JP2009054425A

JP2009054425A - 照明器具

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Publication number: JP2009054425A
Application number: JP2007220302A
Authority: JP
Inventors: Minoru Maehara; 稔前原; Masanao Okawa; 将直大川; Makoto Ukekawa; 信請川; Yoji Konishi; 洋史小西; 博史 ▲高▼木; Hiroshi Takagi
Original assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2007-08-27
Filing date: 2007-08-27
Publication date: 2009-03-12
Anticipated expiration: 2027-08-27
Also published as: JP5054465B2

Abstract

【課題】従来よりも深い調光が可能な照明器具を提供することを目的とする。
【解決手段】調光回路１０は、点灯回路９から発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａを、設定された調光レベルに応じて制御することにより発光モジュールＭの光出力を調節する。調光回路１０は、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａの大きさを調節する振幅制御部１１と、発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを間欠的に供給するとともにデューティ比を調節するＰＷＭ制御部１２と、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさとＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比との組み合わせを前記調光レベルに応じて決定する統括制御部１３とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、直流電流が供給されることで発光する発光モジュールを備え、発光モジュールに供給される直流電流を制御することにより発光モジュールの光出力を調節可能な照明器具に関するものである。

従来から、直流電力が供給されることで発光する発光モジュール（たとえば、有機ＥＬ素子やＬＥＤを光源に用いたもの）を備えた照明器具が種々提供されている。

この種の照明器具において、発光モジュールの調光制御が可能なものとしては、たとえば、発光モジュールに直流電流を所定の周期で間欠的に供給し、１周期に対する前記直流電流を供給する期間の比率であるデューティ比を調節するＰＷＭ制御を行うことで、発光モジュールの光出力を調節する構成が知られている（たとえば特許文献１参照）。

また、上述したようなＰＷＭ制御ではなく、発光モジュールに供給される直流電流の大きさを調節することで発光モジュールの光出力を調節する振幅制御と称される調光方式を採用した照明器具も知られている。
特開２００６−４０８７２号公報（第７−８頁）

ところで、振幅制御により調光制御を行う照明器具において、調光レベルが０．１％（つまり調光比が１：１０００）程度の深い調光を行う場合、たとえば０．４ｍＡ〜４００ｍＡのように調節可能な電流値のダイナミックレンジを広く取る必要があり、実現することは困難である。

一方、ＰＷＭ制御により調光制御を行う照明器具において、調光レベルが０．１％程度の深い調光を行う場合、デューティ比を変化させたときのパルス幅のダイナミックレンジを広く取る必要がある。したがって、たとえば前記１周期のパルス幅を数ｍｓ（数百Ｈｚ）とすると、調光レベルが０．１％のときの発光モジュールへの供給電流のパルス幅は数μｓ（数百ｋＨｚに相当）となり、結果的に、高速スイッチング可能な発光モジュールを用いる必要があり、高速スイッチングに対応しない発光モジュールが用いられているとパルス印加時に発光モジュールに高周波成分が印加されてストレスがかかるという問題がある。

すなわち、従来の照明器具では、調光レベルが０．１％程度の深い調光を行うことは技術的に困難とされている。

本発明は上記事由に鑑みて為されたものであって、従来構成よりも深い調光が可能な照明器具を提供することを目的とする。

請求項１の発明では、直流電流が供給されることで発光する発光モジュールと、設定された調光レベルに応じて発光モジュールに供給される直流電流を制御することにより発光モジュールの光出力を調節する調光回路とを備え、調光回路は、発光モジュールに供給される直流電流の大きさを調節する振幅制御部と、発光モジュールに直流電流を間欠的に供給するとともにデューティ比を調節するＰＷＭ制御部と、振幅制御部で調節される直流電流の大きさとＰＷＭ制御部で調節されるデューティ比との組み合わせを前記調光レベルに応じて決定する統括制御部とを有することを特徴とする。

