JP2009088308A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】安全かつメンテナンス性が高く、メンテナンス頻度を低下することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ1を処理する処理室14と、処理室14内にHCDガス36を供給する成膜ガス供給ライン51と、処理室14内を排気する排気ライン42と、排気ライン42に設けられ処理室14内を排気するポンプ41と、ポンプ41よりも下流側に設けられ排気ガスを除害処理する除害装置45とを備えたCVD装置10において、ポンプ41の下流側に除害装置45を直結する。ポンプの後段において液化したHCDを除害装置によって直ちに除去できるので、ポンプの背圧異常等が起こるのを未然に防止できる。
【選択図】図1
【解決手段】ウエハ1を処理する処理室14と、処理室14内にHCDガス36を供給する成膜ガス供給ライン51と、処理室14内を排気する排気ライン42と、排気ライン42に設けられ処理室14内を排気するポンプ41と、ポンプ41よりも下流側に設けられ排気ガスを除害処理する除害装置45とを備えたCVD装置10において、ポンプ41の下流側に除害装置45を直結する。ポンプの後段において液化したHCDを除害装置によって直ちに除去できるので、ポンプの背圧異常等が起こるのを未然に防止できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子(デバイス)を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にドープドポリシリコン(Doped-Poly Si )膜やノンドープドポリシリコン(NonDoped-Poly Si)膜や窒化シリコン(Si3 N4 )膜や酸化シリコン(SiO2 )膜等の膜を熱CVD装置を使用して堆積(デポジション)させる工程に利用して有効な技術に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において、半導体素子(デバイス)を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)にドープドポリシリコン(Doped-Poly Si )膜やノンドープドポリシリコン(NonDoped-Poly Si)膜や窒化シリコン(Si3 N4 )膜や酸化シリコン(SiO2 )膜等の膜を熱CVD装置を使用して堆積(デポジション)させる工程に利用して有効な技術に関する。
ICの製造方法においては、ウエハにドープドポリシリコン膜やノンドープドポリシリコン膜や窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等のCVD膜を形成する工程にバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置が、広く使用されている。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが収容されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に成膜ガス等を供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えている。
待機室において複数枚のウエハがボートに装填(ウエハチャージング)された後に、待機室から予熱された処理室に搬入(ボートローディング)され、処理室に成膜ガスとしてモノシラン(SiH4 )やジシラン(Si2 H6 )およびジクロロシラン(SiH2 Cl2 )がガス供給管から供給されるとともに、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、ウエハの上にシリコン膜またはシリコン化合物膜が堆積される。例えば、特許文献1参照。
バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置(以下、CVD装置という。)は、ウエハが収容されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されて縦形に設置されたプロセスチューブと、プロセスチューブによって形成された処理室に成膜ガス等を供給するガス供給管と、処理室を真空排気する排気管と、プロセスチューブ外に敷設されて処理室を加熱するヒータユニットと、複数枚のウエハを複数段の保持溝によって保持して処理室に対して搬入搬出するボートと、処理室への搬入搬出に対してボートが待機する待機室とを備えている。
待機室において複数枚のウエハがボートに装填(ウエハチャージング)された後に、待機室から予熱された処理室に搬入(ボートローディング)され、処理室に成膜ガスとしてモノシラン(SiH4 )やジシラン(Si2 H6 )およびジクロロシラン(SiH2 Cl2 )がガス供給管から供給されるとともに、処理室が所定の熱処理温度にヒータユニットによって加熱されることにより、ウエハの上にシリコン膜またはシリコン化合物膜が堆積される。例えば、特許文献1参照。
しかしながら、ジクロロシランやヘキサクロロジシランを用いて成膜した場合、これらのガスは蒸気圧が低いために、成膜装置から排気システムを通り真空ポンプから排出された後に、ポンプと除害装置とを結ぶ配管の中で再液化を起こしてしまう可能性がある。
再液化を起こすと、ポンプの背圧異常を発生させたり、再液化により生じた液化物がメンテナンス時に大気中成分と反応することで、爆発性の化合物を生成する可能性がある。
再液化を起こすと、ポンプの背圧異常を発生させたり、再液化により生じた液化物がメンテナンス時に大気中成分と反応することで、爆発性の化合物を生成する可能性がある。
