JP2009038170A - Optical lens barrel, electron irradiation method, and manufacturing method of mask drawing pattern - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical lens barrel equipped with a knife-edge type metal sealing mechanism capable of being opened and closed several times, and a method using the optical lens barrel. <P>SOLUTION: The optical lens barrel 112 in an embodiment includes an annular seal edge which is plated with an anticorrosive material and has its tip formed into a curved surface of 0.08 to 0.12 mm in radius after the plating, and a flange which is formed on the outer peripheral side of the seal edge integrally with the seal edge. According to this invention, the deformation of an edge and the peeling of a plating film can be suppressed while coping with repeated opening and closing. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、光学鏡筒、電子照射方法、及びマスク描画パターンの製造方法に係り、例えば、電子銃を搭載する光学鏡筒、及びその光学鏡筒を搭載した電子ビーム描画装置を用いた電子照射方法及びマスク描画パターンの製造方法に関する。   The present invention relates to an optical barrel, an electron irradiation method, and a mask drawing pattern manufacturing method, for example, an electron barrel using an optical barrel equipped with an electron gun and an electron beam drawing apparatus equipped with the optical barrel. The present invention relates to a method and a mask drawing pattern manufacturing method.

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。   Lithography technology, which is responsible for the progress of miniaturization of semiconductor devices, is an extremely important process for generating a pattern among semiconductor manufacturing processes. In recent years, with the high integration of LSIs, circuit line widths required for semiconductor devices have been miniaturized year by year. In order to form a desired circuit pattern on these semiconductor devices, a highly accurate original pattern (also referred to as a reticle or a mask) is required. Here, the electron beam (electron beam) drawing technique has an essentially excellent resolution, and is used for producing a high-precision original pattern.

図１４は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。 FIG. 14 is a conceptual diagram for explaining the operation of the variable shaped electron beam drawing apparatus.
The variable shaped electron beam (EB) drawing apparatus operates as follows. First, the first aperture 410 is formed with a rectangular opening 411 for forming the electron beam 330. Further, the second aperture 420 is formed with a variable shaping opening 421 for shaping the electron beam 330 that has passed through the opening 411 into a desired rectangular shape. The electron beam 330 irradiated from the charged particle source 430 and passed through the opening 411 is deflected by a deflector. And it passes through a part of variable shaping | molding opening 421, and is irradiated to the sample mounted on the stage. The stage continuously moves in a predetermined direction (for example, the X direction) during drawing. Thus, a rectangular shape that can pass through both the opening 411 and the variable shaping opening 421 is drawn in the drawing region of the sample 340. A method of creating an arbitrary shape by passing both the opening 411 and the variable forming opening 421 is referred to as a variable forming method.

ここで、電子ビーム描画装置では、電子を照射する電子銃が光学鏡筒内部に配置されている。そして、この光学鏡筒は、真空雰囲気化で使用されるために真空シール機構が施されている。例えば、鏡筒側とふた側のフランジ内周側にナイフエッジを設け、メタルガスケットを挟んで密閉する。ここで、電子銃のメンテナンス等のために、この光学鏡筒のふたを定期的に開ける必要が生じる。例えば、タレット式に電子銃の場合、電子銃の寿命が尽きるまでに４〜５回程度メンテナンスを行なう必要があった。しかしながら、従来のフランジ構造では、１度きりの真空シールであれば良好であったが、それ以上となるとナイフエッジの変形やエッジに施されためっき膜の剥離等が生じるといった問題があった。そのために、数度の開閉を行なうには従来の機構では真空シールを維持することが困難であった。   Here, in the electron beam drawing apparatus, an electron gun for irradiating electrons is disposed inside the optical barrel. The optical lens barrel is provided with a vacuum seal mechanism for use in a vacuum atmosphere. For example, a knife edge is provided on the inner peripheral side of the flange on the lens barrel side and the lid side, and the metal gasket is interposed and sealed. Here, it is necessary to periodically open the lid of the optical barrel for maintenance of the electron gun. For example, in the case of a turret type electron gun, it has been necessary to perform maintenance about 4 to 5 times before the life of the electron gun is exhausted. However, in the conventional flange structure, a vacuum seal of only one time was satisfactory, but there was a problem that when it exceeded that, the knife edge was deformed or the plating film applied to the edge was peeled off. For this reason, it has been difficult to maintain a vacuum seal with a conventional mechanism for opening and closing several degrees.