この構成によれば、統括制御部は、振幅制御部で調節される直流電流の大きさとＰＷＭ制御部で調節されるデューティ比との組み合わせを前記調光レベルに応じて決定するので、振幅制御とＰＷＭ制御とのいずれか一方のみによって調光制御を行う従来構成に比べて、振幅制御部において調節可能な電流値のダイナミックレンジを狭くし、ＰＷＭ制御部において調節可能なパルス幅のダイナミックレンジを狭くしながらも、振幅制御部とＰＷＭ制御部との両者を併用することで深い調光を実現することができる。

請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記統括制御部が、前記調光レベルが規定値以上の範囲内で変化するときには、前記直流電流の大きさと前記デューティ比とのいずれか一方を固定して他方のみを変化させ、前記調光レベルが前記規定値以下の範囲内で変化するときには、前記他方を調光レベルが規定値のときの値に固定して前記一方のみを変化させるように前記組み合わせを決定することを特徴とする。

この構成によれば、調光レベルが規定値以上であるか規定値以下であるかによって、変化の対象が、振幅制御部で調節される直流電流の大きさとＰＷＭ制御部で調節されるデューティ比とで切り替わることになる。したがって、統括制御部は、調光レベルに応じて振幅制御部とＰＷＭ制御部とを使い分けるだけの簡単な構成で実現することができる。

請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記発光モジュールが、対向する面状の電極間に発光部が介在する構造により電極間にキャパシタンス成分を有し、直流電流の立ち上がり直後に発光しない所定の非発光期間を持つ面状発光モジュールであって、前記調光回路が、前記ＰＷＭ制御部が前記発光モジュールに直流電流を間欠的に供給する周期を調節する周波数制御部を有し、前記統括制御部が、前記調光レベルが前記振幅制御部とＰＷＭ制御部とで調節可能な下限値を下回ると、周波数制御部により前記周期を短くして１周期に占める前記非発光期間の割合を大きくすることを特徴とする。

この構成によれば、調光レベルが振幅制御部とＰＷＭ制御部とで調節可能な下限値を下回ると、周波数制御部が前記周期を短くして１周期に占める非発光期間の割合を大きくすることで発光モジュールの光出力を低減させるので、振幅制御部とＰＷＭ制御部とで調節可能な調光レベルよりもさらに深い調光を行うことができる。

本発明は、振幅制御部で調節される直流電流の大きさとＰＷＭ制御部で調節されるデューティ比との組み合わせを調光レベルに応じて決定するので、振幅制御部において調節可能な電流値のダイナミックレンジを狭くし、ＰＷＭ制御部において調節可能なパルス幅のダイナミックレンジを狭くしながらも、従来よりも深い調光を実現することができるという利点がある。

（実施形態１）
本実施形態の照明器具は、図１に示すように、直流電流が供給されることで発光する発光モジュールＭと、発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを供給する点灯回路９と、設定された調光レベルに応じて点灯回路９から発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａを制御することにより発光モジュールＭの光出力を調節する調光回路１０とを備える。

本実施形態で用いる発光モジュールＭは、図２に示すように、たとえばガラスのような透光性を有する絶縁材料からなる基板２と、基板２上に設けられた薄膜状の陽極電極３と、陽極電極３上に設けられた発光層（発光部）４と、陽極電極３との間に発光層４を挟む薄膜状の陰極電極５と、たとえばシリコン樹脂からなる封止層６とを有した発光素子１を用いたものである。ここでは、発光素子１の上記基板２上に、陽極電極５と陰極電極６とのそれぞれに電気的に接続された一対の給電端子７，８を設けることにより発光モジュールＭが構成される。

ここでは、発光層４は厚さ方向に通電されることにより発光する有機薄膜であって、発光素子１は有機ＥＬ素子を構成する。陽極電極３は、透明電極材料であるＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）のように透光性を有する導電材料から形成され、発光層４で発生した光を基板２側に透過させる。一方、陰極電極５は、金属（たとえばアルミニウム）薄膜からなり、発光層４で発生した光を陽極電極３側に反射する。

