JP2009046610A - シンチレータ - Google Patents
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Abstract
【課題】特にX線検出器用のシンチレータに好適である、発光強度が高く、残光が小さなシンチレータを提供することを目的としている。
【解決手段】本発明は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびOを含んだガーネット構造のシンチレータであって、ユーロピウム(Eu)とイッテルビウム(Yb)を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が1×10−5〜2×10−3mol%であることを特徴とするシンチレータである。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびOを含んだガーネット構造のシンチレータであって、ユーロピウム(Eu)とイッテルビウム(Yb)を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が1×10−5〜2×10−3mol%であることを特徴とするシンチレータである。
【選択図】図1
Description
本発明は、X線等の放射線を吸収し発光するシンチレータに関するものである。
X線診断装置の一つにX線CT(Computed Tomography)がある。このCTは扇状のファンビームX線を照射するX線管と、多数のX線検出素子を併設したX線検出器とで構成される。該装置は、X線検出器に向けてX線管からファンビームX線を照射し、1回照射を行うごとに断層面に対して例えば角度を1度ずつ変えていくことによってX線吸収データを収集する。その後、このデ−タをコンピュータで解析することによって断層面個々の位置のX線吸収率を算出し、その吸収率に応じた画像を形成するものである。
従来からこのX線検出器としてはキセノン(Xe)ガス検出器が用いられてきている。このキセノンガス検出器はガスチャンバにキセノンガスを封入し、多数配列した電極間に電圧を印加すると共にX線を照射すると、X線がキセノンガスを電離し、X線の強度に応じた電流信号を取り出すことができ、それにより画像が構成される。しかし、このキセノンガス検出器では高圧のキセノンガスをガスチャンバに封入するため厚い窓が必要であり、そのためX線の利用効率が悪く感度が低いという問題があった。また、高解像度のCTを得るためには電極板の厚みを極力薄くする必要があり、そのように電極板を薄くすると外部からの振動によって電極板が振動しノイズが発生するという問題があった。
一方、CdWO4単結晶、(Y、Gd)2O3:Eu、Pr及びGd2O2S:Pr、Ce、F組成のセラミックス(以下GOS:Prと称する)、或いは酸化ガドリニウム、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化セリウムを主成分としたガーネット構造を有する酸化物(以下GGAG:Ceと称する)の多結晶セラミックスなどの蛍光材料を用いたシンチレータと、シリコンフォトダイオードを組み合わせた検出器が開発され、既に実用化されている。この検出器においては、シンチレータがX線を吸収すると発光し、この光をシリコンフォトダイオードが検出することによってX線を検出する。この際、シンチレータとなる蛍光材料は、母材中に添加された発光元素が作り出すエネルギ準位に応じた波長の光を発光する。この波長が500nm以上の可視光である場合に、シリコンフォトダイオードの検出効率が良いため、特に感度の高いX線検出器となる。なお、蛍光材料の記載方法として、組成式中、:をはさんで左側に母材を、右側に発光イオンを記載した。これらの材料を用いた検出器では、検出素子を小型化し、チャンネル数を増やすことが容易であることから、キセノンガス検出器よりも解像度の高い画像を得ることが可能となる。こうした蛍光材料に要求される一般的な点としては、材料の均一性が高く、X線特性のばらつきが小さいこと、放射線劣化が小さいこと、温度など環境の変化に対して発光特性の変化が少ないこと、加工性が良く、加工劣化が小さいこと、吸湿性・潮解性がなく、化学的に安定であることなどが挙げられる。
こうしたX線検出器においては、X線の吸収に応じてシンチレータが発する光の強度(発光強度)が高いほど高感度となる。発光強度を大きくするためにはX線を充分に吸収する必要がある。また、この吸収が小さいと、シンチレータを透過するX線量が増加し、シリコンフォトダイオードのノイズ源となり、感度の低下の一因となる。シンチレータを透過するX線量を減らすためにはシンチレータを厚くする必要があるが、そうすると、検出素子の小型化ができないとともにコストが増加する。従って、薄い蛍光材料で充分なX線吸収をするためには、X線吸収係数が大きいことが必要である。また、蛍光材料中におけるこの光の透過率が低いと、発生した光のうちフォトダイオードまで届かなくなるものが増えるため、実質的に発光強度は低下する。従って、発光強度を高くするためには、シンチレータ材料となる蛍光材料には、(a)X線の吸収係数が大きいこと、(b)発光する光の透過率が高いことが要求される。