本発明の目的は、安全かつメンテナンス性が高く、メンテナンス頻度を低下することができる基板処理装置を提供することにある。
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設けられ前記処理室内を排気するポンプと、
前記ポンプよりも下流側に設けられ排気ガスを除害処理する除害装置と、を有し、
前記ポンプと前記除害装置とが直結されていることを特徴とする基板処理装置。
(1)基板を処理する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設けられ前記処理室内を排気するポンプと、
前記ポンプよりも下流側に設けられ排気ガスを除害処理する除害装置と、を有し、
前記ポンプと前記除害装置とが直結されていることを特徴とする基板処理装置。
本発明によれば、安全かつメンテナンス性が高く、メンテナンス頻度を低下することができる基板処理装置を提供することができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置は、図1および図2に示されたCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
本実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置は、図1および図2に示されたCVD装置(バッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置)として構成されている。
図1に示されたCVD装置10は中心線が垂直になるように縦に配されて固定的に支持された縦形のプロセスチューブ11を備えており、プロセスチューブ11はインナチューブ12とアウタチューブ13とから構成されている。インナチューブ12は石英(SiO2 )または炭化シリコン(SiC)が使用されて円筒形状に一体成形され、アウタチューブ13は石英または炭化シリコンが使用されて円筒形状に一体成形されている。
インナチューブ12は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成している。インナチューブ12の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口15を構成している。したがって、インナチューブ12の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
アウタチューブ13は内径がインナチューブ12の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。
インナチューブ12の下端とアウタチューブ13の下端との間は円形リング形状に形成されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16がCVD装置10の筐体31によって支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられている。マニホールド16の下端開口は炉口ゲートバルブ29によって開閉されるようになっている。
インナチューブ12は上下両端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12の筒中空部はボートによって垂直方向に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室14を形成している。インナチューブ12の下端開口は被処理基板としてのウエハを出し入れするための炉口15を構成している。したがって、インナチューブ12の内径は取り扱うウエハの最大外径よりも大きくなるように設定されている。
アウタチューブ13は内径がインナチューブ12の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナチューブ12にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。
インナチューブ12の下端とアウタチューブ13の下端との間は円形リング形状に形成されたマニホールド16によって気密封止されており、マニホールド16がCVD装置10の筐体31によって支持されることにより、プロセスチューブ11は垂直に据え付けられている。マニホールド16の下端開口は炉口ゲートバルブ29によって開閉されるようになっている。
マニホールド16の側壁の上部には排気管17が接続されており、排気管17はインナチューブ12とアウタチューブ13との間に形成された隙間からなる排気路18に連通した状態になっている。排気路18はインナチューブ12とアウタチューブ13との隙間によって横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されており、排気管17はマニホールド16に接続されているため、排気路18の最下端部に配置された状態になっている。
排気管17には処理室14を排気するポンプ41が排気ライン42を介して接続されており、排気ライン42には流量制御弁43と圧力計44とが設備されている。流量制御弁43は制御装置40によって制御されるように構成されており、圧力計44は計測結果を制御装置40に送信するように構成されている。
ポンプ41の吐出口側(下流側)には除害装置45が直結されている。すなわち、ポンプ41のアウトレット(出口)には除害装置45のインレット(入口)が直接接続されており、ポンプ41と除害装置45との間には、ポンプ41と除害装置45とを接続する配管が設けられていない。
