JP2009033056A - 反力処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】反力処理装置の大型化を抑制する。
【解決手段】反力処理装置1は、互いに高さの異なる複数の盤面18,19を有すると共に床25に除振バネ16,16を介して設置された定盤11と、盤面18,19上にそれぞれ配設され当該盤面18,19上を移動するステージ12,12と、を具備するステージ装置10に設けられ、ステージ12,12の移動で定盤11に生じる反力F,Fを処理する。また、反力処理装置1は、カウンタ推力R,Rを定盤11に印加する第1及び第2反力処理アクチュエータ2,2と、カウンタ推力R,Rの大きさを制御する制御部31と、を備えている。この反力処理装置1では、定盤11におけるカウンタ推力R,Rの作用点高さが互いに異なっており、制御部31が反力F,Fを合力及び合モーメントとして相殺するように、カウンタ推力R,Rを制御する。
【選択図】図1

Description

本発明は、移動ステージ装置におけるステージの整定性を向上するための反力処理装置に関する。
従来、例えば半導体や液晶の露光装置として、互いに高さの異なる複数の盤面を有すると共に基礎に除振手段を介して設置された定盤と、この定盤におけるそれぞれの盤面上を移動する複数のステージと、を具備する移動ステージ装置が用いられている。このような移動ステージ装置においては、例えば単位時間当たりにおける処理量の向上のため、ステージの高加減速化が求められている。しかし、ステージを高加減速化させると、ステージの移動で定盤に生じる反力が増大し、ステージの整定性が悪化するおそれがある。
そこで、近年、例えば特許文献1に記載の反力処理装置が開発されている。この反力処理装置では、第1印加手段(力アクチュエータ)及び第2印加手段(水平力アクチュエータ)により反力を相殺するための力(可変の推力)を定盤(鏡筒定盤及びレチクルステージ定盤)にそれぞれ印加することで、複数のステージ(レチクルステージ及びウエハステージ)の移動で定盤に生じる複数の反力を相殺することが図られている。
特開2000−40650号公報
ところで、反力の影響でモーメントが定盤に生じてしまうのを抑制するためには、反力の作用点高さと反力を相殺するための力の作用点高さとを互いに一致させるのが一般的である。よって、上述したような反力処理装置においては、複数の反力の作用点高さに印加する力の作用点高さが一致するように、複数の印加手段が移動ステージ装置に設けられている。しかし、反力の作用点高さが高い場合には、印加手段を高い位置に設ける必要があり、反力処理装置が大型化してしまうおそれがある。
そこで、本発明は、大型化を抑制することができる反力処理装置を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明に係る反力処理装置は、互いに高さの異なる複数の盤面を有すると共に基礎に除振手段を介して設置された定盤と、盤面上にそれぞれ配設され当該盤面上を移動する複数のステージと、を具備するステージ装置に設けられ、ステージの移動で定盤に生じる複数の反力を処理するための反力処理装置であって、複数の反力を協働して処理するための第1及び第2の力それぞれを定盤に印加する第1及び第2印加手段と、第1及び第2の力の大きさを制御する制御手段と、を備え、定盤における第1及び第2の力の作用点高さが互いに異なっており、制御手段は、複数の反力を合力及び合モーメントとして相殺するように、第1及び第2の力を制御することを特徴とする。
この反力処理装置では、定盤における第1及び第2の力の作用点高さが互いに異なっている。そして、制御手段が、複数の反力を合力及び合モーメントとして相殺するように、第1及び第2の力を制御する。よって、互いに高さの異なる複数の盤面上のそれぞれで複数のステージが移動する際、定盤にモーメントを生じさせないために、定盤に生じる複数の反力の作用点高さに印加する力の作用点高さのそれぞれを一致させる必要がなくなる。つまり、複数の盤面上のそれぞれで複数のステージが移動するに際し、複数の反力が定盤に生じても、これらの反力を第1及び第2印加手段のみで処理することができる。これと共に、互いに高さの異なる位置であれば第1及び第2印加手段を自由な位置に配置することが可能となる。その結果、反力処理装置の大型化を抑制でき、ひいては移動ステージ装置の大型化を抑制することが可能となる。
ここで、第1及び第2印加手段は、定盤が被さるように当該定盤の盤面と基礎との間に配置されていることが好ましい。この場合、定盤の盤面のスペースが十分に確保されると共に、移動ステージ装置の設置面積(いわゆるフットプリント)の増大が抑制される。よって、移動ステージ装置のスペースを効率的に利用することができ、移動ステージ装置の大型化を一層抑制することが可能となる。
