JP2009088428A - Substrate processing device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing device that eliminates disconnecting/connecting operations for piping when a lid portion is opened/closed, for example, during maintenance and can prevent particles from being mixed during the disconnecting/connecting operations. <P>SOLUTION: The substrate processing device has a processing container 3 which has an opening portion and in which a substrate is stored and processed, the lid body 4 which opens and closes the opening portion of the processing container, a supply port provided to the lid body to supply gas into the processing container, a first block 51 fixed to the lid body side and having a first gas flow passage, a second block 52 fixed to the processing container side opposite the first block and having a second gas flow passage capable of communicating with the first gas flow passage, and piping 25 connecting the fist gas flow passage and support port to each other. The first block and second block is brought into contact with each other while the lid body closes the opening portion to link the first gas flow passage and second gas flow passage to each other. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜を生成する基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for generating a thin film on a substrate such as a silicon wafer or a glass substrate.

半導体装置を製造する工程の１つに薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理があり、斯かる基板処理は基板処理装置によって実行される。   One of the processes for manufacturing a semiconductor device includes substrate processing such as thin film generation, impurity diffusion, annealing treatment, etching, and the like, and such substrate processing is executed by the substrate processing apparatus.

又、基板処理装置には所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置と、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置とがある。   The substrate processing apparatus includes a batch type substrate processing apparatus that processes a predetermined number of substrates at once and a single wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one.

枚葉式基板処理装置の一例について、図６、図７により略述する。   An example of a single wafer processing apparatus will be briefly described with reference to FIGS.

気密な処理室１を画成する反応容器２は、処理容器３と、ヒンジ部（図示せず）を介して開閉可能に設けられ、前記処理容器３の上端開口部を閉塞する蓋体４とから構成され、前記反応容器２には排気ライン５が接続され、又前記処理容器３と前記蓋体４には処理ガス供給ライン６及びラジカル供給ライン（図示せず）が接続されている。   A reaction vessel 2 that defines an airtight treatment chamber 1 is provided so as to be openable and closable via a treatment vessel 3 and a hinge (not shown), and a lid 4 that closes the upper end opening of the treatment vessel 3. An exhaust line 5 is connected to the reaction vessel 2, and a processing gas supply line 6 and a radical supply line (not shown) are connected to the processing vessel 3 and the lid 4.

前記処理室１には被処理基板であるウェーハ１０を載置するヒータ支持台９が収納され、該ヒータ支持台９に対向し、前記蓋体４の下部には処理ガス供給部１４が設けられている。   The processing chamber 1 accommodates a heater support base 9 on which a wafer 10 to be processed is placed. The heater support base 9 is opposed to the processing chamber 1, and a processing gas supply unit 14 is provided below the lid 4. ing.

前記ヒータ支持台９には加熱ヒータ１１が封入され、該加熱ヒータ１１による加熱状態を制御することで前記ウェーハ１０を処理温度に加熱維持する様になっている。   A heater 11 is enclosed in the heater support 9, and the wafer 10 is heated and maintained at a processing temperature by controlling the heating state by the heater 11.

前記処理室１にはゲート弁１６によって気密に開閉される基板搬入出口１５が設けられ、該基板搬入出口１５を介して前記ウェーハ１０が搬入出される。   The processing chamber 1 is provided with a substrate loading / unloading port 15 that is hermetically opened and closed by a gate valve 16, and the wafer 10 is loaded / unloaded through the substrate loading / unloading port 15.

又、前記処理ガス供給ライン６は前記処理ガス供給部１４に連通する第１配管部２５と、該第１配管部２５に真空管継手２３を介して第２配管部２７が連通し、更に該第２配管部２７は処理ガス供給源（図示せず）に接続されている。   The processing gas supply line 6 has a first piping part 25 communicating with the processing gas supply part 14, a second piping part 27 communicating with the first piping part 25 via a vacuum fitting 23, and The two piping parts 27 are connected to a processing gas supply source (not shown).

基板の処理は、前記ヒータ支持台９により前記ウェーハ１０を処理温度に加熱し、前記排気ライン５を介して前記処理室１が真空排気され、前記処理ガス供給ライン６を介して処理ガスが導入され、前記ウェーハ１０に成膜等所要の処理がなされる。   In the substrate processing, the wafer 10 is heated to a processing temperature by the heater support 9, the processing chamber 1 is evacuated through the exhaust line 5, and a processing gas is introduced through the processing gas supply line 6. Then, necessary processing such as film formation is performed on the wafer 10.

成膜処理を実行することで、処理室に臨接する前記処理容器３、前記蓋体４の内面には反応生成物が付着堆積するので、定期的、或は所要稼働時間毎に前記蓋体４を開いて付着堆積物を除去する保守が実行される。   By performing the film formation process, reaction products adhere and accumulate on the inner surfaces of the processing container 3 and the lid 4 that are in contact with the processing chamber. Therefore, the lid 4 is periodically or every required operating time. Maintenance is performed to open and remove deposits.

従来の基板処理装置に於いて、前記蓋体４を開放する場合は、前記真空管継手２３により前記第１配管部２５と前記第２配管部２７とを切離し、蝶番を中心に前記蓋体４を回転させ、前記処理室１を開放していた。   In the conventional substrate processing apparatus, when the lid 4 is opened, the first pipe part 25 and the second pipe part 27 are separated from each other by the vacuum pipe joint 23, and the lid 4 is moved around a hinge. The processing chamber 1 was opened by rotating.

前記第１配管部２５、前記第２配管部２７は図示では省略して１本としているが、実際には使用するガスの種類に対応し、配管は複数本となっており、配管１本、１本、手作業で切離し、更に接続しており、前記第１配管部２５と前記第２配管部２７の切離し、接続は面倒で時間の掛る作業となっていた。   Although the first piping unit 25 and the second piping unit 27 are omitted in the drawing and are one, in practice, the number of piping corresponds to the type of gas used, and one piping, One piece was manually disconnected and further connected, and the first piping part 25 and the second piping part 27 were disconnected and the connection was troublesome and time consuming.

