JP2008547166A - 製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法 - Google Patents

製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008547166A
JP2008547166A JP2008517388A JP2008517388A JP2008547166A JP 2008547166 A JP2008547166 A JP 2008547166A JP 2008517388 A JP2008517388 A JP 2008517388A JP 2008517388 A JP2008517388 A JP 2008517388A JP 2008547166 A JP2008547166 A JP 2008547166A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
product
atmosphere
plasma
electrode
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008517388A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008547166A5 (ja
Inventor
プリンツ エックハルト
パーム ピーター
フェルスター フランク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Softal Electronic Erik Blumenfeld & CoKg GmbH
Original Assignee
Softal Electronic Erik Blumenfeld & CoKg GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Softal Electronic Erik Blumenfeld & CoKg GmbH filed Critical Softal Electronic Erik Blumenfeld & CoKg GmbH
Publication of JP2008547166A publication Critical patent/JP2008547166A/ja
Publication of JP2008547166A5 publication Critical patent/JP2008547166A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32348Dielectric barrier discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2437Multilayer systems
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2418Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes the electrodes being embedded in the dielectric

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

本発明は、製品の裏面にプラズマ処理またはプラズマコーティングする方法に関する。処理する製品の運動方向と直交する方向に設け少なくとも製品の表面の幅以上の大きさの少なくとも一つの高圧電極の下に、高圧電極から間隔を介して製品を設置する。高圧電極および製品の相対的な運動方向が異なるように配置する。交流電圧による高電圧を高圧電極に印加する。高圧電極と製品との間の第1の空間に第1の大気を充填する。高圧電極とは反対側の製品の裏側の第2の空間に第1の空間とは異なる第2の大気を充填する。高電圧、第1の大気および第2の大気を、第2の大気内でプラズマ放電が発生するように調節する。
【選択図】図1