また、第1印加手段及び第2印加手段の少なくとも一方は、定盤の底面と基礎との間に設けられてもよい。
本発明によれば、反力処理装置の大型化を抑制することができ、その結果、移動ステージ装置の大型化を抑制することが可能となる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
まず、本発明の第1実施形態に係る反力処理装置を含む移動ステージ装置について説明する。図1は本発明の第1実施形態に係る反力処理装置を含む移動ステージ装置の断面を示す概略構成図である。図1に示すように、移動ステージ装置10は、例えば半導体の露光装置として採用されるものであり、定盤11、ステージ12及び反力処理装置1を備えている。
定盤11は、床(基礎)25に除振バネ(除振手段)16,16を介して支持され設置されており、これにより、床25からの振動(特に高周波振動)に対して絶縁されている。この定盤11は、互いに高さの異なる複数(ここでは2つ)の盤面18,19を有するように階層構造を呈している。具体的には、定盤11は、床25上に設けられ盤面18を含む第1定盤部20と、当該第1定盤部20上に設けられ盤面19を含む第2定盤部22と、を有している。
第1定盤部20は、熱による変形を防止するために、例えば石材により形成されている。この第1定盤部20の側面20aには、側面20a及び下面(底面)20bに開口する凹部17が形成されており、凹部17には、反力処理装置1が設けられている(詳しくは後述)。第2定盤部22には、例えばセラミックが用いられている。
ステージ12は、盤面18上に配設された第1ステージ12と、盤面19上に配設された第2ステージ12と、を有している。第1ステージ12には、例えば半導体ウエハW1が載置され、第2ステージ12には、例えば半導体マスクW2が載置される。これらのステージ12,12は、エアベアリング等の案内手段(不図示)により、盤面18,19上のそれぞれで水平方向(図示左右方向)に移動可能になっている。そして、このステージ12,12は、ステージアクチュエータ21,23によりそれぞれ駆動され、盤面18,19上のそれぞれを水平方向に移動する。
ステージアクチュエータ21は、盤面18上のステー15に設けられ例えば永久磁石からなる固定子13と、第1ステージ12に設けられ例えば電磁コイルからなる可動子14とを含んで構成されている。これらの固定子13と可動子14とは互いに非接触で配置されている。また、ステージアクチュエータ23は、盤面19上のステー26に設けられ例えば永久磁石からなる固定子24と、第2ステージ12に設けられ例えば電磁コイルからなる可動子28とを含み、固定子24と可動子28とは互いに非接触で配置されている。
これらのステージアクチュエータ21,23には、制御部(制御手段)31が接続されており、制御部31から駆動電流を可動子14,28に供給することで、固定子13と可動子14との間及び固定子24と可動子28との間のそれぞれに磁力が発生する。この発生する磁力により、可動子14,28のそれぞれに推力(力)が印加されることになり、各ステージ12,12が駆動される。
制御部31は、例えばCPU、ROM、及びRAM等により構成されており、コントローラ32を有している。コントローラ32は、ステージアクチュエータ21,23に供給する駆動電流のそれぞれを制御することにより、ステージ12の移動を制御する。
ここで、本実施形態では、上述したように、第1定盤部20の凹部17に反力処理装置1が設けられている。具体的には、凹部17が、第1定盤部20の4つ側面のそれぞれに2箇所ずつ形成(合計8箇所形成)されており、これらの凹部17に、反力処理装置1がそれぞれ設けられている。なお、図中においては、説明の便宜上、第1定盤部20の側面20aに形成された凹部17及びこの凹部17に設けられた反力処理装置1のみを示している。
この反力処理装置1は、ステージ12の移動で定盤11に生じる反力Fと、ステージ12の移動で定盤11に生じる反力Fとを処理するためのものであり、反力処理アクチュエータ2を備えている。この反力処理アクチュエータ2は、第1反力処理アクチュエータ(第1印加手段)2と、第1反力処理アクチュエータに対して高さの異なる位置に設けられた第2反力処理アクチュエータ(第2印加手段)2とを含んで構成されている。
第1反力処理アクチュエータ2は、反力を協働して処理するための力である第1カウンタ推力(第1の力)Rを定盤11に印加するものであり、例えば永久磁石からなる可動子3と、例えば電磁コイルからなる固定子4と、を有している。可動子3は、第1定盤部20に取り付けられており、固定子4は、床25に設置された柱状の固定フレーム5に取り付けられている。そして、可動子3及び固定子4は、互いに非接触となるように構成されている。また、第1反力処理アクチュエータ2は、制御部31に接続されており、制御部31から固定子4に駆動電流が供給されることにより、可動子3と固定子4との間に磁力が発生し、この磁力により、カウンタ推力Fが可動子3に発生する。
