JP2009088428A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器3と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体4と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第1ガス流路を有する第1ブロック51と、該第1ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第1ガス流路に連通可能な第2ガス流路を有する第2ブロック52と、前記第1ガス流路と前記供給口とを接続する配管25とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第1ブロックと前記第2ブロックとが当接し、前記第1ガス流路と前記第2ガス流路とが連通する様構成された。
【選択図】 図1
保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器3と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体4と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第1ガス流路を有する第1ブロック51と、該第1ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第1ガス流路に連通可能な第2ガス流路を有する第2ブロック52と、前記第1ガス流路と前記供給口とを接続する配管25とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第1ブロックと前記第2ブロックとが当接し、前記第1ガス流路と前記第2ガス流路とが連通する様構成された。
【選択図】 図1
Description
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜を生成する基板処理装置に関するものである。
半導体装置を製造する工程の1つに薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理があり、斯かる基板処理は基板処理装置によって実行される。
又、基板処理装置には所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置と、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置とがある。
枚葉式基板処理装置の一例について、図6、図7により略述する。
気密な処理室1を画成する反応容器2は、処理容器3と、ヒンジ部(図示せず)を介して開閉可能に設けられ、前記処理容器3の上端開口部を閉塞する蓋体4とから構成され、前記反応容器2には排気ライン5が接続され、又前記処理容器3と前記蓋体4には処理ガス供給ライン6及びラジカル供給ライン(図示せず)が接続されている。
前記処理室1には被処理基板であるウェーハ10を載置するヒータ支持台9が収納され、該ヒータ支持台9に対向し、前記蓋体4の下部には処理ガス供給部14が設けられている。
前記ヒータ支持台9には加熱ヒータ11が封入され、該加熱ヒータ11による加熱状態を制御することで前記ウェーハ10を処理温度に加熱維持する様になっている。
前記処理室1にはゲート弁16によって気密に開閉される基板搬入出口15が設けられ、該基板搬入出口15を介して前記ウェーハ10が搬入出される。
又、前記処理ガス供給ライン6は前記処理ガス供給部14に連通する第1配管部25と、該第1配管部25に真空管継手23を介して第2配管部27が連通し、更に該第2配管部27は処理ガス供給源(図示せず)に接続されている。
基板の処理は、前記ヒータ支持台9により前記ウェーハ10を処理温度に加熱し、前記排気ライン5を介して前記処理室1が真空排気され、前記処理ガス供給ライン6を介して処理ガスが導入され、前記ウェーハ10に成膜等所要の処理がなされる。
成膜処理を実行することで、処理室に臨接する前記処理容器3、前記蓋体4の内面には反応生成物が付着堆積するので、定期的、或は所要稼働時間毎に前記蓋体4を開いて付着堆積物を除去する保守が実行される。
従来の基板処理装置に於いて、前記蓋体4を開放する場合は、前記真空管継手23により前記第1配管部25と前記第2配管部27とを切離し、蝶番を中心に前記蓋体4を回転させ、前記処理室1を開放していた。
前記第1配管部25、前記第2配管部27は図示では省略して1本としているが、実際には使用するガスの種類に対応し、配管は複数本となっており、配管1本、1本、手作業で切離し、更に接続しており、前記第1配管部25と前記第2配管部27の切離し、接続は面倒で時間の掛る作業となっていた。
