点において異なる。したがって、本比較例では、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダ５０２は人手作業で搬送した。   The deposited film forming apparatus 501 used in this comparative example is the same as the deposited film forming apparatus 101 of the embodiment shown in FIG. 1 in that the substrate holder 502 is electrically grounded at the upper part and the lower part. is there. However, there are two differences in that the sliding portion 603 is in the reaction space and that it cannot handle automatic conveyance. Therefore, in this comparative example, the substrate holder 502 on which the cylindrical substrate 102 was mounted was conveyed manually.

［比較例３］
比較例２に対して、基体ホルダ５０２の上部の摺動体を反応空間外に設置して電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。結果を表２に示す。 [Comparative Example 3]
In contrast to Comparative Example 2, an electrophotographic photosensitive member was prepared by installing the sliding body on the upper portion of the substrate holder 502 outside the reaction space, and the same evaluation as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 2.

本比較例の基体ホルダ５０２の上部構造について、図７の模式図を用いて説明する。基体ホルダ５０２に固定された支軸７０１は、天板５０４を貫通し、堆積膜形成装置５０１外部、つまり反応空間外部で筒状体７０３内部の摺動部７０２と接触して摺動し、基体ホルダ５０２の上部を電気的に接地状態として回転可能に支持する。なお、本比較例では摺動部７０２に複数の金属製の板バネを使用した。   The upper structure of the substrate holder 502 of this comparative example will be described with reference to the schematic diagram of FIG. The support shaft 701 fixed to the substrate holder 502 passes through the top plate 504 and slides in contact with the sliding portion 702 inside the cylindrical body 703 outside the deposited film forming apparatus 501, that is, outside the reaction space. The upper part of the holder 502 is electrically grounded and supported rotatably. In this comparative example, a plurality of metal leaf springs were used for the sliding portion 702.

表２から分かるように、各母線ムラに関して、基体ホルダの上部及び下部を電気的に接地状態とすることで、母線ムラは良化した（比較例１に対して、実施例１〜３及び比較例２，３）。更に、基体ホルダの上部の摺動部を反応空間外に置くことで、母線ムラは良化した（実施例１〜３及び比較例３）。比較例２は、摺動部が反応空間内にあって、堆積膜形成中に摺動部の通電状態が悪くなっているためと推測される。具体的には、高温、プラズマ環境下での金属製板バネの弾力性低下による支軸への密着性悪化、堆積膜の付着の影響等が考えられる。言い換えれば、摺動部を反応空間外に置くことで母線ムラが更に良化すると言える。更に、摺動部にベアリングまたは固体潤滑剤を使用することで、母線ムラは良化する（実施例２，３）。また、比較例３も同程度に母線ムラが良い。実施例１は、摺動部が反応空間外にあるが、反応容器内であり、ある程度の温度の影響があるために通電性に影響があるためと考えられる。逆に言うと、摺動部にベアリングまたは固体潤滑剤を使用すること（実施例２，３）で、堆積膜形成装置外部に摺動部がある（比較例３）のと同程度、つまり温度やプラズマの影響を受けず、良好な通電性を確保できると言える。   As can be seen from Table 2, with respect to each bus bar unevenness, the bus bar unevenness was improved by electrically grounding the upper and lower portions of the base holder (compared to Comparative Example 1, Examples 1 to 3 and the comparison). Example 2, 3). Furthermore, the bus-line unevenness was improved by placing the upper sliding portion of the substrate holder outside the reaction space (Examples 1 to 3 and Comparative Example 3). In Comparative Example 2, it is presumed that the sliding portion is in the reaction space, and the energized state of the sliding portion is deteriorated during the formation of the deposited film. Specifically, it is conceivable that the adhesion to the support shaft deteriorates due to a decrease in the elasticity of the metal leaf spring at high temperature and in a plasma environment, and the influence of adhesion of the deposited film. In other words, it can be said that the unevenness of the bus is further improved by placing the sliding portion outside the reaction space. Further, by using a bearing or a solid lubricant for the sliding portion, the busbar unevenness is improved (Examples 2 and 3). Further, the comparative example 3 has the same level of bus-line unevenness. In Example 1, although the sliding part is outside the reaction space, it is considered that it is inside the reaction vessel and has an influence on the conductivity due to the influence of a certain temperature. In other words, the use of a bearing or a solid lubricant for the sliding part (Examples 2 and 3) is equivalent to the sliding part outside the deposited film forming apparatus (Comparative Example 3), that is, the temperature. It can be said that good electrical conductivity can be secured without being affected by plasma or plasma.