また、X線CTには、解像度の向上、すなわち検出素子の小型化と、体動の影響を少なくするため走査時間の短縮が必要とされている。この場合、一つの検出素子における積分時間は短くなり、積分時間中に吸収するX線総量は低下することになるため、特に発光効率が高い(発光強度が大きい)ことが必要である。さらに、検出素子の時間分解能を上げるためには、X線照射停止後の発光(残光)が瞬時に小さくなることが必要となる。このためには、発光の減衰時定数及び残光強度が小さいことが必要である。ここで、発光の減衰時定数とは、X線照射を停止し、発光強度がX線照射中の発光強度の1/eになるまでの時間であり、残光強度とは、X線照射を停止し一定時間経過後の発光強度の、X線照射中の発光強度に対する比率を表す。減衰が完全に指数関数的であれば、減衰時定数が小さければ必然的に残光強度も低くなるが、実際には残光の減衰は指数関数的ではない。そのため、残光を小さくして高性能のX線CT装置を得るためには、減衰時定数および残光強度が共に小さい蛍光材料を用いることが必要となる。従来使用されている各種蛍光材料における、発光強度と減衰時定数及び30ms後の残光強度について表1に示す。
上記の材料のうち、Gd3Al3Ga2O12:Ce(GGAG:Ce)は、発光元素のCeが、Ce3+の5d準位から4f準位の許容遷移により発光する。これにより、例えば、特許文献1、特許文献2において、高い発光強度と小さな残光を兼ね備えたシンチレータ材料として、GGAG:Ceの多結晶材料が開示されている。
近年の高性能X線CTにおいては、体動の影響が少なくより解像度の高い断層面の画像を得ることと、人体の被爆線量を極力小さくするために、走査時間はさらに短くなる傾向にある。このため、X線検出素子のシンチレータにおいては、残光が小さいことに対して厳しい水準が要求されている。上記GGAG:Ce多結晶材料は、Ce3+の発光を用いているため、発光の減衰時定数は〜100nsときわめて小さい。しかしながら、この材料に含まれる微量元素によっては残光が大きく増加してしまうことがわかった。本発明はこの問題に鑑みてなされたものである。
本発明者は、上記した課題を解決するため、原料に混入する種々の元素についてその残光特性及び発光特性に与える影響について詳細に検討した。その結果、GGAG:Ce系のシンチレータに対し、EuとYbが残光を非常に増加させることを見出し、本発明を完成させた。
本発明の要旨は、Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびOを含んだガーネット構造のシンチレータであって、ユーロピウム(Eu)とイッテルビウム(Yb)を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が1×10−5〜2×10−3mol%であることを特徴とするシンチレータである。ここで、Eu及びYbの含有率の上限を2×10−3mol%としたのは、これより大きいとX線照射停止後300ms後の残光強度が50ppm以上となるからである。また、下限を1×10−5mol%としたのは、これ未満では残光強度はほぼ平衡状態となる一方で原料費が上昇するため工業生産上コスト的に問題があるからである。GGAG:Ce系のシンチレータにおいて、Eu及びYbの含有率をかかる範囲に規定することにより、下記で詳述するようにCe3+からEu3+またはYb3+への電子の移動を抑制でき、高い発光強度及び低い残光を有するシンチレータを具現できる。前記シンチレータは、Gd、Al、Ga、Ce、Eu,YbおよびOの和が100mol%であることが好ましい。より望ましくはGd、Al、Ga、Lu又はY、Ce、Eu,YbおよびOの和が100mol%である蛍光材料のシンチレータとする。
上記Eu及びYbの含有率を規定した理由を、以下図1及び2を参照しつつ詳述する。図1はEuとYbのmol含有率と残光との関係を、図2はEuとYbのmol含有率と発光強度との関係を示したものである。ここで、図1における残光強度は、X線照射停止後300ms経過後の発光強度のX線照射中の発光強度に対する比率(ppm:百万分率)である(以下同様)。EuとYbのmol含有率がどちらも1×10−5mol%以下の希土類酸化物原料を用い、焼結前の素原料混合粉にEuまたはYbの水溶液(硝酸塩を純水に溶解したもの)を一定量添加し、EuまたはYbのmol含有率が異なる多結晶試料を作製した。
図1,2から明らかなように、EuまたはYbの含有率の増加とともに、残光は大きく増加し、また、発光強度は低下している。これは、4fから5dへの遷移エネルギが小さいことより発光元素であるCe3+はCe4+に変化しやすい性質を有する一方で、Eu3+及びYb3+はCTSエネルギが小さいことよりEu2+及びYb2+に変化しやすい性質を有し、その結果、Ce3+からEu3+またはYb3+に電子が容易に移動するためと考えられる。