第2反力処理アクチュエータ2は、反力を協働して処理するための力である第2カウンタ推力Rを定盤11に印加するものであり、第1反力処理アクチュエータ2よりも上方に設けられている。第2反力処理アクチュエータ2は、例えば永久磁石からなる可動子3と、例えば電磁コイルからなる固定子4と、を有している。可動子3は、第1定盤部20において上記可動子3よりも上方に取り付けられており、固定子4は、固定フレーム5において上記固定子4よりも上端側に取り付けられている。つまり、定盤11における第1及び第2カウンタ推力R,Rの作用点高さが互いに異なっている。そして、可動子3及び固定子4が、互いに非接触となるように構成されている。また、第2反力処理アクチュエータ2は、制御部31に接続されており、制御部31から固定子4に駆動電流が供給されることにより、可動子3と固定子4との間に磁力が発生し、この磁力により、カウンタ推力Fが可動子3に発生する。
固定フレーム5は、第1定盤部20が被さるように凹部17内に配置されており、第1定盤部20の凹部17に覆われるようになっている。すなわち、可動子3,3及び固定子4,4は、第1定盤部20が被さるように第1定盤部20の盤面18と床25との間に配置されている。
ここで、制御部31は、反力処理アクチュエータ2,2に供給する駆動電流のそれぞれを制御することにより、第1及び第2カウンタ推力R,Rの大きさを制御する。具体的には、制御部31のコントローラ32が、反力F,Fを合力及び合モーメントとして相殺するように、第1及び第2カウンタ推力R,Rを制御する。そこで、この制御部31による第1及び第2カウンタ推力R,Rの制御について、以下に詳細に説明する。
まず、図2に示すように、移動ステージ装置10を、定盤が互いに高さの異なるN個(Nは2以上の整数)の盤面を有するものとしてモデル化し、N個のステージ12が各盤面上を移動するものとする。各ステージ12の移動で定盤11に生じる複数の反力F(i=1〜N、以下同じ)、各ステージ12の質量M、加速度A、移動ステージ装置の重心Cの高さから反力Fの作用点B高さまでの各距離h、移動ステージ装置10の重心Cの高さからカウンタ推力R,Rの作用点高さまでの各距離r,rとする。このとき、反力Fは、下記(1)式で表せる。
Figure 2009033056
反力Fにより定盤に作用する力の釣り合いは、下記(2)式で与えられる。
Figure 2009033056
反力Fにより定盤に作用するモーメントの釣り合いは、下記(3)式で与えられる。
Figure 2009033056
上記(2),(3)に基づいて、第1及び第2カウンタ推力R,Rは、下記(4)で与えられる。
Figure 2009033056
従って、本実施形態では、移動ステージ装置10の重心Cの高さからカウンタ推力R,Rの作用点高さまでの各距離r,rが例えば設計値として設定される場合、上記(4)式を満たすようにカウンタ推力R,Rが制御部31により制御され、反力F,Fが合力及び合モーメントとして相殺されることになる。
このように構成された移動ステージ装置10においては、制御部31によりステージアクチュエータ21,23に駆動電流がそれぞれ印加され、印加された各駆動電流に応じた推力f,fが各ステージアクチュエータ21,23により発生され、これらの推力f,fによりステージ12,12がそれぞれ駆動される。
このとき、ステージ12,12に推力f,fが作用することにより、その反作用のために推力f,fとは逆の方向且つ同じ大きさの力である反力F,Fが定盤11に作用する。そこで、本実施形態では、制御部31により、カウンタ推力R,Rが反力処理アクチュエータ2,2にてそれぞれ発生すると共に上記(4)式を満たすようにカウンタ推力R,Rが制御される。これにより、反力F,Fが合力及び合モーメントとして相殺されることになる。
従って、定盤11にモーメントを生じさせないために、定盤11に作用する各反力F,Fの作用点高さにカウンタ推力R,Rの作用点高さをそれぞれ一致させる必要がなくなる。よって、定盤11に複数の反力が生じるときにも、第1反力処理アクチュエータ2及び第2反力処理アクチュエータ2のみで処理することができる。これと共に、互いに高さの異なる位置であれば、反力処理アクチュエータ2,2を、拘束されることなく自由な位置に配置することが可能となる。その結果、反力処理装置1の大型化を抑制でき、ひいては移動ステージ装置10の大型化を抑制することが可能となる。
