JP2009098551A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】簡単な手法にて、外部接続端子へのＦＰＣの接続を補強する光硬化型接着剤を硬化させる光がカバーガラスの外部接続端子に沿った側面から液晶に進入してしまうことを防ぐことにより、表示不良の発生が防止できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆにおいて、一側面１０ｓ１に沿って設けられた外部接続端子１０２と、外部接続端子１０２に電気的に接続された、液晶パネル１００を該液晶パネル１００外の外部回路に接続するＦＰＣ１１２と、ＦＰＣ１１２とＴＦＴ基板１０における一側面１０ｓ１とを接着する光硬化型接着剤７０と、を具備し、少なくともカバーガラス３０の一側面３０ｓ１に、光硬化型接着剤７０の硬化に用いるＵＶ光が液晶５０に進入するのを防止する光散乱面９０が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板との間に電気光学物質が介在されるとともに、少なくとも第１の基板に第３の基板が貼着された電気光学パネルを具備する電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。

周知のように、電気光学装置、例えば光透過型の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が介在されて構成された電気光学パネルである液晶パネルが実装ケース等に収容されて構成されている。

また、液晶装置は、液晶パネルの一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に介在された液晶層による光学応答を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。

また、ＴＦＴを配置した第１の基板であるＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される第２の基板である対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜を積層することによって構成される。半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜は、層毎に各種膜の成膜工程とフォトリソグラフィ工程を繰り返すことによって形成されるのである。

このようにして形成されたＴＦＴ基板及び対向基板は、例えば液晶封入方式により、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、一部に切り欠きを有するよう略周状に塗布されたシール材を介して、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。

次いでアライメントが施されてそれぞれ圧着硬化された後、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶が封入され、切り欠きが、熱等により硬化された封止材により封止される。

その後、ＴＦＴ基板及び対向基板の外面となる露出面に、第３の基板である防塵ガラス（以下、カバーガラスと称す）が、接着剤を介してそれぞれ貼着されることにより、液晶パネルは製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板の露出面にカバーガラスが貼着されていることにより、各露出面における表示領域に、塵埃等が付着してしまうのを防止することができるとともに、カバーガラスの露出面に塵埃等が付着してしまったとしても、塵埃等と液晶との間の距離がカバーガラスの厚み分だけ長くなることから、液晶パネルを具備する液晶装置がプロジェクタ等の投射装置に用いられた場合、投射された塵埃等の像がデフォーカスされ、スクリーン上に大きくぼやけて表示されるため、目立たなくなるといった効果がある。

その後、例えばＴＦＴ基板が対向基板より平面視した状態で大きく形成されることによりＴＦＴ基板の対向基板が貼り合わされた面の一部に形成された張り出し部に設けられた外部接続端子に、プロジェクタ等の電子機器の外部回路と電気的に接続する、特定の長さを有する柔軟な図示しない薄板状基板であるフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）の一端が、圧着等により電気的に接続され、最後に、液晶パネルが実装ケース等に収容されることにより、液晶装置が形成される。

このように、液晶装置をプロジェクタ等の電子機器の外部回路と電気的に接続するため、液晶装置の一方の基板の張り出し部に設けられた外部接続端子に、液晶装置と電子機器の外部回路とを電気的に接続するＦＰＣの一端を接続する技術は、例えば特許文献１に開示されている。

特許文献１には、外部接続端子に対して、ＦＰＣの一端が異方性導電接着剤等により電気的に接着され、接着部が樹脂により封止されて補強されることにより、不意にＦＰＣが引っ張られたとしても、外部接続端子からＦＰＣの一端が外れてしまうことが防止された構成が開示されている。
特開平１１−１２５８１０号公報

ところで、特許文献１に開示された構成よりも、より強固に、外部接続端子からＦＰＣの一端が不意に外れてしまうことを防止する技術として、ＦＰＣの一端を外部接続端子に対して異方性導電接着剤等により電気的に接続した後、外部接続端子が形成された基板の外部接続端子に沿った一側面に対しＦＰＣを、平面視した状態で一側面に沿って直線状に塗布した光硬化型接着剤で接着し、該光硬化型接着剤に、ＵＶ光等の光を照射して硬化させることにより、光硬化型接着剤によって、外部接続端子に対するＦＰＣの一端の接続をさらに補強する手法も周知である。