ここで、走査時間が1s以下の高速走査のX線CTに組み込まれるシンチレータの残光特性は、実用的には、X線停止後300ms後において50ppm以下である必要があり、20ppm以下になることが好ましい。したがって、図1の結果より、X線停止後300ms後の残光を50ppm以下に抑えるためには、Eu含有率については1×10−3mol%以下、Yb含有率については2×10−3mol%以下に抑える必要がある。ただし、これらの元素が単独に含有される場合は少なく、一般的には両方の元素が含有されている。したがって、これらの含有率の和の上限を2×10−3mol%以下とした。
また、これらの含有率は極力小さいことが好ましいが、図1、2に示すように、5×10−5mol%以下では残光及び発光強度とも変化が認められないこと、また、使用する希土類酸化物原料(Gd2O3、Lu2O3、Y2O3など)中には微量のEu2O3またはYb2O3が含有され、これら元素の含有率を1×10−5mol%よりも小さく抑えることは、蛍光材料生成に係る工程を著しく増大させ、製造コスト上不利になることより、含有率の下限値は1×10−5mol%とした。
上記シンチレータを、LをLu又は/及びY、MをEu又は/及びYbとして一般式(Gd1−x−s−zLxMsCez)3+a(Al1−uGau)5−aO12と表した場合、その組成を、
(1)0<a≦0.15、
(2)0≦x<1.0、
(3)0.7×10−7≦s≦7×10−6
(4)0.0003≦z≦0.0167(ただしx+s+z<1.0)、
(5)0.2≦u≦0.6
と構成することが望ましい。さらに望ましくは0<x<1.0とし、0.7×10−7≦s≦7.0×10−6とする。かかるシンチレータは、Luまたは/およびYを含み、ガーネット構造における組成を化学量論組成(a=0)からずらし、0<aとして、ガーネット構造におけるCサイト(8配位)元素(Gd、L、Ce)を過剰とし、Aサイト(6配位)およびDサイト(4配位)元素(Al、Ga)をその分減らしたことに特徴がある。なお、「MをEu又は/及びYb」としてとは、Eu、Ybから選ばれる少なくとも1種をMとすることに相当する。
(1)0<a≦0.15、
(2)0≦x<1.0、
(3)0.7×10−7≦s≦7×10−6
(4)0.0003≦z≦0.0167(ただしx+s+z<1.0)、
(5)0.2≦u≦0.6
と構成することが望ましい。さらに望ましくは0<x<1.0とし、0.7×10−7≦s≦7.0×10−6とする。かかるシンチレータは、Luまたは/およびYを含み、ガーネット構造における組成を化学量論組成(a=0)からずらし、0<aとして、ガーネット構造におけるCサイト(8配位)元素(Gd、L、Ce)を過剰とし、Aサイト(6配位)およびDサイト(4配位)元素(Al、Ga)をその分減らしたことに特徴がある。なお、「MをEu又は/及びYb」としてとは、Eu、Ybから選ばれる少なくとも1種をMとすることに相当する。
ここで、残光の原因としては、Ce3+が形成する本来の発光をもたらす準位以外にも電子遷移が可能な準位が禁制帯中に形成され、この準位を介した電子遷移が生ずるということがある。Cサイト(8配位)に空孔が生じると、こうした準位が形成されるが、0<aとすることにより、これを抑制している。従って、これにより高い発光強度を得ながら、残光強度を低くすることができる。一方、aが大きくなると、このシンチレータ中に、ガーネット構造とは異なるペロブスカイト相(異相)のGdAlO3等が形成されやすくなる。この層は発光にほとんど寄与せず、かつ母材であるガーネット相と屈折率が異なるためペロブスカイト相で光散乱が生じ、発光波長の光に対する透過率が低くなるため、このシンチレータの発光強度を小さくする原因となる。またペロブスカイト相が生成すると、母材であるガーネット相と熱膨張率などが異なるため、クラックが発生しやすくなる。図3は、LとしてLu、x=0.096、Z=0.0026、u=0.41について、発光強度と残光強度のaに対する依存性を調べた結果である。ここで、相対発光強度は、最大値(この場合はa=0の場合の発光強度)を100%としたときの発光強度である。a=0の場合は発光強度は高いが、残光強度も高い。a>0となると、上記の理由により、急激に残光強度が低くなる。一方、aの増加に伴って発光強度は徐々に低下し、a=0.15の場合に相対発光強度はa=0の場合の80%となる。また、aが0.15よりも大きくなるとペロブスカイト相が生成されるため、相対発光強度がさらに低下し、クラックも発生しやすくなる。従って、相対発光強度の下限を80%とすると、残光強度が低く、かつ発光強度が高いシンチレータをもたらすaの上限は0.15となり、aがこれよりも大きくなると残光強度は低いものの、相対発光強度が80%よりも小さくなり、かつクラックも発生しやすくなる。
zは発光元素であるCeの組成を決定し、0.0003≦z≦0.0167の範囲で特に発光強度が大きくなる。zが0.003未満の場合には、発光元素であるCe原子の数が少なすぎる為に、吸収したX線のエネルギーを効率よく光エネルギーに変換することができない。0.0167よりも大きな場合は、Ce原子間の距離が小さくなりすぎるために、発光を伴わない、所謂消光という現象が起きるために発光強度が低下する。
