JP2008526537A - 応力制御を備えた結合システム - Google Patents
応力制御を備えた結合システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008526537A JP2008526537A JP2007550390A JP2007550390A JP2008526537A JP 2008526537 A JP2008526537 A JP 2008526537A JP 2007550390 A JP2007550390 A JP 2007550390A JP 2007550390 A JP2007550390 A JP 2007550390A JP 2008526537 A JP2008526537 A JP 2008526537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- glass
- bonding
- holder
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 claims description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 241000511976 Hoya Species 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 86
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- -1 oxygen anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
- B81C3/001—Bonding of two components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/03—Bonding two components
- B81C2203/031—Anodic bondings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
周囲温度で結合された物品の間に、冷却により収縮し零の残留応力が生じるように、異なる温度の物品が互いに結合される方法。結合した物品の材料が異なる熱膨張係数を有し且つ異なる結合温度で互いに結合する場合に、それら物品は、温度降下の異なる範囲が異なる収縮を補償するので、周囲温度(例えば常温)まで冷却する際に殆ど残留応力を発生しない。
Description
本発明は、MEMS(micro electro mechanical systems;微細電気機械システム)技術、特にウエハとウエハとの結合(bonding)に関する。一層特に、本発明は、応力関連結合に関する。
本発明は、結合したウエハにおける残留応力を制御することにある。通常、ウエハ結合における残留応力を最少化すること又は実質的に除去することを目的とする。
陽極結合は、接着剤を用いずにシリコンにガラスを接合する方法である。シリコン及びガラスウエハは、ガラス中のアルカリ−金属イオンが移動することになる温度(通常は、ガラスのタイプに応じて300〜500℃の範囲)まで加熱できる。構成要素は接触し、それら構成要素を横切って高電圧が印加される。これにより、アルカリ陽イオンが界面即ち接触面から移動し、その結果、高電界強度で消耗層を形成する。結果としての静電引力でシリコンとガラスは密着する。ガラスからシリコンへの酸素陰イオンのさらなる流れにより界面に陽極反応が生じ、ガラスは不変的化学結合によりシリコンに結合する。
MEMSの製作に普通に用いられ、特にMEMSジャイロスコープ及び加速器に用いられる製造技術である陽極結合は、通常、結合したウエハ及びデバイスに残留応力を生じることになる。ウエハの材料は異なるので、それら材料の熱膨張率は異なる。そのため、結合して得られたウエハを結合温度から冷却すると、ウエハにおいて相互に結合した二つの材料は異なった割合で収縮し、その結果、相当な残留応力が生じる。種々の形式の取り付け及び結合に差温技術を使用できる。残留応力は最少化又はほぼ除去できる。例えば、ウエハは、結合中、僅かに異なる温度に保持できる。冷却時には、結合したウエハは異なった割合で収縮し、その結果、周囲温度又は常温ではウエハ間の残留応力は僅かな量となる。
陽極結合は、MEMSにおいて、一つのウエハを別のウエハに接合するために、或いはチップをパッケージ(ガラス包囲体のような)に結合するために使用できる。一般に、陽極結合は、金属又は半導体をガラスに接合するために使用できる。MEMSにおいて、半導体はシリコンであることができ、またガラスはCorning7740(即ちPyrex(商標))、Hoya SD2などであることができる。
陽極結合は一つの例示ある。結合した材料の界面における応力制御を備えた本結合システムと共に使用できる、“融着”又は“直接”結合、フリット結合、共融結合などのような他の種々のウエハ結合技術がある。