又、従来の前記第1配管部25と前記第2配管部27との接続箇所は、鉛直部分に位置しているので、前記第2配管部27は上方に向って開口している。この為、前記真空管継手23の切離し、接続作業時にパーティクルが前記第2配管部27内、即ち前記処理室1内に混入する虞れがある。
本発明は斯かる実情に鑑み、保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供するものである。
本発明は、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第1ガス流路を有する第1ブロックと、該第1ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第1ガス流路に連通可能な第2ガス流路を有する第2ブロックと、前記第1ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第1ブロックと前記第2ブロックとが当接し、前記第1ガス流路と前記第2ガス流路とが連通する様構成された基板処理装置に係るものである。
本発明によれば、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第1ガス流路を有する第1ブロックと、該第1ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第1ガス流路に連通可能な第2ガス流路を有する第2ブロックと、前記第1ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第1ブロックと前記第2ブロックとが当接し、前記第1ガス流路と前記第2ガス流路とが連通する様構成されたので、前記蓋体の開閉動作で前記第1ガス流路と第2ガス流路との切離し、接続が行え、作業が簡単になると共に前記第1ガス流路と第2ガス流路との切離し、接続に人手による作業が介在しないので、パーティクルの発生、流路へのパーティクルの混入を防止できるという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
図1〜図3は本発明に係る基板処理装置を示しており、図中、図6、図7中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
反応容器2は処理容器3と開閉可能な蓋体4とで構成され、該蓋体4は前記処理容器3にボルト等の固着具によって固定され、接合面にはOリング等のシール部材が設けられ、気密にシールされる。前記処理容器3と前記蓋体4とで内部に処理室1が形成される。前記処理容器3には排気ライン5が接続され、又前記蓋体4には処理ガス供給ライン6及びラジカル供給ライン7が接続されている。
前記処理容器3の底部を遊貫してヒータユニット台8が設けられ、該ヒータユニット台8にヒータ支持台9が支持され、該ヒータ支持台9の上部は加熱板9aとなっており、該加熱板9a内部に加熱ヒータ11が封入され、前記加熱板9aはヒータカバー12により覆われている。前記ヒータ支持台9、前記加熱板9aとしては基板の金属汚染を防止する為、非金属であることが望ましく、例えば石英、窒化アルミ等が用いられ、又前記加熱ヒータ11としては、タングステン、カーボン、モリブデン等が用いられる。前記加熱板9aの加熱温度は気密に設けられた熱電対等の温度検出手段(図示せず)によって検出される。
前記ヒータユニット台8は昇降機構(図示せず)により支持され、昇降可能となっており、前記ヒータユニット台8の貫通部はベローズ13によって気密となっている。前記ヒータカバー12にはウェーハ10が載置される。
前記処理容器3の底面には、少なくとも3本の基板支持ピン(図示せず)が立設され、該基板支持ピンは前記ヒータユニット台8が降下した状態で、前記加熱板9a、前記ヒータカバー12を貫通して上方に突出し、ウェーハ10を支持する様になっている。前記基板支持ピンとしては、ウェーハ10を汚染しない、耐熱性に優れた材質が用いられ、例えば石英等非金属であることが好ましい。又、前記基板支持ピンの接触部の温度斑を考慮して、先端の直径は、例えば0.8mm以下が好ましい。
前記処理容器3の1つの側壁には基板搬入出口15が設けられ、該基板搬入出口15を通して図示しない基板移載装置によりウェーハ10が搬入、搬出される様になっており、前記基板搬入出口15はゲート弁16によって気密に閉塞される。又、前記処理容器3の他の側壁には排気口17が設けられ、該排気口17には前記排気ライン5が接続されている。該排気ライン5には圧力調整弁等の圧力制御手段18が設けられ、前記排気ライン5は図示しない真空ポンプに接続されている。
