JP2009099747A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 メタル電極を有するn型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、単結晶シリコン基板100上に設けられたゲート絶縁膜102と、ゲート絶縁膜102上に設けられた第一の金属膜103、第二の金属膜104、第三の金属膜105、導電層106を備えたゲート電極108とを備えた構造であって、熱工程によって第二の金属膜104の構成元素を第一の金属膜103を通してゲート絶縁膜102中へ拡散させることによって、n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタそれぞれに適した仕事関数に変化させる。
【選択図】 図9
Description
図1乃至図9は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
Ga+HfSiO4=Ga2O3+HfO2+Si+ΔG ・・・・・式(2)
In+HfSiO4=In2O3+HfO2+Si+ΔG ・・・・・式(3)
Alを含むゲート絶縁膜109の形成後、図7に示すように、シリコン窒化膜を堆積し、エッチバックを行うことによって、ゲート電極108の側壁部分にシリコン窒化膜110を形成する。さらに、このゲート電極108をマスクにして、NMOS領域にはAs+イオンをイオン注入し、PMOS領域にはB+イオンをイオン注入し、800℃で5秒間加熱処理を施すことによって、浅い拡散層111をそれぞれ形成する。
図10乃至図15は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
また、2族であってもこの関係が成立する。例えば、ゲート絶縁膜としてHfSiO4を用い、それに対してMgを接触させた場合、式(5)に示すように左辺から右辺へと反応が進む。
続いて、厚さ10nmのNi膜を全面に堆積し、350℃で30秒程度の加熱処理を行い、Niとシリコン基板を反応させた後、未反応Ni膜を硫酸と過酸化水素水の混合液により除去する。そして、500℃で30秒程度の加熱処理によって、浅い拡散層210上にシリサイド層215を形成する。この時、ゲート電極208上のシリコン窒化膜207を残すことによりW膜203は露出しないため、W膜203が上記硫酸と過酸化水素水の混合液によって除去されることはない。
図16乃至図22は、本発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一部を模式的に示した断面図である。
101、201、301 素子分離層
102、202、302 ゲート絶縁膜
103 第一の金属膜(WSi膜)
104 第二の金属膜(TiAlN膜)
105 第三の金属膜(TiN膜)
106、307 導電層(多結晶シリコン膜)
107、110、113、207、209、212、308、310、313 シリコン窒化膜
108、208、309 ゲート電極
109、214、316 Alを含むゲート絶縁膜
111、210、311 浅い拡散層
112、211、312 シリコン酸化膜
114、213、314 深い拡散層
115、215、317 シリサイド層
116、216、318 第一の層間膜
117、217、319 コンタクト
118、218、320 第二の層間膜
119、219、321 Cu配線
203 第一の金属膜(W膜)
204 第二の金属膜(TiTbN膜)
205 第三の金属膜(TiN膜)
206 導電層(W膜)
303 第一の金属膜(W膜)
304 第二の金属膜(TiLaN膜)
305 第三の金属膜(TiAlN膜)
306 第四の金属膜(TiN膜)
315 Laを含むゲート絶縁膜
Claims (5)
- 半導体基板の主面に第一及び第二の領域を形成する工程と、
前記第一及び第二の領域上にハフニウム又はジルコニウムと酸素を含有するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を形成する工程と、
前記第一の金属膜上に第二の金属膜を形成する工程と、
前記第二の金属膜の一部を除去する工程と、
前記第二の金属膜上および前記第二の金属膜が除去された領域の前記第一の金属膜上に第三の金属膜を形成する工程と、
前記第二の金属膜の構成元素を前記第一の金属膜を通して前記ゲート絶縁膜中へ導入する加熱工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第二の領域がNMOSを形成する領域であり、前記第二の金属膜がアルミニウムを構成元素として含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二の領域がPMOSを形成する領域であり、前記第二の金属膜が2族もしくは3a族の元素を構成元素として含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第二の金属膜が第三の金属膜の構成金属元素を含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の主面に第一及び第二の領域を形成する工程と、
前記第一及び第二の領域上にハフニウム又はジルコニウムと酸素を含有するゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を形成する工程と、
前記第一の金属膜上に第二の金属膜を形成する工程と、
前記第一の領域上の前記第二の金属膜を残し、前記第二の領域上の前記第二の金属膜を除去して前記第二の領域上の前記第一の金属膜を露出させる工程と、
前記第二の金属膜上及び露出された前記第一の金属膜上に第三の金属膜を形成する工程と、
前記第二の領域上の前記第三の金属膜を残し、前記第一の領域上の前記第三の金属膜を除去して前記第一の領域上の前記第二の金属膜を露出させる工程と、
露出された前記第二の金属膜上及び前記第三の金属膜上に第四の金属膜を形成する工程と、
前記第二の金属膜及び前記第三の金属膜の構成元素を前記第一の金属膜を通してそれぞれ前記第一及び第二の領域上の前記ゲート絶縁膜中へ導入する加熱工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009267342A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-11-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2011003899A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高kゲート誘電体のための、不純物酸素を捕捉する半導体構造および該構造を形成する方法(高kゲート誘電体のための捕捉金属スタック) |
WO2011077536A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012044013A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8786031B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-07-22 | Canon Anelva Corporation | Metal nitride film, semiconductor device using the metal nitride film, and manufacturing method of semiconductor device |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009283770A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
DE102009021486B4 (de) | 2009-05-15 | 2013-07-04 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Verfahren zur Feldeffekttransistor-Herstellung |