又、従来の前記第１配管部２５と前記第２配管部２７との接続箇所は、鉛直部分に位置しているので、前記第２配管部２７は上方に向って開口している。この為、前記真空管継手２３の切離し、接続作業時にパーティクルが前記第２配管部２７内、即ち前記処理室１内に混入する虞れがある。   Moreover, since the connection location of the conventional 1st piping part 25 and the 2nd piping part 27 is located in the vertical part, the said 2nd piping part 27 is opened upwards. For this reason, there is a possibility that particles are mixed in the second piping part 27, that is, the processing chamber 1 when the vacuum pipe joint 23 is disconnected and connected.

本発明は斯かる実情に鑑み、保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供するものである。   In view of such circumstances, the present invention provides a substrate processing apparatus capable of disconnecting piping without connecting and disconnecting when opening and closing the lid during maintenance or the like, and preventing contamination by particles when connecting.

本発明は、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成された基板処理装置に係るものである。   The present invention includes a processing container that has an opening, and accommodates a substrate therein for processing, a lid that closes the opening of the processing container, and a gas that is provided in the lid and passes gas into the processing container. A supply port to be supplied, a first block fixed to the lid side and having a first gas flow path, and fixed to the processing container side so as to face the first block and communicated with the first gas flow path A second block having a second gas flow path, and a pipe connecting the first gas flow path and the supply port, and the first block and the second block in a closed state of the lid Are in contact with each other, and the first gas flow path and the second gas flow path are in communication with each other.

本発明によれば、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成されたので、前記蓋体の開閉動作で前記第１ガス流路と第２ガス流路との切離し、接続が行え、作業が簡単になると共に前記第１ガス流路と第２ガス流路との切離し、接続に人手による作業が介在しないので、パーティクルの発生、流路へのパーティクルの混入を防止できるという優れた効果を発揮する。   According to the present invention, a processing container that has an opening and accommodates and processes a substrate therein, a lid that closes the opening of the processing container, and a lid that is provided in the lid and within the processing container A supply port for supplying a gas, a first block fixed to the lid body side and having a first gas flow path, and fixed to the processing container side to face the first block and to the first gas flow path A second block having a second gas flow path capable of communicating; and a pipe connecting the first gas flow path and the supply port; and in the closed state of the lid, the first block and the first block Since the two blocks are in contact with each other and the first gas channel and the second gas channel communicate with each other, the first gas channel and the second gas channel are opened and closed by the lid opening / closing operation. Disconnection and connection of the first gas flow path and the second gas flow path are facilitated and work is simplified. Since manual labor is not interposed, the generation of particles, which exhibited an excellent effect that can prevent mixing of particles to the flow path.

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１〜図３は本発明に係る基板処理装置を示しており、図中、図６、図７中で示したものと同等のものには同符号を付してある。   1 to 3 show a substrate processing apparatus according to the present invention, in which the same components as those shown in FIGS. 6 and 7 are denoted by the same reference numerals.

反応容器２は処理容器３と開閉可能な蓋体４とで構成され、該蓋体４は前記処理容器３にボルト等の固着具によって固定され、接合面にはＯリング等のシール部材が設けられ、気密にシールされる。前記処理容器３と前記蓋体４とで内部に処理室１が形成される。前記処理容器３には排気ライン５が接続され、又前記蓋体４には処理ガス供給ライン６及びラジカル供給ライン７が接続されている。   The reaction vessel 2 includes a processing vessel 3 and a lid 4 that can be opened and closed. The lid 4 is fixed to the processing vessel 3 with a fastener such as a bolt, and a sealing member such as an O-ring is provided on the joint surface. And hermetically sealed. A processing chamber 1 is formed inside the processing container 3 and the lid 4. An exhaust line 5 is connected to the processing container 3, and a processing gas supply line 6 and a radical supply line 7 are connected to the lid 4.

前記処理容器３の底部を遊貫してヒータユニット台８が設けられ、該ヒータユニット台８にヒータ支持台９が支持され、該ヒータ支持台９の上部は加熱板９ａとなっており、該加熱板９ａ内部に加熱ヒータ１１が封入され、前記加熱板９ａはヒータカバー１２により覆われている。前記ヒータ支持台９、前記加熱板９ａとしては基板の金属汚染を防止する為、非金属であることが望ましく、例えば石英、窒化アルミ等が用いられ、又前記加熱ヒータ１１としては、タングステン、カーボン、モリブデン等が用いられる。前記加熱板９ａの加熱温度は気密に設けられた熱電対等の温度検出手段（図示せず）によって検出される。   A heater unit base 8 is provided so as to penetrate the bottom of the processing vessel 3, and a heater support base 9 is supported on the heater unit base 8, and an upper portion of the heater support base 9 is a heating plate 9a. A heater 11 is enclosed in the heating plate 9 a, and the heating plate 9 a is covered with a heater cover 12. The heater support 9 and the heating plate 9a are preferably non-metallic in order to prevent metal contamination of the substrate. For example, quartz or aluminum nitride is used, and the heater 11 is tungsten or carbon. Molybdenum and the like are used. The heating temperature of the heating plate 9a is detected by temperature detection means (not shown) such as a thermocouple provided in an airtight manner.

前記ヒータユニット台８は昇降機構（図示せず）により支持され、昇降可能となっており、前記ヒータユニット台８の貫通部はベローズ１３によって気密となっている。前記ヒータカバー１２にはウェーハ１０が載置される。   The heater unit base 8 is supported by an elevating mechanism (not shown) and can be moved up and down, and a through portion of the heater unit base 8 is airtight by a bellows 13. A wafer 10 is placed on the heater cover 12.