ここで、超高真空容器のシール構造として、ナイフエッジに関する記載が文献に開示されている（例えば、特許文献１，２参照）。
特開平６−３０７５４７号公報 特開平３−９１５７２号公報 Here, the description regarding a knife edge is disclosed by literature as a sealing structure of an ultra-high vacuum container (for example, refer patent documents 1 and 2).
JP-A-6-307547 JP-A-3-91572

上述したように、従来のナイフエッジ型のメタルシール機構では、数度の開閉を行なうことが困難であった。   As described above, it is difficult to open and close several times with the conventional knife-edge type metal seal mechanism.

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、数度の開閉を行なうことが可能なナイフエッジ型のメタルシール機構を備えた光学鏡筒及びその光学鏡筒を用いた方法を提供することを目的とする。   Accordingly, the present invention provides an optical barrel having a knife-edge type metal seal mechanism that can overcome such problems and can be opened and closed several times and a method using the optical barrel. Objective.

本発明の一態様の光学鏡筒は、
耐食材料でめっきされ、めっき後の先端部が半径０．０８〜０．１２ｍｍの曲面に形成された環状のシールエッジ部と、
シールエッジ部と一体で形成され、シールエッジ部の外周側に形成されたフランジ部と、
を備えたことを特徴とする。 The optical barrel of one embodiment of the present invention is
An annular seal edge portion plated with a corrosion-resistant material and having a tip end after plating formed into a curved surface having a radius of 0.08 to 0.12 mm;
A flange portion formed integrally with the seal edge portion and formed on the outer peripheral side of the seal edge portion;
It is provided with.

めっき後のエッジ先端部がＲ０．０８〜０．１２ｍｍに形成されることで、エッジの変形やめっき膜剥がれを抑制することができる。   By forming the edge tip after plating to R0.08 to 0.12 mm, it is possible to suppress edge deformation and plating film peeling.

また、光学鏡筒内には、電子ビーム光学系が配置される。そして、シールエッジ部とフランジ部の材料として、炭素鋼が用いられると好適である。炭素鋼を用いることで、電子ビームへの影響を排除することができる。特に、光学鏡筒内には、電子銃が配置されると好適である。   An electron beam optical system is disposed in the optical column. And it is suitable when carbon steel is used as a material of a seal edge part and a flange part. By using carbon steel, the influence on the electron beam can be eliminated. In particular, it is preferable that an electron gun is disposed in the optical barrel.

本発明の一態様の電子照射方法は、
上述した光学鏡筒を所定のガスケットを挟んで所定のフランジで密閉し、
密閉後に光学鏡筒内部の気体を排気し、
光学鏡筒内部が真空雰囲気化になった後に光学鏡筒内部で電子を照射することを特徴する。
そして、本発明の一態様のマスク描画パターンの製造方法は、この電子を試料に照射して、試料上にマスク描画パターンを製造することを特徴する。 The electron irradiation method of one embodiment of the present invention includes:
The above optical barrel is sealed with a predetermined flange with a predetermined gasket interposed therebetween,
After sealing, exhaust the gas inside the optical column,
The present invention is characterized in that electrons are irradiated inside the optical barrel after the inside of the optical barrel becomes a vacuum atmosphere.
And the manufacturing method of the mask drawing pattern of 1 aspect of this invention irradiates this sample to a sample, and manufactures a mask drawing pattern on a sample.