しかしながら、このような手法において、光硬化型接着剤に光を照射すると、例えばＴＦＴ基板に外部接続端子が設けられている場合、ＴＦＴ基板に貼着されたカバーガラスの外部接続端子に沿った側面から光が液晶中に進入してしまい、液晶分子の配列を乱した結果、液晶装置を用いた表示に線状の表示不良が発生してしまうといった問題があった。

このような問題に鑑み、光硬化型接着剤に光を照射する際、光照射装置を、カバーガラスの外部接続端子に沿った側面から光照射装置の光照射範囲ぎりぎりまで離間させて、カバーガラスの側面から液晶内に光が進入しないように光硬化型接着剤のみに光照射する技術も周知である。ところが、光照射装置の位置調整を行うのが煩雑な他、液晶パネルを小型化すると、外部接続端子を設ける領域も小さくなり、光硬化型接着剤の接着領域も小さくなることから、光硬化型接着剤のみに光照射を行うことが難しくなるといった問題もある。

本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、簡単な手法にて、外部接続端子へのＦＰＣの接続を補強する光硬化型接着剤を硬化させる光がカバーガラスの外部接続端子に沿った側面から液晶に進入してしまうことを防ぐことにより、表示不良の発生が防止できる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、第１の基板と該第１の基板に対向する前記第１の基板よりも外形が小さい第２の基板との間に電気光学物質が介在されるとともに、少なくとも前記第１の基板に第３の基板が貼着された電気光学パネルを具備する電気光学装置であって、前記第１の基板の前記第２の基板が貼り合わされた領域外における前記第２の基板への対向面において、平面視した状態で前記電気光学パネルの一側面に沿って設けられた外部接続端子部と、前記外部接続端子部に電気的に接続された、前記電気光学パネルを該電気光学パネル外の外部回路に接続する薄板状基板と、前記薄板状基板と前記第１の基板における前記一側面とを接着する光硬化型接着剤と、を具備し、少なくとも前記第３の基板の前記一側面に、前記光硬化型接着剤の硬化に用いる光が前記電気光学物質に進入するのを防止する光散乱面が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板の外部接続端子に沿った一側面に、光散乱面が形成されていることにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板の一側面に形成された光散乱面によって、簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置を提供することができる。

また、前記第３の基板の前記一側面の表面粗さは、前記第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗いことを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板の外部接続端子に沿った一側面が、他の側面よりも表面粗さが粗く形成されて、一側面に光散乱面が形成されていることにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板の一側面に形成された光散乱面によって、簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置を提供することができる。

さらに、前記光散乱面は、前記第１の基板における前記一側面にさらに形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板及び第１の基板の外部接続端子に沿った各一側面に、光散乱面が形成されていることにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板及び第１の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板及び第１の基板の各一側面に形成された光散乱面によって、簡単かつより確実に防止することができる電気光学装置を提供することができる。また、第１の基板の一側面にも光散乱面が形成されていることにより、第１基板の一側面に対する光硬化型接着剤の接着性が向上する。

また、前記第１の基板及び前記第３の基板の前記一側面の表面粗さは、前記第１の基板及び前記第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗いことを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板及び第１の基板の外部接続端子に沿った各一側面が、他の側面よりも表面粗さが粗く形成されて、各一側面に光散乱面が形成されていることにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板及び第１の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板及び第１の基板の各一側面に形成された光散乱面によって、簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置を提供することができる。また、第１の基板の一側面にも光散乱面が形成されていることにより、第１基板の一側面に対する光硬化型接着剤の接着性が向上する。

本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板と該第１の基板に対向する前記第１の基板よりも外形が小さい第２の基板との間に電気光学物質が介在されるとともに、少なくとも前記第１の基板に第３の基板が貼着された電気光学パネルを具備する電気光学装置の製造方法であって、前記第３の基板は、第１の大板基板に構成されており、少なくとも前記第３の基板を、前記第１の基板の前記第２の基板が貼り合わされた領域外における前記第２の基板への対向面において設けられた外部接続端子部に沿った前記電気光学パネルの一側面に光散乱面が形成されるよう、前記第１の大板基板から、所定の大きさに切断して形成する切断工程を具備していることを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板が構成された第１の大板基板から分断して第３の基板を形成する際、分断工程において、第３の基板の外部接続端子に沿った一側面に、光散乱面を形成することにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板の一側面に形成した光散乱面によって、工程数を増やすことなく簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。

