JP2009038347A - 回路部材の実装方法 - Google Patents
回路部材の実装方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009038347A JP2009038347A JP2008159421A JP2008159421A JP2009038347A JP 2009038347 A JP2009038347 A JP 2009038347A JP 2008159421 A JP2008159421 A JP 2008159421A JP 2008159421 A JP2008159421 A JP 2008159421A JP 2009038347 A JP2009038347 A JP 2009038347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- substrate
- thermosetting
- circuit member
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【課題】使用する熱硬化型接続材料の硬化温度の高低に関わらず、ICチップ等の回路部材を実装後の基板の反り変形を十分に抑制できると共に、十分に高い接続信頼性を有する回路接続体を製造可能な回路部材実装方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る回路部材実装方法は、基板1とこの基板1に実装される回路部材3との間に熱硬化型接続材料2を介在させた後、加熱しながら基板1と回路部材3とを圧着することによって、熱硬化型接続材料2を硬化させ、基板1の電極1aと回路部材3の電極3aが電気的に接続されるように基板1と回路部材3とを接着する熱圧着工程と、この熱圧着工程を経て得られた回路接続体を再び加熱する再加熱工程とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係る回路部材実装方法は、基板1とこの基板1に実装される回路部材3との間に熱硬化型接続材料2を介在させた後、加熱しながら基板1と回路部材3とを圧着することによって、熱硬化型接続材料2を硬化させ、基板1の電極1aと回路部材3の電極3aが電気的に接続されるように基板1と回路部材3とを接着する熱圧着工程と、この熱圧着工程を経て得られた回路接続体を再び加熱する再加熱工程とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、熱硬化型接続材料を用いて基板に回路部材を実装する方法に関する。
多数の電極を有する被接続部材同士を電気的に接続するための接続材料として、異方導電フィルム(ACF)、異方導電性ペースト(ACP)、非導電性フィルム(NCF)等が使用されている。これらの接続材料は、プリント配線基板、LCD用ガラス基板、フレキシブルプリント基板等の基板に、IC、LSI等の半導体素子やパッケージなどの被接続部材を接続する際、相対する電極同士の導通状態を保ち、隣接する電極同士の絶縁を保つように電気的接続と機械的固着を行うものである。
上記の接続材料は、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分と、必要により配合される導電粒子とを含有する接着剤組成物からなるものが一般的である。この接着剤組成物をPET(ポリエチレンテレフタレート)等の基材上に積層し、フィルム状に形成したものが製品化されている。熱硬化性樹脂を含有する接続材料を使用する際には、2つの被接続部材の間に当該接続材料を介在させ、加熱しながら圧着することによって熱硬化性樹脂を硬化させる。これにより、部材間の機械的固着を得ると共に、対向する電極間を直接または導電粒子を介して接触させて電気的接続を得る。
ところで、電極が形成されたガラス基板上に、接続材料を介してICチップなどの電子部品を接続するCOG(Chip On Glass)実装を行う場合、図1に示すような熱圧着装置が使用される。図1に示す熱圧着装置10は、ガラス基板等を載置するステージ4と、鉛直方向に移動可能であり、当接面の温度調整が可能なヘッド5とを備える。
例えば、LCD用ガラス基板に対する実装部品(例えば、ICチップ)のCOG実装を、熱圧着装置10を用いて行うには、まず、電極1aが設けられた面を上方に向けてガラス基板1をステージ4上に載置し、その上に熱硬化型接続材料2を貼り付ける。次いで、ICチップ3の電極3aとガラス基板1の電極1aの位置が合うように、熱硬化型接続材料2上にICチップ3を載置する。その後、図1に示すように、ヘッド5を降下させると共に、ヘッド5の熱で熱硬化型接続材料2を硬化させ、ガラス基板1上にICチップ3を実装する。熱硬化型接続材料2は熱によって硬化物2Aとなる(図2参照)。
上記のようにCOG実装において加熱処理を行うと、熱硬化型接続材料の加温の不均一性に起因した歪みや内部応力により、図2に示すように、ガラス基板に反り変形が生じる場合がある。ガラス基板の反り変形は、LCDの表示ムラの発生や接続抵抗の上昇の一因となる。特に、近年、製品の軽量化や高密度実装を達成するため、ガラス基板として、薄型で線膨張係数の低いものが使用されるようになってきている。具体的には、ガラス基板として、従来の厚さである1.1mm程度のものから、厚さ0.1mm程度のものが使用される。また、従来の線膨張係数の値である4.8×10−6/℃程度のものから、3.1×10−6/℃程度のものが使用される。ガラス基板が薄型化するに従い、あるいは、その材質として低熱膨張のものを使用するに従い、ガラス基板に反り変形がより一層生じやすくなる。
基板の反り変形を抑制する方法として、硬化後の弾性率が低い熱硬化型接続材料を使用し、基板の内部応力を低減させることが知られている。しかし、このような熱硬化型接続材料を使用した場合、基板の反りは抑制できても、接続信頼性が低下するという問題が生じる。その他の方法として、基板と実装部品との間に介在する熱硬化型接続材料を熱硬化させる際、基板が載置されるステージを所定温度以上に加熱する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。また、実装部品の熱圧着開始後に基板の温度が所定の範囲内となるように加熱する方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開2000−312069号公報