この構成により、陽極電極３が陽極、陰極電極５が陰極となるように陽極電極３−陰極電極５間に直流電流を供給すれば、発光層４からの光は陽極電極３および基板２を通して図２の下方に出射され、基板２において発光層４に対応する部分が面状に発光することとなる。本実施形態では、陽極電極３や陰極電極５や発光層４を基板２よりも小さく形成しており、基板２と発光層４とはそれぞれ互いに辺を平行とする矩形状に形成されている。封止層６は、陰極電極５の表面および側面と発光層４の側面とを覆う形に形成されている。なお、図２の例では、陰極電極５は、陽極電極３と略同じ大きさに形成されているが、陽極電極３に対して厚み方向に全域が重なるのではなく一部（図２の右端部）が陽極電極３から食み出すように、陽極電極３に対して図２の右方にずれて配設されている。ここで発光層４は、陽極電極３と陰極電極５との対向面間の全域に存在するように、陽極電極３の端面（図２の右端面）に沿って延設されている。

点灯回路９は、図１に示すように直流電源Ｅと、直流電源Ｅの出力端間に接続されたスイッチング素子Ｑ１とインダクタＬ１とコンデンサＣ１との直列回路と、スイッチング素子Ｑ１とインダクタＬ１との接続点側にカソードを接続するようにインダクタＬ１およびコンデンサＣ１の直列回路の両端間に接続されたダイオードＤ１と、スイッチング素子Ｑ１をオンオフ制御する駆動回路Ｄとを備えたいわゆるバック・コンバータからなる。つまり、コンデンサＣ１の両端に生じる点灯回路９の出力電圧は、駆動回路Ｄによるスイッチング素子Ｑ１のオンオフに応じて制御される。駆動回路Ｄはスイッチング素子Ｑ１にパルス波状のスイッチング信号Ｓ１を出力し、スイッチング素子Ｑ１はスイッチング信号Ｓ１がＨレベルの期間にオン、Ｌレベルの期間にオフとなる。なお、ここではスイッチング素子Ｑ１として電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を用いている。直流電源Ｅは商用電源の交流出力をダイオードブリッジで全波整流したものであってもよい。

ここで、点灯回路９の出力電圧（コンデンサＣ１の両端電圧）が発光モジュールＭに印加されるように、コンデンサＣ１の両端間に発光モジュールＭが接続される。すなわち、点灯回路９の陽極側の出力端（コンデンサＣ１の一端）には陽極の給電端子７が接続され、点灯回路９の陰極側の出力端（コンデンサＣ１の他端）には陰極の給電端子８が接続される。

調光回路１０は、設定された調光レベルに応じて制御信号を生成するものであって、この制御信号を駆動回路Ｄに出力することにより点灯回路９の出力を制御する。ここでは、調光レベルを０．１％〜１００％の間に設定された複数段階の調光レベルの中から任意に選択するように操作される調光コントローラ（図示せず）から、調光信号が調光回路１０に入力される構成を採用している。調光信号は、たとえば１ｋＨｚ（つまり、周期が１ｍｓ）のパルス波形の信号であって、そのパルス幅によって調光レベルを表すものである。調光回路１０はこの調光信号で表される調光レベルに応じて制御信号を生成する。なお、調光レベルが０．１％のときの調光比は１：１０００となる。

ところで、本実施形態の調光回路１０は、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａの大きさを調節する振幅制御部１１と、発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを所定の周期で間欠的に供給するとともに、１周期に対する直流電流Ｉｌａを供給する期間の比率であるデューティ比を調節するＰＷＭ制御部１２と、振幅制御部１１およびＰＷＭ制御部１２の動作を制御する統括制御部１３とを有する。統括制御部１３は、設定された調光レベルに応じて、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさとＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比との組み合わせを決定する。振幅制御部１１およびＰＷＭ制御部１２はそれぞれ統括制御部１３から指示される直流電流Ｉｌａの大きさおよびデューティ比に従って動作する。

振幅制御部１１は発光モジュールＭの負極とコンデンサＣ１との間に挿入された抵抗Ｒ１１の両端電圧を監視することにより発光モジュールＭへ供給される直流電流Ｉｌａを検出し、検出した直流電流Ｉｌａの大きさを統括制御部１３から指示された大きさに一致させるように、制御信号によって駆動回路Ｄを制御する。