また、上述したように、定盤11に作用する各反力F1,F2の作用点高さにカウンタ推力R1,R2の作用点高さをそれぞれ一致させる必要がなくなることから、反力処理装置1の固定フレーム5の高さを低くでき、よって、固定フレーム5の撓み防止のためにその剛性を高める必要が少なくなる。その結果、剛性を高めるために固定フレーム5の質量が大きくなってしまうことも抑制できる。つまり、反力処理装置1の軽量化が可能となる。
また、本実施形態では、上述したように、反力処理アクチュエータ2,2が、第1定盤部20が被さるように第1定盤部20の盤面18と床25との間に配置されている。そのため、定盤11の盤面18のスペースが十分に確保されると共に、移動ステージ装置10の設置面積(いわゆるフットプリント)の増加が抑制される。よって、移動ステージ装置10のスペースを効率的に利用することができ、移動ステージ装置10の大型化を一層抑制することができる。
さらに、本実施形態では、上述したように、反力処理アクチュエータ2,2を自由な位置に配置することができることから、既存の移動ステージ装置に反力処理装置1を搭載するに際して、スペースの不足により反力F,Fの作用点高さとカウンタ推力R,Rの作用点高さとをそれぞれ一致させることができない場合であっても、反力処理装置1を確実に適用することが可能となる。
また、本実施形態では、上述したように、第1反力処理アクチュエータ2において可動子3と固定子4とが互いに非接触となっており、第2反力処理アクチュエータ2において可動子3と固定子4とが互いに非接触となっているため、床25からの振動が、反力処理アクチュエータ2を介して定盤11に伝播するのが抑止されている。また、上述したように、可動子3,3として永久磁石が定盤11にそれぞれ取り付けられていると共に、固定子4,4として電磁コイルが固定フレーム5にそれぞれ取り付けられているため、固定子4,4の電磁コイルに駆動電流を印加することで生じる発熱の影響が定盤11に及ぶことが抑制されている。
なお、カウンタ推力R,Rを発生させるタイミングを反力F,Fが生じるタイミングに応じたものとするため、ステージ12,12を加速するタイミングに基づいて、反力処理装置1を作動するタイミングを求めることが好ましい。よって、本実施形態の制御部31においては、ステージアクチュエータ21,23と、反力処理アクチュエータ2,2とを1つのコントローラ32で制御している。
次に、本発明の第2実施形態に係る反力処理装置を含む移動ステージ装置について説明する。図3は本発明の第2実施形態に係る反力処理装置を含む移動ステージ装置の断面を示す概略構成図である。本実施形態の移動ステージ装置50が、上記実施形態の移動ステージ装置10(図1参照)と違う点は、第1反力処理アクチュエータ2を備えた反力処理装置1に代えて、第1反力処理アクチュエータ2を備えた反力処理アクチュエータ52が設けられている点である。
第1反力処理アクチュエータ2は、第1定盤部20の下面20bと床25との間に設けられており、例えば永久磁石からなる可動子3と、例えば電磁コイルからなる固定子4とを有している。可動子3は、第1定盤部20の下面20bのステー54に取り付けられている一方、固定子4は、床25に設置された柱状の固定フレーム53に取り付けられている。そして、第1反力処理アクチュエータ2では、可動子3及び固定子4が互いに非接触となるように構成されている。
この本実施形態においても、上記実施形態と同様な効果、すなわち、反力処理装置1の大型化ひいては移動ステージ装置10の大型化を抑制するという効果等を奏する。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態では、定盤11が互いに高さの異なる2つの盤面18,19を有しているが、互いに高さの異なる3つ以上の盤面を有していてもよい。
また、上記実施形態では、ステージアクチュエータ21,23の固定子13,24を永久磁石とし、可動子14,28を電磁コイルとしたが、固定子を電磁コイルとし、可動子を永久磁石としてもよい。なお、この場合、制御部31からの駆動電流が電磁コイルとしての固定子に供給される。また、上記実施形態では、反力処理アクチュエータ2,2,2の可動子3,3,3を永久磁石とし、固定子4,4,4を電磁コイルとしたが、可動子を電磁コイルとし、固定子を永久磁石としてもよい。この場合には、制御部31からの駆動電流が電磁コイルとしての可動子に供給される。
また、上記実施形態では、定盤11を床25に除振バネ16,16を介して設置したが、その他の機械バネを介して設置してもよく、空気バネ等を用いてもよく、要は、定盤11を床25からの振動に対して絶縁するもの(除振手段)を介して設置すればよい。
また、上記実施形態では、反力処理装置1を、第1定盤部20の4つ側面のそれぞれに2箇所ずつ(合計8箇所)設けたが、種々の配置パターンで反力処理装置1を設けてもよい。また、上記実施形態では、移動ステージ装置10を半導体露光装置に採用したが、液晶を露光する液晶露光装置、及び複数のステージを有する工作機械や製造装置等に採用してもよい。