Description

本発明は、請求項1または請求項6に記載の製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法に関する。本発明のプラズマ処理とは、プラズマコーティングをも意味する。
大気圧下でのプラズマ処理は、コロナ処理ともいわれ、メッキ業界やプラスチックフィルム製造業では、製品の表面に大気圧下でプラズマ処理をしている。通常、事業規模のコロナ処理設備は、一つの高圧電極と、円柱状に形成され表面にプラスチックフィルムを密着させた一つの対極電極とで構成されている。この高圧電極は、対極電極と平行に設置されている。また、この高圧電極には、約20kHz以上40kHz以下で約10kVの電圧が印加され、対極電極はアースに接続されている。さらに、この高圧電極と対極電極との間には、数ミリメートル程度の隙間が設けられており、プラスチックフィルムが設置された対極電極には、高圧電極との間の電位差によって、通常1kW/m以上5kW/m以下の出力のコロナ放電が発生する。そして、プラスチックフィルムは、コロナ放電にて反応して表面が酸化する。
この反応によって、プラスチックフィルムの表面の電圧が上昇し、塗料や接着剤を確実に固着できる。
そして、この固着の効果を高めるためは、プラズマ反応の後に、プラスチックフィルムの上から下地剤(プライマー)を塗布する必要がある。この下地剤は、固着性能を高める成分と大部分の溶剤とで構成されている。そして、この下地剤を塗布した後には、ローラーなどで擦って溶剤を除去する必要があり、この溶剤は、乾燥路を通する方法で除去される。さらに、この溶剤が有機溶剤の場合には、この有機溶剤を焼却しなければならない。
この溶剤を除去する工程では、架台、乾燥機および後処理用燃焼装置などの各種の設備が必要となり、初期投資やランニングコストの面からコストが掛かる。
このため、ウエット化学的な方法によるプライマー塗布方法を、溶剤を使わずに大気圧下でプラズマコーティングする方法が知られている。この方法では、乾燥工程と燃焼による後処理工程とが不要になる。架台としては、大気圧プラズマコーティングユニットが代用される。
さらに、大気圧下でプラズマ放電するユニットの内部には、空気、窒素または稀ガスなどのキャリアガスや、これらのガスにテトラメトキシシラン(Tetramethylorthosilikat)またはヘクサメチレンジシロキサン(Hexamethylendisiloxan)などの材料物質を混ぜた混合ガスを電極システムに導入して、アースした対極電極に下地を設け、この下地で対向電極が被覆されるように構成されている。
このとき、この下地の他に電極システム自体もコーティングされてしまうため、本来電極システムと対極電極システムとの間に確保する必要がある空間が、電極自体のコーティングによって塞がれてしまい、結果的にコーティング工程を中断して洗浄しなければならない事態が生じ得る。ところが、この事態は、連続処理工程では受け入れ難い。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、製品の電極とは反対側の面に大気圧でプラズマ処理およびプラズマ放電の少なくともいずれかができる方法を提供することを目的とする。
上記の課題は、請求項1の構成を備えた大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法によって解決される。
本発明によれば、製品の高圧電極側の少なくとも一つの面と、この製品の高圧電極とは反対側の面とに、異なる大気を作り出すことができる。この異なる二つの大気と高電圧とを調節することによって、第2の大気、すなわち製品の高圧電極とは反対側の面上の大気内にプラズマ放電を発生できる。また、製品の裏面の処理やコーティングも可能となる。
特に、プラズマコーティングの場合には、少なくとも一つの高圧電極自体のコーティングを防止でき、空間の洗浄や維持管理などの必要性を回避できる。
また、請求項2のように、互いに異なるガスおよび混合ガスのいずれかとしたり、請求項3のように、互いに異なる気圧にしたりすることによって、異なる第1の大気と第2の大気とを調節できる。ここで、「大気圧」とは、通常の大気圧である約1013ヘクトパスカル(ミリバール)よりわずかに高い気圧、またはわずかに低い気圧を意味する。この場合に、大気圧より±100ヘクトパスカル程度の気圧でも大気圧に含まれるものとする。
さらに、異なる気圧にする方法としては、請求項2のように、種類の異なるガスおよび混合ガスのいずれかによって気圧を調節する。例えば、製品の裏面のみ、すなわち第2の大気内にプラズマ放電が必要な場合は、このプラズマ放電が比較的高い電圧経路を自由に通過させる必要があるから、第1の大気より低い電圧でプラズマ放電が発生するガスおよび混合ガスのいずれかを製品の裏面側に導入する。種類の異なる混合ガスとしては、一方が材料物質を含む混合ガスで、他方が材料物質を含まない同一成分の混合ガスの場合も含まれる。この気圧の調節によって、製品の裏面側の第2の大気内のみに材料物質を導入してコーティングし、この製品の前面、すなわち高圧電極側の面にはプラズマ処理しないなども可能となる。
また、請求項4のように、第1の大気および第2の大気と、少なくとも一つの高圧電極の高電圧とを調節することによって、第2の大気内でのみプラズマ放電を発生させて、プラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをできる。さらに、第1の大気および第2の大気と、少なくとも一つの高圧電極に印加される高電圧とを調節することによって、これら第1の大気および第2の大気のそれぞれでプラズマ放電を発生させることも可能である。
特に、請求項5のように、製品の裏面、すなわち第2の大気が存在する側のみに、プラズマコーティングするための原料として化学反応剤である材料物質を導入することにより、この製品の裏面のみにプラズマコーティングすることも可能である。
さらに、請求項6のように、少なくとも二つ一組の高圧電極を、第1の大気内に設置された製品の同一側に設置してプラズマ放電およびコロナ放電のいずれかを発生させる。
また、高圧電極としては、請求項7のバリア電極または請求項8の金属電極を用いたり、これらバリア電極および金属電極などを組み合わせた電極を用いたりできる。
次に、本発明の方法を用いた装置の一実施の形態を図1を参照して説明する。各図面では、同一または同種の構成要素に同じ番号が付されている。この装置には、製品3の表面から間隔を介して設置され、特に交流の高電圧が印加される二つ1組のバリア電極1が取り付けられている。このバリア電極1の内部には、保護材によって周囲から電気的に絶縁された導電体2が設けられている。この保護材としては、酸化アルミニウムセラミックが好ましく、特に耐久性に優れているものがより好ましい。また、一組のバリア電極1と、例えばプレート状の製品3の表面との間の第1の空間は、第1の大気で満たされている。そして、バリア電極1とは反対側の製品3の裏面側には、ハウジング5が取り付けられており、このハウジング5内は、第2の大気で満たされた第2の空間が設けられている。この第2の空間は、各矢印にて示すように、プロセスガス7と、必要に応じて材料物質6とが導入されている。この結果、このハウジング5内の第2の空間では、バリア電極1と製品3との間の第1の空間とは異なる大気を作り出すことができる。すなわち、この第2の空間の大気を変えて高圧を適度に調節することによって、製品3の裏面上の所望する位置にプラズマ放電4を発生できる。そして、この発生したプラズマ放電4は、純粋なプラズマ放電としてプロセスガス7内でのプラズマ処理が可能となる。また、材料物質6を添加することにより、製品3の裏面にプラズマコーティングできる。運動方向を示す矢印Pが示すように、製品3は、装置によって矢印Pの方向に連続的に送り出され、この製品3の裏面がプラズマ処理またはプラズマコーティングされる。吸引装置8は、プロセスガス7、残留する材料物質6がある場合にはこの材料物質6、およびプラズマ放電4で発生した物質をまとめて吸引し、後続の図示しない排ガス処理装置へ送り、特にオゾンなどの有害なプラズマ生成物が外部へ放出されないようにする。ここで、材料物質6は、ハウジング5の内部、すなわち第2の大気へ必ず導入するものではない。この材料物質6を用いずにプロセスガス7のみを用いても、製品3の裏面をプラズマ処理できる。