除害装置45は排気ガスに含まれる有害物質を燃焼させたり、触媒に潜らせて中和させたり、溶媒に溶かし込んだりすることにより、排気ガスを無害化したり有害物質を除去したりするように構成されている。
排気管17および排気ライン42の配管の外周には、加熱機構としてのヒータ46が敷設されている。ヒータ46は排気管17および排気ライン42が150℃以上の温度を維持するように構成されている。
排気管17には処理室14を排気するポンプ41が排気ライン42を介して接続されており、排気ライン42には流量制御弁43と圧力計44とが設備されている。流量制御弁43は制御装置40によって制御されるように構成されており、圧力計44は計測結果を制御装置40に送信するように構成されている。
ポンプ41の吐出口側(下流側)には除害装置45が直結されている。すなわち、ポンプ41のアウトレット(出口)には除害装置45のインレット(入口)が直接接続されており、ポンプ41と除害装置45との間には、ポンプ41と除害装置45とを接続する配管が設けられていない。
除害装置45は排気ガスに含まれる有害物質を燃焼させたり、触媒に潜らせて中和させたり、溶媒に溶かし込んだりすることにより、排気ガスを無害化したり有害物質を除去したりするように構成されている。
排気管17および排気ライン42の配管の外周には、加熱機構としてのヒータ46が敷設されている。ヒータ46は排気管17および排気ライン42が150℃以上の温度を維持するように構成されている。
マニホールド16の側壁の下部にはガス供給管19が、インナチューブ12の炉口15に連通するように接続されている。ガス供給管19によって炉口15に供給されたガスは、インナチューブ12の処理室14を流通して排気路18を通って排気管17によって排気される。
ガス供給管19には成膜ガス供給源50と窒素ガス供給源60とが、成膜ガス供給ライン51と窒素ガス供給ライン61とを介してそれぞれ接続されている。
成膜ガス供給ライン51と窒素ガス供給ライン61とには、制御装置40によってそれぞれ制御される成膜ガス流量制御弁52と窒素ガス流量制御弁62とがそれぞれ設けられている。
ガス供給管19および成膜ガス供給ライン51の配管の外周には、加熱機構としてのヒータ53が敷設されている。ヒータ53はガス供給管19および成膜ガス供給ライン51が150℃以上の温度を維持するように構成されている。
ガス供給管19には成膜ガス供給源50と窒素ガス供給源60とが、成膜ガス供給ライン51と窒素ガス供給ライン61とを介してそれぞれ接続されている。
成膜ガス供給ライン51と窒素ガス供給ライン61とには、制御装置40によってそれぞれ制御される成膜ガス流量制御弁52と窒素ガス流量制御弁62とがそれぞれ設けられている。
ガス供給管19および成膜ガス供給ライン51の配管の外周には、加熱機構としてのヒータ53が敷設されている。ヒータ53はガス供給管19および成膜ガス供給ライン51が150℃以上の温度を維持するように構成されている。
マニホールド16の下端面には処理室14を閉塞するシールキャップ20が、下側から当接されるようになっている。シールキャップ20はマニホールド16の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ(図示せず)によって垂直方向に昇降されるように構成されている。
シールキャップ20の中心線上には、被処理基板としてのウエハ1を保持するためのボート21が垂直に立脚されて支持されるようになっている。
ボート21は石英または炭化シリコンが全体的に使用されて形成されており、上下で一対の端板22、23と、上側端板22と下側端版23との間に架設されて垂直に配設された複数本(図示例では三本)の保持部材24とを備えている。各保持部材24には多数条の保持溝25が、長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。
ボート21は石英または炭化シリコンが全体的に使用されて形成されており、上下で一対の端板22、23と、上側端板22と下側端版23との間に架設されて垂直に配設された複数本(図示例では三本)の保持部材24とを備えている。各保持部材24には多数条の保持溝25が、長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。
アウタチューブ13の外部にはプロセスチューブ11内を加熱するヒータユニット30が、アウタチューブ13の周囲を包囲するように同心円に設備されており、ヒータユニット30はプロセスチューブ11内を全体にわたって均一または予め設定された温度分布に加熱するように構成されている。ヒータユニット30はCVD装置10の筐体31に支持されることによって垂直に据え付けられた状態になっている。
図1に示されているように、筐体31はヒータユニット設置室32と、ボート21が処理室14に対しての搬入搬出に待機する待機室33とを備えている。
待機室33はロードロック方式に構成されている。ロードロック方式とは、ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と被処理物の搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度、圧力等の外乱を小さくして品質の安定化を目的とした方式、である。
筐体31の待機室33の側壁には待機室33を排気する排気管34と、待機室33にパージガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管35とがそれぞれ接続されている。排気管34は流量制御弁48および圧力計49が設備された排気ライン47を介してポンプ41に接続されている。流量制御弁48は制御装置40によって制御されるように構成されており、圧力計49は計測結果を制御装置40に送信するように構成されている。