特開2004−200230号公報
図1に示す熱圧着装置10を使用し、基板上にICチップ等を実装する場合、一般に、ヘッド5は150〜300℃に加熱される一方、ステージ4は特に加熱せず、室温付近、又は、ヘッド5から伝熱され伝熱量と放熱量とがつり合った温度に維持される。これは、ガラス基板1上に熱硬化型接続材料2を付設後、ガラス基板1の電極1aとICチップ3の電極3aの位置合わせなどを行う間に、熱硬化型接続材料2の硬化反応が進行するのを防止するためである。また、ステージ4は、実装工程において熱圧着毎に接続温度がばらつくことを抑制するため、硬化反応の開始温度以下である60℃以下の比較的低い温度に調整される場合もある。
しかしながら、上記特許文献1の方法は、ステージを加熱することによって基板の反り変形を抑制しようとするものである。ステージの温度が高すぎると、熱圧着する前に熱硬化型接続材料が硬化し、実装部品を接着できなくなり、他方、ステージの温度が低すぎると、熱硬化型接続材料の硬化反応は進行しないものの、本来の目的である反り変形の抑制を十分に達成できない。特に、近年、多く採用されている低温反応型の接続材料を用いた場合には、基板の反り変形を十分に抑制できる程度にステージを加熱できない。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、使用する熱硬化型接続材料の硬化温度の高低に関わらず、回路部材を実装後の基板の反り変形を十分に抑制できると共に、十分に高い接続信頼性を有する回路接続体を製造可能な回路部材実装方法を提供することを目的とする。
本発明に係る回路部材実装方法は、基板と当該基板に実装する回路部材との間に熱硬化型接続材料を介在させた後、加熱しながら基板と回路部材とを圧着することによって、熱硬化型接続材料を硬化させ、基板の電極と回路部材の電極が電気的に接続されるように基板と回路部材とを接着する熱圧着工程と、この熱圧着工程を経て得られた回路接続体を再び加熱する再加熱工程とを備える。
本発明に係る回路部材実装方法においては、基板の電極と回路部材の電極の位置合わせ等を行い、両者の間に熱硬化型接続材料を介在させた状態で熱硬化型接続材料を硬化させる(熱圧着工程)。この熱圧着工程では、基板の反り変形を抑制するために圧着装置のステージを事前に加熱する必要がなく、基板上に付設された熱硬化型接続材料の硬化反応が事前に進行することもない。したがって、熱圧着工程における所望の加熱条件で熱硬化型接続材料を硬化させることができ、十分に高い接続信頼性を有する回路接続体を製造できる。
仮に、熱圧着工程後の基板に反り変形が生じていたとしても、その後の再加熱工程で回路接続体を再び加熱して熱硬化型接続材料の硬化物を一旦軟化させることで、基板の反りが低減される。
再加熱工程においては、熱硬化型接続材料の硬化物の温度が当該硬化物の粘弾性値低下開始温度以上となるように回路接続体を加熱することが好ましい。かかる条件で回路接続体を加熱すると、基板の反りがより一層低減される。ここでいう「硬化物の粘弾性値低下開始温度」とは、熱硬化型接続材料の硬化物の温度を昇温速度5℃/分で上昇させていった場合に測定される当該硬化物の粘弾性値(Pa)を縦軸にとり、温度(℃)を横軸にとった粘弾性スペクトルにおいて、その傾きが−20(MPa/℃)以下となる最も低温側の温度をいう(図7参照)。
また、本発明にあっては、回路接続体の接続信頼性をより一層向上させる観点から、再加熱工程において、熱硬化型接続材料の硬化物の温度が熱圧着工程において当該熱硬化型接続材料が到達する最高温度を超えないように回路接続体を加熱することが好ましい。また、同様の観点等から、硬化後のガラス転移温度が60〜250℃の熱硬化型接続材料を使用することが好ましい。
更に、本発明においては、回路接続体の接続信頼性及び作業効率の観点から、熱圧着工程における加熱を開始してから再加熱工程における加熱を開始するまでの時間間隔を0.01秒から1000時間とすることが好ましい。
本発明によれば、使用する熱硬化型接続材料の硬化温度の高低に関わらず、回路部材を実装後の基板の反り変形を十分に低減できると共に、十分に高い接続信頼性を有する回路接続体を製造可能である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
(熱硬化型接続材料)
まず、本実施形態で使用する熱硬化型接続材料について説明する。この熱硬化型接続材料は、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分と、必要により配合される導電粒子とを含有する接着剤組成物をフィルム状に成形したものである。
まず、本実施形態で使用する熱硬化型接続材料について説明する。この熱硬化型接続材料は、熱硬化性樹脂を含む接着剤成分と、必要により配合される導電粒子とを含有する接着剤組成物をフィルム状に成形したものである。
熱硬化型接続材料に含まれる熱硬化性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを例示できる。また、熱硬化性樹脂の硬化反応の形態は特に制限されるものではなく、二重結合のラジカル重合、イオン重合、重付加などのいずれの重合形態であってもよい。
熱硬化型接続材料の接着剤成分は、熱硬化性樹脂以外の成分を含んでもよい。かかる成分としては、フィルム形成ポリマー、ラジカル重合開始剤、エポキシ硬化剤、シランカップリング剤、触媒、充填剤等を例示できる。熱硬化性樹脂、フィルム形成ポリマー及びその他成分の種類又は配合量を適宜調整することで、熱硬化型接続材料の硬化物のガラス転移温度Tgを制御することができる。