以下、調光回路１０の動作について詳しく説明する。

すなわち、調光回路１０は、振幅制御部１１が行ういわゆる振幅制御と、ＰＷＭ制御部１２が行うＰＷＭ制御とを併用しており、これにより振幅制御のみ、あるいはＰＷＭ制御のみの場合に比べて深い調光を可能としている。

ここにおいて、統括制御部１３は、調光レベルが規定値以上の範囲内で変化するとき、ＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比を１００％に固定し、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさのみを変化させるように、デューティ比と直流電流Ｉｌａの大きさとの組み合わせを決定する。つまり、調光レベルが規定値以上のときには、統括制御部１３は振幅制御部１１を使用して発光モジュールＭの光出力を調節することになる。

一方、調光レベルが前記規定値以下の範囲内で変化するときには、統括制御部１３は、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさを調光レベルが規定値のときの値に固定し、ＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比のみを変化させるように、デューティ比と直流電流Ｉｌａの大きさとの組み合わせを決定する。つまり、調光レベルが規定値を下回ると、統括制御部１３はＰＷＭ制御部１２を使用して発光モジュールＭの光出力を調節することになる。

ここでは、一例として前記既定値を調光レベル１０％とし、統括制御部１３は、調光レベルが１００％（全点灯）〜１０％の範囲内であれば振幅制御部１１を用いた振幅制御を行い、調光レベルが１０％〜０．１％の範囲内であればＰＷＭ制御部１２を用いたＰＷＭ制御を行うものとする。

要するに、調光レベルが１００％のときに振幅制御部１１によって調節される直流電流Ｉｌａの大きさを図３（ａ）に示すＩ_０とした場合、調光レベルが５０％に設定されると直流電流Ｉｌａの大きさは振幅制御部１１によって図３（ｂ）のように０．５Ｉ_０に調節され、また、調光レベルが前記既定値である１０％に設定されると直流電流Ｉｌａの大きさは振幅制御部１１によって図３（ｃ）のように０．１Ｉ_０に調節される。このように、調光レベルが１０％以上の範囲においては、発光モジュールＭに供給する直流電流Ｉｌａの大きさを変化させることで、発光モジュールＭの光出力を変化させる。ここで、調光レベルが１０％以上であればＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比は１００％に固定されているから、図３に示す各状態では、直流電流Ｉｌａは連続して供給される。

一方、調光レベルが１０％以下の範囲では、調光レベルが１０％のときの直流電流Ｉｌａの大きさ０．１Ｉ_０を振幅制御部１１により維持した状態で、図４に示すようにＰＷＭ制御部１２によってデューティ比を調節する。つまり、調光レベルが１０％のときにＰＷＭ制御部１２によって調節されるデューティ比は図４（ａ）のように１００％であるのに対して、調光レベルが５％に設定されるとデューティ比は図４（ｂ）のように５０％に調節され、発光モジュールＭには直流電流Ｉｌａが間欠的に供給されるとともにそのパルス幅は１周期の５０％となる。また、調光レベルが１％に設定されるとデューティ比は図４（ｃ）のように１０％に調節され、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａのパルス幅は１周期の１０％となる。このように、調光レベルが１０％以下の範囲においては、発光モジュールＭに供給する直流電流Ｉｌａのオンデューティを変化させることで、発光モジュールＭの光出力を変化させる。

なお、ＰＷＭ制御部１２で制御される直流電流Ｉｌａの１周期はたとえば９５０μｍとすることを考えているが、これに限らず、発光モジュールＭの点滅が視認されない程度の短い周期であれば任意に設定可能である。