また、前記切断工程は、前記第３の基板の前記一側面の表面粗さが、前記第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗くなるよう行うことを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板が構成された第１の大板基板から分断して第３の基板を形成する際、分断工程において、第３の基板の外部接続端子に沿った一側面の表面粗さを、他の側面よりも粗く形成し、一側面に光散乱面を形成することにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板の一側面に形成した光散乱面によって、工程数を増やすことなく簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置を提供することができる。

さらに、前記第１の基板は、第２の大板基板に構成されているとともに、該第２の大板基板は、前記第１の基板に対して前記第３の基板が貼着されるよう、前記第１の大板基板に貼着されており、前記切断工程は、前記第３の基板及び前記第１の基板を、前記第１の大板基板及び前記第２の大板基板から、前記第１の基板及び前記第３の基板の前記一側面に光散乱面が形成されるよう、所定の大きさに分断して形成する工程であることを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板が構成された第１の大板基板に第１の基板が構成された第２の大板基板を貼着し、該貼着したものから分断して第３の基板が貼着された第１の基板を形成する際、分断工程において、第３の基板及び第１の基板の外部接続端子に沿った各一側面に、光散乱面を形成することにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板及び第１の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板及び第１の基板の各一側面に形成した光散乱面によって、工程数を増やすことなく簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。また、第１の基板の一側面にも光散乱面を形成することにより、第１基板の一側面に対する光硬化型接着剤の接着性が向上する。

また、前記切断工程は、前記一側面の表面粗さが、前記第１の基板及び第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗くなるよう行うことを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板が構成された第１の大板基板に第１の基板が構成された第２の大板基板を貼着し、該貼着したものから分断して第３の基板が貼着された第１の基板を形成する際、分断工程において、第３の基板及び第１の基板の外部接続端子に沿った各一側面の表面粗さを、他の側面よりも粗く形成し、各一側面に光散乱面を形成することにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板及び第１の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板及び第１の基板の各一側面に形成した光散乱面によって、工程数を増やすことなく簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置も製造方法を提供することができる。また、第１の基板の一側面にも光散乱面を形成することにより、第１基板の一側面に対する光硬化型接着剤の接着性が向上する。

さらに、前記切断工程は、レーザ光を切断位置に照射して改質層を形成することにより行われ、前記レーザ光の照射は、前記一側面における前記改質層の密度が、他の側面における前記改質層の密度よりも大きくなるよう行うことを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板が構成された第１の大板基板から分断して第３の基板を形成する際、または第３の基板が構成された第１の大板基板に第１の基板が構成された第２の大板基板を貼着し、該貼着したものから分断して第３の基板が貼着された第１の基板を形成する際、分断工程において、第３の基板、または第３の基板及び第１の基板の外部接続端子に沿った一側面の改質層の密度が、他の側面の改質層の密度よりも大きくなるよう一側面にレーザ光を照射して一側面に光散乱面を形成することにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板及び第１の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板、または第３の基板及び第１の基板の一側面にレーザ光の照射によって形成した光散乱面によって、工程数を増やすことなく簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置の製造方法を提供することができる。

本発明に係る電子機器は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする。

本発明によれば、第３の基板または第３の基板及び第１の基板の外部接続端子に沿った一側面に、光散乱面が形成されていることにより、外部接続端子に電気的に接続された薄板状基板の外部接続端子への接続を補強するため、外部接続端子と第１の基板の一側面とを光硬化型接着剤で接着し、光硬化型接着剤に光を照射して硬化させる際、光が第３の基板の一側面から液晶内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、第３の基板または第３の基板及び第１の基板の一側面に形成された光散乱面によって、簡単かつ確実に防止することができる電気光学装置を具備する電子機器を提供することができる。

以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、光透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。よって、電気光学装置が具備する電気光学パネルは、液晶パネルを例に挙げて説明する。

また、液晶パネルにおいて対向配置される一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。

図１は、本実施の形態の液晶装置における液晶パネルを薄板状基板とともに示す平面図、図２は、図１中のII-II線に沿って切断した液晶パネルを薄板状基板とともに示す断面図、図３は、図１の液晶パネルの背面側を、外部接続端子が設けられた部位を中心に薄板状基板とともに示す部分背面図、図４は、図２のＴＦＴ基板及びカバーガラスの一側面に形成された光散乱面を拡大して示す部分断面図である。

図１、図２に示すように、液晶パネル１００は、例えば、石英基板やガラス基板等を用いた第１の基板であるＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等を用いたＴＦＴ基板１０よりも外形の小さい第２の基板である対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。

ＴＦＴ基板１０の液晶５０と接する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、ＴＦＴ基板１０の対向基板２０に対向する対向面となる表面１０ｆ側における表示領域１０ｈに、画素を構成するとともに、後述する対向電極２１とともに液晶５０に駆動電圧を印加する画素電極９ａがマトリクス状に配置されている。

また、対向基板２０の表面２０ｆ側における液晶５０と接する領域に、液晶５０に画素電極９ａとともに駆動電圧を印加する対向電極２１が設けられており、対向電極２１の表示領域１０ｈに対向する領域に、液晶パネル１００の表示領域４０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。

ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。各配向膜１６、２６は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。

また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の図示しない走査線と複数本の図示しないデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して図示しない薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられ、このＴＦＴ毎に画素電極９ａが電気的に接続されている。

ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。

対向基板２０に、液晶パネル１００の表示領域４０を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。

液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して塗布されている。

シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間の空間において、シール材５２により囲まれた領域に液晶５０を注入するための切り欠きである液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９によって封止される。

ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆにおいて、シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１と外部回路との接続のための外部接続端子部（以下、外部接続端子と称す）１０２とが、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１に沿って設けられている。尚、外部接続端子１０２は、対向基板２０に設けられていても構わない。

外部接続端子１０２に、液晶パネル１００を、後述するプロジェクタ１１００（図１０参照）等の電子機器と電気的に接続する、特定の長さを有する柔軟な薄板状基板であるフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuits、以下ＦＰＣと称す）１１２の一端が、例えば圧着により接続されている。ＦＰＣ１１２の他端がプロジェクタ１１００等の電子機器に接続されることにより、液晶パネル１００と電子機器とは電気的に接続される。

また、外部接続端子１０２とＦＰＣ１１２の一端との接続を補強するため、ＦＰＣ１１２と、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１との間には、図３に示すように、一側面１０ｓ１に沿って直線状に光硬化型接着剤７０が設けられている。

尚、図４に示すように、一側面１０ｓ１の表面粗さが、ＴＦＴ基板１０の他の側面１０ｓ２、１０ｓ３、１０ｓ４の表面粗さよりも粗くなるよう形成されることにより、一側面１０ｓ１に光散乱面９０が形成されている。尚、後述するが、他の側面１０ｓ３も、一側面１０ｓ１と同じ表面粗さとなるように形成されていても構わない。

一側面１０ｓ１に光散乱面９０が形成されていることにより、光硬化型接着剤７０は、接着性が向上されて一側面１０ｓ１に接着されている。また、光硬化型接着剤７０を硬化させる際に照射される、後述するＵＶ光１８８（図８参照）が、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１から液晶５０に進入してしまうのを防止する。

ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆにおいて、外部接続端子１０２が設けられたＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１に隣接する他側面１０ｓ２、１０ｓ４に沿って、ＴＦＴ基板１０の図示しない走査線及びゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３、１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３、１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆ上に形成されている。

また、ＴＦＴ基板１０の表面１０ｆ上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３、１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。

上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。

また、ＴＦＴ基板１０の裏面１０ｒに、第３の基板であるカバーガラス３０が貼着されている。同様に、対向基板２０の裏面２０ｒにも、第３の基板であるカバーガラス３１が貼着されている。

各カバーガラス３０、３１は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０の各裏面１０ｒ、２０ｒの少なくとも各表示領域１０ｈ、２０ｈに塵埃等が付着するのを防止するとともに、塵埃等を、各裏面１０ｒ、２０ｒから離間させてデフォーカスすることで、塵埃等の像を目立たなくする機能を有する。

カバーガラス３０のＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１に沿った一側面３０ｓ１に、図４に示すように、一側面３０ｓ１の表面粗さが、カバーガラス３０の他の側面３０ｓ２、３０ｓ３、３０ｓ４の表面粗さよりも粗くなるよう形成されることにより、光散乱面９０が形成されている。尚、後述するが、他の側面３０ｓ３も、一側面３０ｓ１と同じ表面粗さとなるように形成されていても構わない。

一側面３０ｓ１に光散乱面９０が形成されていることにより、光硬化型接着剤７０を硬化させる際に照射される、後述するＵＶ光１８８（図８参照）が、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１から液晶５０に進入してしまうのを防止する。

次に、このように構成された液晶パネルの製造方法の一部を、図５〜図７を用いて示す。図５は、第１の大板基板が貼着されたＴＦＴ基板が複数構成された第２の大板基板に対し、ＴＦＴ基板毎に、カバーガラスが貼着されたチップ状の対向基板が複数貼着された構造体を示す斜視図、図６は、図５中のVI-VI線に沿う構造体を、レーザ照射装置とともに示す部分断面図、図７は、図６の第１の大板基板及び第２の大板基板の分断予定位置に、改質層が形成された状態を示す部分拡大断面図である。

尚、以下、液晶パネルの製造方法は、第１の大板基板が貼着されたＴＦＴ基板が複数構成された第２の大板基板に対し、ＴＦＴ基板毎に、カバーガラスが貼着されたチップ状の対向基板が複数貼着された構造体から、分断予定線に沿ってレーザ光により分断して複数の液晶パネルを形成する工程を示す。その他の液晶パネルの製造方法は、周知であるため、その説明は省略する。

先ず、図５に示すように、周知の工程を経て、表面１０ｆに所定のパターンを有する上述した各種薄膜が積層されて形成されたＴＦＴ基板１０が複数構成された第２の大板基板である大板基板１１０の表面１１０ｆに対し、ＴＦＴ基板１０毎に、上述したシール材５２を介して、チップ状のカバーガラス３１が貼着された表面２０ｆに上述した各種薄膜が積層されたチップ状の対向基板２０をそれぞれ貼り合わせ、その後、各ＴＦＴ基板１０と各対向基板２０との間に、液晶５０をそれぞれ注入した後、各液晶注入口１０８を、封止材１０９によってそれぞれ封止し、大板基板１１０の表面１１０ｆとは反対側の裏面１１０ｒに、大板基板１１０よりも若干外形が小さめな第１の大板基板である大板カバーガラス基板３００を貼着して、図５に示す構造体４００を形成する。

次いで、構造体４００から、複数の液晶パネル１００を分断する分断工程を行う。具体的には、大板基板１１０及び大板カバーガラス基板３００の分断予定位置Ｂに対し、図６に示すように、レーザ照射装置８０を用いてレーザ光Ｌを照射する。

レーザ光Ｌの照射は、図５に示すように、分断予定位置Ｂに対して、Ｘ方向Ｙ方向に走査して行うとともに、高さ方向Ｚに走査して、図７に示すように分断予定位置Ｂにおいて、高さ方向Ｚに形成した複数のボイド１４１から、改質層１４０、１４２を形成する。

また、このレーザ光Ｌの照射は、分断予定位置Ｂにおいて、図７に示すように、分断後、液晶パネル１００のＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１、大板カバーガラス基板３００の一側面３０ｓ１となる位置に形成する改質層１４０の密度が、液晶パネル１００のＴＦＴ基板１０の他側面１０ｓ２、１０ｓ３、１０ｓ４、大板カバーガラス基板３００の他側面３０ｓ２、３０ｓ３、３０ｓ４となる位置に形成する改質層１４２の密度よりも大きくなるように、一側面１０ｓ１、３０ｓ１に対して照射するレーザ光Ｌの照射エネルギを、他側面１０ｓ２〜１０ｓ４、３０ｓ２〜３０ｓ４に照射するレーザ光Ｌの照射エネルギよりも小さくして、照射回数を増やして行う。即ち照射条件を変えて行う。その結果、一側面１０ｓ１、３０ｓ１には、他側面１０ｓ２〜１０ｓ４、３０ｓ２〜３０ｓ４よりも、ボイド１４１が多く形成され、改質層１４０の密度が、改質層１４２の密度よりも大きくなる。