白ポチの評価に関して、比較例２は基体ホルダ上部の反応空間内に摺動部があるため、発塵と思われる白ポチがあった。また、比較例３は反応空間外に摺動部があるため、比較例２に比べ程度は良いが、支軸の反応空間内にある部分で、堆積膜の密着性が悪く、それが原因と思われる白ポチが見られた。これは、支軸が堆積膜形成装置外へ貫通しているため、支軸が冷えることが原因と考えられる。比較例１は基体ホルダ上部に可動物が無いため、白ポチの評価は良好である。実施例１は、基体ホルダ上部に構造物があるが、白ポチの評価は良好であった。これは、反応空間内に摺動部が無い、支軸は反応容器内でそれほど冷えない等により、比較例１と同程度になったものと推測される。実施例２，３は、更に白ポチの評価が良好である。これは、実施例２，３は基体上の堆積膜の均一性が向上した一方、基体以外に堆積する堆積膜の均一性も向上したためであると推測される。その結果、従来生じていた堆積膜中の内部応力等の歪が減少して堆積膜の密着性が向上し、堆積膜形成中の、基体以外に堆積した堆積膜の膜剥れが減少したものと推測される。   Regarding the evaluation of white spots, Comparative Example 2 had white spots that seemed to generate dust because there was a sliding part in the reaction space above the substrate holder. Moreover, since Comparative Example 3 has a sliding portion outside the reaction space, the degree is better than that of Comparative Example 2, but the adhesion of the deposited film is poor at the portion in the reaction space of the support shaft, which is the cause. A possible white spot was seen. This is considered to be because the support shaft cools down because the support shaft penetrates out of the deposited film forming apparatus. In Comparative Example 1, there is no movable object on the upper part of the substrate holder, so the white spot evaluation is good. In Example 1, there was a structure on the upper part of the base holder, but the evaluation of white spots was good. This is presumed to be the same as that of Comparative Example 1 because there is no sliding portion in the reaction space and the support shaft does not cool so much in the reaction vessel. In Examples 2 and 3, the evaluation of white spots is even better. This is presumably because Examples 2 and 3 improved the uniformity of the deposited film on the substrate, but also improved the uniformity of the deposited film deposited on the substrate. As a result, the conventionally generated strain such as internal stress in the deposited film is reduced, the adhesion of the deposited film is improved, and the film peeling of the deposited film other than the substrate during the formation of the deposited film is reduced. It is guessed.

生産性に関して、比較例２，３は基体搬送機構による自動搬送に対応しないが、実施例１〜３、及び比較例１は自動搬送に対応している。自動搬送を使えない、つまり人手による作業の場合、堆積膜形成時間は同じでも、電子写真感光体を作製時の一連の工程にかかる時間は、自動搬送を使える場合に比べて約２倍必要であった。その理由は、堆積膜形成後及びクリーニング処理後のパージ工程を十分に行う必要があること、円筒状基体と基体ホルダ及びダミー基体が十分冷却されるまでの待ち時間が必要なこと、堆積膜形成前に反応容器内の清浄度を上げるための作業が必要なこと等による。なお、手動搬送の比較例２，３よりも、自動搬送を使った実施例１〜３および比較例１は、白ポチの評価が優れており、自動搬送が画像欠陥低減にも有効であることもわかる。   Regarding productivity, Comparative Examples 2 and 3 do not correspond to automatic conveyance by the substrate conveyance mechanism, but Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 correspond to automatic conveyance. When automatic conveyance is not possible, that is, when the work is done manually, the time required for a series of processes for producing an electrophotographic photosensitive member is about twice as long as when automatic conveyance can be used, even if the deposition film formation time is the same. there were. The reason is that it is necessary to sufficiently perform a purging step after the formation of the deposited film and after the cleaning process, a waiting time until the cylindrical substrate, the substrate holder and the dummy substrate are sufficiently cooled, and the deposited film formation. This is due to the need for work to increase the cleanliness of the reaction vessel before. It should be noted that Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 using automatic conveyance are superior to the comparative examples 2 and 3 in which manual conveyance is performed, and the evaluation of white spots is superior, and automatic conveyance is effective in reducing image defects. I understand.

以上を総合すると、本発明の各実施例は、各母線ムラと白ポチの評価が両立し、更に生産性も良い。つまり、堆積膜が均一で、画像欠陥が少なく、生産性が良い電子写真感光体の作製が可能であることがわかる。   Summing up the above, each embodiment of the present invention is compatible with evaluation of each bus bar unevenness and white spot, and also has good productivity. That is, it can be seen that an electrophotographic photosensitive member having a uniform deposited film, few image defects, and high productivity can be produced.