前記処理容器３の底面には、少なくとも３本の基板支持ピン（図示せず）が立設され、該基板支持ピンは前記ヒータユニット台８が降下した状態で、前記加熱板９ａ、前記ヒータカバー１２を貫通して上方に突出し、ウェーハ１０を支持する様になっている。前記基板支持ピンとしては、ウェーハ１０を汚染しない、耐熱性に優れた材質が用いられ、例えば石英等非金属であることが好ましい。又、前記基板支持ピンの接触部の温度斑を考慮して、先端の直径は、例えば０．８ｍｍ以下が好ましい。   At least three substrate support pins (not shown) are erected on the bottom surface of the processing container 3, and the substrate support pins are in a state where the heater unit base 8 is lowered, and the heating plate 9 a and the heater cover. 12, protrudes upwardly to support the wafer 10. As the substrate support pins, a material that does not contaminate the wafer 10 and has excellent heat resistance is used, and is preferably a nonmetal such as quartz. In consideration of temperature variation at the contact portion of the substrate support pin, the tip diameter is preferably 0.8 mm or less, for example.

前記処理容器３の１つの側壁には基板搬入出口１５が設けられ、該基板搬入出口１５を通して図示しない基板移載装置によりウェーハ１０が搬入、搬出される様になっており、前記基板搬入出口１５はゲート弁１６によって気密に閉塞される。又、前記処理容器３の他の側壁には排気口１７が設けられ、該排気口１７には前記排気ライン５が接続されている。該排気ライン５には圧力調整弁等の圧力制御手段１８が設けられ、前記排気ライン５は図示しない真空ポンプに接続されている。   A substrate loading / unloading port 15 is provided on one side wall of the processing container 3, and the wafer 10 is loaded and unloaded by a substrate transfer device (not shown) through the substrate loading / unloading port 15. Is hermetically closed by the gate valve 16. An exhaust port 17 is provided on the other side wall of the processing container 3, and the exhaust line 5 is connected to the exhaust port 17. The exhaust line 5 is provided with pressure control means 18 such as a pressure regulating valve, and the exhaust line 5 is connected to a vacuum pump (not shown).

前記処理容器３の内部には、前記ヒータカバー１２の周囲を囲む様に、前記処理室１を上下に仕切るコンダクタンスプレート２１が設けられ、該コンダクタンスプレート２１と前記ヒータカバー１２との間には所要のコンダクタンスを有する様に隙間が形成されている。   A conductance plate 21 that divides the processing chamber 1 up and down is provided inside the processing container 3 so as to surround the heater cover 12, and a required gap is provided between the conductance plate 21 and the heater cover 12. The gap is formed so as to have a conductance of

前記蓋体４は前記処理室１を開閉する様に、前記処理容器３に対してヒンジ部２２を介して回動可能に取付けられており、前記蓋体４の閉状態では、該蓋体４と前記処理容器３との接合面に挾設されたＯリング等のシール部材（図示せず）により気密となっている。   The lid 4 is rotatably attached to the processing container 3 via a hinge portion 22 so as to open and close the processing chamber 1. When the lid 4 is closed, the lid 4 And a sealing member (not shown) such as an O-ring provided on the joint surface with the processing container 3.

前記ヒンジ部２２は前記処理容器３に固着された容器側ヒンジブロック１９ａと前記蓋体４に固着された蓋側ヒンジブロック１９ｂとがヒンジシャフト２０によって回転自在に連結された構造となっている。   The hinge portion 22 has a structure in which a container side hinge block 19 a fixed to the processing container 3 and a lid side hinge block 19 b fixed to the lid body 4 are rotatably connected by a hinge shaft 20.

前記蓋体４には前記ラジカル供給ライン７、開閉バルブ３３、リモートプラズマ発生装置２４が設けられており、該リモートプラズマ発生装置２４は高周波電極を具備し、アルゴン、酸素等のプラズマ発生用ガス種が供給され、前記高周波電極に高周波電力を印加することでプラズマが発生され、プラズマによって酸素ラジカルが生成され、該酸素ラジカルは前記ラジカル供給ライン７、前記開閉バルブ３３を介して前記処理室１に供給される。尚、前記リモートプラズマ発生装置２４は前記開閉バルブ３３によって切離しが可能となっている。   The lid 4 is provided with the radical supply line 7, an open / close valve 33, and a remote plasma generator 24. The remote plasma generator 24 includes a high-frequency electrode, and a gas generating gas species such as argon and oxygen. Is supplied, and plasma is generated by applying high-frequency power to the high-frequency electrode, and oxygen radicals are generated by the plasma. The oxygen radicals enter the processing chamber 1 via the radical supply line 7 and the opening / closing valve 33. Supplied. The remote plasma generator 24 can be separated by the opening / closing valve 33.

又、前記蓋体４に接続された前記処理ガス供給ライン６は、前記蓋体４に取付けられ、該蓋体４と一体に回動する第１配管部２５と、処理ガス供給源２６と、該処理ガス供給源２６に接続された第２配管部２７とで構成され、前記第１配管部２５と前記第２配管部２７とは配管連結装置２８を介して気密に連通している。   Further, the processing gas supply line 6 connected to the lid 4 is attached to the lid 4, a first piping portion 25 that rotates integrally with the lid 4, a processing gas supply source 26, The second piping unit 27 is connected to the processing gas supply source 26, and the first piping unit 25 and the second piping unit 27 communicate with each other in an airtight manner via a piping connecting device 28.

又、該配管連結装置２８は、後述する様に、２分割構造となっており、一方は前記蓋体４と一体に回動可能であり、又他方は前記処理容器３側に固定され、前記蓋体４の開閉動によって、連通、分断する様になっている。   Further, as will be described later, the pipe connecting device 28 has a two-part structure, one of which is rotatable integrally with the lid body 4, and the other is fixed to the processing container 3 side, The lid 4 is opened and closed to communicate and divide.