本実施形態で使用する熱硬化型接続材料としては、硬化後のガラス転移温度Tgが60〜250℃であるものが好ましく、80〜240℃であるものがより好ましく、100〜230℃であるものが更に好ましい。硬化後のガラス転移温度Tgが60℃未満の熱硬化型接続材料を用いた場合、基板の反りは抑制できるものの、接続信頼性が低くなる傾向がある。他方、硬化後のガラス転移温度Tgが250℃を超える熱硬化型接続材料を用いた場合、基板の加熱により反りが低減されるに伴い、接続信頼性が低下する傾向がある。なお、ガラス転移温度Tgは、例えば、熱硬化型接続材料の硬化物のTMA測定やDMA測定によるtanδのピーク温度から算出できる。
熱硬化型接着材料は、その接着剤成分中に導電粒子が分散したものであってもよい。導電粒子としては、例えばAu、Ag、Pt、Ni、Cu、W、Sb、Sn、はんだ等の金属やカーボンの粒子が挙げられる。あるいは、非導電性のガラス、セラミック、プラスチック等を核とし、この核を上記の金属やカーボンで被覆した被覆粒子を使用してもよい。導電粒子の平均粒径は分散性、導電性の観点から1〜18μmであることが好ましい。なお、導電粒子を絶縁層で被覆してなる絶縁被覆粒子を使用してもよく、隣接する電極同士の絶縁性を向上させる観点から導電粒子と絶縁性粒子とを併用してもよい。
導電粒子の配合割合は、接着剤層に含まれる接着剤成分100体積部に対して、0.1〜30体積部であることが好ましく、0.1〜10体積部であることがより好ましい。この配合割合が0.1体積部未満であると対向する電極間の接続抵抗が高くなる傾向にあり、30体積部を超えると隣接する電極間の短絡が生じやすくなる傾向がある。
上記各成分を含有する接着剤組成物を塗布することにより、基板上に熱硬化型接続材料を付設することができる。あるいは、図3に示すような接着材フィルム15の接着剤層8を熱硬化型接続材料として用いてもよい。同図に示す接着材フィルム15は、テープ状の基材6と、その一方面上に設けられた上記接着剤組成物からなる接着剤層8とを備える。接着材フィルム15は、基材6上に接着剤層8を付設することによって製造される。なお、接着材フィルム15の接着剤層8を接続材料として使用する際には、基材6は剥離される。
基材6はテープ状の形状を有する。基材6は、長さが1〜200m程度であり、厚さが4〜200μm程度であり、幅が0.5〜30mm程度である。基材6の長さ、厚さ及び幅は上記の範囲に限定されるものではない。但し、基材6の幅は、その上に付設される接着剤層8の幅よりも広いことが好ましい。
基材6は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム系、液晶ポリマー等からなる各種テープを使用することが可能である。もっとも、基材6を構成する材質はこれらに限定されるものではない。また、基材6として、接着剤層8との当接面等に離型処理が施されたものを使用してもよい。
接着剤層8は、上述の接着剤組成物からなる。接着剤層8の厚さは、使用する接着剤成分及び被接着物の種類等に合わせて適宜選択すればよいが、5〜100μmであることが好ましい。また、接着剤層8の幅は、使用用途に合わせて調整すればよいが、一般には0.5〜5mm程度である。この接着剤層8は、接着剤成分8aと、これに分散している導電粒子8bとを備える。
なお、熱硬化型接続材料として、市販されている種々の異方導電性フィルム(ACF)、異方導電性ペースト(ACP)、非導電性フィルム(NCF)等を用いてもよい。
(回路接続体)
次に、導電粒子が配合された接着剤組成物からなる接着剤層8を回路接続材料として使用して製造される回路接続体について説明する。図4は、回路電極同士が接続された回路接続体を示す概略断面図である。図4に示す回路接続体100は、相互に対向する第1の回路部材30及び第2の回路部材40を備えており、第1の回路部材30と第2の回路部材40との間には、これらを接続する接続部50aが設けられている。
次に、導電粒子が配合された接着剤組成物からなる接着剤層8を回路接続材料として使用して製造される回路接続体について説明する。図4は、回路電極同士が接続された回路接続体を示す概略断面図である。図4に示す回路接続体100は、相互に対向する第1の回路部材30及び第2の回路部材40を備えており、第1の回路部材30と第2の回路部材40との間には、これらを接続する接続部50aが設けられている。
第1の回路部材30は、回路基板31と、回路基板31の主面31a上に形成された回路電極32とを備えている。第2の回路部材40は、回路基板41と、回路基板41の主面41a上に形成された回路電極42とを備えている。
第1の回路部材30の具体例としては、金属配線を有するフレキシブルテープ、フレキシブルプリント配線板、インジウム錫酸化物(ITO)が蒸着されたガラス基板、ガラス強化エポキシ基板、紙フェノール基板、セラミック基板、積層板などの配線基板が挙げられる。他方、第2の回路部材40の具体例としては、ICチップ、LSIチップ、抵抗体チップ、コンデンサチップ等のチップ部品などが挙げられる。これらのチップ部品は、多数の回路電極(接続端子)を備えているものが一般的である。
各回路電極32,42の表面は、金、銀、錫、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金及びインジウム錫酸化物(ITO)から選ばれる1種で構成されてもよく、2種以上で構成されていてもよい。また、回路電極32,42の表面の材質は、すべての回路電極において同一であってもよく、異なっていてもよい。
接続部50aは接着剤層8に含まれる接着剤成分8aの硬化物8Aと、これに分散している導電粒子8bとを備えている。そして、回路接続体100においては、対向する回路電極32と回路電極42とが、導電粒子8bを介して電気的に接続されている。すなわち、導電粒子8bが、回路電極32,42の双方に直接接触している。
このため、回路電極32,42間の接続抵抗が十分に低減され、回路電極32,42間の良好な電気的接続が可能となる。他方、硬化物8Aは電気絶縁性を有するものであり、隣接する回路電極同士は絶縁性が確保される。従って、回路電極32,42間の電流の流れを円滑にすることができ、回路の持つ機能を十分に発揮することができる。
(回路接続体の製造方法)
次に、回路接続体100の製造方法について説明する。図5は、本発明に係る回路接続体の製造方法の一実施形態を概略断面図により示す工程図である。ここでは、上記の熱圧着装置10を用いた実装作業において、上記接着材フィルム15の接着剤層8を熱硬化型接続材料として使用する場合を例示する。