本発明によれば、数度の開閉に対して、エッジの変形やめっき膜剥がれを抑制することができる。その結果、良好な真空シールを維持することができる。   According to the present invention, edge deformation and plating film peeling can be suppressed with respect to several degrees of opening and closing. As a result, a good vacuum seal can be maintained.

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。   Hereinafter, in the embodiment, a configuration using an electron beam will be described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to an electron beam, and may be a beam using other charged particles such as an ion beam.

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例となる。そして、描画装置１００は、試料１０１に所望するパターンを描画する。描画部１５０は、電子鏡筒１０２、描画室１０３を有している。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。また、描画室１０３内には、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５が配置されている。また、ＸＹステージ１０５上には、試料１０１が配置されている。試料１０１として、例えば、ウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。電子鏡筒１０２上部には、閉止フランジ１１６が取り付けられている。また、真空ポンプ１０６によって、電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内は真空引きされ、真空雰囲気化される。ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to the first embodiment.
In FIG. 1, the drawing apparatus 100 includes a drawing unit 150 and a control unit 160. The drawing apparatus 100 is an example of a charged particle beam drawing apparatus. The drawing apparatus 100 draws a desired pattern on the sample 101. The drawing unit 150 includes an electron column 102 and a drawing chamber 103. In the electron column 102, an electron gun 201, an illumination lens 202, a first aperture 203, a projection lens 204, a deflector 205, a second aperture 206, an objective lens 207, and a deflector 208 are arranged. In the drawing chamber 103, an XY stage 105 is arranged so as to be movable. A sample 101 is disposed on the XY stage 105. As the sample 101, for example, an exposure mask for transferring a pattern to a wafer is included. A closing flange 116 is attached to the upper part of the electron column 102. In addition, the inside of the electron column 102 and the drawing chamber 103 are evacuated by the vacuum pump 106 to create a vacuum atmosphere. Here, FIG. 1 shows components necessary for explaining the first embodiment. Needless to say, the drawing apparatus 100 may normally include other necessary configurations.

まず、所定のガスケットを挟んで閉止フランジ１１６で電子鏡筒１０２上部が閉止され、密封される。その後、真空ポンプ１０６によって、電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内の気体が排気される。このように真空引きされることで電子鏡筒１０２内及び描画室１０３内部が真空雰囲気化される。その後、電子鏡筒１０２内に配置された照射部の一例となる電子銃２０１から電子ビーム２００が照射される。電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。その結果、電子ビーム２００は成形される。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、偏向器２０８により偏向される。その結果、連続移動するＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。このようにして、マスク描画パターンを製造することができる。   First, the upper part of the electron barrel 102 is closed and sealed with a closing flange 116 with a predetermined gasket interposed therebetween. Thereafter, the gas in the electron column 102 and the drawing chamber 103 is exhausted by the vacuum pump 106. By evacuating in this manner, the inside of the electron column 102 and the inside of the drawing chamber 103 are made into a vacuum atmosphere. Thereafter, an electron beam 200 is irradiated from an electron gun 201 which is an example of an irradiation unit arranged in the electron column 102. The electron beam 200 emitted from the electron gun 201 illuminates the entire first aperture 203 having a rectangular hole, for example, a rectangular hole, by the illumination lens 202. Here, the electron beam 200 is first formed into a rectangle, for example, a rectangle. Then, the electron beam 200 of the first aperture image that has passed through the first aperture 203 is projected onto the second aperture 206 by the projection lens 204. The position of the first aperture image on the second aperture 206 is deflection-controlled by the deflector 205, and the beam shape and size can be changed. As a result, the electron beam 200 is shaped. Then, the electron beam 200 of the second aperture image that has passed through the second aperture 206 is focused by the objective lens 207 and deflected by the deflector 208. As a result, the desired position of the sample 101 on the continuously moving XY stage 105 is irradiated. In this way, a mask drawing pattern can be manufactured.