前記処理ガス供給ライン６は原料ガスＡの液化ガスを貯溜するＡ原料タンク３１、原料ガスＢの液化ガスを貯溜するＢ原料タンク３２を有している。尚、３種類の原料を使う場合は、原料ガスＣの液化ガスを貯溜するＣ原料タンク（図示せず）を設け、又、酸化剤としてＨ2 Ｏを用いる場合には、前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２と同様のタンクを設け、それぞれ前記処理室１に供給可能な構造とする。   The processing gas supply line 6 has an A raw material tank 31 for storing the liquefied gas of the raw material gas A and a B raw material tank 32 for storing the liquefied gas of the raw material gas B. When three kinds of raw materials are used, a C raw material tank (not shown) for storing a liquefied gas of the raw material gas C is provided. When H2 O is used as an oxidant, the A raw material tank 31, A tank similar to the B raw material tank 32 is provided and can be supplied to the processing chamber 1.

前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２は、それぞれ図示しないヒータを具備しており、原料の蒸気圧、貯溜部の温度に合せて加熱可能となっている。又、前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２には原料輸送ガスを導入する原料輸送ガス供給管２９，３０が接続されている。該原料輸送ガス供給管２９，３０の先端部は液体原料中に液没されている。又、原料輸送ガスとしては非反応性ガス、例えば窒素ガス、アルゴンガス等が使用される。尚、前記Ｃ原料タンクも前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２と同様の構成となっている。   The A raw material tank 31 and the B raw material tank 32 are each provided with a heater (not shown) and can be heated in accordance with the vapor pressure of the raw material and the temperature of the reservoir. The A raw material tank 31 and the B raw material tank 32 are connected to raw material transport gas supply pipes 29 and 30 for introducing a raw material transport gas. The leading ends of the raw material transport gas supply pipes 29 and 30 are submerged in the liquid raw material. As the raw material transport gas, a non-reactive gas such as nitrogen gas or argon gas is used. The C raw material tank has the same configuration as the A raw material tank 31 and the B raw material tank 32.

前記Ａ原料タンク３１にはＡ原料ガス供給管３４が接続され、前記Ｂ原料タンク３２にはＢ原料ガス供給管３５が接続されている。前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５にはそれぞれＡ原料用バルブ３７、Ｂ原料用バルブ３８が設けられ、前記Ａ原料用バルブ３７、前記Ｂ原料用バルブ３８の上流側にはそれぞれＡ原料排気管３９、Ｂ原料排気管４０が連通され、前記Ａ原料排気管３９、前記Ｂ原料排気管４０にはそれぞれＡ原料排気用バルブ４２、Ｂ原料排気用バルブ４３が設けられている。又、前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５の前記Ａ原料用バルブ３７、前記Ｂ原料用バルブ３８の下流側にそれぞれ希釈ガスライン４５，４６が連通され、該希釈ガスライン４５，４６にはそれぞれ希釈ガス用バルブ４８，４９が設けられている。尚、前記Ｃ原料ガス供給管（図示せず）も、前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５と同様の構成となっている。   An A source gas supply pipe 34 is connected to the A source tank 31, and a B source gas supply pipe 35 is connected to the B source tank 32. The A raw material gas supply pipe 34 and the B raw material gas supply pipe 35 are provided with an A raw material valve 37 and a B raw material valve 38, respectively, upstream of the A raw material valve 37 and the B raw material valve 38. The A raw material exhaust pipe 39 and the B raw material exhaust pipe 40 are connected to each other, and the A raw material exhaust pipe 39 and the B raw material exhaust pipe 40 are provided with an A raw material exhaust valve 42 and a B raw material exhaust valve 43, respectively. Yes. Further, dilution gas lines 45 and 46 are connected to the downstream side of the A raw material valve 37 and the B raw material valve 38 of the A raw material gas supply pipe 34, the B raw material gas supply pipe 35, respectively. 45 and 46 are respectively provided with dilution gas valves 48 and 49. The C source gas supply pipe (not shown) has the same configuration as the A source gas supply pipe 34 and the B source gas supply pipe 35.

前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５、前記Ｃ原料ガス供給管（図示せず）は前記第２配管部２７を構成する。   The A source gas supply pipe 34, the B source gas supply pipe 35, and the C source gas supply pipe (not shown) constitute the second piping portion 27.

前記配管連結装置２８について、図４、図５を参照して説明する。   The said pipe | tube connection apparatus 28 is demonstrated with reference to FIG. 4, FIG.

前記蓋体４の側面、前記ヒンジ部２２側の端部に、蓋側管継手ブロック５１が取付けられ、前記容器側ヒンジブロック１９ａの側面に容器側管継手ブロック５２が取付けられ、前記蓋側管継手ブロック５１、前記容器側管継手ブロック５２はそれぞれ鉛直な接合面５３，５４を有し、前記蓋体４が閉塞した状態で接合面が密着する様になっている。   A lid side pipe joint block 51 is attached to a side surface of the lid body 4 and an end portion on the hinge part 22 side, a container side pipe joint block 52 is attached to a side surface of the container side hinge block 19a, and the lid side pipe The joint block 51 and the container-side pipe joint block 52 have vertical joint surfaces 53 and 54, respectively, so that the joint surfaces are in close contact with the lid 4 being closed.

前記蓋側管継手ブロック５１には一端が上面に開口し、他端が前記接合面５３に開口するＬ字状の第１ガス流路５５が穿設され、前記第１配管部２５が前記第１ガス流路５５に接続されている。前記容器側管継手ブロック５２には一端が前記接合面５４に開口し、前記容器側管継手ブロック５２を水平に貫通する第２ガス流路５６が穿設され、該第２ガス流路５６には前記第２配管部２７が接続されている。   The lid-side pipe joint block 51 is provided with an L-shaped first gas flow passage 55 having one end opened on the upper surface and the other end opened on the joining surface 53, and the first pipe portion 25 is formed by the first pipe portion 25. One gas channel 55 is connected. One end of the container-side pipe joint block 52 is opened to the joint surface 54, and a second gas flow path 56 that penetrates the container-side pipe joint block 52 horizontally is formed in the second gas flow path 56. Is connected to the second piping part 27.