前記処理容器3の内部には、前記ヒータカバー12の周囲を囲む様に、前記処理室1を上下に仕切るコンダクタンスプレート21が設けられ、該コンダクタンスプレート21と前記ヒータカバー12との間には所要のコンダクタンスを有する様に隙間が形成されている。
前記蓋体4は前記処理室1を開閉する様に、前記処理容器3に対してヒンジ部22を介して回動可能に取付けられており、前記蓋体4の閉状態では、該蓋体4と前記処理容器3との接合面に挾設されたOリング等のシール部材(図示せず)により気密となっている。
前記ヒンジ部22は前記処理容器3に固着された容器側ヒンジブロック19aと前記蓋体4に固着された蓋側ヒンジブロック19bとがヒンジシャフト20によって回転自在に連結された構造となっている。
前記蓋体4には前記ラジカル供給ライン7、開閉バルブ33、リモートプラズマ発生装置24が設けられており、該リモートプラズマ発生装置24は高周波電極を具備し、アルゴン、酸素等のプラズマ発生用ガス種が供給され、前記高周波電極に高周波電力を印加することでプラズマが発生され、プラズマによって酸素ラジカルが生成され、該酸素ラジカルは前記ラジカル供給ライン7、前記開閉バルブ33を介して前記処理室1に供給される。尚、前記リモートプラズマ発生装置24は前記開閉バルブ33によって切離しが可能となっている。
又、前記蓋体4に接続された前記処理ガス供給ライン6は、前記蓋体4に取付けられ、該蓋体4と一体に回動する第1配管部25と、処理ガス供給源26と、該処理ガス供給源26に接続された第2配管部27とで構成され、前記第1配管部25と前記第2配管部27とは配管連結装置28を介して気密に連通している。
又、該配管連結装置28は、後述する様に、2分割構造となっており、一方は前記蓋体4と一体に回動可能であり、又他方は前記処理容器3側に固定され、前記蓋体4の開閉動によって、連通、分断する様になっている。
前記処理ガス供給ライン6は原料ガスAの液化ガスを貯溜するA原料タンク31、原料ガスBの液化ガスを貯溜するB原料タンク32を有している。尚、3種類の原料を使う場合は、原料ガスCの液化ガスを貯溜するC原料タンク(図示せず)を設け、又、酸化剤としてH2 Oを用いる場合には、前記A原料タンク31、前記B原料タンク32と同様のタンクを設け、それぞれ前記処理室1に供給可能な構造とする。
前記A原料タンク31、前記B原料タンク32は、それぞれ図示しないヒータを具備しており、原料の蒸気圧、貯溜部の温度に合せて加熱可能となっている。又、前記A原料タンク31、前記B原料タンク32には原料輸送ガスを導入する原料輸送ガス供給管29,30が接続されている。該原料輸送ガス供給管29,30の先端部は液体原料中に液没されている。又、原料輸送ガスとしては非反応性ガス、例えば窒素ガス、アルゴンガス等が使用される。尚、前記C原料タンクも前記A原料タンク31、前記B原料タンク32と同様の構成となっている。
前記A原料タンク31にはA原料ガス供給管34が接続され、前記B原料タンク32にはB原料ガス供給管35が接続されている。前記A原料ガス供給管34、前記B原料ガス供給管35にはそれぞれA原料用バルブ37、B原料用バルブ38が設けられ、前記A原料用バルブ37、前記B原料用バルブ38の上流側にはそれぞれA原料排気管39、B原料排気管40が連通され、前記A原料排気管39、前記B原料排気管40にはそれぞれA原料排気用バルブ42、B原料排気用バルブ43が設けられている。又、前記A原料ガス供給管34、前記B原料ガス供給管35の前記A原料用バルブ37、前記B原料用バルブ38の下流側にそれぞれ希釈ガスライン45,46が連通され、該希釈ガスライン45,46にはそれぞれ希釈ガス用バルブ48,49が設けられている。尚、前記C原料ガス供給管(図示せず)も、前記A原料ガス供給管34、前記B原料ガス供給管35と同様の構成となっている。
前記A原料ガス供給管34、前記B原料ガス供給管35、前記C原料ガス供給管(図示せず)は前記第2配管部27を構成する。
前記配管連結装置28について、図4、図5を参照して説明する。
前記蓋体4の側面、前記ヒンジ部22側の端部に、蓋側管継手ブロック51が取付けられ、前記容器側ヒンジブロック19aの側面に容器側管継手ブロック52が取付けられ、前記蓋側管継手ブロック51、前記容器側管継手ブロック52はそれぞれ鉛直な接合面53,54を有し、前記蓋体4が閉塞した状態で接合面が密着する様になっている。
前記蓋側管継手ブロック51には一端が上面に開口し、他端が前記接合面53に開口するL字状の第1ガス流路55が穿設され、前記第1配管部25が前記第1ガス流路55に接続されている。前記容器側管継手ブロック52には一端が前記接合面54に開口し、前記容器側管継手ブロック52を水平に貫通する第2ガス流路56が穿設され、該第2ガス流路56には前記第2配管部27が接続されている。
