JP2008527363A - 光学プローブ並びにその製造装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−光源と、
−光源により放出されたビームを標的距離のところに位置する焦点に向かって収斂する入射ビームの状態に整形したり、表面が標的距離の付近に存在しているとき、入射ビームの反射により表面から来たビームを光源から離れていて、表面が標的距離のところに存在しているときに所定の場所を占める焦点に向かって収斂する検出されるべきビームの状態に整形したりする整形手段と、
所定の場所のところに設けられたピンホールを含む絞り及び表面が標的距離のところに存在しているときに電圧ピークを生じさせる光電センサを含む光学検出システムとを有するプローブにおいて、
−整形手段は又、表面から来たビームを、光源及び検出されるべきビームの焦点から離れていて、表面が標的距離のところに存在しているときに別の所定の場所を占める焦点に向かって収斂する識別ビームの状態に整形するようになっており、
−プローブは、ピンホールよりも大きなホールを含み、少なくとも他の所定の場所の付近に配置された絞り及び表面が標的距離のところに位置している場合を除き、検出センサにより発生する電圧よりも高い電圧を発生させる光電センサを含む光学識別システムを更に有し、所定の電気状態は、検出センサにより発生した電圧が識別センサにより発生した電圧よりも高い状態であることを特徴とするプローブを提案する。
−整形手段は、検出されるべきビームを検出システムの方へ差し向けるようになった検出半反射性スプリッタブロックと、識別ビームを識別システムの方へ差し向けるようになった識別半反射性スプリッタブロックと、レンズ組立体とを有し、
−検出スプリッタブロックは、光源と、識別スプリッタブロックとの間に設けられ、識別スプリッタブロックは、検出スプリッタブロックと、レンズ組立体との間に設けられ、
−検出スプリッタブロックと識別スプリッタブロックは、互いに接触状態にあり、
−検出システムは、プローブの光軸に対して横断方向に検出スプリッタブロックに向いた状態で設けられ、識別システムは、プローブの光軸に対して横断方向に識別スプリッタブロックに向いた状態で設けられ、
−検出スプリッタブロック及び識別スプリッタブロックは各々、プローブの光軸に対して45°に傾けられた半反射性ミラーを有し、
−ミラーは、50/50の反射/透過比を有し、
−検出スプリッタブロックのミラーは、50/50の反射/透過比を有し、識別スプリッタブロックのミラーは、10/90の反射/透過比を有し、
−ピンホールは、10〜30マイクロメートルの直径を有し、
−レンズ組立体は、平凸レンズと非球面レンズの連携により形成される。
−光源は、一体形増幅器を備えたレーザダイオードであり、
−レーザダイオードの放出波長は、635〜1600ナノメートルであり、
−光は、レーザダイオードから検出スプリッタブロックまで直接放出される。
−光源、整形手段、検出システム、及び識別システムは、これらを互いに対して定位置に保持する樹脂を注型してこれらを包封することによって互いに締結される。
−物体の互いに反対側の側部にそれぞれ設けられていて、各々請求項1〜14のうちいずれか一に記載のプローブ及びプローブのための変位手段を有する2つのプローブアームと、
−各プローブアームに関し、物差しに対するアームの位置を測定する読み取りヘッドと、
−変位手段を制御したり、プローブの位置を読み取ったり、プローブがあらかじめ設定された標的距離のところに位置しているときに、物体の厚さを計算したりする電子ユニットとを有することを特徴とする装置に関する。
プローブ3は、プローブアームを形成するために位置が求められるべき表面に対して変位する手段10と関連している。
ロッド11,13は、取り付けラグ14により互いに連結されている。
ロッド11は、物差し16上でこれに沿って動く読み取りヘッド15に連結されている。
変位手段10は、連結ロッド11の周りに設けられた案内手段17により構成が完成状態になっている。
モータ12、可動読み取りヘッド15、及びプローブ3は、2つのプローブに共通な中央ユニット8のインターフェイスとなる電子ユニット7に連結されている(図1)。
これら整形手段は、光源20と、位置が求められるべき表面2A(それぞれ2B)との間に配置され、かかる整形手段は、検出スプリッタブロック24と、識別スプリッタブロック25と、レンズ組立体21とを有している。
半反射性ミラーは、50/50の反射/透過比を有している。
絞り26のホールの直径は、10〜30マイクロメートルのオーダーである。
635〜1,600ナノメートルの放出波長が、ダイオード20にとって適している。
センサ28,29は各々、受け取った光強度に比例した電圧を発生させる。
このグラフには、焦点F1に対する位置が求められるべき表面の相対距離(横軸X上)の関数として、検出センサ28及び識別センサ29により発生した電圧の値が(縦軸Y上に)表示されている。
このサイズが小さいことにより、回折現象が生じ、かかる回折現象は、曲線30の二乗基本的正弦形の一般形状の原因であり、このことは、2次ピーク31′,31″等の存在の説明となっている。
この範囲I1の外においては、光束の一部分は、絞り27によって止められる。
TTL論理を用いると、例えばこの信号を生じさせることができる。
Claims (16)
- 光学プローブであって、前記プローブ(3)が少なくとも部分的に反射性の表面(2A,2B)からあらかじめ設定された標的距離のところに位置する場合及びその場合にのみ、所定の電気状態を取るようになった光電手段を有し、前記プローブが、