一般に結合に関するものでは、二つの異なる材料(例えばシリコンとPyrex(商標))は、通常約300〜500℃の高い温度で結合できる。これらの材料は加熱され、互いに結合され、そして常温まで冷却される。結合した材料(すなわちウエハ又はデバイスにおける)を冷却する際に、二つの材料の熱膨張の差により、互いに取り付けた二つの材料間に応力が発生する。材料がウエハ形状である場合には、発生した応力によって、ウエハは相当に曲がる。製作が完了した時点で、デバイスのガラス部分とデバイスのシリコン部分との間に残留応力が残る。このような応力は、レイアウトの難しさ、デバイス性能の問題、長期のドリフト及び/又は信頼性の欠如につながる。
結合及びデバイスの動作中、全温度範囲にわたって正確に同じに熱膨張をする二つの異なる材料を結合するのが望ましい。しかし、そのような二つの異なる材料は存在しない。Pyrerx(商標)はシリコンと熱的に極めてよく整合すると考えられる。これら材料の熱膨張は近いにもかかわらず、結合後、材料間にはなおかなりの応力が存在する。Hoya(商標)SD2のようなガラスはシリコンと良く整合できる。しかし、種々の理由で、シリコンとの結合のための材料としてPyrerx(商標)が選択される。従って、曲げ及び残留応力が常に存在する。
本発明の課題は、常温で実質的に残留応力なしで結合することにある。例としての結合はシリコンウエハ11とPyrex(商標)ウエハ12のような二つの材料間である。常温での応力は、結合時にシリコンウエハ11をある温度に保持し、Pyrex(商標)ウエハ12異なる温度に保持することによって変化する。この課題を研究する一つの理由は、結合時と冷却状態との温度差すなわち温度変化が異なる熱膨張係数を補償できるからである。結合時の温度(常温より非常に高い)のウエハ11及びウエハ12は結合前の長さにおいて整合する(図1a)。ウエハ11及びウエハ12は同じ温度にあり、加熱時には拘束されないので、互いに最初に結合した時点では応力は存在しない(図1b)。ウエハ11及びウエハ12が常温まで冷却されるにつれて、それらウエハは収縮する。それらウエハが互いに充分に結合されれば、ウエハ11及びウエハ12は比較的短い長さ収縮する。しかし、結合温度においてウエハ11及びウエハ12の長さが同じであっても、ウエハ11及びウエハ12は、シリコン及びPyrex(商標)の熱膨張例数が異なるので、常温では異なった長さに収縮する(図1c)。
α1をウエハ11の熱膨張係数とすると、ウエハ11は冷却時に、ΔL1=α1L1ΔTの量だけ収縮する。同様に、ウエハ12はΔL2=α2L2ΔTの量だけ収縮する。これらウエハが結合温度にある時にL1=L2であるので、収縮の量はウエハ11とウエハ12とでは異なり、これらウエハが常温にある時にL1≠L2である。しかし、ウエハを互いに結合すると、これらウエハは拘束されて同じ量だけ収縮する。結果としての拘束によってウエハ11及びウエハ12に残留応力及び曲げが生じる(図1d)。
熱膨張係数が温度と共に変化しない単純化(簡素化)を用いる。現実問題として、熱膨張係数は一般には温度と共に変化するが、単純化(簡素化)を用いれば、結論は同じである。熱膨張係数はα=(1/L)(ΔL/ΔT)と定義でき、ここでLは試料の長さであり、ΔLは、温度がΔT変化した時の長さの変化である。シリコン及びPyrex(商標)の線形熱膨張例数の例は、それぞれ単位温度(℃)当たり3/1000000及び4/1000000である。
長さ10cmのシリコンウエハの場合、室温20℃、結合温度420℃で、ΔL1=α1L1ΔT=3×10−6ppm×10cm×400℃=1200×10−5cm=1.2×10−2cmである。長さ10cmのPyrex(商標)ガラスウエハの場合には、室温20℃、結合温度420℃で、ΔL2=α2L2ΔT=4×10−6ppm×10cm×400℃=1600×10−5cm=1.6×10−2cmである。膨張差はΔL2−ΔL1=4××10−3cmである。
次に、結合の間中、ウエハ11、12を二つの異なる温度に保持する場合について考察する。ところで温度はウエハ11、12の冷却時にはそれぞれ異なる結合温度から室温へ変化する。そのため式ΔL1=α1L1ΔT1及びΔL2=α2L2ΔT2が適用できる。上記で説明したように、L1=L2であるが、ウエハ11、12の温度は、それぞれ、α1ΔT1=α2ΔT2又はα1ΔT1≒α2ΔT2従ってΔL1=ΔL2又はΔL1≒ΔL2となるように選択できる。図2aにおいて、ウエハ11はT1にあり、ウエハ12はT2にあり、T1及びT2は結合前の結合温度である。図2bでは、ウエハ11、12を互いに結合する間、結合温度T1及びT2を維持する。温度が図2bにおける結合温度から図2cにおける周囲、プレ結合、動作、貯蔵、標準又は結合後の室温のいずれかの温度に降下する際に、各ウエハは同じ長さ変化し、従って室温では残留応力はなく、結合したウエハ対の曲がりはない。