図２は、実施の形態１における電子銃付近を拡大した概念図である。
図３は、図２のＡ部の拡大図である。
電子鏡筒１０２は、光学鏡筒１１２と光学鏡筒１１４とが組み合わされている。光学鏡筒１１２には、電子ビーム光学系の一部となるタレット式の電子銃２０１が配置されている。電子銃２０１には、複数のカソード２１２が配置され、レバー２１４を回すことでカソード２１２を交換可能に配置されている。そのため、各カソード２１２の寿命に応じて交換することができる。ここで、描画装置１００が設置から世代交代を含む寿命に達するまでに、このような電子銃２０１を５回程度メンテナンスする必要がある。その際には、光学鏡筒１１２に取り付けられている閉止フランジ１１６を取り外すことになる。光学鏡筒１１２と閉止フランジ１１６は、図３に示すようにメタルシール構造になっている。光学鏡筒１１２と閉止フランジ１１６は、フランジ内周側に金属ガスケット１１８を挟んで、ナイフエッジをシール面としてボルト１２０で締め付ける。この金属ガスケット１１８をナイフエッジが食い込むことで真空シールを維持している。金属ガスケット１１８には、例えば、無酸素銅が用いられる。また、光学鏡筒１１２は、材料として、機械構造用炭素鋼を用いると好適である。例えば、Ｓ２５Ｃ材を用いると好適である。その他にも、Ｓ３０Ｃ材、Ｓ３５Ｃ材、Ｓ４５Ｃ材、Ｓ５０Ｃ材、或いはＳ５５Ｃ材といった材料も好適である。機械構造用炭素鋼を用いることで、電子銃２０１から照射される電子が受ける磁気の影響を排除或いは低減することができる。 FIG. 2 is an enlarged conceptual view of the vicinity of the electron gun in the first embodiment.
FIG. 3 is an enlarged view of part A in FIG.
The electron column 102 is a combination of an optical column 112 and an optical column 114. The optical barrel 112 is provided with a turret type electron gun 201 that is a part of the electron beam optical system. A plurality of cathodes 212 are arranged in the electron gun 201, and the cathodes 212 can be exchanged by turning the lever 214. Therefore, it can be replaced according to the life of each cathode 212. Here, it is necessary to maintain such an electron gun 201 about five times before the drawing apparatus 100 reaches the life span including the generational change from the installation. At that time, the closing flange 116 attached to the optical barrel 112 is removed. The optical barrel 112 and the closing flange 116 have a metal seal structure as shown in FIG. The optical barrel 112 and the closing flange 116 are fastened with bolts 120 with a knife edge as a sealing surface with a metal gasket 118 sandwiched between the inner peripheral side of the flange. A vacuum seal is maintained by biting the metal gasket 118 with a knife edge. For the metal gasket 118, for example, oxygen-free copper is used. The optical barrel 112 is preferably made of carbon steel for mechanical structure as a material. For example, it is preferable to use S25C material. In addition, materials such as S30C material, S35C material, S45C material, S50C material, or S55C material are also suitable. By using the carbon steel for mechanical structure, it is possible to eliminate or reduce the influence of magnetism on the electrons irradiated from the electron gun 201.

図４は、実施の形態１における光学鏡筒のフランジ部の断面図である。
図５は、図４の上面図である。
光学鏡筒１１２の上部には、環状のフランジ部１２４と環状のシールエッジ部１２２とが光学鏡筒１１２の胴部と一体で形成されている。シールエッジ部１２２は、先端部が、例えば、θ＝７０°の鋭角でフランジ部１２４のフランジ面側に凸に形成されている。シールエッジ部１２２は、フランジ部１２４の内周側に形成されている。また、フランジ面には、閉止フランジ１１６を固定するための複数のネジ穴が形成されている。 FIG. 4 is a cross-sectional view of the flange portion of the optical barrel in the first embodiment.
FIG. 5 is a top view of FIG.
An annular flange portion 124 and an annular seal edge portion 122 are formed integrally with the body portion of the optical barrel 112 on the upper portion of the optical barrel 112. The seal edge portion 122 is formed such that the front end portion thereof is convex on the flange surface side of the flange portion 124 with an acute angle of θ = 70 °, for example. The seal edge portion 122 is formed on the inner peripheral side of the flange portion 124. A plurality of screw holes for fixing the closing flange 116 are formed on the flange surface.