窒素ガス供給管35は窒素ガス流量制御弁64が設備された窒素ガス供給ライン63を介して窒素ガス供給源60に接続されており、窒素ガス流量制御弁64は制御装置40によって制御されるように構成されている。
なお、待機室33の他の側壁にはゲートバルブによって開閉されるウエハ搬入搬出口が開設されている。待機室33の内部にはシールキャップ20を昇降させるボートエレベータ(図示せず)が設置されている。
待機室33はロードロック方式に構成されている。ロードロック方式とは、ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と被処理物の搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度、圧力等の外乱を小さくして品質の安定化を目的とした方式、である。
筐体31の待機室33の側壁には待機室33を排気する排気管34と、待機室33にパージガスとしての窒素ガスを供給する窒素ガス供給管35とがそれぞれ接続されている。排気管34は流量制御弁48および圧力計49が設備された排気ライン47を介してポンプ41に接続されている。流量制御弁48は制御装置40によって制御されるように構成されており、圧力計49は計測結果を制御装置40に送信するように構成されている。
窒素ガス供給管35は窒素ガス流量制御弁64が設備された窒素ガス供給ライン63を介して窒素ガス供給源60に接続されており、窒素ガス流量制御弁64は制御装置40によって制御されるように構成されている。
なお、待機室33の他の側壁にはゲートバルブによって開閉されるウエハ搬入搬出口が開設されている。待機室33の内部にはシールキャップ20を昇降させるボートエレベータ(図示せず)が設置されている。
次に、前記構成に係るCVD装置を使用した本発明の一実施形態に係るICの製造方法の成膜工程を、ウエハにシリコン膜を形成する場合について説明する。
複数枚のウエハ1がボート21に装填されるウエハチャージングステップにおいては、図1に示されているように、ボート21が待機室33に待機され、炉口ゲートバルブ29が閉じられた状態で、複数枚のウエハ1がボート21にウエハ移載装置によって装填されて行く。
この際、待機室33は窒素ガス供給管35によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって、窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン63を通じて窒素ガス供給管35から待機室33に供給させ、待機室33の圧力を大気圧(約1013hPa)に維持する。
この待機室33の窒素ガスパージによって、ウエハ1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハチャージング作業を実施することができる。
この際、待機室33は窒素ガス供給管35によって供給された窒素ガスによってパージされる。すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって、窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン63を通じて窒素ガス供給管35から待機室33に供給させ、待機室33の圧力を大気圧(約1013hPa)に維持する。
この待機室33の窒素ガスパージによって、ウエハ1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハチャージング作業を実施することができる。
所定の枚数のウエハ1が装填されたボート21が処理室14にボートローディングされるボートローディングステップにおいては、炉口ゲートバルブ29が開けられ炉口15が開口された後に、ボート21はボートエレベータによって差し上げられてインナチューブ12の炉口15から処理室14にボートローディングされて行き、図2に示されているように、炉口15を気密シールしたシールキャップ20に支持されたままの状態で、処理室14に存置される。
このボートローディングに際して、待機室33および処理室14はそれぞれ200Paとなるように、窒素ガス供給管35およびガス供給管19から窒素ガスを供給しつつ、排気管34および排気管17によってそれぞれ排気される。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって窒素ガス供給管35から待機室33への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁48を制御することによって待機室33を排気し、待機室33を200Paまで減圧して維持する。
また、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって処理室14を排気し、処理室14の圧力を200Paに維持する。
この状態すなわち待機室33と処理室14との圧力が略等しくなった状態で、炉口ゲートバルブ29が開けられることにより、処理室14と待機室33が連通し、200Paの圧力のもとボートローディングが行われる。
この際、炉口ゲートバルブ29が閉じられて、炉口15が気密にシールされている。
また、処理室14の温度は熱処理温度を維持するように制御されている。
さらに、ガス供給管19および成膜ガス供給ライン51がヒータ53によって150℃以上に加熱され、排気管17および排気ライン42がヒータ46によって150℃以上に加熱されている。