本発明の一実施形態に係る堆積膜形成装置を模式的に示す図である。It is a figure showing typically the deposited film formation device concerning one embodiment of the present invention. 図１に示した堆積膜形成装置における基体ホルダの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the base | substrate holder in the deposited film formation apparatus shown in FIG. 図１に示した堆積膜形成装置における基体ホルダの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the base | substrate holder in the deposited film formation apparatus shown in FIG. 図１に示した堆積膜形成装置における基体搬送機構の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the base | substrate conveyance mechanism in the deposited film formation apparatus shown in FIG. 比較例１に係る堆積膜形成装置を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the deposited film forming apparatus which concerns on the comparative example 1. FIG. 比較例２に係る堆積膜形成装置を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the deposited film forming apparatus which concerns on the comparative example 2. FIG. 図５に示した堆積膜形成装置における基体ホルダの上部構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the upper structure of the base | substrate holder in the deposited film formation apparatus shown in FIG. 比較例３に係る堆積膜形成装置における基体ホルダの上部構造を示す模式図である。10 is a schematic diagram showing an upper structure of a substrate holder in a deposited film forming apparatus according to Comparative Example 3. FIG. アモルファスシリコン堆積膜の層構成を示す図である。It is a figure which shows the layer structure of an amorphous silicon deposited film. 電子写真感光体特性の評価に用いられる複写機の概略構成を示す図である。1 is a diagram showing a schematic configuration of a copying machine used for evaluating electrophotographic photosensitive member characteristics. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０１ 堆積膜形成装置
１０２ 円筒状基体
１０３ 反応容器
１０４ 原料ガス導入管（原料ガス導入手段）
１０６ 高周波電源（印加手段）
１０７ 基体ホルダ
１０８ 底板
１０９ 上蓋
１１５ 回転支持機構（保持手段）
１２２，３０４ ゲート弁（開閉可能手段）
２０１ 接続体
２０２ 接続部
２０３ 支軸
２０６ 摺動部
３０１ 基体搬送機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Deposited film formation apparatus 102 Cylindrical base | substrate 103 Reaction container 104 Raw material gas introduction pipe (raw material gas introduction means)
106 High frequency power supply (applying means)
107 Base holder 108 Bottom plate 109 Top lid 115 Rotation support mechanism (holding means)
122,304 Gate valve (means that can be opened and closed)
201 connecting body 202 connecting section 203 support shaft 206 sliding section 301 substrate transport mechanism

Claims (4)

上蓋と底板とを備え、内部を減圧可能な反応容器と、
前記反応容器の内部を減圧する排気手段と、
円筒状基体を保持し、前記反応容器の内部に設置される基体ホルダと、
該基体ホルダの下部を回転可能に保持する保持手段と、
堆積膜形成用の原料ガスを前記反応容器の内部に導入する原料ガス導入手段と、
前記原料ガスを励起させる放電エネルギーを印加する印加手段と、
を有し、前記円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
前記基体ホルダの上部には、前記上蓋に接続される接続部と、該接続部に対して回転可能に設けられた支軸と、前記接続部と前記支軸との間に介在する摺動部とを有する接続体が設けられており、
前記基体ホルダが前記反応容器の内部に設置されたとき、前記基体ホルダの下部が前記保持手段を介して前記底板に電気的に接続され、前記基体ホルダの上部が前記接続体を介して前記上蓋に電気的に接続され、かつ、前記摺動部は前記接続部によって前記反応容器の内部空間から隔てられることを特徴とする堆積膜形成装置。 A reaction vessel comprising an upper lid and a bottom plate and capable of reducing the pressure inside;
An exhaust means for decompressing the inside of the reaction vessel;
A substrate holder that holds a cylindrical substrate and is installed inside the reaction vessel;
Holding means for rotatably holding the lower portion of the substrate holder;
A source gas introduction means for introducing a source gas for forming a deposited film into the reaction vessel;
Applying means for applying discharge energy for exciting the source gas;
In a deposited film forming apparatus for forming a deposited film on the cylindrical substrate,
In the upper part of the base holder, there are a connection part connected to the upper lid, a support shaft provided rotatably with respect to the connection part, and a sliding part interposed between the connection part and the support shaft. And a connecting body having
When the substrate holder is installed inside the reaction vessel, the lower portion of the substrate holder is electrically connected to the bottom plate via the holding means, and the upper portion of the substrate holder is connected to the upper lid via the connector. And the sliding part is separated from the internal space of the reaction vessel by the connecting part. 前記上蓋及び前記底板は接地されている、請求項１に記載の堆積膜形成装置。   The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein the upper lid and the bottom plate are grounded. 前記摺動部は、導電性部材からなるベアリングまたは導電性を有する固体潤滑材で構成されている、請求項１または２に記載の堆積膜形成装置。   The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein the sliding portion is formed of a bearing made of a conductive member or a conductive solid lubricant. 前記上蓋が開閉可能に構成されているとともに、
開いた状態の前記上蓋を通して、減圧下で、前記反応容器の内部に対して前記基体ホルダの搬入、設置及び搬出を行う基体搬送機構を備えている、請求項１から３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置。 The upper lid is configured to be openable and closable,
4. The substrate transport mechanism according to claim 1, further comprising a substrate transport mechanism that carries in, installs, and unloads the substrate holder with respect to the inside of the reaction vessel under reduced pressure through the opened upper lid. 5. The deposited film forming apparatus described.

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