次に、上述した調光回路１０によって調光制御される際の点灯回路９の動作について図５を参照して説明する。

すなわち、調光レベルが１００％に設定されたときには、振幅制御部１１からの制御信号を受けた駆動回路Ｄは図５（ａ）に示すスイッチング信号Ｓ１を出力し、これによりスイッチング素子Ｑ１がオンオフしてインダクタＬ１には三角波状のインダクタ電流ＩＬが流れ、発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを供給することで発光モジュールＭを発光させる。一方、調光レベルが１０％に設定されたときには、振幅制御部１１からの制御信号を受けた駆動回路Ｄは図５（ｂ）に示すように図５（ａ）のスイッチング信号Ｓ１よりもパルス幅の小さいスイッチング信号Ｓ１を出力し、これによりスイッチング素子Ｑ１のオン時間が短くなってインダクタ電流ＩＬが小さくなり、発光モジュールＭに供給する直流電流Ｉｌａの大きさも図５（ａ）の直流電流Ｉｌａより小さくなることで、発光モジュールＭの光出力は低下する。また、調光レベルが５％に設定されたときには、ＰＷＭ制御部１２からの制御信号を受けた駆動回路Ｄは図５（ｃ）に示すように図５（ｂ）のスイッチング信号Ｓ１と同じパルス幅のスイッチング信号Ｓ１を間欠的に出力し、これによりインダクタ電流ＩＬが間欠的に流れることになり、発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを間欠的に供給することで、発光モジュールＭの光出力をより一層低下させる。

以上説明した構成の照明器具によれば、調光回路１０の統括制御部１３は、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさとＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比との組み合わせを調光レベルに応じて決定するので、振幅制御とＰＷＭ制御との一方のみを用いて調光制御する従来構成に比べて、振幅制御部１１で調節可能な電流値のダイナミックレンジを狭くし、且つＰＷＭ制御部１２で調節可能なパルス幅のダイナミックレンジを狭くしながらも、深い調光を実現することができる。すなわち、調光レベルが１００％〜１０％の範囲での調光制御は、振幅制御部１１で調節可能な電流値のダイナミックレンジをたとえば０．４ｍＡ〜４ｍＡとすることで可能となり、また、調光レベルが１０％〜０．１％の範囲での調光制御は、ＰＷＭ制御部１２で調節可能なパルス幅のダイナミックレンジをたとえば数ｍｓ〜数十μｓとすることで可能となる。なお、ＰＷＭ制御部１２で調節されるパルス幅の最小値を大きくすれば、パルス印加時に発光モジュールＭにかかるストレスを低減することができる。

また、設定された調光レベルが規定値以上であるか規定値以下であるかによって、調光制御する際の変化の対象が、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさとＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比とで切り替わるので、統括制御部１３は、調光レベルに応じて振幅制御部１１とＰＷＭ制御部１２とを使い分けるだけの簡単な構成で実現可能である。

ところで、本実施形態では、統括制御部１３は、調光レベルが規定値以上のときには、振幅制御部１１を使用して発光モジュールＭの光出力を調節し、調光レベルが規定値を下回ると、ＰＷＭ制御部１２を使用して発光モジュールＭの光出力を調節するようにしてあるが、振幅制御部１１とＰＷＭ制御部１２との関係は逆であってもよい。つまり、調光レベルが規定値以上の範囲で変化するときには、直流電流Ｉｌａの大きさをＩ_０に固定しデューティ比のみを変化させ、調光レベルが前記規定値以下の範囲内で変化するときには、デューティ比を調光レベルが規定値のときの値に固定し直流電流Ｉｌａの大きさのみを変化させるように、デューティ比と直流電流Ｉｌａの大きさとの組み合わせを決定するようにしてもよい。

なお、発光モジュールＭは、上述したように有機ＥＬ素子を発光素子１に用いたものに限らず、直流電流が供給されることで発光するものであればよく、たとえば発光ダイオードなどを用いたものであってもよい。

（実施形態２）
本実施形態の照明器具は、図６に示すように、調光レベルに応じた直流電流Ｉｌａの波形を目標値として生成する目標値生成手段１４を統括制御部１３に設けた点、およびＰＷＭ制御部１２が発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを間欠的に供給する周期を調節する周波数制御部１５を調光回路１０に付加した点が実施形態１の照明器具と相違する。