このボートローディングに際して、待機室33および処理室14はそれぞれ200Paとなるように、窒素ガス供給管35およびガス供給管19から窒素ガスを供給しつつ、排気管34および排気管17によってそれぞれ排気される。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって窒素ガス供給管35から待機室33への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁48を制御することによって待機室33を排気し、待機室33を200Paまで減圧して維持する。
また、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって処理室14を排気し、処理室14の圧力を200Paに維持する。
この状態すなわち待機室33と処理室14との圧力が略等しくなった状態で、炉口ゲートバルブ29が開けられることにより、処理室14と待機室33が連通し、200Paの圧力のもとボートローディングが行われる。
この際、炉口ゲートバルブ29が閉じられて、炉口15が気密にシールされている。
また、処理室14の温度は熱処理温度を維持するように制御されている。
さらに、ガス供給管19および成膜ガス供給ライン51がヒータ53によって150℃以上に加熱され、排気管17および排気ライン42がヒータ46によって150℃以上に加熱されている。
処理室14においてボート21によって保持されたウエハ1を処理する処理ステップにおいては、処理室14の内部が所定の真空度となるようにガス供給管19から窒素ガスを流しつつ、排気管17によって排気される。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって処理室14を排気し、処理室14内を所定の圧力に減圧する。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによってガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって処理室14を排気し、処理室14内を所定の圧力に減圧する。
次いで、処理ガス36としてヘキサクロロジシラン(Si2 Cl6 、以下、HCDという。)ガスが処理室14に、ガス供給管19によって供給され、ウエハ1の表面に所望の薄膜としてのシリコン膜が熱CVD法により堆積(デポジション)される。
すなわち、制御装置40は成膜ガス流量制御弁52を制御することによって、処理ガス36としてのHCDガスを処理室14へガス供給管19によって供給する。
供給された処理ガス36はインナチューブ12の処理室14を上昇し、上端開口からインナチューブ12とアウタチューブ13との隙間によって形成された排気路18に流出して排気管17から排気される。
すなわち、制御装置40は成膜ガス流量制御弁52を制御することによって、処理ガス36としてのHCDガスを処理室14へガス供給管19によって供給する。
供給された処理ガス36はインナチューブ12の処理室14を上昇し、上端開口からインナチューブ12とアウタチューブ13との隙間によって形成された排気路18に流出して排気管17から排気される。
予め設定された処理時間が経過すると、シールキャップ20が下降されて処理室14の炉口15が開口されるとともに、ボート21に保持された状態でウエハ1群が炉口15からプロセスチューブ11の外部に搬出(ボートアンローディング)される。
このボートアンローディングステップにおいては、処理室14の圧力は200Paに増圧され、200Paに維持されている待機室33の圧力と略同一となる。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによって、ガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって、処理室14の圧力を200Paに増圧し維持する。
このようにして、ボートアンローディングステップが200Paのような低圧下において実施されると、処理済のウエハ1の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に防止することができる。
このボートアンローディングステップにおいては、処理室14の圧力は200Paに増圧され、200Paに維持されている待機室33の圧力と略同一となる。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁62を制御することによって、ガス供給管19から処理室14への窒素ガス流量を制御し、流量制御弁43を制御することによって、処理室14の圧力を200Paに増圧し維持する。
このようにして、ボートアンローディングステップが200Paのような低圧下において実施されると、処理済のウエハ1の自然酸化膜の生成をきわめて効果的に防止することができる。
待機室33にボートアンローディングされたボート21から処理済のウエハ1が脱装されるウエハディスチャージングステップにおいては、待機室33は窒素ガス供給管35によって供給された窒素ガスによってパージされる。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって、窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン63を通じて窒素ガス供給管35から待機室33に供給させ、待機室33の圧力を大気圧まで増圧して維持する。
この待機室33の窒素ガスパージによって、高温になった処理済のウエハ1を強制的に冷却することができる。
処理済のウエハ1の温度がウエハ移載装置の取扱可能温度まで低下すると、処理済のウエハ1群がボート21からウエハ移載装置によって脱装される。この際、待機室33は窒素ガスパージされているので、処理済のウエハ1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハディスチャージング作業を実施することができる。