前記接合面５３、前記接合面５４のいずれか一方、図示では前記容器側管継手ブロック５２の接合面５４にシール部材、例えばＯリング５７を設け、前記接合面５３と前記接合面５４とが接合した状態で、前記第１ガス流路５５と前記第２ガス流路５６とが気密に連通する様に構成する。   A sealing member, for example, an O-ring 57 is provided on one of the joint surface 53 and the joint surface 54, in the figure, the joint surface 54 of the container-side pipe joint block 52, and the joint surface 53 and the joint surface 54 are joined. In this state, the first gas channel 55 and the second gas channel 56 are configured to communicate with each other in an airtight manner.

又、前記蓋側管継手ブロック５１、前記容器側管継手ブロック５２の両方、又は少なくとも一方には前記蓋側管継手ブロック５１、前記容器側管継手ブロック５２を加熱し、処理ガスが液化、又は固化しない様にする為のヒータ（図示せず）が設けられている。   In addition, at least one of the lid-side pipe joint block 51 and the container-side pipe joint block 52 heats the lid-side pipe joint block 51 and the container-side pipe joint block 52, and the processing gas is liquefied, or A heater (not shown) is provided so as not to solidify.

以下基板処理、例えばＡＬＤ成膜処理について説明する。   Hereinafter, substrate processing, for example, ALD film forming processing will be described.

前記ヒータユニット台８が降下し、基板支持ピン（図示せず）が前記加熱板９ａより上方に突出した状態で、前記ゲート弁１６が開かれ、図示しない基板移載機により前記基板搬入出口１５よりウェーハ１０が前記処理室１に搬入され、前記基板支持ピンに載置される。前記基板移載機が退出し、前記ゲート弁１６により前記基板搬入出口１５が閉塞され、前記ヒータユニット台８が上昇するとウェーハ１０は前記ヒータカバー１２上に載置され、基板処理位置に位置決めされる。   The gate valve 16 is opened with the heater unit base 8 lowered and the substrate support pins (not shown) projecting upward from the heating plate 9a, and the substrate loading / unloading port 15 is opened by a substrate transfer machine (not shown). Thus, the wafer 10 is carried into the processing chamber 1 and placed on the substrate support pins. When the substrate transfer machine is withdrawn, the substrate loading / unloading port 15 is closed by the gate valve 16 and the heater unit base 8 is raised, the wafer 10 is placed on the heater cover 12 and positioned at the substrate processing position. The

前記加熱板９ａによりウェーハ１０が加熱され、前記排気ライン５により前記処理室１が排気され、該処理室１に原料ガスが導入可能となる。   The wafer 10 is heated by the heating plate 9 a, the processing chamber 1 is exhausted by the exhaust line 5, and the source gas can be introduced into the processing chamber 1.

原料Ａ、原料Ｂはそれぞれ前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２に液体状態で封入されており、前記処理室１へは気化させたガスが原料輸送ガスと共に供給される。   The raw material A and the raw material B are sealed in the A raw material tank 31 and the B raw material tank 32, respectively, and the vaporized gas is supplied to the processing chamber 1 together with the raw material transport gas.

前記原料輸送ガス供給管２９，３０から原料輸送ガスがそれぞれ原料Ａ、原料Ｂ中に供給され、バブリングにより原料が気化される。尚、バブリングさせずに前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２内で気化されたものを原料輸送ガスにより搬送する様にしてもよい。   A raw material transport gas is supplied from the raw material transport gas supply pipes 29 and 30 into the raw material A and the raw material B, respectively, and the raw material is vaporized by bubbling. In addition, you may make it convey what was vaporized within the said A raw material tank 31 and the said B raw material tank 32 by raw material transport gas, without bubbling.

気化した原料ガスは流量が安定する迄、前記Ａ原料用バルブ３７、前記Ｂ原料用バルブ３８を閉じ、前記Ａ原料排気用バルブ４２、前記Ｂ原料排気用バルブ４３を開いて前記Ａ原料排気管３９、前記Ｂ原料排気管４０を介して排気する。   Until the flow rate of the vaporized source gas is stabilized, the A source valve 37 and the B source valve 38 are closed, the A source exhaust valve 42 and the B source exhaust valve 43 are opened, and the A source exhaust pipe is opened. 39, exhausted through the B material exhaust pipe 40;

成膜開始と共に前記Ａ原料用バルブ３７を開き、前記Ａ原料排気用バルブ４２を閉じて、原料ガスＡを前記Ａ原料ガス供給管３４を介して前記処理室１に導入する。原料の供給時間としては、例えば、０．１ｓｅｃ〜３．０ｓｅｃ程度である。   When the film formation is started, the A raw material valve 37 is opened, the A raw material exhaust valve 42 is closed, and the raw material gas A is introduced into the processing chamber 1 through the A raw material gas supply pipe 34. The supply time of the raw material is, for example, about 0.1 sec to 3.0 sec.

前記処理室１のウェーハ１０に原料ガスＡが供給された後、原料ガスＡは前記ヒータカバー１２の周囲の隙間を通って前記排気口１７を介して前記排気ライン５により排気される。尚、前記処理室１の圧力は前記圧力制御手段１８により一定に保持される。   After the source gas A is supplied to the wafer 10 in the processing chamber 1, the source gas A is exhausted by the exhaust line 5 through the exhaust port 17 through the gap around the heater cover 12. The pressure in the processing chamber 1 is kept constant by the pressure control means 18.

原料ガスＡの供給によりウェーハ１０の表面に原料ガスＡが吸着する。原料ガスＡの供給を終了すると同時に前記Ａ原料用バルブ３７を閉じ前記Ａ原料排気用バルブ４２を開いて、前記処理室１への原料ガスＡの供給を停止すると共に原料ガスは前記Ａ原料排気管３９より排気される。   By supplying the source gas A, the source gas A is adsorbed on the surface of the wafer 10. At the same time as the supply of the raw material gas A is completed, the A raw material valve 37 is closed and the A raw material exhaust valve 42 is opened to stop the supply of the raw material gas A to the processing chamber 1 and the raw material gas is the A raw material exhaust. Exhaust from the tube 39.

