JP2009094383A - 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜形成装置1の制御部100は、プラズマ発生部10に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、プラズマ発生部10に付着した付着物の一部を除去する。次に、制御部100は、反応室2内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、プラズマ発生部10のガスを排気口3を介して排気管4に排気する。続いて、制御部100は、反応室2内が所定の圧力に減圧された状態で、プラズマ発生部10のガスをさらに排気口3を介して排気管4に排気する。そして、制御部100は、この手順を複数回繰り返し、プラズマ発生部10に付着した付着物を除去する。
【選択図】図1
Description
反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去工程と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気工程とを備え、
前記除去工程と前記排気工程とを複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去する、ことを特徴とする。
前記排気工程では、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気工程と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気工程と、
を備えてもよい。
前記除去工程では、例えば、前記所定領域を所定の温度に加熱し、前記所定領域に供給されたクリーニングガスを活性化させる。
前記除去工程では、例えば、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する。
前記除去工程では、例えば、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより前記所定領域に付着した付着物に活性化されたフッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する。
被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
本発明の第1の観点に係る薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする。
被処理体にシリコンを吸着させるシリコン吸着工程と、
前記シリコン吸着工程で吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を備え、
前記シリコン吸着工程と前記シリコン窒化膜形成工程とを複数回繰り返し、被処理体にシリコン窒化膜を形成する、を備える。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段と、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする。
前記排気手段は、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気手段と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気手段と、
を備えてもよい。
前記除去手段は、例えば、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する。
前記除去手段は、例えば、前記反応室内を13300Pa〜66500Paに設定する。
前記シリコン吸着手段により吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成手段と、
前記シリコン吸着手段と前記シリコン窒化膜形成手段を制御して、
前記シリコン吸着手段及び前記シリコン窒化膜形成手段を制御して、この順に複数回繰り返す繰り返し手段と、
をさらに備えてもよい。
被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段、
として機能させることを特徴とする。
圧力計(群)123は、反応管2内及び排気管4内などの各部の圧力を測定し、その測定値を制御部100に通知する。
真空ポンプ127は、排気管4に接続され、反応管2内のガスを排気する。
RAM113は、CPU115のワークエリアなどとして機能する。
バス116は、各部の間で情報を伝達する。
2 反応管
3 排気口
4 排気管
5 蓋体
6 ウエハボート
7 昇温用ヒータ
8、9 処理ガス供給管
10 プラズマ発生部
11 電極
100 制御部
111 レシピ記憶部
112 ROM
113 RAM
114 I/Oポート
115 CPU
116 バス
121 操作パネル
122 温度センサ
123 圧力計
124 ヒータコントローラ
125 MFC
126 バルブ制御部
127 真空ポンプ
128 ボートエレベータ
129 プラズマ制御部
W 半導体ウエハ
Claims (18)
- 反応室内に収容された被処理体に薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去工程と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気工程とを備え、
前記除去工程と前記排気工程とを複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去する、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気工程では、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気工程と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気工程と、
を備える、ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。 - 前記第2の排気工程では、前記反応室内が0.133Pa〜1330Paに減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する、ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記所定領域を所定の温度に加熱し、前記所定領域に供給されたクリーニングガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する、ことを特徴とする請求項4に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記反応室内を13300Pa〜66500Paに設定する、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 前記除去工程では、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより前記所定領域に付着した付着物に活性化されたフッ素ガスを含むクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
- 被処理体に薄膜を形成する薄膜形成工程と、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法により薄膜形成装置を洗浄する洗浄工程と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記薄膜形成工程では、異なる種類の成膜用ガスを交互に被処理体上に供給して、分子層ごとに成膜を行うMLD法により被処理体にシリコン窒化膜を形成する、ことを特徴とする請求項8に記載の薄膜形成方法。
- 前記薄膜形成工程では、
被処理体にシリコンを吸着させるシリコン吸着工程と、
前記シリコン吸着工程で吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成工程と、を備え、
前記シリコン吸着工程と前記シリコン窒化膜形成工程とを複数回繰り返し、被処理体にシリコン窒化膜を形成する、を備える、ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜形成方法。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置であって、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段と、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段と、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置。 - 前記所定領域は、前記反応室に接続され、当該反応室に供給する処理ガスを活性化させる手段を収容する活性化領域であり、
前記排気手段は、
前記反応室内を所定の圧力まで徐々に減圧しつつ、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第1の排気手段と、
前記反応室内が前記所定の圧力に減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する第2の排気手段と、
を備える、ことを特徴とする請求項11に記載の薄膜形成装置。 - 前記第2の排気手段は、前記反応室内が0.133Pa〜1330Paに減圧された状態で、前記活性化領域内のガスを前記反応室を介して装置外部に排気する、ことを特徴とする請求項12に記載の薄膜形成装置。