前記接合面53、前記接合面54のいずれか一方、図示では前記容器側管継手ブロック52の接合面54にシール部材、例えばOリング57を設け、前記接合面53と前記接合面54とが接合した状態で、前記第1ガス流路55と前記第2ガス流路56とが気密に連通する様に構成する。
又、前記蓋側管継手ブロック51、前記容器側管継手ブロック52の両方、又は少なくとも一方には前記蓋側管継手ブロック51、前記容器側管継手ブロック52を加熱し、処理ガスが液化、又は固化しない様にする為のヒータ(図示せず)が設けられている。
以下基板処理、例えばALD成膜処理について説明する。
前記ヒータユニット台8が降下し、基板支持ピン(図示せず)が前記加熱板9aより上方に突出した状態で、前記ゲート弁16が開かれ、図示しない基板移載機により前記基板搬入出口15よりウェーハ10が前記処理室1に搬入され、前記基板支持ピンに載置される。前記基板移載機が退出し、前記ゲート弁16により前記基板搬入出口15が閉塞され、前記ヒータユニット台8が上昇するとウェーハ10は前記ヒータカバー12上に載置され、基板処理位置に位置決めされる。
前記加熱板9aによりウェーハ10が加熱され、前記排気ライン5により前記処理室1が排気され、該処理室1に原料ガスが導入可能となる。
原料A、原料Bはそれぞれ前記A原料タンク31、前記B原料タンク32に液体状態で封入されており、前記処理室1へは気化させたガスが原料輸送ガスと共に供給される。
前記原料輸送ガス供給管29,30から原料輸送ガスがそれぞれ原料A、原料B中に供給され、バブリングにより原料が気化される。尚、バブリングさせずに前記A原料タンク31、前記B原料タンク32内で気化されたものを原料輸送ガスにより搬送する様にしてもよい。
気化した原料ガスは流量が安定する迄、前記A原料用バルブ37、前記B原料用バルブ38を閉じ、前記A原料排気用バルブ42、前記B原料排気用バルブ43を開いて前記A原料排気管39、前記B原料排気管40を介して排気する。
成膜開始と共に前記A原料用バルブ37を開き、前記A原料排気用バルブ42を閉じて、原料ガスAを前記A原料ガス供給管34を介して前記処理室1に導入する。原料の供給時間としては、例えば、0.1sec〜3.0sec程度である。
前記処理室1のウェーハ10に原料ガスAが供給された後、原料ガスAは前記ヒータカバー12の周囲の隙間を通って前記排気口17を介して前記排気ライン5により排気される。尚、前記処理室1の圧力は前記圧力制御手段18により一定に保持される。
原料ガスAの供給によりウェーハ10の表面に原料ガスAが吸着する。原料ガスAの供給を終了すると同時に前記A原料用バルブ37を閉じ前記A原料排気用バルブ42を開いて、前記処理室1への原料ガスAの供給を停止すると共に原料ガスは前記A原料排気管39より排気される。
この際、前記A原料ガス供給管34に原料ガスAが残留し、次の原料ガスBが導入される迄に充分濃度が低下していない場合は、自己分解、或は次の原料ガスBと反応しパーティクルとなる状況が想定される。従って、配管内の原料ガス濃度を早急に低減する為、配管内に希釈ガスを供給する様にしてもよい。希釈ガスの供給は、前記A原料ガス供給管34に前記希釈ガス用バルブ48を具備する前記希釈ガスライン45を連通させ、前記希釈ガス用バルブ48の開閉により希釈ガスを供給停止する。尚、前記希釈ガスライン45の連通位置は、前記A原料ガス供給管34の上流位置が好ましく、又希釈ガスとしては原料輸送ガスと同様非反応性ガスを使用する。
希釈ガスを、例えば0.1sec〜10sec程度導入し、前記処理室1を前記排気ライン5を介して排気することにより、前記A原料用バルブ37から前記処理室1間の配管内、該処理室1内の残留原料ガス濃度を所定の濃度以下に低減する。
次に、前記B原料用バルブ38を開き、前記B原料排気用バルブ43を閉じて、前記B原料ガス供給管35を介して原料ガスBを前記処理室1に所定時間供給する。原料ガスBの供給により、ウェーハ10の表面に原料ガスBが吸着する。
原料ガスBの供給停止、残留ガスの希釈、濃度低減については原料ガスAの場合と同様に行う。尚、原料ガスAの供給と原料ガスBの供給は、両原料を混合させても反応が生じない場合は同時に行ってもよい。
次に、前記処理室1に酸化剤を所定時間供給する。酸化剤の供給により、ウェーハ10の表面に吸着した原料ガスA,Bと酸化剤とが反応し、ウェーハ10上に膜が形成される。その後、酸化剤の供給を停止し、残留ガスの希釈、濃度低減を行う。