本発明の第1実施形態に係る反力処理装置の断面を示す概略構成図である。 図1の移動ステージ装置の力学モデルを示す図である。 本発明の第2実施形態に係る反力処理装置の断面を示す概略構成図である。
符号の説明
1…反力処理装置、2…第1反力処理アクチュエータ(第1印加手段)、2,2…第2反力処理アクチュエータ(第2印加手段)、3,3,3…可動子、4,4,4…固定子、10,50…移動ステージ装置、11…定盤、12,12,12…ステージ、16…除振バネ(除振手段)、18,19…盤面、20b…下面(底面)、25…床(基礎)、31…制御部(制御手段)、F,F…反力、R,R…カウンタ推力(反力を相殺するための力)。

Claims (3)

  1. 互いに高さの異なる複数の盤面を有すると共に基礎に除振手段を介して設置された定盤と、前記盤面上にそれぞれ配設され当該盤面上を移動する複数のステージと、を具備するステージ装置に設けられ、前記ステージの移動で前記定盤に生じる複数の反力を処理するための反力処理装置であって、
    前記複数の反力を協働して処理するための第1及び第2の力それぞれを前記定盤に印加する第1及び第2印加手段と、
    前記第1及び第2の力の大きさを制御する制御手段と、を備え、
    前記定盤における前記第1及び第2の力の作用点高さが互いに異なっており、
    前記制御手段は、前記複数の反力を合力及び合モーメントとして相殺するように、前記第1及び第2の力を制御することを特徴とする反力処理装置。
  2. 前記第1及び第2印加手段は、前記定盤が被さるように当該定盤の盤面と前記基礎との間に配置されていることを特徴とする請求項1記載の反力処理装置。
  3. 前記第1及び第2印加手段の少なくとも一方は、前記定盤の底面と前記基礎との間に設けられていることを特徴とする請求項2記載の反力処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033058A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd 反力処理装置
CN104111669A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 陈明灯 一种载物可变重量悬垂定点位移受力平衡调控装置
JP2016022702A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 住友重機械工業株式会社 射出成形機

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5674316B2 (ja) * 2010-01-06 2015-02-25 オークマ株式会社 構造体のたわみ抑制方法
JP5941705B2 (ja) * 2012-02-29 2016-06-29 ファスフォードテクノロジ株式会社 2軸駆動機構及びダイボンダ
JP2014220265A (ja) * 2013-04-30 2014-11-20 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
NL2024767A (en) * 2019-03-01 2020-09-04 Asml Netherlands Bv Object positioner device, stage support, lithographic apparatus, object inspection apparatus, method for adapting an object positioner device, device manufacturing method
JP2024039768A (ja) * 2022-09-12 2024-03-25 キヤノン株式会社 ステージ装置、パターン形成装置、及び物品の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288198A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Nikon Corp 露光装置
JPH11329962A (ja) * 1998-03-04 1999-11-30 Nikon Corp ステ―ジ装置およびその駆動方法
JP2000170827A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Fujita Corp アクティブ型除振装置
JP2005057876A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Sumitomo Heavy Ind Ltd ステージ装置用の反力処理システム