次に、回路接続体100の製造方法について説明する。図5は、本発明に係る回路接続体の製造方法の一実施形態を概略断面図により示す工程図である。ここでは、上記の熱圧着装置10を用いた実装作業において、上記接着材フィルム15の接着剤層8を熱硬化型接続材料として使用する場合を例示する。
まず、第1の回路部材30をステージ4上に載置する。そして、所定の長さに切断された接着剤層8を第1の回路部材30の回路電極32が形成されている面上に載置し、図5(a)に示すようにヘッド5を降下させて接着剤層8を第1の回路部材30に仮圧着する(図5(b))。このときの圧力は回路部材に損傷を与えない範囲であれば特に制限されないが、一般的には0.1〜30.0MPaとすることが好ましい。また、加熱しながら加圧してもよく、加熱温度は接着剤層8が実質的に硬化しない温度とする。加熱温度は一般的には80〜250℃にするのが好ましい。これらの加熱及び加圧は0.5〜120秒間の範囲で行うことが好ましい。
次いで、図5(c)に示すように、第2の回路部材40を、第2の回路電極42を第1の回路部材30の側に向けるようにして接着剤層8上に載せる。そして、ヘッド5を降下させると共に、ヘッド5の熱によって接着剤層8を硬化させる(熱圧着工程)。このときの接着剤層8の到達温度は、接着剤層8が硬化可能な温度とする。加熱温度は、60〜180℃が好ましく、70〜170℃がより好ましく、80〜160℃が更に好ましい。加熱温度が60℃未満であると硬化速度が遅くなる傾向があり、180℃を超えると望まない副反応が進行し易い傾向がある。加熱時間は、0.1〜180秒が好ましく、0.5〜180秒がより好ましく、1〜180秒が更に好ましい。
熱硬化型接続材料の硬化により接続部50aが形成されて、図4に示すような回路接続体100が得られる。
本実施形態においては、熱圧着工程によって得られた回路接続体100を再び加熱する(再加熱工程)。この再加熱工程における再加熱温度T1(℃)は、基板の反りを十分に低減する観点から、熱硬化型接続材料の硬化物の粘弾性値低下開始温度T2(℃)以上であることが好ましい。すなわち、再加熱温度T1と硬化物の粘弾性値低下開始温度T2は、下記式(1)で示される条件を満たすことが好ましい。
T1≧T2 …(1)
T1≧T2 …(1)
上記式(1)の条件を満たさない場合、すなわち、T1<T2の場合には、ステージ4上の第1の回路部材30の反り低減効果が不十分となる傾向がある。再加熱温度T1と硬化物の粘弾性値低下開始温度T2は、下記式(2)で示される条件を満たすことがより好ましく、下記式(3)で示される条件を満たすことが更に好ましい。
T1≧T2+5 …(2)
T1≧T2+10 …(3)
T1≧T2+5 …(2)
T1≧T2+10 …(3)
また、再加熱温度T1は、熱圧着工程において熱硬化型接続材料が到達する最高温度を超えない温度であることが好ましい。再加熱温度T1が熱圧着工程における熱硬化型接続材料の最高到達温度を超えると、再加熱工程において望まない副反応が進行し易い傾向がある。
また、再加熱温度T1は、熱硬化型接続材料の硬化物のガラス転移温度Tg(℃)以下であることが好ましい。再加熱温度T1が熱硬化型接続材料の硬化物のガラス転移温度Tgよりも高いと、接続抵抗の上昇や回路部材間における剥離が生じ易い傾向がある。
接続信頼性に優れる異方導電フィルムは、通常、その硬化物の粘弾性値低下開始温度T2が30〜150℃であり、硬化物のガラス転移温度Tgが30〜170℃である。このような異方導電フィルムを熱硬化型接続材料として用いた場合は、再加熱温度T1を30〜170℃とすることが好ましく、50〜150℃とすることがより好ましく、70〜130℃とすることが更に好ましい。
回路接続体を再加熱する方法については特に制限はない。例えば、熱圧着装置10のステージ4及び/又はヘッド5を昇温することで回路接続体を再加熱してもよい。より具体的には、基板に対する回路部材の熱圧着を開始した後に、熱圧着しながらステージ4の加熱を開始すると共に、熱圧着の終了後もステージ4の加熱を継続する方法、熱圧着の終了後、圧力開放した後にステージ4を加熱する方法などが挙げられる。但し、再加熱工程による基板の反り低減効果を高度に達成するためには、熱圧着工程は、昇温工程、温度保持工程及び降温工程を備え、熱圧着工程の降温工程後に回路接続体の再加熱を行うことが好ましい。なお、短時間で硬化する接続材料を用いた場合は、温度保持工程は実施しなくてもよい。
ステージ4を昇温する方法としては、ステージ4内にセラミックヒーター、抵抗式のヒーターを有するパルスヒーター等を内蔵させることが好ましい。これらの中でも、セラミックヒーターは、熱に対する寸法安定性、温度制御性が良好であるため、これを用いると、ステージ4の温度制御が良好となり好ましい。
また、ステージ4を昇温させて回路接続体100を再加熱する場合、熱圧着工程における加熱を開始してから、ステージ4の昇温を開始するまでの時間間隔を0.01秒から1000時間とすることが好ましく、0.02秒から100時間とすることがより好ましく、0.03秒から10時間とすることが更に好ましく、0.04秒から1時間とすることが特に好ましい。当該時間間隔が0.01秒未満であると、接続抵抗の上昇や回路部材間における剥離が生じる易い傾向があり、他方、1000時間を超えると、量産性に不十分となる傾向がある。仮に、熱圧着工程における加熱を開始する前にステージ4を昇温すると、第1の回路部材30上に付設された接着剤層8の硬化反応が進行する可能性がある。したがって、ステージ4の昇温は、熱圧着工程における加熱を開始した後であることが好ましい。
ヘッド5としては、熱硬化型接続材料を十分に硬化できる程度に昇温できるものが好ましい。例えば、セラミックヒーター又は金属製ブロックに加熱ヒーターを内蔵したものを使用できる。また、熱圧着時に、回路部材の1端子当たり圧力30〜2000kg/cm2で加圧できる性能を有するものが好ましい。
回路接続体100の再加熱は、ステージ4及び/又はヘッド5を昇温する方法に限定されず、例えば、ホットプレート上に回路接続体100を載置して一定時間放置する方法、ポットプレート上の回路接続体100をポットプレート側に押し付ける方法、加熱炉の中に回路接続体100を投入する方法、回路接続体100に温風を吹き付ける方法、超音波やその他外部からのエネルギーを回路接続体100に与えて加熱する方法などが挙げられる。