上記したALD成膜工程に於いて、絶縁膜を生成する場合では、Hf系、Al系原料の他に、酸化剤としてH2 O、O3 等によって膜を生成することとなる。又、前記リモートプラズマ発生装置24等を用いてOラジカルを生成し、酸化剤として前記処理室1に導入する場合もある。本実施の形態に於ける図1の基板処理装置はリモートプラズマ発生装置24を用いる場合のものである。該リモートプラズマ発生装置24は、高周波電力を印加してプラズマを発生する構造を有しており、印加する周波数帯としては、例えば、400KHz〜13.56MHzである。
又、ALD成膜工程では、[(原料ガス供給)→(配管+処理室)希釈→酸化剤供給→(配管+反応室)希釈]の4工程が1サイクルとして所望の膜厚となる迄、所要サイクル繰返し、ウェーハ10を処理する。
1サイクルの膜厚としては、処理条件により変化するが、概して0.3Å〜1.0Å程度である。
具体例として、ウェーハ10上にAl2 O3 膜を形成する場合は、A原料として例えば、TMAを用いる。又、複数の金属元素、半導体元素から構成される膜、例えば、HfSiOx(ハフニウムシリケート)、HfAlOx(ハフニウムアルミネート)等を成膜する場合は、A原料としてTMA、B原料としてHf(OtBu)4 、Hf(Nme2 )4 、Hf(Net2 )4 等が挙げられる。
この場合、酸化剤としてOラジカルを用いる場合は前記リモートプラズマ発生装置24、前記開閉バルブ33が設けられた前記ラジカル供給ライン7を用いて酸化剤を供給し、H2 O、O3 を用いる場合は、酸化剤供給ラインが別途追加される。
基板処理毎に、或は所定期間経過毎に前記処理室1の清掃等保守作業が行われる。
保守作業は、前記蓋体4を回動させ、前記処理容器3の上端を開放して行われる。又、前記蓋体4を回動することで、前記蓋側管継手ブロック51も前記蓋体4と一体に回動し、前記容器側管継手ブロック52から離反する。前記蓋側管継手ブロック51と前記容器側管継手ブロック52の離反によって、前記第1ガス流路55と前記第2ガス流路56とが分離切断される。即ち、可動側の前記第1配管部25と固定側の前記第2配管部27との切離しが、人手による分離作業なしに実行される。
又、前記蓋側管継手ブロック51と前記容器側管継手ブロック52の分離時は、前記接合面53、前記接合面54は、鉛直面であるのでパーティクル等の不純物が前記第1ガス流路55と、前記第2ガス流路56内に混入することが防止される。
更に、前記蓋体4が完全に開いた状態では、前記第1ガス流路55は下向き面に開口しており、パーティクルの混入が防止され、又前記第2ガス流路56は水平に貫通した孔となるので、清掃が簡単である。
更に、スパナ等の工具を用いて、分離する必要がないので、分離作業時に発塵する虞れもない。
保守作業が完了した場合、前記蓋体4を閉鎖する。該蓋体4の閉鎖によって、前記蓋側管継手ブロック51と前記容器側管継手ブロック52とが密着し、又前記Oリング57によってシールされ、前記第1ガス流路55と前記第2ガス流路56とが気密に連通する。
気化したガスが前記第2配管部27、前記第1配管部25を経て前記処理室1に供給する流通過程で冷却された場合、原料の再液化、パーティクルの発生の原因となる虞れがある。従って、前記第2配管部27、前記第1配管部25についても、所要の加熱手段によって加熱される。
加熱手段の加熱温度としては、比較的低温(<100℃)の場合と比較的高温(150℃〜180℃)の場合とがあり、TMA等の蒸気圧が比較的高い原料(蒸気圧8Torr、20℃)については、加熱温度は100℃で充分であり、テープヒータ、例えばシリコンラバーヒータ等によって加熱される。Hf(MMP)4 (Tetrakis(1−Methoxy−2−methyl−2−propoxy)Hafnium)の様に比較的蒸気圧の低い原料(蒸気圧0.6Torr、134℃)では処理ガスの流路を150℃に加熱する。
尚、本発明は、配管途中で切離しするのではないので、配管に設けたヒータを保守の度に取外す必要がなく、保守作業性を向上させることができる。
本発明では、処理室1の保守、管理作業毎の煩雑な配管着脱作業を簡略化でき、又配管接続箇所が少なくなり、リークチェック箇所の減少、配管加熱手段の着脱が不要となり、保守性が向上する。
(付記)
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
(付記1)開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第1ガス流路を有する第1ブロックと、該第1ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第1ガス流路に連通可能な第2ガス流路を有する第2ブロックと、前記第1ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第1ブロックと前記第2ブロックとが当接し、前記第1ガス流路と前記第2ガス流路とが連通する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