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW448487B (en) * 1997-11-22 2001-08-01 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of device
JP3554186B2 (ja) * 1998-04-08 2004-08-18 キヤノン株式会社 露光装置、デバイス製造方法および反力受け方法
JP4146952B2 (ja) * 1999-01-11 2008-09-10 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
TW466542B (en) * 1999-02-26 2001-12-01 Nippon Kogaku Kk A stage device and a method of manufacturing same, a position controlling method, an exposure device and a method of manufacturing same, and a device and a method of manufacturing same
JP2001148341A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Nikon Corp 露光装置
JP2001160530A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3814453B2 (ja) * 2000-01-11 2006-08-30 キヤノン株式会社 位置決め装置、半導体露光装置およびデバイス製造方法
JP2001257143A (ja) * 2000-03-09 2001-09-21 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6788385B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-07 Nikon Corporation Stage device, exposure apparatus and method
US6844694B2 (en) * 2001-08-10 2005-01-18 Nikon Corporation Stage assembly and exposure apparatus including the same
US6621241B2 (en) * 2001-12-20 2003-09-16 Dac International, Inc. System and method for reducing oscillating tool-induced reaction forces
JP3679776B2 (ja) * 2002-04-22 2005-08-03 キヤノン株式会社 駆動装置、露光装置及びデバイス製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08288198A (ja) * 1995-04-14 1996-11-01 Nikon Corp 露光装置
JPH11329962A (ja) * 1998-03-04 1999-11-30 Nikon Corp ステ―ジ装置およびその駆動方法
JP2000170827A (ja) * 1998-12-08 2000-06-23 Fujita Corp アクティブ型除振装置
JP2005057876A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Sumitomo Heavy Ind Ltd ステージ装置用の反力処理システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009033058A (ja) * 2007-07-30 2009-02-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd 反力処理装置
CN104111669A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 陈明灯 一种载物可变重量悬垂定点位移受力平衡调控装置
JP2016022702A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 住友重機械工業株式会社 射出成形機

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