再加熱工程を備える回路部材実装方法によれば、熱圧着工程において、第1の回路部材30の反り変形を抑制するためにステージ4を事前に加熱する必要がなく、回路部材30上に付設された熱硬化型接続材料の硬化反応が事前に進行することもない。したがって、熱圧着工程における所望の加熱条件で接着剤層8を硬化させることができ、十分に高い接続信頼性を有する回路接続体100を製造できる。
そして、仮に、熱圧着工程後の回路部材30に反り変形が生じていたとしても、その後の再加熱工程で回路接続体100を再び加熱して接着剤成分8aの硬化物8Aを一旦軟化させることで、基板の反りが低減される。特に、回路部材30が基板であり、他方、回路部材40がチップ部品であって、特に、接続端子数が多く且つサイズが比較的大きい部品(例えば、ICチップ、LSIチップ等)である場合には実装時における接着剤層8の使用量が多いため、従来の実装方法では基板に反りが発生しやすい。このようなチップ部品の実装に、本実施形態に係る実装方法を採用すると、基板の反りが十分に低減され、その効果が顕著に奏される。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、単層構造の接着剤層8を熱硬化型接続材料として使用する場合を例示したが、多層構造の接着剤層からなる熱硬化型接続材料を使用してもよい。
多層構造の接着剤層を有する接着材フィルムは、接着剤成分及び導電粒子の種類あるいはこれらの含有量が異なる層を基材6上に複数積層することによって製造することができる。
多層構造の接着剤層を有する接着材フィルムは、接着剤成分及び導電粒子の種類あるいはこれらの含有量が異なる層を基材6上に複数積層することによって製造することができる。
図6は、基材6と、その一方面上に形成された二層構造の接着剤層18とを備える異方導電テープを示す断面図である。図6に示す接着材フィルム15Aの接着剤層18は、導電粒子を含有しない導電粒子非含有層18a及び導電粒子を含有する導電粒子含有層18bによって構成されている。なお、導電粒子非含有層18a及び導電粒子含有層18bの接着剤成分としては、上述の接着剤層8の接着剤成分と同様のものを使用できる。
上記二層構造の接着剤層18を回路接続材料として使用すると、回路部材同士の接合時に、接着剤成分の流動に起因する回路電極上における導電粒子の個数の減少を十分に抑制することができる。このため、例えば、ICチップをCOG実装もしくはCOF(Chip On Film)実装によって基板上に接続する場合、ICチップの金属バンプ上の導電粒子の個数を十分に確保することができる。この場合、ICチップの金属バンプを備える面と導電粒子非含有層18aとが、他方、ICチップを実装すべき基板と導電粒子含有層18bとが、それぞれ当接するように接着剤層18を配置することが好ましい。
また、本発明に係る実装方法は、COG実装に限定されず、例えば、液晶駆動用ICが実装されたフレキシブルテープと、ガラスパネルとを接続するOLB実装方法などにも適用可能である。
更に、上記実施形態においては、ステージ4上に、第1の回路部材(例えば、基板)30、熱硬化型接着材料及び第2の回路部材(例えば、チップ部品)40をこの順序で載置する場合を例示したが、積層の順序を逆にして、ステージ4上に、まず、第2の回路部材40を載置し、その上に熱硬化型接着材料及び第1の回路部材30をこの順序で載置してもよい。この場合、ヘッド5の当接面の熱によって主に第1の回路部材30が加熱され、ステージ4の当接面の熱によって主に第2の回路部材40が加熱されることとなる。
本発明について実施例及び比較例によって更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
<熱硬化型接続材料の作製>
以下に示す成分を含有する熱硬化性接着剤組成物を調製し、これをフィルム状に成形することによって、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.1」という。)を作製した。
フェノキシ樹脂(東都化成(株)製、FX293):30質量部、
ウレタンアクリレート(根上工業(株)製、UA5500):55質量部、(根上工業(株)製、UN5500):10質量部
過酸化物(日本油脂(株)製、パーロイルL):3質量部、
シランカップリング剤(東レ・ダウコーニング・シリコーン株製、SZ6030):5質量部。
以下に示す成分を含有する熱硬化性接着剤組成物を調製し、これをフィルム状に成形することによって、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.1」という。)を作製した。
フェノキシ樹脂(東都化成(株)製、FX293):30質量部、
ウレタンアクリレート(根上工業(株)製、UA5500):55質量部、(根上工業(株)製、UN5500):10質量部
過酸化物(日本油脂(株)製、パーロイルL):3質量部、
シランカップリング剤(東レ・ダウコーニング・シリコーン株製、SZ6030):5質量部。
<熱硬化型接続材料の硬化物の粘弾性測定>
ACF No.1を幅5mm、長さ40mmの矩形に切断した。この試験片を、熱風乾燥機を用いて170℃で2時間加熱することによって硬化させた。試験片の硬化物の粘弾性スペクトルをDAM測定装置(Rheometrics製、RSA II)で測定した。その結果、ACF No.1の硬化物の粘弾性値低下開始温度T2は、32℃であった。また、試験片の硬化物のガラス転移温度TgをEXSTAR6000(商品名、セイコーインスツルメンツ製)で測定した。その結果、ACF No.1の硬化物のガラス転移温度は、87℃であった。
ACF No.1を幅5mm、長さ40mmの矩形に切断した。この試験片を、熱風乾燥機を用いて170℃で2時間加熱することによって硬化させた。試験片の硬化物の粘弾性スペクトルをDAM測定装置(Rheometrics製、RSA II)で測定した。その結果、ACF No.1の硬化物の粘弾性値低下開始温度T2は、32℃であった。また、試験片の硬化物のガラス転移温度TgをEXSTAR6000(商品名、セイコーインスツルメンツ製)で測定した。その結果、ACF No.1の硬化物のガラス転移温度は、87℃であった。