目標値生成手段１４は、全点灯（調光レベル１００％）時に発光モジュールＭに供給される図７（ａ）に示す直流電流Ｉｌａのパルス波形を基本波形とし、調光レベルに応じて、前記基本波形の１パルス当たりの面積（図７（ａ）の斜線部の面積）を小さくすることで、目標値となる波形（以下、目標波形という）を生成する。本実施形態では、図７に破線で示すように、基本波形の１パルスを幅方向（つまり時間軸方向）に１０分割、且つ高さ方向（つまり電流強度軸方向）に１０分割することで１００分割し、分割後の各領域を１升とし１升の面積を単位面積としている。つまり、基本波形の１パルス当たりの面積は１００となるから、目標波形を１升刻みで設定可能とすれば、目標波形の１パルス当たりの面積を１〜１００の範囲で変化させることができる。

ここで、統括制御部１３は、振幅制御部１１およびＰＷＭ制御部１２を実施形態１のように規定値以上か以下かで使い分けるのではなく、目標値生成手段１４で生成した目標波形に相当する直流電流Ｉｌａが発光モジュールＭに供給されるように振幅制御部１１およびＰＷＭ制御部１２を併用して直流電流Ｉｌａを制御する。すなわち、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａにおける各パルスの幅はＰＷＭ制御部１２で調節可能であって、各パルスの高さは振幅制御部１１で調節可能であるから、統括制御部１３で目標波形に従って決定された直流電流Ｉｌａの大きさとデューティ比との組み合わせに従って振幅制御部１１およびＰＷＭ制御部１２を併用することで、目標波形に相当する直流電流Ｉｌａが発光モジュールＭに供給されることになる。

したがって、目標値生成手段１４において生成される目標波形の１パルス当たりの面積に応じて、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａの積分値を変化させることができ、結果的に、発光モジュールＭの光出力を変化させることができる。ここにおいて、本実施形態では、目標値生成手段１４において、目標波形の幅および高さを調節することで目標波形を１升刻みで設定可能とし、１％刻みで設定される調光レベルに対応できるようにしてある。なお、目標値生成手段１４は、たとえば基本クロックで動作するマイコンを用いて実現され、図７（ｂ）のような階段状の波形であっても出力可能としてある。

上記構成によれば、たとえば調光レベルが３７％に設定されたときには、目標値生成手段１４は、図７（ｂ）に示すように高さが１０升、幅が３升となる波形に、高さが７升、幅が１升となる波形を加えることで階段状に形成された波形を目標波形として生成する。これにより、目標波形の１パルス当たりの面積（斜線部分の面積）は基本波形の３７％となり、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａの積分値は全点灯時の３７％となる。一方、調光レベルが１％に設定されたときには、目標値生成手段１４は、図７（ｃ）に示すように高さが１升、幅が１升となる波形を目標波形として生成する。これにより、目標波形の１パルス当たりの面積（斜線部分の面積）は基本波形の１％となり、発光モジュールＭに供給される直流電流Ｉｌａの積分値は全点灯時の１％となる。

このように、本実施形態の照明器具では、統括制御部１３は、目標値生成手段１４において調光レベルに応じて目標波形を生成し、振幅制御部１１で調節される直流電流Ｉｌａの大きさとＰＷＭ制御部１２で調節されるデューティ比との組み合わせを前記目標波形に応じて決定することで、調光レベル１％刻みでの調光制御を可能としている。

ところで、本実施形態では、発光モジュールＭが、互いに対向する面状の陽極電極３と陰極電極５との間に発光部としての間に発光層４が介在するという上記構造により、陽極電極３と陰極電極５との間にキャパシタンス成分を有する面状発光モジュールからなる。そのため、図８に示すように発光モジュールＭに電圧Ｖｌａが印加され直流電流Ｉｌａが立ち上がっても、この直流電流Ｉｌａの立ち上がり直後には所定長さの発光しない非発光期間（光出力が得られない期間）を持つことになる。本実施形態では、この非発光期間を利用して調光レベルが１％未満の深い調光を可能としている。

すなわち、統括制御部１３は、調光レベルが振幅制御部１１とＰＷＭ制御部１２とで調節可能な下限値（ここでは１％）を下回ると、周波数制御部１５により、ＰＷＭ制御部１２が発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを間欠的に供給する周期を短くして１周期に占める前記非発光期間の割合を大きくする。