DE102009031155B4 (de) * | 2009-06-30 | 2012-02-23 | GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Ltd. Liability Company & Co. KG | Einstellen einer Schwellwertspannung für komplexe Transistoren durch Diffundieren einer Metallsorte in das Gatedielektrikum vor der Gatestrukturierung |
DE102009039418B4 (de) * | 2009-08-31 | 2013-08-22 | GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One Ltd. Liability Company & Co. KG | Einstellung der Austrittsarbeit in Gate-Stapeln mit großem ε, die Gatedielektrika mit unterschiedlicher Dicke enthalten |
US20110147851A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Thomas Christopher D | Method For Depositing Gate Metal For CMOS Devices |
US9859392B2 (en) | 2015-09-21 | 2018-01-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit device and method of manufacturing the same |
US10665450B2 (en) * | 2017-08-18 | 2020-05-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for doping engineering and threshold voltage tuning by integrated deposition of titanium nitride and aluminum films |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134456A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007150285A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置のデュアルゲート構造物及びその形成方法 |
JP2007208260A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 二重仕事関数金属ゲートスタックを備えるcmos半導体装置 |
JP2007266188A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009524239A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属不純物の導入による導電性電極の仕事関数を変更する方法(およびその半導体構造体) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4237332B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2009-03-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2001257344A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US6573134B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-06-03 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Dual metal gate CMOS devices and method for making the same |
JP4091530B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-10-16 JP JP2007269556A patent/JP5139023B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-09 US US12/248,143 patent/US7820476B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134456A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007150285A (ja) * | 2005-11-23 | 2007-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体装置のデュアルゲート構造物及びその形成方法 |
JP2009524239A (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 金属不純物の導入による導電性電極の仕事関数を変更する方法(およびその半導体構造体) |
JP2007208260A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 二重仕事関数金属ゲートスタックを備えるcmos半導体装置 |
JP2007266188A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009267342A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-11-12 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2011003899A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高kゲート誘電体のための、不純物酸素を捕捉する半導体構造および該構造を形成する方法(高kゲート誘電体のための捕捉金属スタック) |
WO2011077536A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8552507B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-10-08 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP5368584B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2013-12-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US8786031B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-07-22 | Canon Anelva Corporation | Metal nitride film, semiconductor device using the metal nitride film, and manufacturing method of semiconductor device |
JP2012044013A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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JP5139023B2 (ja) | 2013-02-06 |
US20090098693A1 (en) | 2009-04-16 |
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