uはAlとGaの組成比を決定し、0.2≦u≦0.6の範囲で特に発光強度が大きくなる。uが0.2未満の場合には上記のペロブスカイト相が出て、発光強度が低くなる。uが0.6よりも大きな場合は発光強度が低下し、残光が大幅に増加する。
また、xを0≦x<1.0(ただしx+s+z<1.0)としている。このシンチレータはLとして、Luまたは/およびYを含むことが望ましい。x=0の場合、異相が発生し易くなり、異相の発生していない箇所を選別することになるので生産効率が低下する。これらの元素を添加することによって、ガーネット構造におけるCサイト(8配位)の平均イオン半径を小さくすることができ、結果として格子定数を小さくすることができるので、イオン半径の小さいAlがAサイト(6配位)で安定に存在できるようになる。これにより、a、u、およびzが上記の範囲でペロブスカイト相が出ることを抑制している。また、特にLとしてLuを含む場合は、その原子量が大きいため、このシンチレータの密度を高くし、X線の吸収係数を大きくすることもできる。
このシンチレータはMとして、Euまたは/およびYbを必ず含み、sとして7×10−6以下(より望ましくは7.0×10−6以下)とした理由は、これより大きいとX線照射停止後300ms後の残光強度が50ppm以上となるからである。また、sとして0.7×10−7以上とした理由は、これ未満では残光強度はほぼ平衡状態となる一方で原料費が上昇するため工業生産上コスト的に問題があるからである(Euまたは/およびYbを除外する工程に多大な時間を要する)。
aの上限は上記の通り0.15であるが、下限としては、0とする。Aサイト(6配位)に入っているAlはイオン半径が小さいため、格子歪みを大きくしている。Cサイト(8配位)の原子比を3より大きくすることで、過剰の希土類イオンがAサイト(6配位)に入り、Aサイト(6配位)の平均イオン半径を大きくして格子歪みを緩和するが、aの値が0.032以下ではこの効果が十分ではなく、格子歪みを生じる傾向にある。図4は、LがLu、x=0.096、z=0.0027、u=0.41としたときの、相対発光強度と歩留りの、aについての依存性を調べた結果である。ここで、相対発光強度は、最大値(この場合はa=0の場合の発光強度)を100%としたときの発光強度である。歩留りは、得られた蛍光体がシンチレータとして使用できる割合を示す合格率である。相対発光強度はaが大きくなるに従って、徐々に低下していくが、歩留りはほぼ0<a≦0.15の間で高くなっている。すなわち、aを0<a≦0.15の範囲内とすることによって、高い発光強度と、低い残光強度と、高い歩留りとを兼ね備えることができる。aが0.15より大きいと、上記の通り、発光強度が低くなると同時に、歩留りが悪くなる。
LがLuである場合、xとして上記の範囲のうち、xを0.0925≦x≦0.5とすることによって、特に発光強度を高くすることができる。図5は、LがLu、a=0.096、z=0.0026、u=0.41としたときの、相対発光強度のx依存性である。ここで、相対発光強度は、最大値(この場合はx=0.10の場合の発光強度)を100%としたときの発光強度である。xが0.1未満の場合にはペロブスカイト相(異相)が生成されるために相対発光強度が低くなり、また異相生成によりクラックも発生しやすくなる。相対発光強度の観点から、0.0925≦xであることがより好ましく、異相生成によるクラック発生の観点からは0.0925<xであることがさらに好ましい。一方、xが大きくなると発光強度は徐々に減少する。xが0.5より大きいと、このシンチレータにおける発光波長が短くなるため、フォトダイオードの受光感度が低下するため、実質的に相対発光強度が低くなる。
LがYである場合、xとして上記の範囲のうち、xを0.066≦x≦0.67とすることによって、特に発光強度を高くすることができる。図6は、LがY、a=0.12、z=0.0026、u=0.41としたときの、相対発光強度のx依存性である。ここで、相対発光強度は、最大値(この場合はx=0.20の場合の発光強度)を100%としたときの発光強度である。xが0.20未満の場合にはLuの場合と同様に、異相が生成されるために相対発光強度が低くなる。また、異相の発生によってシンチレータにクラックも生じやすくなる。相対発光強度の観点から、0.066≦xであることがより好ましく、異相生成によるクラックの発生の観点からは0.2≦xであることがさらに好ましい。一方、YはGdと比べて軽い元素である(原子量がGdの157に対してYは89)ために、xが0.67より大きいと、シンチレータ全体の密度が小さくなり、X線の吸収が不充分となる。
LとしてLuとYを両方含むこともできる。その場合、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)の範囲とすることによって、発光強度を高くすることができる。
以上に述べたシンチレータにおいて、多結晶である場合には、同じ組成の単結晶と比べると、低コストでシンチレータを得ることができるので、実用的な放射線検出器を得ることができ好ましい。