この構成によれば、図９（ａ）に示すように調光レベルが１％のときの周期Ｔに占める非発光期間の割合に比べて、図９（ｂ）に示すように調光レベルが１％未満のときの周期Ｔ’（＜Ｔ）に占める非発光期間の割合は大きくなる。したがって、調光レベルが１％未満の深い調光が可能となる。具体的には、統括制御部１３は調光レベル（１％未満）が低くなるほど、ＰＷＭ制御部１２が発光モジュールＭに直流電流Ｉｌａを間欠的に供給する周期が短くなるように周波数制御部１５を制御する。これにより、調光レベル（１％未満）が低くなるほど１周期に占める非発光期間の割合が増加し、発光モジュールＭの光出力を低下させることができる。

なお、実施形態１の調光回路１０に上記周波数制御部１５を付加してもよい。この場合、統括制御部１３は、調光レベルが図４（ｃ）に示す振幅制御部１１とＰＷＭ制御部１２とで調節可能な下限値（１％）を下回ると、周波数制御部１５により、ＰＷＭ制御部１２が直流電流Ｉｌａを供給する周期を短くして１周期に占める非発光期間の割合を大きくする。これにより調光レベルが１％未満の深い調光が可能となる。

その他の構成および機能は実施形態１と同様である。

本発明の実施形態１の構成を示す概略回路図である。同上に用いる発光モジュールを示す一部破断した概略斜視図である。同上の動作を示し、（ａ）は調光レベル１００％、（ｂ）は調光レベル５０％、（ｃ）は調光レベル１０％のときの動作説明図である。同上の動作を示し、（ａ）は調光レベル１０％、（ｂ）は調光レベル５％、（ｃ）は調光レベル１％のときの動作説明図である。同上の動作を示し、（ａ）は調光レベル１００％、（ｂ）は調光レベル１０％、（ｃ）は調光レベル５％のときの動作説明図である。本発明の実施形態２の構成を示す概略回路図である。同上の動作を示し、（ａ）は調光レベル１００％、（ｂ）は調光レベル３７％、（ｃ）は調光レベル１％のときの動作説明図である。同上に用いる発光モジュールの動作を示す動作説明図である。同上の動作を示し、（ａ）は調光レベル１％、（ｂ）は調光レベル１％未満のときの動作説明図である。

符号の説明

３陽極電極
４発光層（発光部）
５陰極電極
１０調光回路
１１振幅制御部
１２ＰＷＭ制御部
１３統括制御部
１４目標値生成手段
１５周波数制御部
Ｉｌａ直流電流
Ｍ発光モジュール
Ｔ，Ｔ’ 周期

Claims

直流電流が供給されることで発光する発光モジュールと、設定された調光レベルに応じて発光モジュールに供給される直流電流を制御することにより発光モジュールの光出力を調節する調光回路とを備え、調光回路は、発光モジュールに供給される直流電流の大きさを調節する振幅制御部と、発光モジュールに直流電流を間欠的に供給するとともにデューティ比を調節するＰＷＭ制御部と、振幅制御部で調節される直流電流の大きさとＰＷＭ制御部で調節されるデューティ比との組み合わせを前記調光レベルに応じて決定する統括制御部とを有することを特徴とする照明器具。
前記統括制御部は、前記調光レベルが規定値以上の範囲内で変化するときには、前記直流電流の大きさと前記デューティ比とのいずれか一方を固定して他方のみを変化させ、前記調光レベルが前記規定値以下の範囲内で変化するときには、前記他方を調光レベルが規定値のときの値に固定して前記一方のみを変化させるように前記組み合わせを決定することを特徴とする請求項１記載の照明器具。
前記発光モジュールは、対向する面状の電極間に発光部が介在する構造により電極間にキャパシタンス成分を有し、直流電流の立ち上がり直後に発光しない所定の非発光期間を持つ面状発光モジュールであって、前記調光回路は、前記ＰＷＭ制御部が前記発光モジュールに直流電流を間欠的に供給する周期を調節する周波数制御部を有し、前記統括制御部は、前記調光レベルが前記振幅制御部とＰＷＭ制御部とで調節可能な下限値を下回ると、周波数制御部により前記周期を短くして１周期に占める前記非発光期間の割合を大きくすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の照明器具。