(ACF No.2〜No.5)
ウレタンアクリレートとして、UN5500を使用する代わりに、SARTOMER製CN983(10質量部)を使用したことの他は、ACF No.1と同様にして、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.2」という。)を作製した。
ウレタンアクリレートとして、UN5500を使用する代わりに、SARTOMER製CN983(10質量部)を使用したことの他は、ACF No.1と同様にして、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.2」という。)を作製した。
ウレタンアクリレートとして、UN5500を使用せずに、UA5500を65質量部使用したことの他は、ACF No.1と同様にして、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.3」という。)を作製した。
ウレタンアクリレートとして、UN5500を使用せずに、フェノキシ樹脂を40質量部使用したことの他は、ACF No.1と同様にして、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.4」という。)を作製した。
以下に示す成分を含有する熱硬化性接着剤組成物を調製し、これをフィルム状に成形することによって、熱硬化型の異方導電フィルム(以下、「ACF No.5」という。)を作製した。
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド(株)製ZX1356−2):40質量部、
ビスフェノールF型エポキシ樹脂:30質量部、
イミダゾール系潜在性硬化剤:30質量部。
フェノキシ樹脂(ユニオンカーバイド(株)製ZX1356−2):40質量部、
ビスフェノールF型エポキシ樹脂:30質量部、
イミダゾール系潜在性硬化剤:30質量部。
ACF No.2〜No.5についても、ACF No.1と同様にして、各々の硬化物の粘弾性値低下開始温度T2及びガラス転移温度Tgを測定した。ACF No.1〜No.5の物性を表1に、粘弾性スペクトルを図7に示す。
<回路接続体の作製>
(実施例1〜5、比較例1,2)
接続材料としてACF No.1を使用し、表面にITO配線が形成されたガラス基板にICチップを実装した。ガラス基板及びICチップとして以下のものを用いた。
ガラス基板:コーニング社製、#7059、外形38mm×28mm、厚さ0.5mm、
ガラス基板表面のITO配線パターン:パターン幅50μm、ピッチ50μm、
ICチップ:外形1.7mm×17.2mm、厚さ0.55mm、バンプの大きさ50μm×50μm、バンプのピッチ50μm。
(実施例1〜5、比較例1,2)
接続材料としてACF No.1を使用し、表面にITO配線が形成されたガラス基板にICチップを実装した。ガラス基板及びICチップとして以下のものを用いた。
ガラス基板:コーニング社製、#7059、外形38mm×28mm、厚さ0.5mm、
ガラス基板表面のITO配線パターン:パターン幅50μm、ピッチ50μm、
ICチップ:外形1.7mm×17.2mm、厚さ0.55mm、バンプの大きさ50μm×50μm、バンプのピッチ50μm。
ガラス基板を石英からなるステージ上に載置し、その上にACF No.1及びICチップをこの順序で積層した。ICチップの上方からセラミックヒーターが内蔵されたヘッド(5mm×30mm)を降下させ、加熱しながらガラス基板とICチップとを50MPa(バンプ面積換算)の荷重で熱圧着させた(熱圧着工程)。このとき、ACF No.1が150℃に8秒間維持されるようにセラミックヒーターの温度を調整した。
上記の熱圧着工程によって作製された回路接続体を複数準備し、表2に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体を再び加熱した(再加熱工程)。再加熱は回路接続体を所定の温度に調整されたホットプレート上に載置することで行った。なお、表2に示す比較例1,2では、回路接続体の再加熱は行っていない。
(ガラス基板の反り量の測定)
上記のようにして作製した回路接続体を、ICチップ側を下方に向けて平坦な台の上に置いた。そして、ガラス基板の上面の中心部と、この中心部からガラス基板の上面に沿って12.5mm離れた箇所との高さ方向の距離Lを測定した。この距離Lをガラス基板のそり量とした(図8参照)。
上記のようにして作製した回路接続体を、ICチップ側を下方に向けて平坦な台の上に置いた。そして、ガラス基板の上面の中心部と、この中心部からガラス基板の上面に沿って12.5mm離れた箇所との高さ方向の距離Lを測定した。この距離Lをガラス基板のそり量とした(図8参照)。
(回路接続体の接続信頼性の評価)
再加熱工程(再加熱されない回路接続体にあっては熱圧着工程)直後の回路接続体の初期接続抵抗を四端子法で測定した。また、回路接続体を−40℃の雰囲気に15分間放置し、その後、100℃の雰囲気に10分間放置する工程を1000回繰り返す冷熱サイクル試験を行い、この冷熱サイクル試験後の接続抵抗を四端子法で測定した。
再加熱工程(再加熱されない回路接続体にあっては熱圧着工程)直後の回路接続体の初期接続抵抗を四端子法で測定した。また、回路接続体を−40℃の雰囲気に15分間放置し、その後、100℃の雰囲気に10分間放置する工程を1000回繰り返す冷熱サイクル試験を行い、この冷熱サイクル試験後の接続抵抗を四端子法で測定した。
各実施例及び比較例について、回路接続体をそれぞれ10個ずつ作製し、10個の回路接続体の接続抵抗(初期及び冷熱サイクル試験後)の平均値(Ω)を評価対象とした。接続抵抗の評価基準は次の4段階とした。
A:接続抵抗値が20Ω未満である。
B:接続抵抗値が20Ω以上、40Ω未満である。
C:接続抵抗値が40Ω以上である。
D:導通がなく、接続抵抗が測定できない。
A:接続抵抗値が20Ω未満である。