図６は、実施の形態１におけるシールエッジ部の拡大図である。
光学鏡筒１１２は、フランジ部１２４やシールエッジ部１２２と共にニッケル（Ｎｉ）めっきが施されている。Ｎｉは、耐食材料の一例となる。光学鏡筒１１２は、ステンレス等の耐食材料ではなく機械構造用炭素鋼で形成されるため、耐食材料でめっきすることで、さび等の発生を抑制する。そのため、シールエッジ部１２２には、表面にめっき膜１２６が形成される。例えば、１０μｍ±５μｍの膜厚で形成される。 FIG. 6 is an enlarged view of a seal edge portion in the first embodiment.
The optical barrel 112 is plated with nickel (Ni) together with the flange portion 124 and the seal edge portion 122. Ni is an example of a corrosion resistant material. Since the optical column 112 is formed of carbon steel for mechanical structure rather than a corrosion resistant material such as stainless steel, the occurrence of rust and the like is suppressed by plating with the corrosion resistant material. Therefore, a plating film 126 is formed on the surface of the seal edge portion 122. For example, it is formed with a film thickness of 10 μm ± 5 μm.

従来のシール機構では、閉止フランジを開閉する際にこのめっき膜の剥がれやシールエッジ部の先端の変形等が生じてしまっていた。ここで、発明者等は、シールエッジ部１２２の先端部のＲ寸法を制御することでこの問題を解決可能であることを見出した。その結果から、実施の形態１では、めっき後のシールエッジ部１２２の先端部が半径０．０８〜０．１２ｍｍ（Ｒ０．０８〜０．１２）の曲面に形成する。以下、評価試験に用いたサンプルシールエッジ部の条件を表１に示す。   In the conventional sealing mechanism, when the closing flange is opened and closed, the plating film is peeled off or the tip of the seal edge is deformed. Here, the inventors have found that this problem can be solved by controlling the R dimension of the distal end portion of the seal edge portion 122. As a result, in the first embodiment, the tip end portion of the seal edge portion 122 after plating is formed into a curved surface having a radius of 0.08 to 0.12 mm (R 0.08 to 0.12). Table 1 shows the conditions of the sample seal edge part used in the evaluation test.

