JP2009012319A - パターン形成体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、基板上に、開口部を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、上記開口部を介して、上記基板をエッチングすることにより、凹部および凹部間平坦部を形成する第一のエッチング工程と、上記開口部を介して、上記凹部の表面に保護部を形成する保護部形成工程と、上記保護部を形成した後に、上記マスク層を剥離するマスク層剥離工程と、上記マスク層を剥離することにより露出する上記凹部間平坦部をエッチングする第二のエッチング工程と、を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
まず、本発明のパターン形成体の製造方法について説明する。本発明のパターン形成体の製造方法は、基板上に、開口部を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、上記開口部を介して、上記基板をエッチングすることにより、凹部および凹部間平坦部を形成する第一のエッチング工程と、上記開口部を介して、上記凹部の表面に保護部を形成する保護部形成工程と、上記保護部を形成した後に、上記マスク層を剥離するマスク層剥離工程と、上記マスク層を剥離することにより露出する上記凹部間平坦部をエッチングする第二のエッチング工程と、を有することを特徴とするものである。
まず、本発明におけるマスク層形成工程について説明する。本発明におけるマスク層形成工程は、基板上に、開口部を有するマスク層を形成する工程である。
本発明においては、上述したマスク層の膜厚と開口部の直径との比(膜厚:開口部直径)が、例えば1:2〜15の範囲内、中でも1:6〜10の範囲内であることが好ましい。上記比率の範囲内であれば、基板に対してエッチング液が回り込み易くなり、微小な凹部を形成することができるからである。
次に、本発明における第一のエッチング工程について説明する。本発明における第一のエッチング工程は、上記開口部を介して、上記基板をエッチングすることにより、凹部および凹部間平坦部を形成する工程である。本工程により、主に凹部の曲率の制御を行う。後述する第二のエッチング工程により、主に凹部の深さの制御を行う。なお、本工程においては、基板をエッチングする方法として、ウェットエッチングであっても良く、ドライエッチングであっても良いが、中でもウェットエッチングであることが好ましい。
次に、本発明における保護部形成工程について説明する。本発明における保護部形成工程は、上記開口部を介して、上記凹部の表面に保護部を形成する工程である。
次に、本発明におけるマスク層剥離工程について説明する。本発明におけるマスク層剥離工程は、上記保護部を形成した後に、上記マスク層を剥離する工程である。基板からマスク層を除去することにより、凹部間平坦部が露出し、この凹部間平坦部は、後述する第二のエッチング工程でエッチングされる部分である。
次に、本発明における第二のエッチング工程について説明する。本発明における第二のエッチング工程は、上記マスク層を剥離することにより露出する上記凹部間平坦部をエッチングする工程である。本工程により、第一のエッチング工程により得られた凹部の曲率とは独立に、凹部の深さを制御することができ、設計自由度が向上する。
次に、本発明における保護部除去工程について説明する。本発明における保護部除去工程は、上記第二のエッチング工程の後に、上記保護部を除去する工程である。保護部が、パターン形成体の使用時に悪影響を与える場合は、保護部を除去することが好ましい。
次に、本発明により得られるパターン形成体について説明する。本発明により得られるパターン形成体の用途としては、例えば、マイクロレンズアレイ、フォトニッククリスタル、反射板、導光板等の光学素子、およびナノインプリント用テンプレート等を挙げることができる。上記ナノインプリント用テンプレートは、光ナノインプリント用のテンプレートであっても良く、熱ナノインプリント用のテンプレートであっても良い。また、本発明においては、上記ナノインプリント用テンプレートが、発光ダイオードのヘッド部に設けられ、かつ、光の取出し効率を向上させるマイクロレンズアレイを形成するために用いられるものであることが好ましい。
次に、本発明のマイクロレンズ付基板の製造方法について説明する。本発明のマイクロレンズ付基板の製造方法は、上述したパターン形成体の製造方法により得られるパターン形成体をナノインプリント用テンプレートとして用い、上記ナノインプリント用テンプレートと、被転写樹脂層を有する被転写体とを密着させ、上記ナノインプリント用テンプレートの凹凸パターンを、上記被転写樹脂層に転写する転写工程を有することを特徴とするものである。
[実施例1]
6025石英基板上に、スパッタリングにより膜厚15nmの窒化クロム層(マスク層)を形成した。この窒化クロム層の全面に、電子ビームレジストを塗布し、電子線描画装置で直径100nm、ピッチ1μmのアレイを描画し現像した。その後、窒化クロム層を塩素ガスを用いてドライエッチングし、開口部を形成した。次に、開口部が形成された窒化クロム層を有する石英基板を、5%のフッ酸溶液に浸漬し、深さ400nmになるまで、石英基板をエッチングした。その後、得られた石英基板を、ダイキン社製OPTOOL、DSXの1%溶液(溶媒パーフルオロヘキサン中)に浸漬し、引き上げ乾燥し、その後、70℃でベークし、エッチングされた石英部分のみにシランカップリング処理を行った。その後、硝酸セリウムアンモニウム溶液中で窒化クロム層をエッチングし、引き続き、得られた石英基板を5%フッ酸溶液に浸漬した。これにより、深さ300nm、レンズ間ギャップ50nmのレンズアレイを作製できた。
2 … 開口部
3 … マスク層
4 … 凹部
5 … 凹部間平坦部
6 … 保護部
10 … パターン形成体
Claims (5)
- 基板上に、開口部を有するマスク層を形成するマスク層形成工程と、
前記開口部を介して、前記基板をエッチングすることにより、凹部および凹部間平坦部を形成する第一のエッチング工程と、
前記開口部を介して、前記凹部の表面に保護部を形成する保護部形成工程と、
前記保護部を形成した後に、前記マスク層を剥離するマスク層剥離工程と、
前記マスク層を剥離することにより露出する前記凹部間平坦部をエッチングする第二のエッチング工程と、
を有することを特徴とするパターン形成体の製造方法。 - 前記第二のエッチング工程の後に、前記保護部を除去する保護部除去工程を有することを特徴とする請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記基板が、石英であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記保護部をシランカップリング剤により形成することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法。
- 請求項1から請求項4までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体の製造方法により得られるパターン形成体をナノインプリント用テンプレートとして用い、
前記ナノインプリント用テンプレートと、被転写樹脂層を有する被転写体とを密着させ、前記ナノインプリント用テンプレートの凹凸パターンを、前記被転写樹脂層に転写する転写工程を有することを特徴とするマイクロレンズ付基板の製造方法。
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