JP2009004665A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハードマスクを用いて配線溝を形成するプロセスからなる半導体装置の製造方法において、メタルハードマスク107を用いて配線溝111の形成を行うことで配線溝111の形状を安定化させることができると共に、配線溝111にTaNやCuを形成する前にあらかじめメタルハードマスク107の一部または全てを除去することで低誘電率膜表面の誘電率の上昇を伴う損傷が低減されて配線間のリーク電流を低減させることができ、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【選択図】図3
Description
図6は従来の半導体装置の配線構造を示す断面図、図7は従来の半導体装置の製造方法における配線溝形成までを示す工程断面図、図8は従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
まず、図7(a)に示すように、基板(図示せず)の上に形成されたSiOCからなる第1の絶縁膜1に配線溝パターンをフォトリソグラフィー法により形成し、その後ドライエッチング法により第1の絶縁膜1を選択的にエッチングし、アッシングおよび洗浄でレジストを除去して配線溝を形成する。続いて、配線溝を埋め込むようにTaNからなるバリアメタル2及びCuからなる導電膜3を堆積した後、化学的機械的研磨(CMP)法により余分なCuを除去し第1の金属配線4を形成する。
次いで、図7(e)に示すようにレジスト9を塗布しフォトリソグラフィーで配線パターンを形成し、ドライエッチングにより第3の絶縁膜6に第2の配線形成用の配線溝10を形成後、アッシング、洗浄で余分なレジストを除去する(図7(f))。
解決方法の一例として、従来の配線パターニングを絶縁膜ハードマスクを用いて行うダマシンプロセスについて説明する。この方法は、まずレジストマスクを用いて絶縁膜ハードマスクに配線パターンを形成した後、層間絶縁膜中に配線溝パターンをエッチングで形成する前にあらかじめレジストマスクをアッシング除去し、その後に層間絶縁膜中に配線溝パターンをエッチングで形成する方法である。この方法によれば、配線溝中に層間絶縁膜が露出していない状態でレジストマスクをアッシング除去しているので、レジストマスクを用いたプロセスで課題となっている、配線溝内側壁の低誘電率絶縁膜へのアッシングによるダメージを低減することができ、比誘電率の低い層間絶縁膜を用いて実効誘電率の低い配線構造を有する半導体装置を提供できる特徴がある(例えば、特許文献1参照)。
また、前記メタルハードマスクを薄膜化またはすべて除去する工程をCMPで行うことを特徴とする。
また、前記メタルハードマスクを薄膜化またはすべて除去する工程において、前記メタルハードマスクの開口部をあらかじめ有機膜等で埋め込んだうえで前記メタルハードマスクの除去を行うことを特徴とする。
また、前記メタルハードマスクを薄膜化する工程をエッチングで行うことを特徴とする。
また、前記メタルハードマスクを薄膜化する工程において、前記メタルハードマスクの開口部をあらかじめ有機膜等で埋め込んだうえで前記メタルハードマスクの除去を行うことを特徴とする。
図1は本発明の半導体装置の配線構造を示す断面図、図2は本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法におけるビアホール形成までを示す工程断面図、図3は本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図、図4は本発明の配線抵抗の特性を説明する図、図5は電界強度と配線間リーク電流との関係を比較説明する図である。
まず、図2(a)に示すように、基板(図示せず)の上に比誘電率が3以下の炭素含有シリコン酸化膜(SiOC)からなる第1の絶縁膜101を形成した後、第1の絶縁膜101の上にレジストを塗布し、リソグラフィー法を用いて配線溝のパターンを形成する。次に、このパターンをマスクとしてドライエッチングにより配線溝を形成した後、アッシングによりレジストを除去して、第1の絶縁膜101に配線溝を形成する。続いて、配線溝にTaNからなるバリアメタル102をスパッタリングにより形成し、Cuからなる導電膜103を電気メッキ法により埋め込む。その後、配線溝からはみ出した余分なバリアメタル102及び導電膜103を化学的機械的研磨(CMP)法により除去し、バリアメタル102と導電膜103とからなる第1の金属配線104を形成する。
以上のように、メタルハードマスクを用いてレジストを除去してから配線溝を形成し、メタルハードマスクをバリアメタルおよび導電膜の形成前にあらかじめ研磨により薄膜化または除去することにより、レジストの除去による低誘電率絶縁膜のダメージを抑制すると共に、CMP時間の短縮によっても低誘電率絶縁膜のダメージを抑制することができ、さらに、研磨ばらつきが低減されて電気的特性のバラツキを低減させることができる。
図9は本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法における埋め込み材料除去までを示す工程断面図、図10は本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
また、本発明はパッドと接続されるグローバル配線の形成にメタルハードマスクを用いた実施の形態について説明したが、さらに下層の配線形成において、本実施の形態のメタルハードマスクを用いてもよい。
2、102 バリアメタル
3、103 導電膜
4、104 第1の金属配線
5、105 第2の絶縁膜
6、106 第3の絶縁膜
7、109 レジスト
8、110 ビアホール
9、108 レジスト
10、111 配線溝
11、112 バリアメタル
12、113 導電膜
13、114 第2の金属配線
14、115 ビア
15、116 第4の絶縁膜
16、117 パッド電極
107 メタルハードマスク
118 埋め込み剤
Claims (9)
- ダマシン法により配線構造を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記配線構造を形成する際に、
半導体基板上または下層配線層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上にメタルハードマスクを堆積する工程と、
第1のレジストパターンを用いて前記メタルハードマスクを所定の配線パターンに形成する工程と、
前記絶縁膜及び前記メタルハードマスク上にビアパターンが形成された第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンを用いて前記絶縁膜にビアホールを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンを除去する工程と、
前記メタルハードマスクにより前記絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記メタルハードマスクを薄膜化する工程と、
前記ビアホール及び前記配線溝にバリアメタル及び導電膜を形成する工程と、
前記ビアホール及び配線溝からはみ出した前記バリアメタル及び前記導電膜を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記配線溝を形成する工程と前記バリアメタル及び導電膜を形成する工程の間に、前記メタルハードマスクをすべて除去する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクを薄膜化またはすべて除去する工程をCMPで行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクを薄膜化またはすべて除去する工程をエッチングで行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクを薄膜化またはすべて除去する工程において、前記メタルハードマスクの開口部をあらかじめ有機膜等で埋め込んだうえで前記メタルハードマスクの除去を行うことを特徴とする請求項2〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクを薄膜化する工程をCMPで行うことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクを薄膜化する工程をエッチングで行うことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクはTi、TiN、Ta、TaNのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタルハードマスクを薄膜化する工程において、前記メタルハードマスクの開口部をあらかじめ有機膜等で埋め込んだうえで前記メタルハードマスクの除去を行うことを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8481426B2 (en) | 2010-02-19 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming pattern structure and method of fabricating semiconductor device using the same |
US8709942B2 (en) | 2011-07-18 | 2014-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for fabricating semiconductor devices |
CN104143528A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 互连结构的形成方法 |
US9142452B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hard mask removal scheme |