Ｐ１〜Ｐ８のサンプルシールエッジ部を作成した。
（１−１）サンプルＰ１では、シールエッジ部の先端のエッジ処理を無しにした。すなわち、加工機械による切りっぱなしとした。また、めっき前のブラスト加工の下地処理も無しにした。そして、Ａ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０４ｍｍとなった。
（１−２）サンプルＰ２では、シールエッジ部の先端のエッジ処理を無しにした。すなわち、加工機械による切りっぱなしとした。また、めっき前のブラスト加工の下地処理も無しにした。そして、Ｂ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０５ｍｍとなった。
（１−３）サンプルＰ３では、シールエッジ部の先端のエッジ処理を無しにした。すなわち、加工機械による切りっぱなしとした。また、めっき前にシールエッジ部をブラスト加工した。そして、Ａ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０５ｍｍとなった。
（１−４）サンプルＰ４では、シールエッジ部の先端のエッジ処理を無しにした。すなわち、加工機械による切りっぱなしとした。また、めっき前にシールエッジ部をブラスト加工した。そして、Ｂ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０５５ｍｍとなった。
（１−５）サンプルＰ５では、シールエッジ部の先端を半径０．０７ｍｍ（Ｒ０．０７）に加工した。また、めっき前のブラスト加工の下地処理は無しにした。そして、Ａ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０８ｍｍとなった。
（１−６）サンプルＰ６では、シールエッジ部の先端を半径０．１１ｍｍ（Ｒ０．１１）に加工した。また、めっき前のブラスト加工の下地処理は無しにした。そして、Ｂ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．１２ｍｍとなった。
（１−７）サンプルＰ７では、シールエッジ部の先端を半径０．０７ｍｍ（Ｒ０．０７）に加工した。また、めっき前にシールエッジ部をブラスト加工した。そして、Ａ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０８ｍｍとなった。
（１−８）サンプルＰ８では、シールエッジ部の先端を半径０．０８ｍｍ（Ｒ０．０８）に加工した。また、めっき前にシールエッジ部をブラスト加工した。そして、Ｂ社のめっき処理後のシールエッジ部の先端部のＲ寸法を測定した結果、０．０９ｍｍとなった。 Sample seal edge portions of P1 to P8 were prepared.
(1-1) In the sample P1, the edge processing at the tip of the seal edge portion is omitted. That is, it was cut off by a processing machine. In addition, the base treatment of blasting before plating was also eliminated. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of A company, it was set to 0.04 mm.
(1-2) In the sample P2, the edge processing at the tip of the seal edge portion is omitted. That is, it was cut off by a processing machine. In addition, the base treatment of blasting before plating was also eliminated. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of B company, it was set to 0.05 mm.
(1-3) In sample P3, the edge processing at the tip of the seal edge portion was omitted. That is, it was cut off by a processing machine. Moreover, the seal edge part was blasted before plating. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of A company, it was set to 0.05 mm.
(1-4) In sample P4, the edge processing at the tip of the seal edge portion was omitted. That is, it was cut off by a processing machine. Moreover, the seal edge part was blasted before plating. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of B company, it was set to 0.055 mm.
(1-5) In sample P5, the tip of the seal edge portion was processed to a radius of 0.07 mm (R0.07). In addition, the base treatment for blasting before plating was omitted. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of A company, it was set to 0.08 mm.
(1-6) In sample P6, the tip of the seal edge was processed to have a radius of 0.11 mm (R0.11). In addition, the base treatment for blasting before plating was omitted. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of B company, it was set to 0.12 mm.
(1-7) In sample P7, the tip of the seal edge portion was processed to a radius of 0.07 mm (R0.07). Moreover, the seal edge part was blasted before plating. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of A company, it was set to 0.08 mm.
(1-8) In sample P8, the tip of the seal edge was processed to a radius of 0.08 mm (R0.08). Moreover, the seal edge part was blasted before plating. And as a result of measuring R dimension of the front-end | tip part of the seal edge part after the plating process of B company, it was set to 0.09 mm.

以上のようなＰ１〜Ｐ８のサンプルシールエッジ部をもった鏡筒と閉止フランジとで開閉試験を行なったときのシールエッジ部の試験結果を表２に示す。   Table 2 shows the test results of the seal edge portion when the open / close test is performed with the lens barrel having the sample seal edge portions of P1 to P8 and the closing flange as described above.

