JP2009016580A - 試験用恒温装置及び半導体ウエハの性能試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】試料配置部2と、架台3とからなる。架台3は、接続部15と中間部16及び台座部17によって構成されている。接続部15の熱膨張率は試料配置部2と同一である。中間部16は、断熱性に優れる。台座部17は三角形の板である。各部材は、ネジ(軸状締結要素)によって結合されており、台座部17の中心と、中間部16の中心と、接続部15の中心及び試料配置部2の中心を一本のネジ20が貫いている。試料配置部2の対向面9と接続部15の間は、3本のネジ21が貫いている。接続部15と中間部16との間は、3本のネジ22が貫いている。中間部16と台座部17との間は、3本のネジ23が貫いている。ネジ21,22,23は、いずれも各部材の中心を中心とするピッチ円上にある。
【選択図】 図2
Description
例えばマイナス65度(摂氏)程度の低温から300度(摂氏)程度の高温まで繰り返し温度を変化させる様な場合もある。
そこで本発明は、この問題に注目し、極低温や高温に温度調節しても試料配置部の撓み等が少ない試験用恒温装置を提供することを目的とするものである。
すなわち試験用恒温装置は、半導体ウエハの性能試験装置に組み込まれて使用されるから、試験用恒温装置は性能試験装置内の所定の位置に固定される。そして試験用恒温装置は、前記した様に激しい温度変化にさらされて膨張したり収縮したりする。
これに対して性能試験装置側は、常温に近い状態であるから、試験用恒温装置の固定位置は変位しない(動かない)。
そのため熱による膨張収縮の逃げ場がなく、試験用恒温装置が反ったり凹んだり捩じれるという事態となる。
本発明の試験用恒温装置では、試料配置部が温度変化する部位である。本発明では、試験用恒温装置は、架台の接続部が試料配置部と接している。接続部は複数の軸状締結要素を介して試料配置部と接合されているが、両者の接合位置は、試料配置部の外接円の中心に配され、他の複数の軸状締結要素は前記外接円と同心の円をピッチ円Aとする周上にある。
ここで接続部は試料配置部から熱伝導を受けて温度変化するが、試験用恒温装置で採用する接続部は、試料配置部の素材と熱膨張率が同一の素材によって構成されているから、それぞれの軸上締結要素が設けられた位置における接続部の変位と、試験用恒温装置側のそれとは等しい。すなわち試料配置部は温度変化によって膨張・収縮するが、試料配置部の中心を原点すると、各部は中心から半径方向に変位することとなる。本発明では、軸状締結要素の一つが外接円の中心に配されているから、この点を原点とすると、他の軸状締結要素(周囲に設けられた軸状締結要素)の位置は原点を中心として半径方向に変位する。
接続部についても同様であり、軸状締結要素の一つを原点として、他の軸状締結要素(周囲に設けられた軸状締結要素)の位置は原点を中心として半径方向に変位する。
そして接続部は、前記した様に試料配置部の素材と熱膨張率が同一の素材によって構成されているから、周囲に設けられた軸状締結要素の部位の変位量は試験用恒温装置と等しい。そのため軸状締結要素に熱による応力が発生せず、試験用恒温装置に無理な力が掛からない。
さらに本発明では、周囲の軸状締結要素が同一ピッチ円上に配置されているので、各軸状締結要素の位置の変位量も同一であり、バランスが良いから試験用恒温装置はさらに歪みにくい。
また軸状締結要素が配置されるピッチ円は、試料配置部の外接円よりも小さいので、試料配置部から架台側に移行する熱量が小さく、他の部位の熱変形も小さい。さらに試料配置部から架台側に移行する熱量が小さいので、熱の無駄が少ない。
試料配置部2は銅合金その他の金属製であり、その形状は二段の高さの低い円柱形状である。すなわち試料配置部2は大円部5と小円部6によって構成されている。試料配置部2の頂面は、被試験物たる半導体ウエハ(試料)等が載置される試料載置面7を構成している。
試料配置部2の大円部5の裏面側は試料配置面7に対して対向する対向面9である。
本実施形態では、後記する様に試料配置部2がネジ(軸状締結要素)20,21によって架台3に固定されるが、流路8は、ネジ(軸状締結要素)20,21の部位を迂回して設けられている。すなわち流路8は、ネジ(軸状締結要素)の周辺でゆるやかなカーブを描き、ネジ(軸状締結要素)の部位を迂回している。
そのため流路にネジ(軸状締結要素)20,21が露出せず、ネジ(軸状締結要素)20,21は、エアー(熱媒体)の流れを妨げない。
接続部15は円板状である。接続部15の直径は、前記した試料配置部2よりも小さく、試料配置部2の2分の1以下である。接続部15の好ましい直径は、試料配置部2の3分の1程度である。
接続部15の材質は、前記した試料配置部2と同一であり、接続部15の熱膨張率は試料配置部2と同一である。
中間部16の材質は、前記した試料配置部2とは異なる。中間部16に要求される性質は、断熱性に優れることである。
本実施形態の試験用恒温装置1は、架台3の上に試料配置部2が取り付けられたものであり、さらに架台3は、台座部17、中間部16及び接続部15が順次積み重ねられたものである。架台3の中心と、試料配置部2の中心は一致する。すなわち試料配置部2の外接円の中心と、接続部15の外接円の中心と、中間部16の外接円の中心と、台座部17の外接円26の中心が一致する。なお本実施形態では、試料配置部2、接続部15及び中間部16がいずれも円形であるから外接円の中心は、円の中心と一致することとなる。
また試料配置部2の対向面9と接続部15の間は、3本のネジ21が貫いている。接続部15と中間部16との間は、3本のネジ22が貫いている。さらに中間部16と台座部17との間は、3本のネジ23が貫いている。