本発明によって、放射線を吸収して発光する上記シンチレータと該シンチレータの発光を検出する受光素子とを有する放射線検出器を構成することができる。
すなわち、上記シンチレータを用いた場合、X線感度の低下や、X線漏れといった問題を解決することができ、高性能の放射線検出器を得ることができる。
この放射線検出器は、シンチレータと、このシンチレータの発光を検知するための光検出器とを備えたものである。光検出器としては、高感度・高速応答で、かつ波長感度域が可視光から近赤外領域にあって本発明のシンチレータとのマッチングが良いことから、PIN型フォトダイオードを用いるのが望ましい。この検出器に使用するシンチレータの厚さは、0.5〜10mmであることが望ましい。0.5mmよりも薄くなると蛍光出力の低下・漏洩X線の増加を招く一方、10mmよりも厚くなると素子自体の重量が重くなりすぎるため、X線CTのような素子を高速で回転させて使用するような用途においては好ましくない。高い蛍光出力を得て、発光した光の減衰を回避して高感度の放射線検出器を構成する観点からはシンチレータの厚さは、1.5〜3mmとすることが好ましい。
この放射線検出器は、シンチレータと、このシンチレータの発光を検知するための光検出器とを備えたものである。光検出器としては、高感度・高速応答で、かつ波長感度域が可視光から近赤外領域にあって本発明のシンチレータとのマッチングが良いことから、PIN型フォトダイオードを用いるのが望ましい。この検出器に使用するシンチレータの厚さは、0.5〜10mmであることが望ましい。0.5mmよりも薄くなると蛍光出力の低下・漏洩X線の増加を招く一方、10mmよりも厚くなると素子自体の重量が重くなりすぎるため、X線CTのような素子を高速で回転させて使用するような用途においては好ましくない。高い蛍光出力を得て、発光した光の減衰を回避して高感度の放射線検出器を構成する観点からはシンチレータの厚さは、1.5〜3mmとすることが好ましい。
本発明のシンチレータによれば、従来のGGAG:Ce系のシンチレータよりも残光の小さなシンチレータを提供することができる。またかかるシンチレータを用いる本発明の放射線検出器は、走査時間の短縮を通じて解像度の向上に寄与するほか、安定した検出性能も発揮しうる。
以下、本発明について実施例を用いて具体的に説明する。なお、本発明のシンチレータは下記の実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.2massppm、0.7massppmのGd2O3と0.5massppm、1massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を509.74g、Lu2O3を59.59g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52g計量した。この計量時の含有率は、例えば、0.2massppmのEuを含むGd2O3粉末であれば、質量比で、Gd2O3粉末:含有Eu=1:0.2×10−6という関係にあることを示す。これらの素原料を直径5mmの高純度アルミナボールを用いた湿式ボールミル混合後乾燥した。この粉末に、純水を0.1mass%添加し、1000kg/cm2の圧力で一軸プレス成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを行い、理論密度に対し64%の成形体が得られた。この成形体をアルミナこう鉢に入れ、フタをして、酸素中1675℃、4hの一次焼結を行い、理論密度に対し、99%の焼結体が得られた。この焼結体を、Ar雰囲気、1500℃、3h、1000atm(すなわち、1.01×108Pa)の条件で熱間静水圧プレス焼結を行った。得られた焼結体は、理論密度に対し99.9%の密度を有していた。得られた試料は、内周スライサーを用いて幅1mm、長さ30mm、厚さ3mmの板に機械加工後、100vol%の酸素雰囲気中で1500℃×2hの熱処理を行った。熱処理後、表面に光学研磨を施し、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.2massppm、0.7massppmのGd2O3と0.5massppm、1massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を509.74g、Lu2O3を59.59g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52g計量した。この計量時の含有率は、例えば、0.2massppmのEuを含むGd2O3粉末であれば、質量比で、Gd2O3粉末:含有Eu=1:0.2×10−6という関係にあることを示す。これらの素原料を直径5mmの高純度アルミナボールを用いた湿式ボールミル混合後乾燥した。この粉末に、純水を0.1mass%添加し、1000kg/cm2の圧力で一軸プレス成形し、その後、加圧力3ton/cm2で冷間静水圧プレスを行い、理論密度に対し64%の成形体が得られた。この成形体をアルミナこう鉢に入れ、フタをして、酸素中1675℃、4hの一次焼結を行い、理論密度に対し、99%の焼結体が得られた。この焼結体を、Ar雰囲気、1500℃、3h、1000atm(すなわち、1.01×108Pa)の条件で熱間静水圧プレス焼結を行った。得られた焼結体は、理論密度に対し99.9%の密度を有していた。得られた試料は、内周スライサーを用いて幅1mm、長さ30mm、厚さ3mmの板に機械加工後、100vol%の酸素雰囲気中で1500℃×2hの熱処理を行った。熱処理後、表面に光学研磨を施し、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