−光源(20)と、
−前記光源により放出されたビームを前記標的距離のところに位置する焦点(F1)に向かって収斂する入射ビーム(5)の状態に整形したり、前記表面が前記標的距離の付近に存在しているとき、前記入射ビーム(5)の反射により前記表面から来たビームを前記光源から離れていて、前記表面が前記標的距離のところに存在しているときに所定の場所を占める焦点(F2)に向かって収斂する検出されるべきビーム(5′)の状態に整形したりする整形手段(24,25,21)と、
前記所定の場所のところに設けられたピンホールを含む絞り(26)及び前記表面が前記標的距離のところに存在しているときに電圧ピーク(31)を生じさせる光電センサ(28)を含む光学検出システム(22)とを有するプローブにおいて、
−前記整形手段(24,25,21)は又、前記表面から来た前記ビームを、前記光源及び前記検出されるべきビームの前記焦点から離れていて、前記表面が前記標的距離のところに存在しているときに別の所定の場所を占める焦点に向かって収斂する識別ビーム(5″)の状態に整形するようになっており、
−前記プローブは、前記ピンホールよりも大きなホールを含み、少なくとも前記他の所定の場所の付近に配置された絞り(27)及び前記表面(2A,2B)が前記標的距離のところに位置している場合を除き、前記検出センサ(28)により発生する前記電圧よりも高い電圧を発生させる光電センサ(29)を含む光学識別システム(23)を更に有し、前記所定の電気状態は、前記検出センサ(28)により発生した前記電圧が前記識別センサ(29)により発生した電圧よりも高い状態である、プローブ。 - 前記整形手段は、検出されるべき前記ビーム(5′)を前記検出システム(22)の方へ差し向けるようになった検出半反射性スプリッタブロック(24)と、前記識別ビーム(5″)を前記識別システム(23)の方へ差し向けるようになった識別半反射性スプリッタブロック(25)と、レンズ組立体(21)とを有する、請求項1記載のプローブ。
- 前記検出スプリッタブロック(24)は、前記光源(20)と、前記識別スプリッタブロック(25)との間に設けられ、前記識別スプリッタブロック(25)は、前記検出スプリッタブロック(24)と、前記レンズ組立体(21)との間に設けられている、請求項2記載のプローブ。
- 前記検出スプリッタブロック(24)と前記識別スプリッタブロック(25)は、互いに接触状態にある、請求項3記載のプローブ。
- 前記検出システム(22)は、前記プローブの光軸に対して横断方向に前記検出スプリッタブロック(24)に向いた状態で設けられ、前記識別システム(23)は、前記プローブの前記光軸に対して横断方向に前記識別スプリッタブロック(25)に向いた状態で設けられている、請求項2〜4のうちいずれか一に記載のプローブ。
- 前記検出スプリッタブロック(24)及び前記識別スプリッタブロック(25)は各々、前記プローブの前記光軸に対して45°に傾けられた半反射性ミラー(24″,25″)を有する、請求項2〜5のうちいずれか一に記載のプローブ。
- 前記ミラー(24″,25″)は、50/50の反射/透過比を有する、請求項6記載のプローブ。
- 前記検出スプリッタブロックの前記ミラー(24″)は、50/50の反射/透過比を有し、前記識別スプリッタブロックの前記ミラー(25″)は、10/90の反射/透過比を有する、請求項6記載のプローブ。
- 前記ピンホールは、10〜30マイクロメートルの直径を有する、請求項1〜8のうちいずれか一に記載のプローブ。
- 前記レンズ組立体(21)は、平凸レンズ(21′)と非球面レンズ(21″)の連携により形成されている、請求項2〜9のうちいずれか一に記載のプローブ。
- 前記光源(20)は、一体形増幅器を備えたレーザダイオードである、請求項1〜10のうちいずれか一に記載のプローブ。
- 前記レーザダイオードの放出波長は、635〜1600ナノメートルである、請求項11記載のプローブ。
- 前記光は、前記レーザダイオードから前記検出スプリッタブロック(24)まで直接放出される、請求項11又は12記載のプローブ。
- 前記光源(20)、前記整形手段(24,25,21)、前記検出システム(22)、及び前記識別システム(23)は、これらを互いに対して定位置に保持する樹脂を注型してこれらを包封することによって互いに締結される、請求項1〜13のうちいずれか一に記載のプローブ。
- 少なくとも部分的に反射性の表面(2A,2B)相互間の厚さが測定されるべき物体(2)の厚さを測定する装置であって、
−前記物体(2)の互いに反対側の側部にそれぞれ設けられていて、各々請求項1〜14のうちいずれか一に記載のプローブ(3)及び前記プローブのための変位手段(10)を有する2つのプローブアームと、
−各プローブアームに関し、物差し(16)に対する前記アームの位置を測定する読み取りヘッド(15)と、
−前記変位手段(10)を制御したり、前記プローブの前記位置を読み取ったり、前記プローブが前記あらかじめ設定された標的距離のところに位置しているときに、前記物体の前記厚さを計算したりする電子ユニット(7,8)とを有する、装置。 - 光学レンズの厚さを測定する方法であって、請求項15記載の厚さ測定装置の各プローブアームの前記プローブを前記プローブが向けられている前記表面に対して前記標的距離のところに位置決めするステップと、前記プローブの前記位置の比較により前記厚さを測定するステップとを有する、方法。
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