（２−１）サンプルＰ１では、１回目の取り付け時にはリークが認められなかったが、取り外した結果、シールエッジ部にめっき剥がれが生じていた。よって、１回の取り外しでＮＧとなった。
（２−２）サンプルＰ２でも、１回目の取り付け時にはリークが認められなかったが、取り外した結果、シールエッジ部にめっき剥がれが生じていた。よって、１回の取り外しでＮＧとなった。
（２−３）サンプルＰ３では、１回目の取り付け時にはリークが認められなかったが、２回目の取り付け時にリークが認められた。そして、２回目の取り外しの結果、シールエッジ部にめっき剥がれが生じていた。よって、２回目の取り付けでＮＧとなった。
（２−４）サンプルＰ４では、４回目の取り付け時まではリークが認められなかった。そして、４回目の取り外しの結果、シールエッジ部にめっき剥がれが生じていた。よって、４回目の取り外しでＮＧとなった。
（２−５）サンプルＰ５では、６回目の取り付け時まではリークが認められなかった。そして、６回目の取り外しの結果、シールエッジ部のめっき膜の状態は良好であった。よって、少なくとも６回の開閉は可能である。
（２−６）サンプルＰ６でも、６回目の取り付け時まではリークが認められなかった。そして、６回目の取り外しの結果、シールエッジ部のめっき膜の状態は良好であった。よって、少なくとも６回の開閉は可能である。
（２−７）サンプルＰ７でも、６回目の取り付け時まではリークが認められなかった。そして、６回目の取り外しの結果、シールエッジ部のめっき膜の状態は良好であった。よって、少なくとも６回の開閉は可能である。
（２−８）サンプルＰ８でも、６回目の取り付け時まではリークが認められなかった。そして、６回目の取り外しの結果、シールエッジ部のめっき膜の状態は良好であった。よって、少なくとも６回の開閉は可能である。 (2-1) In sample P1, no leak was observed during the first attachment, but as a result of removal, plating peeling occurred at the seal edge portion. Therefore, it became NG by one removal.
(2-2) Even in the sample P2, no leak was observed at the first attachment, but as a result of removal, plating peeling occurred at the seal edge portion. Therefore, it became NG by one removal.
(2-3) In sample P3, no leak was observed during the first mounting, but a leak was observed during the second mounting. As a result of the second removal, plating peeling occurred at the seal edge portion. Therefore, it became NG by the second installation.
(2-4) In sample P4, no leak was observed until the fourth attachment. As a result of the fourth removal, plating peeling occurred at the seal edge portion. Therefore, it became NG by the fourth removal.
(2-5) In sample P5, no leak was observed until the sixth attachment. As a result of the sixth removal, the state of the plating film at the seal edge portion was good. Therefore, it can be opened and closed at least six times.
(2-6) In sample P6, no leak was observed until the sixth attachment. As a result of the sixth removal, the state of the plating film at the seal edge portion was good. Therefore, it can be opened and closed at least six times.
(2-7) Even in sample P7, no leak was observed until the sixth attachment. As a result of the sixth removal, the state of the plating film at the seal edge portion was good. Therefore, it can be opened and closed at least six times.
(2-8) Even in the sample P8, no leak was observed until the sixth attachment. As a result of the sixth removal, the state of the plating film at the seal edge portion was good. Therefore, it can be opened and closed at least six times.

以上のように、めっき後のシールエッジ部１２２の先端部が半径０．０８〜０．１２ｍｍ（Ｒ０．０８〜０．１２）では、リークやめっき膜剥がれが生じなかった。また、サンドブラスト加工の有無では結果に違いが生じなかったが、この先、さらに繰り返し回数を増やすには、サンドブラスト加工を行なった方が好適である。   As described above, when the tip end portion of the seal edge portion 122 after plating had a radius of 0.08 to 0.12 mm (R 0.08 to 0.12), no leakage or plating film peeling occurred. In addition, although there was no difference in the results with and without sandblasting, it is preferable to perform sandblasting to increase the number of repetitions.