また他のネジ21,22,23は、いずれも各部材の中心を中心とするピッチ円上にある。従って各ネジ21,22,23は、いずれも同心であり、その中心は、中心を貫くネジ20である。ピッチ円上の3本のネジはいずれも等間隔に設けられている。すなわち3本のネジは、120度間隔に設けられている。
接続部15と中間部16との間のネジ22のピッチ円Bの直径は、図5の様にピッチ円Aの直径よりも小さい。
また中間部16と台座部17との間のネジ23のピッチ円Cの直径は、図6の様にピッチ円Bの直径と同一である。
ただし接続部15と中間部16との間のネジ22の位置と中間部16と台座部17との間のネジ23の位置は、周方向にずれている。具体的には、両者は60度ずれている。
なおピッチ円Cの直径とピッチ円Bの直径とは必ずしも同一である必要はない。
すなわち本実施形態では、試料配置部2と直接的に接しているのは接続部15であり、試料配置部2と接続部15は、中心のネジ20と周囲のピッチ円A上のネジ21とで結合されている。
ここで本実施形態では、試料配置部2と接続部15が同一の材質であり、且つ両者は密に接していて両者の温度差が小さいことから、ピッチ円A上のネジ21の部位における変位は、試料配置部2と接続部15の間で大差ない。また試料配置部2と接続部15は、その他の部位でも両者の伸び量や縮み量は同一である。そのため試料配置部2と接続部15接触面やネジ21に応力はかからず、試料配置部2が反ったり凹むという現象が起こらない。
さらに接続部15と台座部17の間に介在された中間部16は、断熱性が高いので、熱は台座部17側に移行しにくい。そのため台座部17自体の熱変形も少ない。
この理由は、試料配置部2の背面(対向面)から受ける熱輻射を極力小さくするためである。
すなわち試料配置部2は上面の試料載置面7を高温又は低温にするものであるが、試料配置面に対して対向する対向面9についても相当の高温又は低温となる。一方、台座部17は試料配置部2の対向面9と対向するので、試料配置部2から熱輻射を受ける。その結果、台座部17の温度が変化し、熱応力によって歪む懸念がある。
そこで本実施形態では、台座部17に肉盗み部を設けて全形状を三角形に成形した。本実施形態では、台座部17を試料配置部2の対向面に投影して形成される投影領域を想定したとき対向面9と重なる領域が、対向面9よりも小さいものとなっている。
そのため台座部17が受ける輻射熱が軽減され、熱応力による歪みが減少する。また熱の無駄な逃げが減少するので、熱効率も向上する。
本実施形態では、台座部17の形状として三角形を採用したが、剛性を満足するのであれば、他の多角形や星型の様な異形であってもよい。
2 試料配置部
3 架台
6 小円部
7 試料載置面
8 流路
9 対向面
15 接続部
16 中間部
17 台座部
20,21,22,23 ネジ(軸状締結要素)
30 半導体ウエハの性能試験装置
Claims (7)
- 試料配置部と、当該試料配置部を支える架台とを有し、前記試料配置部を温度調整することにより試料配置部に配された試料の温度調整が可能な試験用恒温装置であって、前記試料配置部が、試料を配置可能な試料配置面と当該試料配置面に対して対向する対向面とを有するものであり、前記架台が、前記対向面に対して接続される接続部を有し、当該接続部は、前記試料配置部の素材と熱膨張率が同一の素材によって構成されており、接続部と試料配置部は複数の軸状締結要素を介して接続され、軸状締結要素の一つは試料配置部の外接円の中心に配され、他の複数の軸状締結要素は前記外接円と同心で前記外接円よりも小さい円をピッチ円Aとする周上にあり、ピッチ円A上に設けられた軸状締結要素は等間隔に配置されていることを特徴とする試験用恒温装置。
- 架台の接続部の外接円が、試料配置部の外接円よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の試験用恒温装置。
- 架台は台座部を有し、当該台座部が、試料配置部の対向面に対向しており、前記台座部を試料配置部の対向面に投影して形成される投影領域を想定したとき前記対向面と重なる領域が、前記対向面よりも小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の試験用恒温装置。
- 架台が、接続部と、所定の設置面に対して固定される台座部と、前記接続部および台座部の中間に位置する中間部とを有し、当該中間部の熱伝導率が、接続部の熱伝導率よりも低いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の試験用恒温装置。
- 接続部と中間部とは所定のピッチ円B上に配された軸状締結要素によって接続され、中間部と台座部はピッチ円C上に配された軸状締結要素によって接続され、前記ピッチ円Bとピッチ円Cは中心及び直径が同一であり、接続部と中間部とを接続する軸状締結要素と中間部と台座部とを接続する軸状締結要素は周方向に離れた位置にあることを特徴とする請求項4に記載の試験用恒温装置。
- 試料配置部は内部に流体が通過する流路を有するものであり、当該流路は試料配置部を架台に固定する軸状締結要素を迂回して設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の試験用恒温装置。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の試験用恒温装置を備えていることを特徴とする半導体ウエハの性能試験装置。
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