上記にて得られたシンチレータを用いた放射線検出器を作製し、シンチレータの特性を評価した。作製した放射線検出器の構造について、図7,8を参照して説明する。ここで、図7は放射線検出器の概略構成を示す斜視図、図8は図7のA−A断面図である。作製した放射線検出器は、1.2mmピッチで24個配列した上記スライスしたシンチレータ2と、配列したシンチレータ2の上面と側面にチタニアとエポキシ樹脂の混合材を塗布し硬化させてなる光反射膜3と、シンチレータ2の配列に対応し大きさが1mm×30mmでピッチが1.2mmで配列されるととともにシンチレータ2と受光面が正確に一致するよう位置決めした受光部を有しシンチレータ2とエポキシ樹脂で固定した24チャンネルシリコンフォトダイオード5と、24チャンネルシリコンフォトダイオード5が電気的に接続される配線基板4と、で構成した。かかる放射線検出器によれば、X線1の照射によりシンチレータ2が励起され発光し、その光をフォトダイオード5で検出することにより、シンチレータの特性を確認することができる。
(実施例2)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ1.5massppm、2.2massppmのGd2O3と1.0massppm、1.6massppmのY2O3を用い、Gd2O3を450.93g、Y2O3を70.45g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ1.5massppm、2.2massppmのGd2O3と1.0massppm、1.6massppmのY2O3を用い、Gd2O3を450.93g、Y2O3を70.45g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(実施例3)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.2massppm、0.7massppmのGd2O3と0.5massppm、1.0massppmのLu2O3及び1.0massppm、1.6massppmのY2O3を用い、Gd2O3を492.78g、Lu2O3を59.59g、Y2O3を10.57g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.2massppm、0.7massppmのGd2O3と0.5massppm、1.0massppmのLu2O3及び1.0massppm、1.6massppmのY2O3を用い、Gd2O3を492.78g、Lu2O3を59.59g、Y2O3を10.57g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(実施例4)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ2.6massppm、2.9massppmのGd2O3と5.2massppm、5.8massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を496.62g、Lu2O3を57.70g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を149.17g、Ga2O3を190.63gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ2.6massppm、2.9massppmのGd2O3と5.2massppm、5.8massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を496.62g、Lu2O3を57.70g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を149.17g、Ga2O3を190.63gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(実施例5)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.02massppm、0.03massppmのGd2O3と0.02massppm、0.04massppmのY2O3を用い、Gd2O3を450.93g、Y2O3を70.45g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gを計量した。この原料にEu(NO3)3・6H2Oの水溶液をマイクロピペットを用いEuが0.9massppmとなるように添加した。