この際、前記Ａ原料ガス供給管３４に原料ガスＡが残留し、次の原料ガスＢが導入される迄に充分濃度が低下していない場合は、自己分解、或は次の原料ガスＢと反応しパーティクルとなる状況が想定される。従って、配管内の原料ガス濃度を早急に低減する為、配管内に希釈ガスを供給する様にしてもよい。希釈ガスの供給は、前記Ａ原料ガス供給管３４に前記希釈ガス用バルブ４８を具備する前記希釈ガスライン４５を連通させ、前記希釈ガス用バルブ４８の開閉により希釈ガスを供給停止する。尚、前記希釈ガスライン４５の連通位置は、前記Ａ原料ガス供給管３４の上流位置が好ましく、又希釈ガスとしては原料輸送ガスと同様非反応性ガスを使用する。   At this time, if the raw material gas A remains in the A raw material gas supply pipe 34 and the concentration is not sufficiently lowered until the next raw material gas B is introduced, self-decomposition or the following raw material gas B A situation that reacts to become particles is assumed. Therefore, in order to quickly reduce the concentration of the raw material gas in the pipe, a dilution gas may be supplied into the pipe. To supply the dilution gas, the dilution gas line 45 including the dilution gas valve 48 is communicated with the A source gas supply pipe 34, and the supply of the dilution gas is stopped by opening and closing the dilution gas valve 48. The communication position of the dilution gas line 45 is preferably an upstream position of the A raw material gas supply pipe 34, and a non-reactive gas is used as the dilution gas in the same manner as the raw material transport gas.

希釈ガスを、例えば０．１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃ程度導入し、前記処理室１を前記排気ライン５を介して排気することにより、前記Ａ原料用バルブ３７から前記処理室１間の配管内、該処理室１内の残留原料ガス濃度を所定の濃度以下に低減する。   A dilution gas is introduced, for example, for about 0.1 sec to 10 sec, and the processing chamber 1 is evacuated through the exhaust line 5, whereby the processing chamber 1 is connected to the processing chamber 1 from the A material valve 37. The residual source gas concentration in 1 is reduced below a predetermined concentration.

次に、前記Ｂ原料用バルブ３８を開き、前記Ｂ原料排気用バルブ４３を閉じて、前記Ｂ原料ガス供給管３５を介して原料ガスＢを前記処理室１に所定時間供給する。原料ガスＢの供給により、ウェーハ１０の表面に原料ガスＢが吸着する。   Next, the B material valve 38 is opened, the B material exhaust valve 43 is closed, and the material gas B is supplied to the processing chamber 1 through the B material gas supply pipe 35 for a predetermined time. By supplying the source gas B, the source gas B is adsorbed on the surface of the wafer 10.

原料ガスＢの供給停止、残留ガスの希釈、濃度低減については原料ガスＡの場合と同様に行う。尚、原料ガスＡの供給と原料ガスＢの供給は、両原料を混合させても反応が生じない場合は同時に行ってもよい。   The supply of the raw material gas B is stopped, the residual gas is diluted, and the concentration is reduced as in the case of the raw material gas A. The supply of the raw material gas A and the supply of the raw material gas B may be performed simultaneously when no reaction occurs even when both raw materials are mixed.

次に、前記処理室１に酸化剤を所定時間供給する。酸化剤の供給により、ウェーハ１０の表面に吸着した原料ガスＡ，Ｂと酸化剤とが反応し、ウェーハ１０上に膜が形成される。その後、酸化剤の供給を停止し、残留ガスの希釈、濃度低減を行う。   Next, an oxidizing agent is supplied to the processing chamber 1 for a predetermined time. By supplying the oxidizing agent, the source gases A and B adsorbed on the surface of the wafer 10 react with the oxidizing agent, and a film is formed on the wafer 10. Thereafter, the supply of the oxidizing agent is stopped, and the residual gas is diluted and the concentration is reduced.

上記したＡＬＤ成膜工程に於いて、絶縁膜を生成する場合では、Ｈｆ系、Ａｌ系原料の他に、酸化剤としてＨ2 Ｏ、Ｏ3 等によって膜を生成することとなる。又、前記リモートプラズマ発生装置２４等を用いてＯラジカルを生成し、酸化剤として前記処理室１に導入する場合もある。本実施の形態に於ける図１の基板処理装置はリモートプラズマ発生装置２４を用いる場合のものである。該リモートプラズマ発生装置２４は、高周波電力を印加してプラズマを発生する構造を有しており、印加する周波数帯としては、例えば、４００ＫＨｚ〜１３．５６ＭＨｚである。   In the above-described ALD film forming process, when an insulating film is formed, a film is formed using H2 O, O3 or the like as an oxidizing agent in addition to Hf-based and Al-based materials. In some cases, O radicals are generated using the remote plasma generator 24 or the like and introduced into the processing chamber 1 as an oxidizing agent. The substrate processing apparatus of FIG. 1 in the present embodiment is for the case where a remote plasma generator 24 is used. The remote plasma generator 24 has a structure for generating plasma by applying high-frequency power, and a frequency band to be applied is, for example, 400 KHz to 13.56 MHz.

又、ＡＬＤ成膜工程では、［（原料ガス供給）→（配管＋処理室）希釈→酸化剤供給→（配管＋反応室）希釈］の４工程が１サイクルとして所望の膜厚となる迄、所要サイクル繰返し、ウェーハ１０を処理する。   In the ALD film forming process, four steps of [(source gas supply) → (piping + processing chamber) dilution → oxidant supply → (piping + reaction chamber) dilution] are performed as one cycle until a desired film thickness is obtained. Repeat the required cycle to process the wafer 10.

１サイクルの膜厚としては、処理条件により変化するが、概して０．３Å〜１．０Å程度である。   The film thickness for one cycle varies depending on the processing conditions, but is generally about 0.3 to 1.0 mm.