B:接続抵抗値が20Ω以上、40Ω未満である。
C:接続抵抗値が40Ω以上である。
D:導通がなく、接続抵抗が測定できない。
(実施例6〜13、比較例3,4)
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.2を使用し、表3に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例6〜13及び比較例3,4に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.2を使用し、表3に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例6〜13及び比較例3,4に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
(実施例14〜21、比較例5,6)
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.3を使用し、表4に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例14〜21及び比較例5,6に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.3を使用し、表4に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例14〜21及び比較例5,6に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
(実施例22〜29、比較例7,8)
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.4を使用し、表5に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例22〜29及び比較例7,8に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.4を使用し、表5に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例22〜29及び比較例7,8に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
(実施例30〜37、比較例9,10)
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.5を使用し、表6に示す熱圧着条件(温度、時間)で熱圧着を行うと共に、同表に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例30〜37及び比較例9,10に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
接続材料としてACF No.1の代わりに、ACF No.5を使用し、表6に示す熱圧着条件(温度、時間)で熱圧着を行うと共に、同表に示す再加熱条件(温度、時間)で回路接続体の再加熱を行ったことの他は、実施例1〜5及び比較例1,2と同様にして、実施例30〜37及び比較例9,10に係る回路接続体を作製した。また、ガラス基板のそり量の測定及び回路接続体の接続信頼性の評価についても上述の方法と同様にして行った。
表2〜6に上記実施例及び比較例の結果を示す。また、図9は、再加熱工程における再加熱条件とガラス基板の反り量との関係を示すグラフである。
表2〜6及び図9に示す通り、ICチップの実装後に回路接続体の再加熱を行わない場合(比較例1〜10)と比較し、熱圧着後に回路接続体の再加熱を行った場合(実施例1〜37)にはガラス基板の反りが低減した。特に、使用する接続材料の硬化物の粘弾性値低下開始温度T2よりも高い温度条件で再加熱を行った場合(実施例1〜5、10〜21、26〜29、34〜37)には、基板の反りがより一層低減した。また、回路接続体の再加熱を行っても、十分に高い接続信頼性が達成された。
1…ガラス基板、1a…ガラス基板の電極、2…熱硬化型接続材料、3…ICチップ、3a…ICチップの電極、4…ステージ、5…ヘッド、6…基材、8,18…接着剤層(回路接続材料)、8A…接着剤層の硬化物、10…熱圧着装置、15,15A…接着材フィルム、30,40…回路部材、50a…接続部、100…回路接続体。
Claims (5)
- 基板と当該基板に実装する回路部材との間に熱硬化性樹脂を含有する熱硬化型接続材料を介在させた後、加熱しながら前記基板と前記回路部材とを圧着することによって、前記熱硬化型接続材料を硬化させ、前記基板の電極と前記回路部材の電極が電気的に接続されるように前記基板と前記回路部材とを接着する熱圧着工程と、
前記熱圧着工程を経て得られた回路接続体を再び加熱する再加熱工程と、
を備える回路部材実装方法。 - 前記再加熱工程において、前記熱硬化型接続材料の硬化物の温度が当該硬化物の粘弾性値低下開始温度以上となるように前記回路接続体を加熱する、請求項1に記載の回路部材実装方法。
- 前記再加熱工程において、前記熱硬化型接続材料の硬化物の温度が前記熱圧着工程において当該熱硬化型接続材料が到達する最高温度を超えないように前記回路接続体を加熱する、請求項1又は2に記載の回路部材実装方法。
- 前記熱硬化型接続材料は、その硬化物のガラス転移温度が60〜250℃である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路部材実装方法。
- 前記熱圧着工程における加熱を開始してから前記再加熱工程における加熱を開始するまでの時間間隔が0.01秒から1000時間である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の回路部材実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008159421A JP2009038347A (ja) | 2007-07-06 | 2008-06-18 | 回路部材の実装方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007178288 | 2007-07-06 | ||