- 前記除去手段は、前記所定領域を所定の温度に加熱し、前記所定領域に供給されたクリーニングガスを活性化させる、ことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 前記除去手段は、前記所定領域を200℃〜400℃に昇温する、ことを特徴とする請求項14に記載の薄膜形成装置。
- 前記除去手段は、前記反応室内を13300Pa〜66500Paに設定する、ことを特徴とする請求項11乃至15のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。
- 被処理体にシリコンを吸着させるシリコン吸着手段と、
前記シリコン吸着手段により吸着されたシリコンを、プラズマで活性化された窒素系ラジカルにより窒化してシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜形成手段と、
前記シリコン吸着手段と前記シリコン窒化膜形成手段を制御して、
前記シリコン吸着手段及び前記シリコン窒化膜形成手段を制御して、この順に複数回繰り返す繰り返し手段と、
をさらに備える、ことを特徴とする請求項11乃至16のいずれか1項に記載の薄膜形成装置。 - 被処理体を収容する反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成するとともに、該薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置として機能させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
前記装置内部の所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給して、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去する除去手段、
前記所定領域内のガスを装置外部に排気する排気手段、
前記所定領域に付着した付着物に活性化されたクリーニングガスを供給し、当該所定領域に付着した付着物の一部を除去した後、当該所定領域内のガスを装置外部に排気する手順を複数回繰り返し、前記所定領域に付着した付着物を除去するように、前記除去手段と前記排気手段とを制御する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014036142A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波処理装置の洗浄方法 |
JP2017168496A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
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Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4531833B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2010-08-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びクリーニング方法 |
JP5036849B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2012-09-26 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
CN102420109B (zh) * | 2011-06-15 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高mim器件电容均匀性的方法 |
CN102799083A (zh) * | 2012-08-29 | 2012-11-28 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 光刻胶去除***以及光刻设备 |
JP6342670B2 (ja) * | 2014-02-17 | 2018-06-13 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
CN104911565B (zh) * | 2014-03-11 | 2017-12-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积装置 |
JP6523119B2 (ja) * | 2015-09-28 | 2019-05-29 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
US10561172B2 (en) * | 2016-03-07 | 2020-02-18 | Wallbrooke Investments Ltd. | Inductive heating apparatus and related method |
JP6894256B2 (ja) * | 2017-02-23 | 2021-06-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP6956660B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2021-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | クリーニング方法及び成膜装置 |
CN110534424B (zh) * | 2018-07-31 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | SiC衬底的刻蚀方法 |
JP7239688B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2023-03-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 減圧システムを洗浄するための方法、基板の減圧処理のための方法、及び基板を減圧処理するための装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260204A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-09-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005167027A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2007173778A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3085364B2 (ja) | 1997-07-22 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | Cvd装置のクリーニング方法 |
JP2912306B2 (ja) | 1997-10-31 | 1999-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の洗浄方法 |
US6242347B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
US7253107B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-08-07 | Asm International N.V. | Pressure control system |
JP2006114780A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム |
US7494943B2 (en) * | 2005-10-20 | 2009-02-24 | Tokyo Electron Limited | Method for using film formation apparatus |
US20080142046A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Andrew David Johnson | Thermal F2 etch process for cleaning CVD chambers |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004260204A (ja) * | 2002-03-28 | 2004-09-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2005167027A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2007173778A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014036142A (ja) * | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波処理装置の洗浄方法 |
JP2017168496A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
KR20240081368A (ko) | 2022-11-30 | 2024-06-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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