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。ここでは、電子ビーム描画装置に光学鏡筒における真空シール構造を説明したが、これに限るものではない。真空シールを必要とするその他の鏡筒やチャンバにも適用することができる。   The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. Here, the vacuum seal structure in the optical column has been described for the electron beam drawing apparatus, but the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to other lens barrels and chambers that require a vacuum seal.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the drawing apparatus 100 is omitted, it goes without saying that the required control unit configuration is appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画方法及び装置は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all charged particle beam writing methods and apparatuses that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態１における電子銃付近を拡大した概念図である。FIG. 3 is an enlarged conceptual diagram of the vicinity of an electron gun in the first embodiment. 図２のＡ部の拡大図である。It is an enlarged view of the A section of FIG. 実施の形態１における光学鏡筒のフランジ部の断面図である。3 is a cross-sectional view of a flange portion of the optical barrel in the first embodiment. FIG. 図４の上面図である。FIG. 5 is a top view of FIG. 4. 実施の形態１におけるシールエッジ部の拡大図である。3 is an enlarged view of a seal edge portion in the first embodiment. FIG. 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating operation | movement of the conventional variable shaping type | mold electron beam drawing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１０６ 真空ポンプ
１１２，１１４ 光学鏡筒
１１６ 閉止フランジ
１１８ ガスケット
１２０ ボルト
１２２ シールエッジ部
１２４ フランジ部
１２６ めっき膜
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５，２０８ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２１２ カソード
２１４ レバー
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Drawing apparatus 101,340 Sample 102 Electron barrel 103 Drawing chamber 105 XY stage 106 Vacuum pump 112,114 Optical barrel 116 Closing flange 118 Gasket 120 Bolt 122 Seal edge part 124 Flange part 126 Plating film 150 Drawing part 160 Control part 200 Electron beam 201 Electron gun 202 Illumination lens 203, 410 First aperture 204 Projection lens 205, 208 Deflector 206, 420 Second aperture 207 Objective lens 212 Cathode 214 Lever 330 Electron beam 411 Opening 421 Variable shaping opening 430 Charged particle source

Claims (6)

耐食材料でめっきされ、めっき後の先端部が半径０．０８〜０．１２ｍｍの曲面に形成された環状のシールエッジ部と、
前記シールエッジ部と一体で形成され、前記シールエッジ部の外周側に形成されたフランジ部と、
を備えたことを特徴とする光学鏡筒。 An annular seal edge portion plated with a corrosion-resistant material and having a tip end after plating formed into a curved surface having a radius of 0.08 to 0.12 mm;
A flange portion formed integrally with the seal edge portion, and formed on the outer peripheral side of the seal edge portion;
An optical barrel characterized by comprising: 前記光学鏡筒内には、電子ビーム光学系が配置されることを特徴とする請求項１記載の光学鏡筒。   2. The optical barrel according to claim 1, wherein an electron beam optical system is disposed in the optical barrel. 前記シールエッジ部と前記フランジ部の材料として、炭素鋼が用いられることを特徴とする請求項１又は２記載の光学鏡筒。   3. The optical column according to claim 1, wherein carbon steel is used as a material for the seal edge portion and the flange portion. 前記光学鏡筒内には、電子銃が配置されることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の光学鏡筒。   The optical barrel according to claim 1, wherein an electron gun is disposed in the optical barrel. 請求項１〜４いずれか記載の光学鏡筒を所定のガスケットを挟んで所定のフランジで密閉し、
密閉後に前記光学鏡筒内部の気体を排気し、
前記光学鏡筒内部が真空雰囲気化になった後に前記光学鏡筒内部で電子を照射することを特徴する電子照射方法。 Sealing the optical barrel according to any one of claims 1 to 4 with a predetermined flange across a predetermined gasket,
Exhaust the gas inside the optical barrel after sealing,
An electron irradiation method comprising irradiating electrons inside the optical barrel after the inside of the optical barrel is in a vacuum atmosphere. 請求項１〜４いずれか記載の光学鏡筒を所定のガスケットを挟んで所定のフランジで密閉し、
密閉後に前記光学鏡筒内部の気体を排気し、
前記光学鏡筒内部が真空雰囲気化になった後に前記光学鏡筒内部で電子を照射し、
前記電子を試料に照射して、前記試料上にマスク描画パターンを製造することを特徴するマスク描画パターンの製造方法。 Sealing the optical barrel according to any one of claims 1 to 4 with a predetermined flange across a predetermined gasket,
Exhaust the gas inside the optical barrel after sealing,
Irradiating electrons inside the optical barrel after the inside of the optical barrel is in a vacuum atmosphere,
A method for producing a mask drawing pattern, wherein the sample is irradiated with the electrons to produce a mask drawing pattern on the sample.

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