JP2008159421A JP2009038347A (ja) | 2007-07-06 | 2008-06-18 | 回路部材の実装方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009038347A true JP2009038347A (ja) | 2009-02-19 |
Family
ID=40439962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008159421A Pending JP2009038347A (ja) | 2007-07-06 | 2008-06-18 | 回路部材の実装方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009038347A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190032562A (ko) * | 2016-09-01 | 2019-03-27 | 니기소 가부시키가이샤 | 광반도체 장치 및 광반도체 장치의 제조 방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002252326A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200230A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
-
2008
- 2008-06-18 JP JP2008159421A patent/JP2009038347A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002252326A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004200230A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190032562A (ko) * | 2016-09-01 | 2019-03-27 | 니기소 가부시키가이샤 | 광반도체 장치 및 광반도체 장치의 제조 방법 |
KR102157009B1 (ko) | 2016-09-01 | 2020-09-16 | 니기소 가부시키가이샤 | 광반도체 장치 및 광반도체 장치의 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5126233B2 (ja) | 接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料、並びに、回路部材の接続方法、回路接続体及び接着剤組成物の硬化物 | |
KR101640965B1 (ko) | 이방성 도전 필름, 접합체 및 접속 방법 | |
KR100730629B1 (ko) | 필름상 접착제, 회로접속용 필름상 접착제, 접속체 및 반도체장치 | |
JP5690648B2 (ja) | 異方性導電フィルム、接続方法及び接続構造体 | |
JP4499329B2 (ja) | 接着剤、配線端子の接続方法及び配線構造体 | |
JP5867508B2 (ja) | 回路接続材料及び接続体 | |
JP2006245453A (ja) | フレキシブルプリント回路基板の他の回路基板への接続方法 | |
JP2009283606A (ja) | 配線部材の接続構造体及び配線部材の接続方法 | |
JP2008111092A (ja) | 回路接続材料及びそれを用いた接続構造体 | |
JP5844588B2 (ja) | 回路接続材料及びそれを用いた接続方法並びに接続構造体 | |
JP5024117B2 (ja) | 回路部材の実装方法 | |
JP2005194413A (ja) | 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体 | |
JP2009038347A (ja) | 回路部材の実装方法 | |
TWI596184B (zh) | Circuit connecting material, and manufacturing method of a package using the same | |
JP4045945B2 (ja) | 実装方法 | |
JP5143329B2 (ja) | 回路接続体の作製方法 | |
JP2003049152A (ja) | 回路接続用接着剤及びそれを用いた接続方法、接続構造体 | |
JP4518101B2 (ja) | 実装方法 | |
JP6442628B2 (ja) | 異方性導電フィルム、並びに、接合体の製造方法及び接合体 | |
JP2004200230A6 (ja) | 実装方法 | |
JP2011081257A (ja) | 回路部品の製造方法 | |
JP4155470B2 (ja) | 接続部材を用いた電極の接続法 | |
JP4555999B2 (ja) | 実装方法 | |
JP4670859B2 (ja) | 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造 | |
JP6280017B2 (ja) | 異方性導電フィルム、並びに、接続方法及び接合体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110418 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20120502 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120508 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20120911 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |