JP2008542780A - 気体制御装置 - Google Patents
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Abstract
Description
開口端部を介してその筺体に接続され、磁場に、および高周波に対して透過性がある、気体を通さない周壁によって画定される軸状突起部と、
監視プラズマを軸状突起部の内部空間に発生させるための手段であって、そのプラズマは分析のために光を放つ、手段と、
監視プラズマによって放たれる光放射を捉えるための軸状突起部の壁上に少なくとも1つのセンサと、
気体を通さない壁の外側に配置され、監視プラズマによって放たれ、センサによって得られる光を受ける放射スペクトル分析計手段と、
軸状突起部の内部空間に場を発生させるための場発生器手段であって、場は、センサの方への光束の伝播方向I−Iに対して横方向に配向され、イオン化粒子およびセンサから離れる監視プラズマの電子の流束を偏向させるように働き、その手段は、センサのその開口端部と対向する、およびそのすぐ近くにある軸状突起部の端部に、場を発生させるような形で、軸状突起部の気体を通さない周壁に近接して、およびその壁の外側に配置される、場発生器手段とを含む。
Claims (17)
- 発光分光分析法を使用して、筺体内に含まれる気体種類を監視するための監視装置(1)であって、
開口端部(5a)を介して前記筺体に接続され、磁場におよび高周波に対して透過性がある、気体を通さない周壁(6)によって画定される軸状突起部(5)と、
軸状突起部(5)の内部空間(8)内に、分析のための光を放つ監視プラズマ(16)を発生させるための手段(17、18)と、
監視プラズマ(16)によって放たれた光放射を捉えるための軸状突起部(5)の壁(6)上の少なくとも1つのセンサ(3)と、
気体を通さない壁(6)の外側に配置され、監視プラズマ(16)によって放たれ、センサ(3)によって得られた光を受ける放射スペクトル分析計手段(4)と、
を備え、
軸状突起部(5)の内部空間(8)内に場(9)を発生させるための場発生器手段(7)をさらに含み、場はセンサ(3)の方へ光束の伝播方向I−Iに対して横方向に配向され、センサ(3)から離れて監視プラズマ(16)のイオン化粒子(20)および電子の流束を偏向させるように働き、前記手段(7)は、センサ(3)のその開口端部(5a)と対向し、およびそのすぐ近くにある軸状突起部(5)の端部に場(9)を発生させるような形で、軸状突起部(5)の気体を通さない周壁(6)に近接して、およびその外側に配置されることを特徴とする、装置。 - センサ(3)が監視プラズマによって放たれた光に対する透明性を示す軸状突起部(5)の壁(6)の部分を含む、請求項1に記載の装置。
- センサ(3)が軸状突起部の一方の端部を閉じる壁(6)の部分を含む、請求項2に記載の装置。
- 筺体からの軸状突起部(5)の周壁(6)が電気を通さない材料でできている、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 筺体からの軸状突起部(5)の周壁(6)の材料が石英、ガラス、BK7およびサファイアから選択される、請求項4に記載の装置。
- 場発生器手段(7)が磁場を発生させるための手段である、請求項1から5のいずれかに記載の装置。
- 軸状突起部(5)の周壁(6)が磁場に対して透過性があることについて十分である非磁性特性を示す材料でできている、請求項6に記載の装置。
- 軸状突起部(5)の両側にそれぞれ配置され、互いに引き合う2つの磁石(7、7a)を有する、請求項6または請求項7に記載の装置。
- 磁石(7、7a)が軸状突起部(5)の周壁(6)の外側面に押圧され、それらの自らの相互磁性引力によって所定の場所に保持される、請求項8に記載の装置。
- 磁石(7、7a)が機械的支持機能を行うために非磁性材料でできた、または機械的支持機能と、軸状突起部(5)に沿って磁力線を閉鎖することによる磁性遮蔽機能との両方を行うために磁性材料でできた環状外側部分(10)によって外部から囲まれている、請求項6から9のいずれか一項に記載の装置。
- 磁石またはそれぞれの磁石(7、7a)が永久磁石である、請求項6から10のいずれか一項に記載の装置。
- 磁石またはそれぞれの磁石(7、7a)が電磁石である、請求項6から10のいずれか一項に記載の装置。
- 場発生器手段(7)が電場を発生させるための手段である、請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 筺体からの軸状突起部(5)が、監視するための気体種類がその中に存在する筺体(11、19)に取り付けるため、およびそれと連通して挿入するための軸方向管の形態で形成され、管は壁部分(6)によって一端部で閉じられ、筺体(11、19)と接続するためにその対向する端部(5a)では開いており、プラズマ発生器手段(17、18)は管の内部空間(8)内で監視するための気体種類をイオン化することを可能にする、請求項1から13のいずれかに記載の装置。
- 軸状突起部(5)の方への開口部(5a)が前記筺体(11、19)の壁で形成される、請求項1から14のいずれかに記載の装置。
- 処理チャンバ(11)と連通して、請求項1から13のいずれか一項に記載の監視装置(1)を含む半導体基板を処理するための装置であって、監視装置(1)は、したがって、処理チャンバ(11)自体の内部気体種類を監視するようになされている、装置。
- 真空ライン(19)と連通して、請求項1から13のいずれか一項に記載の監視装置(1)を含む半導体基板を処理するための、装置。
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219534A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-30 | Spp Process Technology Systems Uk Ltd | ワークピースを化学的にエッチングする装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2441582A (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-12 | Gencoa Ltd | Process monitoring and control |
FR2920539B1 (fr) | 2007-08-27 | 2010-05-28 | Alcatel Lucent | Systeme d'analyse de gaz a basse pression par spectroscopie d'emission optique |
KR101300735B1 (ko) * | 2011-09-22 | 2013-08-27 | 연세대학교 산학협력단 | 광신호의 세기 감소 방지 장치, 이를 구비한 발광분광분석기, 광학기기 및 질량분석기 |
US9025143B2 (en) | 2010-11-12 | 2015-05-05 | Industry-Academic Cooperation Foundation Yonsei University | Device for preventing intensity reduction of optical signal, optical emission spectrometer, optical instrument, and mass spectrometer including the same |
DE102012200211A1 (de) * | 2012-01-09 | 2013-07-11 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbearbeitung eines Substrates |
GB201212540D0 (en) | 2012-07-13 | 2012-08-29 | Uab Electrum Balticum | Vacuum treatment process monitoring and control |
