JP2009021323A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009021323A JP2009021323A JP2007181844A JP2007181844A JP2009021323A JP 2009021323 A JP2009021323 A JP 2009021323A JP 2007181844 A JP2007181844 A JP 2007181844A JP 2007181844 A JP2007181844 A JP 2007181844A JP 2009021323 A JP2009021323 A JP 2009021323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- protective film
- light emitting
- semiconductor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】活性層7の上方に設けられた半導体層15の上面に、半導体層15の上面よりも高い耐湿性を有する保護膜部30を設けた。保護膜部30には、半導体層15に対して接合された半導体層接合面31aを有する第一の保護層31と、上部電極17に対して接合された電極接合面32a、32bを有する第二の保護層32とを備えた。また、第一の保護層31は、半導体層15に対する接合性が第二の保護層32よりも高い性質を有し、第二の保護層32は、上部電極17に対する接合性が第一の保護層31よりも高い性質を有するとした。
【選択図】図2
Description
本発明者らは、本実施形態にかかる発光ダイオード1を試験体として作製し、その耐湿性試験を行った。なお、活性層7はInGaP層とし、発光波長λは650nmとした。第二の反射層15は、AlGaAs層とした。また、第一の保護膜31はSiO2層、第二の保護膜32はSiN層とした。また、保護膜部30全体の光学膜厚は、(3/4)・λ/nA(nA:第一の保護膜31と第二の保護膜32の平均屈折率)にした。
比較試験1の試験体(比較試験体T1、図13参照)として、実施例の発光ダイオード1において、第一の保護膜31及び第二の保護膜32に換えて、SiNの単層を保護膜として設けたものを作製した。そして、上記の耐湿性試験と同様の条件で試験を行い、初期発光出力P0、Pt/P0を求めた。その結果、図11及び図12に示すように、P0の値は、発光ダイオード1と殆ど同じ1.8mWであったが、Pt/P0の値は、累積発光時間が長くなるに従い低くなり、t=1000では、0.83まで低下した。即ち、発光出力の低下を防止する効果が、発光ダイオード1と比較して少ないことがわかった。
比較試験2の試験体(比較試験体T2、図14参照)として、実施例の発光ダイオード1において、第一の保護膜31及び第二の保護膜32に換えて、SiO2の単層を保護膜として設けたものを作製した。そして、上記の耐湿性試験と同様の条件で試験を行い、初期発光出力P0、Pt/P0を求めた。その結果、図11及び図12に示すように、P0の値は、発光ダイオード1と殆ど同じ1.8mWであったが、Pt/P0の値は、比較試験体T1と同様に、累積発光時間が長くなるに従い低くなり、t=1000では、0.84まで低下した。即ち、発光出力の低下を防止する効果が、発光ダイオード1と比較して少ないことがわかった。
比較試験3の試験体(比較試験体T3、図15参照)として、コンタクト層16(GaAs層)をエッチングせずに残し、コンタクト層16の上方に光出射部25を形成したものを作製した。光出射部25の底部には保護膜を形成せず、コンタクト層16の上面を露出させた状態とした。かかる試験体について、上記の耐湿性試験と同様の条件で試験を行い、初期発光出力P0、Pt/P0を求めた。その結果、Pt/P0の値は殆ど低下せず、t=1000では、1.02であった。しかし、初期発光出力P0(20mA)は、発光ダイオード1より低く、1.0mWであった。これは、光がコンタクト層16を通過する際に、コンタクト層16によって吸収される光エネルギーが多いためと考えられる。このことより、発光ダイオード1のほうが、発光を効率的に行えることがわかる。
2 基板
3 バッファ層
5 第一の反射層
6 第一のクラッド層
7 活性層
8 第二のクラッド層
12 エッチングストップ層
13 電流狭窄層
13a 通過部用孔
15 第二の反射層
15a 通過部
16 コンタクト層
17 上部電極
25 光出射部
30 保護膜部
31 第一の保護膜
31a 下面(半導体層接合面)
32 第二の保護膜
32a 側面(電極接合面)
32b 上面周縁部(電極接合面)
35 下部電極
52 共振器構造
Claims (9)
- 光を発生させる活性層と、前記活性層の上方に設けられた半導体層と、前記半導体層の上方に設けられた上部電極とを備える半導体発光素子であって、
前記半導体層よりも高い耐湿性を有する保護膜部を備え、
前記保護膜部は、前記半導体層に対して接合された半導体層接合面と、前記上部電極に対して接合された電極接合面とを備え、
前記半導体層接合面は、前記半導体層に対する接合性が前記電極接合面よりも高い性質を有し、
前記電極接合面は、前記上部電極に対する接合性が前記半導体層接合面よりも高い性質を有することを特徴とする、半導体発光素子。 - 前記半導体層接合面は、酸化珪素によって形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記電極接合面は、窒化珪素によって形成されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層の下方に、第一の反射層を備え、
前記活性層の上方に、第二の反射層を備え、
前記第一の反射層と前記第二の反射層とによって、光を共振させる共振器構造が構成され、
前記半導体層は、前記第二の反射層であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子。 - 前記第二の反射層と前記上部電極との間に、コンタクト層を備えることを特徴とする、請求項4に記載の半導体発光素子。
- 前記上部電極に、光を出射させる光出射部を備え、
前記上部電極の下方に、電流狭窄を行う電流狭窄層を備え、
前記光出射部は、前記電流狭窄層の開口部に対して重なる位置に設けられていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体発光素子。 - 前記電極接合面は、前記保護膜部の側面及び上面に設けられていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記保護膜部は、前記半導体層接合面を有する第一の保護膜と、前記電極接合面を有する第二の保護膜とを備えることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記保護膜部の厚さは、(m/4)×(λ/nA)(m:正の奇数、λ:前記活性層が発生させる光の波長、nA:前記第一の保護膜と前記第二の保護膜の平均屈折率)であることを特徴とする、請求項8に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007181844A JP2009021323A (ja) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007181844A JP2009021323A (ja) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009021323A true JP2009021323A (ja) | 2009-01-29 |
