JP2009062206A - 水素化アモルファスカーボン膜 - Google Patents
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Abstract
【課題】低面粗度による低い相手攻撃性を有するばかりでなく、高硬度を有し、さらに、優れた耐磨耗性を有するとともに、従来のPVD法よりも生産性が高く、膜の着き回り性に優れるCVD法によって製造できるため、低コストを実現できる水素化アモルファスカーボン膜の提供。
【解決手段】プラズマCVD法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Arレーザ(波長:488nm)によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1であることを特徴とする。
【選択図】図2
【解決手段】プラズマCVD法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Arレーザ(波長:488nm)によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1であることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、自動車をはじめとする機械装置の摺動部品、工具、金型等に利用できる水素化アモルファスカーボン膜に関する。
従来、非晶質(アモルファス)カーボン膜は、従来、アークイオンプレーティングによって成膜されている。このアークイオンプレーティングは、固体炭素を溶融蒸発させて炭素イオンを生成し、基材に蒸着させるPVD(物理蒸着)を利用する成膜方法である。そして、これまでにDLC(Diamond-Like-Carbon)をはじめとするアモルファス(非晶質)カーボン膜は、低摩擦係数かつ耐磨耗性に優れることから、自動車をはじめとする機械装置の摺動部品、切削工具、切断工具、あるいは金型の表面被膜として利用されている。例えば、特許文献1〜3には、切削工具や切断工具の表面に耐摩耗性、耐溶着性等を付与するため、切削工具等の表面を非晶質(アモルファス)カーボン膜で被覆することが開示されている。
このアークイオンプレーティングにより得られる非晶質(アモルファス)カーボン膜は、水素原子をほとんど含まない非晶質炭素膜であり、緻密で非常に高硬度であることが知られている。これは、従来、非晶質(アモルファス)カーボン膜は、水素を含有すると硬度低下が起こる、と考えられ、そのため、原理的に水素原子を含まない非晶質(アモルファス)カーボン膜を形成できるアークイオンプレーティングが用いられている。
特開2003−62705号公報
特開2003−62706号公報
特開2003−62708号公報
しかしながら、アークイオンプレーティングによる非晶質(アモルファス)カーボン膜は、蒸着したままでは非常に面粗度が大きく、表面が荒れた状態となり、高硬度であるために摺動材として用いた場合には相手攻撃性が非常に高くなるという問題がある。そのため、成膜後にマシニングやラッピング等の研磨工程が必要であった。
また、従来のアークイオンプレーティングによって得られる非晶質(アモルファス)カーボン膜は、高硬度であるが、残留応力が非常に高く、膜が厚すぎると自己破壊するため、膜厚が0.5μm程度に制限され、膜厚を厚くできない。
さらに、従来のアークイオンプレーティングによって得られる非晶質(アモルファス)カーボン膜は、複雑な形状への膜の着きまわりが悪く、また、被覆領域に制約がある。したがって、生産性や効率の点で劣る。
さらにまた、面粗度や相手攻撃性の問題を解決するため、成膜工程で生じる溶融粒子を取り除くための様々なフィルタリング手法が考案されているが、生産性や効率が悪く、比較的小さな面積にしか成膜できないという問題がある。
さらにまた、面粗度や相手攻撃性の問題を解決するため、成膜工程で生じる溶融粒子を取り除くための様々なフィルタリング手法が考案されているが、生産性や効率が悪く、比較的小さな面積にしか成膜できないという問題がある。