すなわち、制御装置40は窒素ガス流量制御弁64を制御することによって、窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン63を通じて窒素ガス供給管35から待機室33に供給させ、待機室33の圧力を大気圧まで増圧して維持する。
この待機室33の窒素ガスパージによって、高温になった処理済のウエハ1を強制的に冷却することができる。
処理済のウエハ1の温度がウエハ移載装置の取扱可能温度まで低下すると、処理済のウエハ1群がボート21からウエハ移載装置によって脱装される。この際、待機室33は窒素ガスパージされているので、処理済のウエハ1における自然酸化膜の生成を防止しつつ、大気圧下でのウエハディスチャージング作業を実施することができる。
以降、前述した各ステップが反復されることにより、成膜工程が繰り返し実施されて行く。
以上の成膜工程において処理ガス36として使用されたHCDガスには水素原子(H)が含有しないために、HCDガスの熱CVD法によってウエハ1上に形成されたシリコン膜には水素が含有しない。
したがって、HCDによってシリコン膜が形成されたウエハが、この後の工程において、HCDガスによる成膜温度以上の温度に曝された時に、残留水素が周囲の膜に拡散し、デバイス特性を劣化させることはない。
なお、次の成膜条件の例によれば、水素が含有していないシリコン膜を、1Å/分の成膜レートをもって形成できることが確認された。
温度:600℃、圧力:6.5Torr(約8.6645hPa)、HCDガスの流量:0.1slm。
したがって、HCDによってシリコン膜が形成されたウエハが、この後の工程において、HCDガスによる成膜温度以上の温度に曝された時に、残留水素が周囲の膜に拡散し、デバイス特性を劣化させることはない。
なお、次の成膜条件の例によれば、水素が含有していないシリコン膜を、1Å/分の成膜レートをもって形成できることが確認された。
温度:600℃、圧力:6.5Torr(約8.6645hPa)、HCDガスの流量:0.1slm。
ところで、HCDは蒸気圧以下になると、液化するために、ガス供給管19や成膜ガス供給ライン51や排気管17および排気ライン42に付着する可能性がある。
しかし、本実施の形態においては、ガス供給管19や成膜ガス供給ライン51をヒータ53によって150℃以上に加熱し、排気管17および排気ライン42をヒータ46によって150℃以上に加熱することにより、HCDが液化するのを防止することができるので、その付着を防止することができる。
万一、HCDが液化したとしても、窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン61を通じて、ガス供給管19や成膜ガス供給ライン51や排気管17および排気ライン42に流すことにより、付着を防止することができる。
しかし、本実施の形態においては、ガス供給管19や成膜ガス供給ライン51をヒータ53によって150℃以上に加熱し、排気管17および排気ライン42をヒータ46によって150℃以上に加熱することにより、HCDが液化するのを防止することができるので、その付着を防止することができる。
万一、HCDが液化したとしても、窒素ガス供給源60の窒素ガスを窒素ガス供給ライン61を通じて、ガス供給管19や成膜ガス供給ライン51や排気管17および排気ライン42に流すことにより、付着を防止することができる。
ここで、ポンプ41の後段においては常圧になるために、未反応のHCDが液化する。液化したHCDはポンプ41の背圧異常等を引き起こすので、除去する必要がある。
本実施の形態においては、ポンプ41と、その後段に設けられる除害装置45とが直結されており、両者間には両者を接続する配管が設けられていないので、ポンプ41の後段においてHCDが液化したとしても、液化したHCDをポンプ41の吐出側に直結された除害装置45によって直ちに除去することができるので、ポンプ41の背圧異常等が起こるのを未然に防止することができ、また、液化したHCDがメンテナンス時に大気中成分と反応することで爆発性の化合物を生成するのを未然に防止することができる。
性る。
本実施の形態においては、ポンプ41と、その後段に設けられる除害装置45とが直結されており、両者間には両者を接続する配管が設けられていないので、ポンプ41の後段においてHCDが液化したとしても、液化したHCDをポンプ41の吐出側に直結された除害装置45によって直ちに除去することができるので、ポンプ41の背圧異常等が起こるのを未然に防止することができ、また、液化したHCDがメンテナンス時に大気中成分と反応することで爆発性の化合物を生成するのを未然に防止することができる。
性る。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、付着した原料を不活性化または除去するためのアンモニア(NH3 )ガスパージ機構を設けてもよい。
HCDは大気中の水分と反応し、酸化シリコン(SiO2 )や塩酸(HCl)やポリシロキサン等を生成する可能性があるため、CVD装置の状態維持や安全性確保の観点から、CVD装置のメンテナンス前には残留成分の除去や失活処理が必要になる。
そこで、メンテナンスの大気開放前にアンモニアを供給することにより、残留成分を除去または失活処理することが好ましい。アンモニアガスパージ機構は、ガス供給管19、成膜ガス供給ライン51、排気管17、排気ライン42の少なくともいずれかに設けるのが好ましく、成膜ガス供給ライン51および排気管17に設けるのがより好ましい。
HCDは大気中の水分と反応し、酸化シリコン(SiO2 )や塩酸(HCl)やポリシロキサン等を生成する可能性があるため、CVD装置の状態維持や安全性確保の観点から、CVD装置のメンテナンス前には残留成分の除去や失活処理が必要になる。