尚、この際、他側面１０ｓ３、３０ｓ３の改質層１４２の密度が、一側面１０ｓ１、３０ｓ１の改質層１４０の密度と同じになる場合がある。これは、構造体４００から複数の液晶パネル１００を分断した際、図５中、Ｘ方向に隣り合っていたＴＦＴ基板１０、カバーガラス３０は、分断後、一側面１０ｓ１、３０ｓ１と他側面１０ｓ３、３０ｓ３とが一致するためである。

レーザ光Ｌの照射後、例えば作業者が、分断予定位置Ｂに沿って構造体４００に分断力を付与すると、複数の液晶パネル１００が分断予定位置Ｂにおいて形成した改質層１４０、１４２に沿って分断され、その結果、複数の液晶パネル１００が形成される。

その結果、上述したように、各液晶パネル１００のＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１に、改質層１４０による光散乱面９０が形成される。また、上述した理由により、ＴＦＴ基板１０の他側面１０ｓ３、カバーガラス３０の他側面３０ｓ３の一部にも、改質層１４０による光散乱面９０が形成される。

尚、一側面１０ｓ１、３０ｓ１は、他側面１０ｓ２〜１０ｓ４、３０ｓ２〜３０ｓ４よりも、ボイド１４１からなる改質層１４０の数が多く形成されたことにより、表面粗さが粗く形成されている。また、上述した理由により、他側面１０ｓ３、３０ｓ３の表面粗さが、一側面１０ｓ１、３０ｓ１の表面粗さと同じに形成される場合がある。

次に、このようにして形成した液晶パネル１００のＴＦＴ基板１０の外部接続端子１０２に、ＦＰＣ１１２の一端を、圧着等により接続した後、該接続を補強するため、光硬化型接着材を塗布し、硬化させる工程について、図８、図９を用いて説明する。

図８は、液晶パネルに接続されるＦＰＣの接続箇所の補強に用いる光硬化型接着剤に、ＵＶ光を照射している状態を示す部分断面図、図９は、従来の液晶パネルに接続されるＦＰＣの接続箇所の補強に用いる光硬化型接着剤に、ＵＶ光を照射している状態を示す部分断面図である。

先ず、図８に示すように、液晶パネル１００のＴＦＴ基板１０の外部接続端子１０２に、圧着等によって、ＦＰＣ１１２の一端を電気的に接続した後、ＦＰＣ１１２と、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１とを光硬化型接着剤７０にて接着する。この際、図３に示すように、光硬化型接着剤７０は、一側面１０ｓ１に沿って直線状に塗布する。

次いで、図３に示すように直線状に塗布した光硬化型接着剤７０に沿った形状の直線状の孔９６が形成されたスリット９５を、平面視した状態で、孔９６が光硬化型接着剤７０に対向するよう、光硬化型接着剤７０の上方に位置させた後、スリット９５の上方から、光照射装置３４０を用いて、光、例えばＵＶ光１８８を、孔９６を介して、光硬化型接着剤７０に照射する。その結果、光硬化型接着剤７０は、硬化し、ＦＰＣ１１２の一端と外部接続端子１０２との接続が補強される。

尚、この光照射装置３４０からのＵＶ光１８８の照射の際、従来の液晶パネル５００であれば、図９に示すようにＵＶ光１８８は、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１から液晶５０内に進入してしまうが、本実施の形態における液晶パネル１００は、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１、及びＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１に、光散乱面９０が形成されていることから、ＵＶ光１８８は、図８に示すように、光散乱面９０により、多方向に光散乱されるため、一側面１０ｓ１、３０ｓ１から液晶５０に進入してしまうことがない。

このように、本実施の形態においては、液晶パネル１００の外部接続端子１０２に沿ったＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１に、表面粗さがＴＦＴ基板１０の他の側面１０ｓ２〜１０ｓ４、カバーガラス３０の他の側面３０ｓ２〜３０ｓ４よりも粗い光散乱面９０が形成されていると示した。