そこで、本発明の課題は、低面粗度による低い相手攻撃性を示すばかりでなく、高硬度を有するため優れた耐磨耗性を有するとともに、従来のPVD法よりも生産性が高く、膜の着き回り性に優れるCVD法によって製造できるため、低コストを実現できる水素化アモルファスカーボン膜を提供することにある。
前記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、プラズマCVD法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Arレーザ(波長:488nm)によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1であることを特徴とする。
この水素化アモルファスカーボン膜は、プラズマCVD法によって炭化水素ガスから生成し、さらに、Arレーザ(波長:488nm)によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1を示すものであるため、低面粗度による低い相手攻撃性を示すばかりでなく、高硬度を有するため優れた耐磨耗性を有するとともに、従来のPVD法よりも生産性が高く、膜の着き回り性に優れるCVD法によって製造できるため、低コストを実現できる。
請求項2に係る発明は、前記水素化アモルファスカーボン膜において、水素の含有量が、17〜30原子%であることを特徴とする。
この水素化アモルファスカーボン膜は、水素の含有量が17〜30原子%であるものが、硬度および耐摩耗性がより良好であるため、好ましい。
請求項3に係る発明は、前記水素化アモルファスカーボン膜において、マルテンス硬度が9000N/mm2以上であることを特徴とする。
この水素化アモルファスカーボン膜は、マルテンス硬度が9000N/mm2以上であるものが、自動車の摺動部材の摺動面等に適用して、適度な硬さ、耐摩耗性および相手攻撃性を得ることができる。
本発明の水素化アモルファスカーボン膜は、低面粗度による低い相手攻撃性を有するばかりでなく、高硬度で優れた耐磨耗性を有する。すなわち、成膜された表面の面粗度が小さいとともに、硬度が高いため、摺動部における相手攻撃性や摩擦係数が低減する。そして、従来のPVD法よりも生産性が高いCVD法に着き回り性に優れる膜を成膜できるため、被覆性の向上と低コストを実現できる。そのため、本発明の水素化アモルファスカーボン膜は、幅広い工業製品への応用が可能であり、例えば、自動車をはじめとする各種の機械装置、工業製品の幅広い分野における摺動部品、工具、金型の摺動面や摩擦面に適用して、その性能の向上を得ることができる。
本発明において、従来は、水素を含有すると硬度低下が起こるために敬遠されていた水素化アモルファスカーボン膜が、プラズマCVD法を用いることで硬度低下なく生成でき、その生産性の高さから低コストでの成膜が可能となる。
また、本発明の水素化アモルファスカーボン膜は、水素を含有することにより、オイルや添加剤等の潤滑剤との親和性、さらには表面官能基との置換による更なる高機能化が期待できる。
また、本発明の水素化アモルファスカーボン膜は、水素を含有することにより、オイルや添加剤等の潤滑剤との親和性、さらには表面官能基との置換による更なる高機能化が期待できる。
以下、本発明の水素化アモルファスカーボン膜(以下、「本発明のDLC膜」という)について詳細に説明する。
本発明のDLC膜は、プラズマCVD法によって炭化水素ガスを原料として得られるものである。
ここで、プラズマCVD法は、高周波、マイクロ波等の放電により原料ガスをプラズマ励起させて、基板上にイオンやラジカルを堆積させ、基板表面でのイオンやラジカル種の結合によって所望の化合物を結晶または非晶質の状態で成長させる方法である。本発明においては、原料ガスとして、炭化水素ガスを用いることによって、DLC膜を成膜することができる。
ここで、プラズマCVD法は、高周波、マイクロ波等の放電により原料ガスをプラズマ励起させて、基板上にイオンやラジカルを堆積させ、基板表面でのイオンやラジカル種の結合によって所望の化合物を結晶または非晶質の状態で成長させる方法である。本発明においては、原料ガスとして、炭化水素ガスを用いることによって、DLC膜を成膜することができる。