図1に示す一実施の形態は、製品3の一方の面のみに選択的にプラズマ処理またはプラズマコーティングをし、この製品3の他方の面にはプラズマ処理またはプラズマコーティングをしない。また、梱包業での密封作業などの多くの保護梱包工程などで使用するポリマーフィルムが製品3の場合には、このポリマーフィルムの表面が未処理であることが絶対条件となるため、この一実施の形態の構成は極めて重要である。
図1に示す二つのバリア電極1は、一体的に高圧電極を形成しており、間に空間が設けられて互いに離間された位置に設置されている。ここで、これらバリア電極1の間の空間または距離は、大き過ぎても長すぎても良くなく、製品3の裏面にプラズマ放電4が連続的に発生するように調節されている。図1に示す一実施の形態の空間は、当業者の専門知識や実験に基づいて調節される。
ここで、電極の構造は、図1に示すバリア電極1の構成に限定されるものではない。この図1に示す空間の各面に複数のバリア電極1を並列に設置することも可能である。また、この図1に示す空間にて分けられた二つ以上のバリア電極1を電極して用いることも可能である。
また、プロセスガス7としては、空気、窒素、二酸化炭素、水素またはアルゴンなどの稀ガスや、これらガスの混合気体が適している。材料物質6には、気相のテトラメトキシシラン(Tetramethylorthosilikat)、ヘクサメチレンジシロキサン(Hexamethylendisiloxan)、またはシランなどのガス状の材料物質が適している。これらの材料物質6を用いることにより、数ナノメータからマイクロメータまでの厚さの二酸化シリコン層を製品3の裏面にコーティングできる。ここで、この二酸化シリコン層は、ウエット化学的な下地に変わる機能を有している。また、材料物質6の種類を変えることで層の機能を変化でき、抗接着機能、抗擦過機能または保護機能などの各種の機能を備えた層をもコーティングできる。
上記一実施の形態のバリア電極1は、数メートルの長さになる場合がある。異なる電位の導電体2によって高電圧が印加されると、これらバリア電極1の間に電位差が生じ、この電位差によってバリア電極1に金属粉末が詰まったり、これらバリア電極1の内部に金属のコーティング層ができたりする場合がある。これらバリア電極1には、一つ以上の管路を備えた矩形管状のものが好ましい。
また、この一実施の形態では、周波数が1kHz以上100kHz以下、好ましくは5kHz以上30kHz以下の10kV以上60kV以下の交流電圧を用いている。ここで、この交流電圧をパルス状にすることも可能である。
図2ないし図5には、本発明の一実施の形態の変形例が別の実施の形態として示されている。これら図2ないし図5に示す各実施の形態に限定されるものではないが、これら図2ないし図5に示す各実施の形態の電極以外の構成は、上記一実施の形態と同様である。図2に示す実施の形態は、図1に示す一実施の形態に似ているが、バリア電極1の代わりに金属電極9で高圧電極が構成されている。また、図3ないし図5に示す実施の形態では、バリア電極1と金属電極9とで高圧電極が構成されている。
さらに、図6ないし図9には、バリア電極1と金属電極9とで構成された本発明のさらに別の実施の形態が示されている。
この実施の形態については、図6を用いて原理および機能を説明する。これら図6ないし図9に示す実施の形態の場合も、電極の構成は異なるが、原理や機能は同じである。
これら図6ないし図9に示す実施の形態では、製品3の裏面と電極側の表面とのそれぞれにハウジング5が設けられており、これら各ハウジング5は、それぞれ一つの空間、具体的に表面側は第1の空間を、裏面側は第2の空間を有している。ここで、第2の空間は、図1ないし図5に示す各実施の形態と同様に、プロセスガス7と、必要に応じて材料物質6とが導入されており、吸引装置8が接続されている。このため、この実施の形態の場合も、製品3の裏面のみに限定的にプラズマ放電4を発生できる。
この実施の形態では、上記各実施の形態とは異なり、ハウジング5で囲まれ電極が取り付けられている側の空間である第1の空間の内部の第1の大気は、印加される高電圧と適合するように調節され、この第1の空間内でもプラズマ放電10が発生するように調節されている。この第1の空間にも同様に、プロセスガスが導入されているが、このプロセスガスは、ハウジング5にて覆われ製品3の裏面側の空間に導入されるプロセスガス7とは成分が異なる。ハウジング5にて覆われ製品3の電極側の第1の空間には、吸引装置8が接続されており、この第1の空間の内部でのプラズマ放電10によって生成した、例えばオゾンなどの反応生成物を排出して無害化できるように構成されている。
ここで、この実施の形態では、バリア電極1または金属電極9にて構成された高圧電極自体がコーティングされないように、材料物質6が製品3の裏面側のみに導入され、電極側でのプラズマ放電10には材料物質6を導入しない。
この実施の形態の装置を用いることにより、製品3の裏面と電極側の表面とで同時にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをできる。
本発明の方法を用い、二つのバリア電極が高圧電極として用いられ、製品のバリア電極とは反対側の面にプラズマ放電され、かつ材料物質を用いて連続的に処理およびコーティングの少なくともいずれかをする製品の搬送装置の一実施の形態を示す概略断面図である。 バリア電極に代えて金属電極を用いた本発明の別の実施の形態を示す概略断面図である。 金属電極とバリア電極と組み合わせた電極を用いた本発明のさらに別の実施の形態を示す概略断面図である。 二つのバリア電極の間に一つの金属電極を配置した一対の電極を用いた本発明のさらに別の実施の形態を示す概略断面図である。 二つの金属電極の間に一つのバリア電極を配置した一対の電極を用いた本発明のさらに別の実施の形態を示す概略断面図である。 図1に示す装置を用いて製品の両側でプラズマ放電を発生させる方法を示す概略断面図である。 図3に示す装置を用いて製品の両側でプラズマ放電を発生させる方法を示す概略断面図である。 図4に示す装置を用いて製品の両側でプラズマ放電を発生させる方法を示す概略断面図である。 図5に示す装置を用いて製品の両側でプラズマ放電を発生させる方法を示す概略断面図である。
符号の説明
1 バリア電極
2 導電体
3 製品
4 プラズマ放電
5 ハウジング
6 材料物質
7 プロセスガス
8 吸引装置
9 金属電極
10 プラズマ放電
P 運動方向

Claims (8)

  1. 電気的に絶縁された製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法であって、
    処理する前記製品の運動方向と直交する方向に設けられ少なくとも前記製品の表面の幅以上の大きさの少なくとも一つの高圧電極と前記製品との相対的な運動方向を異ならせて、前記高圧電極から間隔を介して前記製品を設置し、
    前記高圧電極に、特に交流電圧による高電圧を印加し、
    前記高圧電極と前記製品との間の第1の空間に、第1の大気を充填し、
    前記高圧電極とは反対側の前記製品の裏側の第2の空間に、前記第1の空間とは異なる第2の大気を充填し、
    前記高電圧、第1の大気および第2の大気を調節して、この第2の大気内でプラズマ放電を発生させる
    ことを特徴とする製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法。
  2. 第1の大気および第2の大気は、互いに異なるガスおよび混合ガスのいずれかである
    ことを特徴とする請求項1記載の方法。
  3. 第1の大気および第2の大気は、互いに異なる気圧である
    ことを特徴とする請求項1または2記載の方法。
  4. 高電圧、第1の大気および第2の大気を調節して、第2の空間内でのみプラズマ放電を発生させる
    ことを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載の方法。
  5. 第2の空間内に、製品の裏面にプラズマコーティングするための原料として化学反応剤である材料物質を導入する
    ことを特徴とする請求項1ないし4いずれか記載の方法。
  6. 製品の同一面側に、プラズマ放電およびコロナ放電のいずれかを発生させる少なくとも二つ一組の高圧電極を設置する
    ことを特徴とする請求項1ないし5いずれか記載の方法。
  7. 少なくとも一つの高圧電極として、少なくとも一つのバリア電極を用いる
    ことを特徴とする請求項1ないし6いずれか記載の方法。
  8. 少なくとも一つの高圧電極として、少なくとも一つの金属電極を用いる
    ことを特徴とする請求項1ないし7いずれか記載の方法。
JP2008517388A 2005-06-24 2006-06-19 製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法 Pending JP2008547166A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005029360A DE102005029360B4 (de) 2005-06-24 2005-06-24 Zwei Verfahren zur kontinuierlichen Atmosphärendruck Plasmabehandlung von Werkstücken, insbesondere Materialplatten oder -bahnen
PCT/EP2006/005838 WO2007000255A2 (de) 2005-06-24 2006-06-19 Verfahren zur kontinuierlichen atmosphärendruck plasmabehandlung und/oder -beschichtung von werkstücken

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008547166A true JP2008547166A (ja) 2008-12-25
JP2008547166A5 JP2008547166A5 (ja) 2009-08-06

Family

ID=36997862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008517388A Pending JP2008547166A (ja) 2005-06-24 2006-06-19 製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US20100112235A1 (ja)
EP (2) EP1902156B1 (ja)
JP (1) JP2008547166A (ja)
CN (1) CN101198718B (ja)
AT (2) ATE432379T1 (ja)
DE (2) DE102005029360B4 (ja)
DK (1) DK1902156T3 (ja)
PL (1) PL1894449T3 (ja)
WO (2) WO2007000255A2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012191001A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理方法及び装置
JP2012243859A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Hitachi Ltd 大気圧プラズマ処理装置
JP2015005780A (ja) * 2014-09-25 2015-01-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2793367B1 (fr) 1999-05-03 2004-09-10 Jean Luc Stehle Dispositif d'authentification et de securisation pour un reseau informatique
DE102005029360B4 (de) * 2005-06-24 2011-11-10 Softal Corona & Plasma Gmbh Zwei Verfahren zur kontinuierlichen Atmosphärendruck Plasmabehandlung von Werkstücken, insbesondere Materialplatten oder -bahnen
DE102007018716A1 (de) 2007-04-20 2008-10-23 Schaeffler Kg Verfahren zum Aufbringen einer verschleißfesten Beschichtung
DE102007025151A1 (de) * 2007-05-29 2008-09-04 Innovent E.V. Verfahren zum Beschichten eines Substrats
DE102007025152B4 (de) * 2007-05-29 2012-02-09 Innovent E.V. Verfahren zum Beschichten eines Substrats
CN103597119B (zh) 2009-07-08 2017-03-08 艾克斯特朗欧洲公司 用于等离子体处理的装置和方法
JP5648349B2 (ja) * 2009-09-17 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
DE102010024086A1 (de) * 2010-06-17 2011-12-22 WPNLB UG (haftungsbeschränkt) & Co. KG Vorrichtung zur kontinuierlichen Plasmabehandlung und/oder Plasmabeschichtung eines Materialstücks
US8765232B2 (en) 2011-01-10 2014-07-01 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for dielectric deposition
US9299956B2 (en) 2012-06-13 2016-03-29 Aixtron, Inc. Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices
US10526708B2 (en) 2012-06-19 2020-01-07 Aixtron Se Methods for forming thin protective and optical layers on substrates
US20130337657A1 (en) * 2012-06-19 2013-12-19 Plasmasi, Inc. Apparatus and method for forming thin protective and optical layers on substrates
HUE032619T2 (en) * 2012-12-21 2017-10-30 Asahi Glass Co Ltd Method and tool for igniting DBD electrode pairs
SG11201505669TA (en) * 2013-02-04 2015-09-29 Creative Tech Corp Plasma generator
DE102013106315B4 (de) 2013-06-18 2016-09-15 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines physikalischen Plasmas
DE102016105976A1 (de) * 2016-04-01 2017-10-05 Dieffenbacher GmbH Maschinen- und Anlagenbau Vorrichtung zum Transport von Material
DE102016109044B3 (de) * 2016-05-17 2017-07-06 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung eines Substrats
DE102016118569A1 (de) * 2016-09-30 2018-04-05 Cinogy Gmbh Elektrodenanordnung zur Ausbildung einer dielektrisch behinderten Plasmaentladung
DE102017118652A1 (de) * 2017-08-16 2019-02-21 Hochschule Für Angewandte Wissenschaft Und Kunst Hildesheim/Holzminden/Göttingen Plasmageneratormodul und dessen Verwendung
EP3585136A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-25 Masarykova Univerzita A method and device for generating low-temperature electrical water-based plasma at near-atmospheric pressures and its use
SG11202012977XA (en) 2018-06-29 2021-01-28 Dow Global Technologies Llc Foam bead and sintered foam structure
DE102019101997A1 (de) 2019-01-28 2020-07-30 Koenig & Bauer Ag Verfahren und Druckmaschine jeweils zum Bedrucken eines metallischen Bedruckstoffes