(付記2)前記蓋体は前記処理容器に対して回動軸を介して回動可能に設けられ、前記第1ブロック、前記第2ブロックは、それぞれ回動軸側に設けられた付記1の基板処理装置。
(付記3)前記回動軸は軸受ブロックを介して前記処理容器に設けられ、前記第2ブロックは前記軸受ブロックに設けられた付記2の基板処理装置。
(付記4)前記第1ブロック、前記第2ブロックの当接面は鉛直面である付記1の基板処理装置。
(付記5)前記第1ガス流路の出口は前記第1ブロックの上面に開口する付記1の基板処理装置。
(付記6)前記第2ガス流路は水平に設けられ、前記第1ガス流路は一部が水平に一部が鉛直に設けられた付記1の基板処理装置。
1 処理室
2 反応容器
3 処理容器
4 蓋体
5 排気ライン
6 処理ガス供給ライン
7 ラジカル供給ライン
10 ウェーハ
11 加熱ヒータ
14 処理ガス供給部
22 ヒンジ部
23 真空管継手
24 リモートプラズマ発生装置
25 第1配管部
26 処理ガス供給源
27 第2配管部
28 配管連結装置
51 蓋側管継手ブロック
52 容器側管継手ブロック
53 接合面
54 接合面
55 第1ガス流路
56 第2ガス流路
2 反応容器
3 処理容器
4 蓋体
5 排気ライン
6 処理ガス供給ライン
7 ラジカル供給ライン
10 ウェーハ
11 加熱ヒータ
14 処理ガス供給部
22 ヒンジ部
23 真空管継手
24 リモートプラズマ発生装置
25 第1配管部
26 処理ガス供給源
27 第2配管部
28 配管連結装置
51 蓋側管継手ブロック
52 容器側管継手ブロック
53 接合面
54 接合面
55 第1ガス流路
56 第2ガス流路
Claims (1)
- 開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第1ガス流路を有する第1ブロックと、該第1ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第1ガス流路に連通可能な第2ガス流路を有する第2ブロックと、前記第1ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第1ブロックと前記第2ブロックとが当接し、前記第1ガス流路と前記第2ガス流路とが連通する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007259443A JP2009088428A (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007259443A JP2009088428A (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2009088428A true JP2009088428A (ja) | 2009-04-23 |
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ID=40661418
Family Applications (1)
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JP2007259443A Pending JP2009088428A (ja) | 2007-10-03 | 2007-10-03 | 基板処理装置 |
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JP (1) | JP2009088428A (ja) |
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JP2004047652A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2004128366A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Samco International Inc | プラズマ処理装置 |
-
2007
- 2007-10-03 JP JP2007259443A patent/JP2009088428A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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