このプラズマCVD法によって炭化水素ガスを原料として得られる、本発明のDLC膜は、従来のアークイオンプレーティング法によって得られるアモルファスカーボン膜がほとんど水素を含有しないものであるのとは異なり、水素を含有するものである。そして、本発明のDLC膜は、水素含有量が17〜30原子%であるものが、硬度および耐摩耗性が優れるものであるため、機械部品の摺動部や金型・工具の表面処理に好適である。
本発明において、DLC膜の製造に用いられるプラズマCVD法は、特に制限されず、炭化水素ガスを原料としてDLC膜を成膜できる方法であれば、いずれの方法によって成膜してもよい。特に、表面荒れの要因の1つである溶融粒子(ドロップレット)の発生が少ないソフトなプロセスであることから、高周波プラズマCVD法が有利である。
図1は、本発明のDLC膜の製造に用いる高周波誘導結合プラズマCVD装置の構成例を示す。
図1に示す高周波誘導結合プラズマCVD装置1は、反応チャンバ2と、高周波電源3と、基板バイアス電圧印加装置4と、真空ポンプ5とを備える。反応チャンバ2内には、基板6を支持する基板支持部材7と、高周波電源3に接続され反応チャンバ2内に導入される炭化水素ガスHCに高周波を印加するループ状の高周波アンテナ8とが配設されている。
図1に示す高周波誘導結合プラズマCVD装置1は、反応チャンバ2と、高周波電源3と、基板バイアス電圧印加装置4と、真空ポンプ5とを備える。反応チャンバ2内には、基板6を支持する基板支持部材7と、高周波電源3に接続され反応チャンバ2内に導入される炭化水素ガスHCに高周波を印加するループ状の高周波アンテナ8とが配設されている。
この高周波誘導結合プラズマCVD装置1においては、真空ポンプ5によって反応チャンバ2内を、2.0×10−3Pa程度に減圧した後、反応チャンバ2に設けられた原料ガス導入口2aから炭化水素ガスHCを反応チャンバ2内に導入する。導入された炭化水素ガスHCは、高周波電源3から高周波電力を供給される高周波アンテナ8から放電される高周波(例えば、周波数:13.56MHz、出力:50〜200W)によって、プラズマ励起される。プラズマ励起によって生成したラジカルは、回転する基板支持部材7に支持された基板6の表面に堆積して、DLC膜が成膜される。
本発明のDLC膜は、Arレーザ(波長:488nm)によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1である。図2に、DLC膜について測定されるラマンスペクトルの一例を示す。このDLC膜のラマンスペクトルは、図2に示すように、1555cm−1付近にピークを有するGバンドと、1390cm−1付近にピークを有するDバンドと、の2つのピークに波形分離される。このDLCのラマンスペクトルの測定は、特に制限されず、汎用されるレーザラマン分光分析装置を用いて行うことができる。
本発明において、G−バンドシフトが1550〜1559cm−1、G−バンドシフトの半値幅が180〜197cm−1であるDLC膜は、マルテンス硬度9000N/mm2以上の高硬度を示し、機械摺動部の耐磨耗膜として好ましい。
次に、本発明のDLC膜の製造方法について、前記図1に示す高周波誘導結合プラズマCVD装置1を用いる場合について図3によって説明する。
本発明のDLC膜は、まず、高周波誘導結合プラズマCVD装置1の基板支持部材7に基板6を載置した後、原料導入口2aからArガスを反応チャンバ2内に40sccmの流量で供給するとともに、高周波電源3から高周波電力を供給して高周波アンテナ8から高周波放電を行ってプラズマを生成し、そのプラズマによってArガスをイオン化して、基板6の表面に衝突させる処理、すなわち、イオンボンバードによって、基板6の表面を10分間洗浄する(基板洗浄:ステップS1)。
本発明のDLC膜は、まず、高周波誘導結合プラズマCVD装置1の基板支持部材7に基板6を載置した後、原料導入口2aからArガスを反応チャンバ2内に40sccmの流量で供給するとともに、高周波電源3から高周波電力を供給して高周波アンテナ8から高周波放電を行ってプラズマを生成し、そのプラズマによってArガスをイオン化して、基板6の表面に衝突させる処理、すなわち、イオンボンバードによって、基板6の表面を10分間洗浄する(基板洗浄:ステップS1)。