このことによれば、外部接続端子１０２に電気的に接続されたＦＰＣ１１２の外部接続端子１０２への接続を補強するため、外部接続端子１０２とＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１とを光硬化型接着剤７０で接着し、光硬化型接着剤７０にＵＶ光１８８を照射して硬化させる際、ＵＶ光１８８がカバーガラス３０及びＴＦＴ基板１０の各一側面３０ｓ１、１０ｓ１から液晶５０内に進入して液晶分子の配列を乱し、表示不良が発生してしまうことを、各一側面３０ｓ１、１０ｓ１に形成された光散乱面９０によって、簡単かつ確実に防止することができる。

また、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１にも光散乱面９０が形成されていることにより、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１に対する光硬化型接着剤７０の接着性が向上する。

さらに、本実施の形態においては、大板基板１１０及び大板カバーガラス基板３００の分断予定位置Ｂにレーザ光Ｌを照射して、複数のボイド１４１からなる改質層１４０、１４２を形成し、改質層１４０により、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１に形成される光散乱面９０を形成すると示した。

具体的には、改質層１４０に、改質層１４２よりもボイド１４１を複数形成することにより、改質層１４０の密度を改質層１４２の密度よりも大きく形成することによって、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１を、ＴＦＴ基板１０の他側面１０ｓ２〜１０ｓ４、カバーガラス３０の他側面３０ｓ２〜３０ｓ４よりも表面粗さを粗く形成して、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１に改質層１４０によって光散乱面９０を形成すると示した。

このことによれば、分断工程において、カバーガラス３０及びＴＦＴ基板１０の各一側面３０ｓ１、１０ｓ１を構成する改質層１４０の密度が、他の側面３０ｓ２〜３０ｓ４、１０ｓ２〜１０ｓ４の改質層１４２の密度よりも大きくなるよう一側面１０ｓ１、３０ｓ１にレーザ光Ｌを照射して一側面１０ｓ１、３０ｓ１に光散乱面９０を形成することにより、分断工程において、分断の際に各一側面１０ｓ１、３０ｓ１に光散乱面９０を形成することができることから、工程数を増やすことなく、簡単かつ確実に各一側面１０ｓ１、３０ｓ１に光散乱面９０を形成することができる。

尚、以下、変形例を示す。本実施の形態においては、光散乱面９０は、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１及びカバーガラス３０の一側面３０ｓ１に形成されていると示した。

これに限らず、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１が、光硬化型接着剤７０で覆われていれば、液晶５０へのＵＶ光１８８の進入は、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１のみとなることから、光硬化型接着剤７０の一側面１０ｓ１への接着性の向上を無視すれば、カバーガラス３０の一側面３０ｓ１のみに光散乱面９０が形成されていても構わない。

さらに、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１及びカバーガラス３０の一側面３０ｓ１への光散乱面９０の形成は、各一側面１０ｓ１、３０ｓ１に対するレーザ光Ｌの照射条件を、ＴＦＴ基板２０の他側面１０ｓ２〜１０ｓ４、カバーガラス３０の他側面３０ｓ２〜３０ｓ４に対するレーザ光Ｌの照射条件と変えてレーザ光Ｌを照射することにより行うと示した。

これに限らず、工程数が増えてしまうことを無視すれば、全側面に対して同じ照射条件にてレーザ光Ｌを照射して、構造体４００から複数の液晶パネル１００を分断した後、ＴＦＴ基板１０の一側面１０ｓ１及びカバーガラス３０の一側面３０ｓ１に対して、表面を荒らす光散乱処理を行って、光散乱面９０を形成しても、本実施の形態と同様の効果を得ることができる。

また、液晶パネルは、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶パネルは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。

さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。

また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。

また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。

さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図１０は、図１の液晶パネルを具備する液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。

同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶パネル１００を具備する液晶装置は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’）配設されている。

プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’に各々導かれる。

この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。

そして、ライトバルブ１００Ｒ’，１００Ｇ’，１００Ｂ’により各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。