さらに、Yb(NO3)3・3H2O水溶液をマイクロピペットを用いYbが1.3massppmとなるように添加した。それ以降は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.02massppm、0.03massppmのGd2O3と0.02massppm、0.04massppmのY2O3を用い、Gd2O3を450.93g、Y2O3を70.45g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gを計量した。この原料にEu(NO3)3・6H2Oの水溶液をマイクロピペットを用いEuが0.9massppmとなるように添加した。さらに、Yb(NO3)3・3H2O水溶液をマイクロピペットを用いYbが1.3massppmとなるように添加した。それ以降は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(実施例6)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.02massppm、0.03massppmのGd2O3と0.03massppm、0.05massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を496.62g、Lu2O3を57.70g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を149.17g、Ga2O3を190.63gを計量した。この原料にEu(NO3)3・6H2Oの水溶液をマイクロピペットを用いEuが1.8massppmとなるように添加した。さらに、Yb(NO3)3・3H2O水溶液をマイクロピペットを用いYbが2.0massppmとなるように添加した。それ以降は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.02massppm、0.03massppmのGd2O3と0.03massppm、0.05massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を496.62g、Lu2O3を57.70g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を149.17g、Ga2O3を190.63gを計量した。この原料にEu(NO3)3・6H2Oの水溶液をマイクロピペットを用いEuが1.8massppmとなるように添加した。さらに、Yb(NO3)3・3H2O水溶液をマイクロピペットを用いYbが2.0massppmとなるように添加した。それ以降は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(実施例7)
Eu含有率とYb含有率がどちらも0.05ppm以下のGd2O3とLu2O3を用い、Gd2O3を525.98g、Lu2O3を19.90g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を144.79g、Ga2O3を201.50gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Eu含有率とYb含有率がどちらも0.05ppm以下のGd2O3とLu2O3を用い、Gd2O3を525.98g、Lu2O3を19.90g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を144.79g、Ga2O3を201.50gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
(実施例8)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.3ppm、0.8ppmのGd2O3を用い、Gd2O3を544.11g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を144.79g、Ga2O3を201.50gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ0.3ppm、0.8ppmのGd2O3を用い、Gd2O3を544.11g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.474g、Al2O3を144.79g、Ga2O3を201.50gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料として作成した。