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61155430A (ja) * 1984-12-28 1986-07-15 Isuzu Motors Ltd プラズマ処理方法
JPH10310652A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Toppan Printing Co Ltd 表面処理方法、その被処理物および表面処理装置
JP2000208296A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理品の製造方法
JP2000356714A (ja) * 1999-04-15 2000-12-26 Konica Corp 偏光板用保護フィルム
JP2005026167A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 E Square:Kk プラズマ表面処理装置とその処理方法
JP2006005315A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2616760B2 (ja) * 1985-04-08 1997-06-04 株式会社 半導体エネルギー研究所 プラズマ気相反応装置
DE3521318A1 (de) * 1985-06-14 1986-12-18 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum behandeln, insbesondere zum beschichten, von substraten mittels einer plasmaentladung
CN1036286A (zh) * 1988-02-24 1989-10-11 珀金·埃莱姆公司 超导陶瓷的次大气压等离子体喷涂
JP2803017B2 (ja) * 1993-06-07 1998-09-24 工業技術院長 抗血栓性医用材料及び医療用具並びにこれらの製造方法、製造装置及びプラズマ処理装置
FR2770425B1 (fr) * 1997-11-05 1999-12-17 Air Liquide Procede et dispositif pour le traitement de surface d'un substrat par decharge electrique entre deux electrodes dans un melange gazeux
DK1047165T3 (da) * 1999-04-21 2002-05-21 Softal Elektronik Gmbh Barriereelektrode til overfladebehandling af elektrisk ledende eller ikke-ledende materialer samt arrangement af sådanne barriereelektroder
US6150430A (en) * 1999-07-06 2000-11-21 Transitions Optical, Inc. Process for adhering a photochromic coating to a polymeric substrate
EP1073091A3 (en) * 1999-07-27 2004-10-06 Matsushita Electric Works, Ltd. Electrode for plasma generation, plasma treatment apparatus using the electrode, and plasma treatment with the apparatus
EP1125972A1 (fr) * 2000-02-11 2001-08-22 L'air Liquide Société Anonyme pour l'étude et l'exploitation des procédés Georges Claude Procédé de traitement de surface de subtrats polymères
US20030116281A1 (en) * 2000-02-11 2003-06-26 Anthony Herbert Atmospheric pressure plasma system
JP2002018276A (ja) * 2000-07-10 2002-01-22 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマ処理装置
JP4254236B2 (ja) * 2000-12-12 2009-04-15 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜形成方法
US6849306B2 (en) * 2001-08-23 2005-02-01 Konica Corporation Plasma treatment method at atmospheric pressure
US20030104141A1 (en) * 2001-08-27 2003-06-05 Amato-Wierda Carmela C. Dielectric barrier discharge process for depositing silicon nitride film on substrates
JP4140289B2 (ja) * 2002-06-10 2008-08-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 大気圧プラズマ放電処理装置、大気圧プラズマ放電処理方法及び光学素子
JP4433680B2 (ja) * 2002-06-10 2010-03-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 薄膜形成方法
DE10228506B4 (de) * 2002-06-24 2015-10-08 Fachhochschule Hildesheim/Holzminden/Göttingen - Körperschaft des öffentlichen Rechts - Verfahren und Vorrichtung zum Modifizieren von Oberflächen durch dielektrisch behinderte Entladung unter Atmosphärendruck
US7288204B2 (en) * 2002-07-19 2007-10-30 Fuji Photo Film B.V. Method and arrangement for treating a substrate with an atmospheric pressure glow plasma (APG)
CA2465879C (en) * 2002-08-30 2008-10-07 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
DE10300439B4 (de) * 2003-01-09 2017-06-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Oberflächen
EP1643002A4 (en) * 2003-06-06 2009-11-11 Konica Minolta Holdings Inc METHOD FOR FORMING THIN LAYERS AND ARTICLE COMPRISING A THIN LAYER
US7365956B2 (en) * 2004-06-14 2008-04-29 Douglas Burke Plasma driven, N-type semiconductor, thermoelectric power superoxide ion generator with critical bias conditions
BG66022B1 (bg) * 2005-06-14 2010-10-29 ДИНЕВ Петър Метод за плазмено-химична повърхнинна модификация
DE102005029360B4 (de) * 2005-06-24 2011-11-10 Softal Corona & Plasma Gmbh Zwei Verfahren zur kontinuierlichen Atmosphärendruck Plasmabehandlung von Werkstücken, insbesondere Materialplatten oder -bahnen
US20070154650A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of flexible material at atmospheric pressure