Family
ID=40360729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007181844A Pending JP2009021323A (ja) | 2007-07-11 | 2007-07-11 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009021323A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013508994A (ja) * | 2009-11-06 | 2013-03-07 | 旭明光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置 |
JP2016039317A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体発光素子、光源ヘッド、および画像形成装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03291979A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Nec Corp | アバランシェフォトダイオード |
JP2004281929A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Canare Electric Co Ltd | 共振器型発光ダイオード |
JP2006128622A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
WO2007040149A1 (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 発光素子及びその製造方法 |
JP2007150010A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-07-11 JP JP2007181844A patent/JP2009021323A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03291979A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Nec Corp | アバランシェフォトダイオード |
JP2004281929A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Canare Electric Co Ltd | 共振器型発光ダイオード |
JP2006128622A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置 |
WO2007040149A1 (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-12 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 発光素子及びその製造方法 |
JP2007150010A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013508994A (ja) * | 2009-11-06 | 2013-03-07 | 旭明光電股▲ふん▼有限公司 | 発光ダイオード装置 |
JP2016039317A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体発光素子、光源ヘッド、および画像形成装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5285835B2 (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
JP5953155B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US7982207B2 (en) | Light emitting diode | |
US9786819B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US9472713B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US8039864B2 (en) | Semiconductor light emitting device and fabrication method for the same | |
JP4997304B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
US20090032830A1 (en) | Light emitting diode and manufacturing method thereof | |
JP2006253298A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
JP2007103690A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
JP2009295611A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
TW201036197A (en) | Light emitting device having pillar structure with hollow structure and the forming method thereof | |
US10573778B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2011176093A (ja) | 発光素子用基板および発光素子 | |
JP2007067198A (ja) | 発光素子 | |
TW201421738A (zh) | 發光二極體及其製造方法 | |
JP2005276899A (ja) | 発光素子 | |
JP2008016629A (ja) | 3族窒化物系発光ダイオード素子の製造方法 | |
JP2010212401A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006190854A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2009021323A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5582025B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP5945409B2 (ja) | 半導体素子とその製造方法 | |
JP5586860B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
JP2006339384A (ja) | 発光素子およびその製造方法ならびにその発光素子を用いた照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100513 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120711 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120828 |