次に、TMS(テトラメチルシラン)ガスを、原料導入口2aから10sccmの流量で供給するとともに、高周波アンテナ8から5分間高周波放電を行って、基板6の表面に中間層としてSi−C膜を成膜する(中間層の形成:ステップS2)。この中間層は、その上に成膜するDLC膜の密着性の向上のために形成するものであり、形成しなくてもよい。
次に、原料導入口2aから反応チャンバ2内に原料ガスとして炭化水素ガスを供給するとともに、高周波電源3から高周波電力を供給して高周波アンテナ8から高周波放電を行ってプラズマを生成し、そのプラズマによって基板6の表面にDLC膜を成膜する(DLC膜の形成:ステップS3)。
この製造方法において、DLC膜を成膜する基板6の代わりに、実際にDLC膜を成膜する部材等を、基板支持部材7に取り付けて、前記の方法によってDLC膜を成膜することによって、低面粗度による低い相手攻撃性を示すばかりでなく、高硬度を有するため耐摩耗性に優れるDLC膜を表面に有する部材等を得ることができる。このDLC膜を成膜する対象は、特に制限されず、本発明のDLC膜は、例えば、自動車をはじめとする機械装置の摺動部品、切削工具、切断工具、あるいは金型、また、耐傷付き性の向上や防錆を目的とした耐環境保護膜等として広範囲の工業製品に適用して、高硬度かつ優れた耐磨耗性を有し、低面粗度による低い相手攻撃性を有する被膜を形成することができる。そして、本発明のDLC膜は、従来のPVD法よりも生産性が高く、膜の着き回り性に優れるCVD法によって製造できるため、低コストを実現できる。
また、DLC膜を成膜するために原料として用いられる炭化水素ガスは、C2H2、C6H6、CH4、シクロヘキサン、トルエン、ヘキサン、ブタン、ペンタン、エタン等を用いることができる。中でも、イオン化ポテンシャルが低く、成膜速度や効率が高く、かつ、水素原子の含有量が少ないことから、C2H2、C6H6が好ましい。
本発明のDLC膜は、マルテンス硬度が9000N/mm2以上であるものが、自動車の摺動部材の摺動面等に適用して、適度な硬さおよび耐摩耗性を得ることができることから、好ましい。本発明において、マルテンス硬度は、先端が尖った三角錐状の圧子を、DLC膜の表面に荷重を加えながら押し込み、負荷増加時の荷重−押し込み深さ曲線の値から求められる硬さであり、例えば、ISO14577に準拠した方法によって測定される。
以下、本発明の実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
(実施例1〜7、比較例1〜6)
図1に示す構造を有する高周波誘導結合プラズマCVD装置を用いて、原料ガスのガス種および流量(sccm)、RF出力、基板バイアス電圧、バイアス形式等の成膜条件を、表1または表3に示すように変えて、SPCC(冷間圧延鋼板)、ハイス鋼、超硬合金からなる基板の表面に水素化アモルファスカーボン膜を成膜した。
図1に示す構造を有する高周波誘導結合プラズマCVD装置を用いて、原料ガスのガス種および流量(sccm)、RF出力、基板バイアス電圧、バイアス形式等の成膜条件を、表1または表3に示すように変えて、SPCC(冷間圧延鋼板)、ハイス鋼、超硬合金からなる基板の表面に水素化アモルファスカーボン膜を成膜した。
得られた水素化アモルファスカーボン膜について、下記の装置および測定条件で、ラマン分光分析を行い、また、マルテンス硬度および面粗度を測定した。さらに、参考例として、水素化アモルファスカーボン膜を有しない未処理基板についても面粗度を測定した。
結果を表2および表4に示す。
結果を表2および表4に示す。
ラマン分光分析
レーザーラマン分光分析装置:日本分光(株)製、NRS−2100
レーザー:波長488nmのArレーザを用いて出力を45〜55mWに調整した。
波形分離:フォークト関数によりカーブフィッティングし、波形分離してG−バンドシフト、G−バンド半値幅、D−バンドシフトおよびD−バンド半値幅を求めた。
レーザーラマン分光分析装置:日本分光(株)製、NRS−2100