CN102820197B (zh) * | 2012-08-31 | 2016-03-09 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子处理*** |
KR101406993B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2014-06-13 | 주식회사 포스코 | 레이저를 이용한 분석장치 |
EP3693733B1 (en) * | 2015-03-06 | 2022-09-07 | Mécanique Analytique Inc. | Discharge-based photo ionisation detector for use with a gas chromatography system |
CN107533008B (zh) * | 2015-03-06 | 2020-12-08 | 机械解析有限公司 | 多模式基于等离子体的光发射气体检测器 |
KR20160120382A (ko) | 2015-04-07 | 2016-10-18 | 삼성전자주식회사 | 광학 분광 분석 장치 및 플라즈마 처리 장치 |
GB201516171D0 (en) | 2015-09-14 | 2015-10-28 | Gencoa Ltd | Ion source sputtering |
US10088641B1 (en) * | 2017-07-26 | 2018-10-02 | Northrop Grumman Systems Corporation | Radiation resistant fiber optical assembly |
KR101931324B1 (ko) * | 2017-09-14 | 2018-12-20 | (주)나노텍 | 셀프 플라즈마 챔버의 오염 억제 장치 |
DE102022208770A1 (de) | 2022-08-24 | 2024-02-29 | Hochschule Reutlingen, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Vorrichtung zum Erfassen von mindestens einer gasförmigen Komponente in einem Gas |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128632A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Corp | 終点検出装置 |
JP2001077092A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002033312A (ja) * | 2000-03-31 | 2002-01-31 | Applied Materials Inc | チャンバからの排出ガスモニタリング |
JP2002518823A (ja) * | 1998-06-11 | 2002-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改善したプロセスモニタウィンドウを有するチャンバ |
JP2002525867A (ja) * | 1998-09-24 | 2002-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非イオン化ガスのリアクター環境における終点を検出するための装置及び方法 |
JP2003086574A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体処理装置のガス分析方法およびその装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4857136A (en) * | 1988-06-23 | 1989-08-15 | John Zajac | Reactor monitoring system and method |
FR2788854B1 (fr) * | 1999-01-22 | 2001-05-04 | Cit Alcatel | Systeme et procede d'identification d'effluents gazeux, equipement pourvu d'un tel systeme |
WO2002027874A2 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Cielo Communications, Inc. | High speed optical subassembly with ceramic carrier |
CN100459027C (zh) * | 2000-10-23 | 2009-02-04 | 应用材料有限公司 | 采用反射辐射监控衬底处理 |
DE10118530A1 (de) * | 2001-04-14 | 2002-10-17 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit gekippten Entladungselektroden |
WO2004026096A2 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Tokyo Electron Limited | Viewing window cleaning apparatus |
TWI238680B (en) * | 2002-09-30 | 2005-08-21 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing system and method |
-
2005
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63128632A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Nec Corp | 終点検出装置 |
JP2002518823A (ja) * | 1998-06-11 | 2002-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改善したプロセスモニタウィンドウを有するチャンバ |
JP2002525867A (ja) * | 1998-09-24 | 2002-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 非イオン化ガスのリアクター環境における終点を検出するための装置及び方法 |
JP2001077092A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2002033312A (ja) * | 2000-03-31 | 2002-01-31 | Applied Materials Inc | チャンバからの排出ガスモニタリング |
JP2003086574A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体処理装置のガス分析方法およびその装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010219534A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-30 | Spp Process Technology Systems Uk Ltd | ワークピースを化学的にエッチングする装置 |
JP2015039000A (ja) * | 2009-03-12 | 2015-02-26 | エスピーピー プロセス テクノロジー システムズ ユーケー リミティド | ワークピースを化学的にエッチングする装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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