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61155430A (ja) * 1984-12-28 1986-07-15 Isuzu Motors Ltd プラズマ処理方法
JPH10310652A (ja) * 1997-05-14 1998-11-24 Toppan Printing Co Ltd 表面処理方法、その被処理物および表面処理装置
JP2000208296A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理品の製造方法
JP2000356714A (ja) * 1999-04-15 2000-12-26 Konica Corp 偏光板用保護フィルム
JP2005026167A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 E Square:Kk プラズマ表面処理装置とその処理方法
JP2006005315A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012191001A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Sekisui Chem Co Ltd 表面処理方法及び装置
JP2012243859A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Hitachi Ltd 大気圧プラズマ処理装置
JP2015005780A (ja) * 2014-09-25 2015-01-08 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
DK1902156T3 (da) 2009-08-24
US20100112235A1 (en) 2010-05-06
DE502006003822D1 (de) 2009-07-09
EP1894449B1 (de) 2011-11-09
DE102005029360B4 (de) 2011-11-10
EP1902156B1 (de) 2009-05-27
EP1902156A2 (de) 2008-03-26
WO2007016999A3 (de) 2009-09-03
ATE432379T1 (de) 2009-06-15
ATE533339T1 (de) 2011-11-15
US20100221451A1 (en) 2010-09-02
US7989034B2 (en) 2011-08-02
WO2007000255A2 (de) 2007-01-04
WO2007016999A2 (de) 2007-02-15
CN101198718A (zh) 2008-06-11
DE102005029360A1 (de) 2006-12-28
PL1894449T3 (pl) 2012-04-30
CN101198718B (zh) 2010-05-26
EP1894449A2 (de) 2008-03-05
WO2007000255A3 (de) 2007-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008547166A (ja) 製品、特にプレート材または棒材を大気圧で連続的にプラズマ処理およびプラズマコーティングの少なくともいずれかをする方法
JP2008547166A5 (ja)
US6934142B2 (en) Device and method for charge removal from dielectric surfaces
AU695099B2 (en) Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
US6204605B1 (en) Electrodeless discharge at atmospheric pressure
US20110308457A1 (en) Apparatus and method for treating an object
US20100139864A1 (en) Method for the plasma cleaning of the surface of a material coated with an organic substance and the installation for carrying out said method
US20030070760A1 (en) Method and apparatus having plate electrode for surface treatment using capillary discharge plasma
JP2001087643A (ja) プラズマ処理装置
KR20070022527A (ko) 불용방전 방지를 위한 전극 구조를 갖는 대기압 플라즈마발생장치
Kwon et al. Charge neutralization of submicron aerosols using surface-discharge microplasma
JPH10199697A (ja) 大気圧プラズマによる表面処理装置
JP2524942B2 (ja) プラズマ表面処理装置
KR100491140B1 (ko) 대기압 플라즈마를 이용한 표면 세정방법 및 장치
JP5008622B2 (ja) プラズマ発生電極及びプラズマ発生方法
WO2001012350A1 (en) Cleaning surfaces with a thermal-non-equilibrium glow discharge plasma at high pressure
JP2003059909A (ja) 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
US6635996B1 (en) Plasma generating apparatus, plasma generating method and gas processing method by plasma reaction
JP2006005007A (ja) アモルファスシリコン層の形成方法及び形成装置
JP2003059924A (ja) 多段型の放電プラズマ処理方法及び装置
JP4651405B2 (ja) 表面処理方法
JP3984514B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Nomura et al. A study of NO removal by packed-beads discharge reactor
JP2005072497A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2007141644A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090617

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090617

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100525

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100525

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110929

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120229