レーザー:波長488nmのArレーザを用いて出力を45〜55mWに調整した。
波形分離:フォークト関数によりカーブフィッティングし、波形分離してG−バンドシフト、G−バンド半値幅、D−バンドシフトおよびD−バンド半値幅を求めた。
マルテンス硬度の測定(ISO14577準拠)
硬さ試験機:(株)フィッシャーインストルメンツ製、超微小硬さ試験機 PICODENTOR、HM500を用いて、微小ビッカース型ダイヤモンド圧子の荷重2.45mNでマルテンス硬度(HM)を測定した。
硬さ試験機:(株)フィッシャーインストルメンツ製、超微小硬さ試験機 PICODENTOR、HM500を用いて、微小ビッカース型ダイヤモンド圧子の荷重2.45mNでマルテンス硬度(HM)を測定した。
面粗度
表面粗さ測定機((株)ミツトヨ製、SV−3000CNC)により、JIS B 0601に準拠して面粗度を測定した。
表面粗さ測定機((株)ミツトヨ製、SV−3000CNC)により、JIS B 0601に準拠して面粗度を測定した。
次に、実施例および比較例で得られたDLC膜について、走査型プローブ顕微鏡((株)島津製作所製、SPH−1)を用いて観察し、表面状態を示す写真を得た。図4(A)が実施例3で得られたDLC膜の表面状態を示す写真、図4(B)が比較例2で得られたDLC膜の表面状態を示す写真である。
これらの写真から、表2および表4に示すとおり、実施例3のDLCと比較例2のDLC膜とは、面粗度が著しく異なり、実施例3のDLC膜の方が、比較例2のDLC膜よりも面粗度が小さいことが分かる。
これらの写真から、表2および表4に示すとおり、実施例3のDLCと比較例2のDLC膜とは、面粗度が著しく異なり、実施例3のDLC膜の方が、比較例2のDLC膜よりも面粗度が小さいことが分かる。
また、表2に示す実施例1〜7のDLC膜と、表4に示す比較例1〜4のDLC膜とは、面粗度(Ra,Ry,Rz)がほぼ同程度の数値を示しており、面粗度に大きな差はない。しかし、硬度(マルテンス硬度:HM)では、表2に示す実施例1〜7は、表4に示す比較例1〜4に比べて、高い硬度(9000N/mm2以上)を有するものであることが分かる。したがって、プラズマCVD法によって成膜した場合でも、ラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1である実施例1〜7のDLC膜が、このGバンドシフトおよびGバンド半値幅が、前記条件を同時に満たさない比較例1〜4のDLC膜に比べて、高い硬度を有するものであることを示している。そのため、本発明のDLC膜は、低面粗度による低い相手攻撃性を示すばかりでなく、高硬度を有するため優れた耐磨耗性を有するものであることが分かる。
1 高周波誘導結合プラズマCVD装置
2 反応チャンバ
2a 原料導入口
3 高周波電源
4 基板バイアス電圧印加装置
5 真空ポンプ
6 基板
7 基板支持部材
8 高周波アンテナ
2 反応チャンバ
2a 原料導入口
3 高周波電源
4 基板バイアス電圧印加装置
5 真空ポンプ
6 基板
7 基板支持部材
8 高周波アンテナ
Claims (3)
- プラズマCVD法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、
Arレーザ(波長:488nm)によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのGバンドシフトが1550〜1559cm−1、かつGバンド半値幅が180〜197cm−1であることを特徴とする水素化アモルファスカーボン膜。 - 水素の含有量が、17〜30原子%であることを特徴とする請求項1に記載の水素化アモルファスカーボン膜。
- マルテンス硬度が9000N/mm2以上であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の水素化アモルファスカーボン膜。
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2007
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