(比較例1)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ3massppm、5massppmのGd2O3と5massppm、8massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を509.74g、Lu2O3を59.59g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ3massppm、5massppmのGd2O3と5massppm、8massppmのLu2O3を用い、Gd2O3を509.74g、Lu2O3を59.59g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(比較例2)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ5massppm、8massppmのGd2O3と4massppm、9massppmのY2O3を用い、Gd2O3を450.93g、Y2O3を70.45g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ5massppm、8massppmのGd2O3と4massppm、9massppmのY2O3を用い、Gd2O3を450.93g、Y2O3を70.45g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
(比較例3)
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ3massppm、5massppmのGd2O3と5massppm、8massppmのLu2O3及び4massppm、9massppmのY2O3を用い、Gd2O3を492.78g、Lu2O3を59.59g、Y2O3を10.57g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
Eu含有率とYb含有率がそれぞれ3massppm、5massppmのGd2O3と5massppm、8massppmのLu2O3及び4massppm、9massppmのY2O3を用い、Gd2O3を492.78g、Lu2O3を59.59g、Y2O3を10.57g、Ce(NO3)3・6H2Oを3.522g、Al2O3を146.78g、Ga2O3を187.52gとした以外は実施例1と同様の方法で、多結晶の蛍光材料を試料としてシンチレータを作製した。
上記の実施例1〜3,比較例1〜3について、ICP質量分析(アジレント・テクノロジー社製:Agilent7500System)によるEuとYbの含有率、発光強度(CdWO4を100とした場合)、残光強度(300ms後)を調べた結果を表2及び表3に示す。なお、Gd2O3中のYb元素の含有率については、GdとYbの干渉を防ぐため、高速液体クロマトグラフ(アジレント・テクノロジー社製:Agilent1100System)でGdとYbを分離してからICP質量分析でYb含有率を測定した。EuとYb含有率の和が1.1×10−3mol%以下の実施例1〜3では、発光強度を高く、また300ms後の残光を50ppm以下とすることができている。しかし、EuとYb含有率の和が2.8×10−3mol%以上の比較例1〜3では発光強度が相対的に低く、また残光が大きくなっている。なお、表3におけるmassppmは質量百万分率を表わし、試料の蛍光材料の単位質量が1であるとき、1massppmが1×10−6に相当する。
1 X線
2 シンチレータ
3 光反射膜
4 配線基板
5 シリコンフォトダイオード
2 シンチレータ
3 光反射膜
4 配線基板
5 シリコンフォトダイオード
Claims (5)
- Ceを発光元素とし、少なくともGd、Al、GaおよびOを含んだガーネット構造のシンチレータであって、ユーロピウム(Eu)とイッテルビウム(Yb)を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が1×10−5〜2×10−3mol%であることを特徴とするシンチレータ。
- 請求項1に記載のシンチレータであって、その組成が、LをLu又は/及びY、MをEu又は/及びYbとして下記一般式で表されることを特徴とするシンチレータ。
(Gd1−x−s−zLxMsCez)3+a(Al1−uGau)5−aO12
ここで、
0<a≦0.15、
0≦x<1.0、
0.7×10−7≦s≦7×10−6
0.0003≦z≦0.0167(ただしx+s+z<1.0)、
0.2≦u≦0.6
である。 - 請求項2に記載のシンチレータであって、上記一般式において、0.032≦a≦0.15、であることを特徴とするシンチレータ。
- 請求項2に記載のシンチレータであって、上記一般式において、
LがLuである場合に、0.0925<x≦0.5、
LがYである場合に、0.2≦x≦0.67、
LがLuおよびYである場合には、LuとYの比率をv:(1−v)(ただし0<v<1)として、
0.0925v+0.2(1−v)<x≦0.5v+0.67(1−v)
であることを特徴とするシンチレータ。 - 多結晶である請求項1乃至4のいずれかに記載のシンチレータ。
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-
2007
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