US20170009001A1 (en) * | 2014-03-17 | 2017-01-12 | Kj Chemicals Corporation | Urethane oligomer and active energy ray curable resin composition containing same |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5067039B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2012-11-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2010245235A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8513114B2 (en) * | 2011-04-29 | 2013-08-20 | Renesas Electronics Corporation | Method for forming a dual damascene interconnect structure |
JP2013232620A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-11-14 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
CN104425356A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制备方法 |
JP6402017B2 (ja) | 2013-12-26 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20160132982A (ko) | 2014-03-18 | 2016-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
KR102481037B1 (ko) | 2014-10-01 | 2022-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선층 및 그 제작 방법 |
JP6857447B2 (ja) | 2015-01-26 | 2021-04-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9660100B2 (en) | 2015-02-06 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6674269B2 (ja) | 2015-02-09 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
US10403646B2 (en) | 2015-02-20 | 2019-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI718125B (zh) | 2015-03-03 | 2021-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI693719B (zh) * | 2015-05-11 | 2020-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
US10181531B2 (en) | 2015-07-08 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance |
US9825177B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a semiconductor device using multiple etching mask |
SG10201608814YA (en) | 2015-10-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
JP6887243B2 (ja) | 2015-12-11 | 2021-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ、半導体装置、電子機器及び半導ウエハ |
CN108475491B (zh) | 2015-12-18 | 2021-04-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 |
US11411160B2 (en) * | 2020-01-21 | 2022-08-09 | International Business Machines Corporation | Silicon-based Josephson junction for qubit devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284329A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2001351976A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-12-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体材料上の低誘電率層を保護する方法 |
JP2006041519A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Samsung Electronics Co Ltd | デュアルダマシン配線の製造方法 |
JP2006295171A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | デュアル・ダマシン・パターニング・アプローチ |
JP2007059666A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW396524B (en) * | 1998-06-26 | 2000-07-01 | United Microelectronics Corp | A method for fabricating dual damascene |
JP2002170885A (ja) * | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006294965A (ja) | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5067039B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2012-11-07 | パナソニック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2007
- 2007-06-25 JP JP2007165726A patent/JP5067039B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
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2009
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284329A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2001351976A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-12-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体材料上の低誘電率層を保護する方法 |
JP2006041519A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Samsung Electronics Co Ltd | デュアルダマシン配線の製造方法 |
JP2006295171A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | デュアル・ダマシン・パターニング・アプローチ |
JP2007059666A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8481426B2 (en) | 2010-02-19 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming pattern structure and method of fabricating semiconductor device using the same |
US8709942B2 (en) | 2011-07-18 | 2014-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for fabricating semiconductor devices |
CN104143528A (zh) * | 2013-05-09 | 2014-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 互连结构的形成方法 |
US9142452B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hard mask removal scheme |
KR101569587B1 (ko) | 2013-07-22 | 2015-11-16 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 하드 마스크 제거 기법 |
US9373541B2 (en) | 2013-07-22 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hard mask removal scheme |
US20170009001A1 (en) * | 2014-03-17 | 2017-01-12 | Kj Chemicals Corporation | Urethane oligomer and active energy ray curable resin composition containing same |
US9738748B2 (en) * | 2014-03-17 | 2017-08-22 | Kj Chemicals Corporation | Urethane oligomer and active energy ray curable resin composition containing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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