具体例として、ウェーハ１０上にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する場合は、Ａ原料として例えば、ＴＭＡを用いる。又、複数の金属元素、半導体元素から構成される膜、例えば、ＨｆＳｉＯｘ（ハフニウムシリケート）、ＨｆＡｌＯｘ（ハフニウムアルミネート）等を成膜する場合は、Ａ原料としてＴＭＡ、Ｂ原料としてＨｆ（ＯｔＢｕ）4 、Ｈｆ（Ｎｍｅ2 ）4 、Ｈｆ（Ｎｅｔ2 ）4 等が挙げられる。   As a specific example, when an Al2 O3 film is formed on the wafer 10, for example, TMA is used as the A material. When a film composed of a plurality of metal elements and semiconductor elements, for example, HfSiOx (hafnium silicate), HfAlOx (hafnium aluminate), or the like is formed, TMA is used as the A material, and Hf (OtBu) 4 as the B material. , Hf (Nme2) 4, Hf (Net2) 4, and the like.

この場合、酸化剤としてＯラジカルを用いる場合は前記リモートプラズマ発生装置２４、前記開閉バルブ３３が設けられた前記ラジカル供給ライン７を用いて酸化剤を供給し、Ｈ2 Ｏ、Ｏ3 を用いる場合は、酸化剤供給ラインが別途追加される。   In this case, when an O radical is used as the oxidant, the oxidant is supplied using the remote plasma generator 24 and the radical supply line 7 provided with the opening / closing valve 33, and when H2 O and O3 are used, A separate oxidizer supply line is added.

基板処理毎に、或は所定期間経過毎に前記処理室１の清掃等保守作業が行われる。   Maintenance work such as cleaning of the processing chamber 1 is performed every time the substrate is processed or every elapse of a predetermined period.

保守作業は、前記蓋体４を回動させ、前記処理容器３の上端を開放して行われる。又、前記蓋体４を回動することで、前記蓋側管継手ブロック５１も前記蓋体４と一体に回動し、前記容器側管継手ブロック５２から離反する。前記蓋側管継手ブロック５１と前記容器側管継手ブロック５２の離反によって、前記第１ガス流路５５と前記第２ガス流路５６とが分離切断される。即ち、可動側の前記第１配管部２５と固定側の前記第２配管部２７との切離しが、人手による分離作業なしに実行される。   Maintenance work is performed by rotating the lid 4 and opening the upper end of the processing container 3. Further, by rotating the lid body 4, the lid-side pipe joint block 51 is also rotated integrally with the lid body 4 and separated from the container-side pipe joint block 52. By the separation of the lid side pipe joint block 51 and the container side pipe joint block 52, the first gas passage 55 and the second gas passage 56 are separated and cut. In other words, the separation of the movable first piping section 25 and the stationary second piping section 27 is performed without manual separation.

又、前記蓋側管継手ブロック５１と前記容器側管継手ブロック５２の分離時は、前記接合面５３、前記接合面５４は、鉛直面であるのでパーティクル等の不純物が前記第１ガス流路５５と、前記第２ガス流路５６内に混入することが防止される。   Further, when the lid-side pipe joint block 51 and the container-side pipe joint block 52 are separated, the joining surface 53 and the joining surface 54 are vertical surfaces, so that impurities such as particles are contaminated with the first gas channel 55. And mixing into the second gas flow path 56 is prevented.

更に、前記蓋体４が完全に開いた状態では、前記第１ガス流路５５は下向き面に開口しており、パーティクルの混入が防止され、又前記第２ガス流路５６は水平に貫通した孔となるので、清掃が簡単である。   Further, when the lid 4 is fully opened, the first gas flow path 55 is opened downward, preventing particles from being mixed in, and the second gas flow path 56 penetrating horizontally. Since it becomes a hole, cleaning is easy.

更に、スパナ等の工具を用いて、分離する必要がないので、分離作業時に発塵する虞れもない。   Furthermore, since there is no need to separate using a tool such as a spanner, there is no possibility of dust generation during the separation work.

保守作業が完了した場合、前記蓋体４を閉鎖する。該蓋体４の閉鎖によって、前記蓋側管継手ブロック５１と前記容器側管継手ブロック５２とが密着し、又前記Ｏリング５７によってシールされ、前記第１ガス流路５５と前記第２ガス流路５６とが気密に連通する。   When the maintenance work is completed, the lid 4 is closed. By closing the lid body 4, the lid-side pipe joint block 51 and the container-side pipe joint block 52 are brought into close contact with each other, and are sealed by the O-ring 57, so that the first gas flow path 55 and the second gas flow block The path 56 communicates in an airtight manner.

気化したガスが前記第２配管部２７、前記第１配管部２５を経て前記処理室１に供給する流通過程で冷却された場合、原料の再液化、パーティクルの発生の原因となる虞れがある。従って、前記第２配管部２７、前記第１配管部２５についても、所要の加熱手段によって加熱される。   When the vaporized gas is cooled in the flow process for supplying the gas to the processing chamber 1 through the second piping part 27 and the first piping part 25, there is a risk of causing re-liquefaction of raw materials and generation of particles. . Therefore, the second piping part 27 and the first piping part 25 are also heated by the required heating means.

加熱手段の加熱温度としては、比較的低温（＜１００℃）の場合と比較的高温（１５０℃〜１８０℃）の場合とがあり、ＴＭＡ等の蒸気圧が比較的高い原料（蒸気圧８Ｔｏｒｒ、２０℃）については、加熱温度は１００℃で充分であり、テープヒータ、例えばシリコンラバーヒータ等によって加熱される。Ｈｆ（ＭＭＰ）4 （Ｔｅｔｒａｋｉｓ（１−Ｍｅｔｈｏｘｙ−２−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｒｏｐｏｘｙ）Ｈａｆｎｉｕｍ）の様に比較的蒸気圧の低い原料（蒸気圧０．６Ｔｏｒｒ、１３４℃）では処理ガスの流路を１５０℃に加熱する。   The heating temperature of the heating means may be a relatively low temperature (<100 ° C.) or a relatively high temperature (150 ° C. to 180 ° C.), and a raw material having a relatively high vapor pressure such as TMA (vapor pressure 8 Torr, 20 ° C), a heating temperature of 100 ° C is sufficient, and it is heated by a tape heater such as a silicon rubber heater. For a raw material having a relatively low vapor pressure (vapor pressure 0.6 Torr, 134 ° C.) such as Hf (MMP) 4 (Tetrakis (1-Methoxy-2-methyl-2-propyoxy) Hafnium), the flow path of the processing gas is 150. Heat to ° C.