そこで、メンテナンスの大気開放前にアンモニアを供給することにより、残留成分を除去または失活処理することが好ましい。アンモニアガスパージ機構は、ガス供給管19、成膜ガス供給ライン51、排気管17、排気ライン42の少なくともいずれかに設けるのが好ましく、成膜ガス供給ライン51および排気管17に設けるのがより好ましい。
未反応HCDを除去または不活性化するためのアンモニアガスパージ機構やクリーニングガス(例えば、三弗化塩素(ClF3 )ガス)パージ機構を設けてもよい。
CVD装置はシリコン膜の成膜工程に限らず、ドープドポリシリコン膜、窒化シリコン、ノンドープドポリシリコン膜、ノンドープドアモルファスシリコン膜、ドープドアモルファスシリコン膜、酸化シリコン膜、さらには、酸化タンタル膜、酸化ジルコニウム膜等の金属酸化膜等、CVDによる成膜工程全般に適用することができる。
アウタチューブとインナチューブとからなるプロセスチューブを備えたバッチ式縦形ホットウオール形減圧CVD装置に限らず、本発明はアウタチューブだけのプロセスチューブを備えたものや枚葉式CVD装置等の他のCVD装置、さらには、各種の熱処理工程を実施する熱処理装置(furnace )等の基板処理装置全般に適用することができる。
前記実施の形態ではウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
1…ウエハ(基板)、
10…CVD装置(基板処理装置)、11…プロセスチューブ、12…インナチューブ、13…アウタチューブ、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド、17…排気管、18…排気路、19…ガス供給管、20…シールキャップ、
21…ボート、22、23…端板、24…保持部材、25…保持溝、
29…炉口ゲートバルブ、
30…ヒータユニット、31…筐体、32…ヒータユニット設置室、33…待機室、
34…排気管、35…窒素ガス供給管、36…処理ガス(HCDガス)、
40…制御装置、41…ポンプ、42…排気ライン、43…流量制御弁、44…圧力計、45…除害装置、46…ヒータ(加熱機構)、
47…排気ライン、48…流量制御弁、49…圧力計、
50…成膜ガス供給源、51…成膜ガス供給ライン、52…成膜ガス流量制御弁、53…ヒータ(加熱機構)、
60…窒素ガス供給源、61、63…窒素ガス供給ライン、62、64…窒素ガス流量制御弁。
10…CVD装置(基板処理装置)、11…プロセスチューブ、12…インナチューブ、13…アウタチューブ、14…処理室、15…炉口、16…マニホールド、17…排気管、18…排気路、19…ガス供給管、20…シールキャップ、
21…ボート、22、23…端板、24…保持部材、25…保持溝、
29…炉口ゲートバルブ、
30…ヒータユニット、31…筐体、32…ヒータユニット設置室、33…待機室、
34…排気管、35…窒素ガス供給管、36…処理ガス(HCDガス)、
40…制御装置、41…ポンプ、42…排気ライン、43…流量制御弁、44…圧力計、45…除害装置、46…ヒータ(加熱機構)、
47…排気ライン、48…流量制御弁、49…圧力計、
50…成膜ガス供給源、51…成膜ガス供給ライン、52…成膜ガス流量制御弁、53…ヒータ(加熱機構)、
60…窒素ガス供給源、61、63…窒素ガス供給ライン、62、64…窒素ガス流量制御弁。
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理室内を排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設けられ前記処理室内を排気するポンプと、
前記ポンプよりも下流側に設けられ排気ガスを除害処理する除害装置と、を有し、
前記ポンプと前記除害装置とが直結されていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2007257111A JP2009088308A (ja) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 基板処理装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9875895B2 (en) * | 2011-11-17 | 2018-01-23 | Eugene Technology Co., Ltd. | Substrate processing apparatus including exhaust ports and substrate processing method |
KR20220046661A (ko) | 2019-09-19 | 2022-04-14 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
WO2024014405A1 (ja) * | 2022-07-15 | 2024-01-18 | エドワーズ株式会社 | 真空排気システムおよびクリーニング方法 |
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JPH0433654U (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-19 | ||
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-
2007
- 2007-10-01 JP JP2007257111A patent/JP2009088308A/ja active Pending
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