本実施の形態の液晶装置における液晶パネルを薄板状基板とともに示す平面図。 図１中のII-II線に沿って切断した液晶パネルを薄板状基板とともに示す断面図。 図１の液晶パネルの背面側を、外部接続端子が設けられた部位を中心に薄板状基板とともに示す部分背面図。 図２のＴＦＴ基板及びカバーガラスの一側面に形成された光散乱面を拡大して示す部分断面図。 第１の大板基板が貼着されたＴＦＴ基板が複数構成された第２の大板基板に対し、ＴＦＴ基板毎に、カバーガラスが貼着されたチップ状の対向基板が複数貼着された構造体を示す斜視図。 図５中のVI-VI線に沿う構造体を、レーザ照射装置とともに示す部分断面図。 図６の第１の大板基板及び第２の大板基板の分断予定位置に、改質層が形成された状態を示す部分拡大断面図。 液晶パネルに接続されるＦＰＣの接続箇所の補強に用いる光硬化型接着剤に、ＵＶ光を照射している状態を示す部分断面図。 従来の液晶パネルに接続されるＦＰＣの接続箇所の補強に用いる光硬化型接着剤に、ＵＶ光を照射している状態を示す部分断面図。 図１の液晶パネルを具備する液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。

符号の説明

１０…ＴＦＴ基板（第１の基板）、１０ｆ…表面（対向面）、１０ｓ１…一側面、２０…対向基板（第２の基板）、３０…カバーガラス（第３の基板）、３０ｓ１…一側面、５０…液晶（電気光学物質）、７０…光硬化型接着剤、９０…光散乱面、１００…液晶パネル（電気光学パネル）、１０２…外部接続端子（外部接続端子部）、１１０…大板基板（第２の大板基板）、１１２…ＦＰＣ（薄板状基板）、１４０…改質層、１４２…改質層、３００…大板カバーガラス基板（第１の大板基板）、１１００…プロジェクタ（電子機器）、Ｌ…レーザ光。

Claims (10)

1. 第１の基板と該第１の基板に対向する前記第１の基板よりも外形が小さい第２の基板との間に電気光学物質が介在されるとともに、少なくとも前記第１の基板に第３の基板が貼着された電気光学パネルを具備する電気光学装置であって、
   前記第１の基板の前記第２の基板が貼り合わされた領域外における前記第２の基板への対向面において、平面視した状態で前記電気光学パネルの一側面に沿って設けられた外部接続端子部と、
   前記外部接続端子部に電気的に接続された、前記電気光学パネルを該電気光学パネル外の外部回路に接続する薄板状基板と、
   前記薄板状基板と前記第１の基板における前記一側面とを接着する光硬化型接着剤と、
   を具備し、
   少なくとも前記第３の基板の前記一側面に、前記光硬化型接着剤の硬化に用いる光が前記電気光学物質に進入するのを防止する光散乱面が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第３の基板の前記一側面の表面粗さは、前記第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記光散乱面は、前記第１の基板における前記一側面にさらに形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１の基板及び前記第３の基板の前記一側面の表面粗さは、前記第１の基板及び前記第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗いことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 第１の基板と該第１の基板に対向する前記第１の基板よりも外形が小さい第２の基板との間に電気光学物質が介在されるとともに、少なくとも前記第１の基板に第３の基板が貼着された電気光学パネルを具備する電気光学装置の製造方法であって、
   前記第３の基板は、第１の大板基板に構成されており、
   少なくとも前記第３の基板を、前記第１の基板の前記第２の基板が貼り合わされた領域外における前記第２の基板への対向面において設けられた外部接続端子部に沿った前記電気光学パネルの一側面に光散乱面が形成されるよう、前記第１の大板基板から、所定の大きさに切断して形成する切断工程を具備していることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
6. 前記切断工程は、前記第３の基板の前記一側面の表面粗さが、前記第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗くなるよう行うことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 前記第１の基板は、第２の大板基板に構成されているとともに、該第２の大板基板は、前記第１の基板に対して前記第３の基板が貼着されるよう、前記第１の大板基板に貼着されており、
   前記切断工程は、前記第３の基板及び前記第１の基板を、前記第１の大板基板及び前記第２の大板基板から、前記第１の基板及び前記第３の基板の前記一側面に光散乱面が形成されるよう、所定の大きさに分断して形成する工程であることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記切断工程は、前記一側面の表面粗さが、前記第１の基板及び第３の基板における他の側面の表面粗さよりも粗くなるよう行うことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記切断工程は、レーザ光を切断位置に照射して改質層を形成することにより行われ、
   前記レーザ光の照射は、前記一側面における前記改質層の密度が、他の側面における前記改質層の密度よりも大きくなるよう行うことを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。

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