尚、本発明は、配管途中で切離しするのではないので、配管に設けたヒータを保守の度に取外す必要がなく、保守作業性を向上させることができる。   Since the present invention does not separate in the middle of piping, it is not necessary to remove the heater provided in the piping every time maintenance is performed, and maintenance workability can be improved.

本発明では、処理室１の保守、管理作業毎の煩雑な配管着脱作業を簡略化でき、又配管接続箇所が少なくなり、リークチェック箇所の減少、配管加熱手段の着脱が不要となり、保守性が向上する。   In the present invention, complicated piping attachment / detachment work for each maintenance and management operation of the processing chamber 1 can be simplified, the number of pipe connection points is reduced, the number of leak check points is reduced, and the pipe heating means is not required to be attached / detached. improves.

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。 (Appendix)
The present invention includes the following embodiments.

（付記１）開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。   (Supplementary note 1) A processing container having an opening and storing a substrate therein, processing a lid that closes the opening of the processing container, and a gas provided in the lid to the processing container A supply port to be supplied, a first block fixed to the lid side and having a first gas flow path, and fixed to the processing container side so as to face the first block and communicated with the first gas flow path A second block having a second gas flow path, and a pipe connecting the first gas flow path and the supply port, and the first block and the second block in a closed state of the lid Are in contact with each other, and the first gas flow path and the second gas flow path communicate with each other.

（付記２）前記蓋体は前記処理容器に対して回動軸を介して回動可能に設けられ、前記第１ブロック、前記第２ブロックは、それぞれ回動軸側に設けられた付記１の基板処理装置。   (Additional remark 2) The said cover body is provided rotatably with respect to the said process container via a rotation axis | shaft, The said 1st block and the said 2nd block are each provided in the rotation axis | shaft side. Substrate processing equipment.

（付記３）前記回動軸は軸受ブロックを介して前記処理容器に設けられ、前記第２ブロックは前記軸受ブロックに設けられた付記２の基板処理装置。   (Supplementary note 3) The substrate processing apparatus of Supplementary note 2, wherein the rotation shaft is provided in the processing container via a bearing block, and the second block is provided in the bearing block.

（付記４）前記第１ブロック、前記第２ブロックの当接面は鉛直面である付記１の基板処理装置。   (Supplementary note 4) The substrate processing apparatus of Supplementary note 1, wherein the contact surfaces of the first block and the second block are vertical surfaces.

（付記５）前記第１ガス流路の出口は前記第１ブロックの上面に開口する付記１の基板処理装置。   (Supplementary Note 5) The substrate processing apparatus of Supplementary Note 1, wherein an outlet of the first gas flow path is opened on an upper surface of the first block.

（付記６）前記第２ガス流路は水平に設けられ、前記第１ガス流路は一部が水平に一部が鉛直に設けられた付記１の基板処理装置。   (Supplementary note 6) The substrate processing apparatus according to supplementary note 1, wherein the second gas flow path is provided horizontally, and the first gas flow path is provided partly horizontally and partly vertically.

本発明の実施の形態を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に於ける処理炉の平面図である。It is a top view of the processing furnace in embodiment of this invention. 図２のＡ−Ａ矢視図である。It is an AA arrow line view of FIG. 本発明の実施の形態に於ける処理炉の開閉作動を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the opening / closing operation | movement of the processing furnace in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態に於ける処理炉の開閉作動を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the opening / closing operation | movement of the processing furnace in embodiment of this invention. 従来の処理炉の開閉作動を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the opening / closing operation | movement of the conventional process furnace. 従来の処理炉の開閉作動を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the opening / closing operation | movement of the conventional process furnace.

符号の説明Explanation of symbols

１ 処理室
２ 反応容器
３ 処理容器
４ 蓋体
５ 排気ライン
６ 処理ガス供給ライン
７ ラジカル供給ライン
１０ ウェーハ
１１ 加熱ヒータ
１４ 処理ガス供給部
２２ ヒンジ部
２３ 真空管継手
２４ リモートプラズマ発生装置
２５ 第１配管部
２６ 処理ガス供給源
２７ 第２配管部
２８ 配管連結装置
５１ 蓋側管継手ブロック
５２ 容器側管継手ブロック
５３ 接合面
５４ 接合面
５５ 第１ガス流路
５６ 第２ガス流路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing chamber 2 Reaction container 3 Processing container 4 Cover body 5 Exhaust line 6 Process gas supply line 7 Radical supply line 10 Wafer 11 Heater 14 Process gas supply part 22 Hinge part 23 Vacuum pipe joint 24 Remote plasma generator 25 1st piping part 26 processing gas supply source 27 second piping section 28 piping connecting device 51 lid side fitting block 52 container side fitting block 53 joining surface 54 joining surface 55 first gas passage 56 second gas passage

Claims (1)

開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。   A processing container having an opening and storing a substrate therein for processing, a lid for closing the opening of the processing container, and a supply port provided in the lid for supplying gas into the processing container A first block fixed to the lid side and having a first gas flow path; and a second gas fixed to the processing container side and facing the first gas flow path so as to face the first block A second block having a flow path, and a pipe connecting the first gas flow path and the supply port, wherein the first block and the second block are in contact with each other when the lid is closed. A substrate processing apparatus, wherein the first gas channel and the second gas channel communicate with each other.

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