ウエハ11、12間の結合温度差は必ずしも大きくない。かかる温度差は結合装置で達成できる。熱膨張係数が温度に依存するばあいには課題はより複雑となる。この場合には一層数学的処理が伴うが、膨大な計算は一般に結果を質的に変化させない。望ましくは通常室温で最少応力を達成することであるが、本発明は、結合したウエハ11、12において目標としたゼロでない応力を達成するのにも用いる。概念は同じままである。結合直前の開始温度は、目標とした応力が得られるように適切に調整する。
ウエハ結合装置は、ウエハ積層体の頂部側と底部側の両方にヒーターを備える。これらのヒーターは別個に制御して、頂部ウエハと底部ウエハの温度を別個に設定する。更に、真空雰囲気内でのウエハの結合によって、ウエハ間の熱的接触は低減し、従って、ウエハの結合を空気雰囲気内で行った場合よりウエハの温度を別個に変えることが容易にできる。上記の結合法は多くの種類のデバイス及び製品に応用できる。例としては、MEMSジャイロスコープ、MEMS加速器、MEMS慣性測定装置、非MEMSデバイスなどがある。
図3において、結合装置15は包囲体16内にある。包囲体16は結合装置15を真空に保持できる。ホルダー17は、ウエハ又は物品11をクランプ25によって適切な位置に固定できる。ホルダー18は、ウエハ又は物品12をクランプ26によって適切な位置に固定できる。クランプ25、26は、ウエハ11、12の対向表面がインターフェースなしで接触できるように、それぞれ縁部でウエハ11、12を保持できる。クランプ25、26は、ウエハが膨張したり収縮したりする時にこれらウエハにおいて適切な把持を維持するように、ばねなどで負荷をかける。クランプ25、26は、ウエハを手動で、空力的に、機械的に、または電子的に容易に把持し、解放できるようにされる。
物品11はヒーター素子21によって結合温度T1まで加熱する。物品12はヒーター素子22によって結合温度T2まで加熱する。温度T1は温度センサー23で感知し、温度T2は温度センサー24で感知する。アクチュエータ27のアーム28はホルダー17に取り付け、ホルダー17をウエハホルダー18に向う方向へ又はウエハホルダー18から離れる方向へ動かして、ウエハ11、12を結合するため互いに合せ、結合前にウエハを配置するため互いに離し、或いは結合後に結合したウエハを解放する。
結合装置15における電子モジュール29は結合装置15とコンピューター/プロセッサー31との間のインターフェースである。コンピューター又はプロセッサー31は、ウエハ又は物品11、12を結合し、それらのウエハ間に、周囲温度、プレ結合温度、動作温度、貯蔵温度、又は結合後の室温において予定量の応力が発生するようにプログラム可能である。予定量の応力は殆どないように即ち実質的にゼロとなるように選択する。ヒーター21、22、温度センサー23、24及びアクチュエータ27は電子モジュール29を介してコンピューター又はプロセッサー31に接続し、即ち電子モジュール29はウエハ又は物品11、12の温度を結合のために制御するように構成する。コンピューター又はプロセッサー31の代わりに、電子モジュール29は、結果として結合したウエハ又は物品11、12の間の応力を所望の量に設定するためにプログラムできるように構成してもよい。ユーザーインターフェースのために電子モジュール29に特定の外部制御装置を接続してもよい。電子モジュール29はホルダー18及びアクチュエータ27と共にベース32に配置しても又は取り付けてもよい。
本明細書では、材料のいくつかは別の仕方又は形態で記載されるが、仮説的又は予言的なものでもよい。少なくとも一つの例示実施形態を参照して本発明を説明したが、当業者には本明細書を読む際に多くの変形及び変更が明らかになる。従って、添付の特許請求の範囲は、かかる全ての変形及び変更を含めて先行技術の観点からできるだけ広義に解釈すべきである。
Claims (35)
- 第1材料を用意する工程と;
第2材料を用意する工程と;
第1材料を第1温度まで加熱する工程と;
第2材料を第2温度まで加熱する工程と;
を含み、
室温から第1温度への第1材料のサイズの変化が第1百分率であり;
室温から第2温度への第1材料のサイズの変化が第2百分率であり;
第2百分率が第1百分率とほぼ同じであることを特徴とする結合方法。 - 前記第1温度及び第2温度が第1材料及び第2材料を結合するのに十分である請求項1記載の方法。
- 前記第1温度及び第2温度をそれぞれ維持しながら第1材料及び第2材料を互いに結合する請求項2記載の方法。
- 更に、前記第1材料及び第2材料を第3温度に冷却する工程を含む請求項3記載の方法。
- 前記第1材料及び第2材料の結合により、多層ウエハを形成し、第3温度が多層ウエハの動作温度である請求項4記載の方法。
- 前記第1材料及び第2材料が異なる熱膨張係数をもつ請求項5記載の方法。
- 前記第1材料がシリコンであり、第2材料がガラスである請求項5記載の方法。
- 前記ガラスがPyrex(商標)である請求項7記載の方法。
- ガラスがHoya(商標)SD2である請求項7記載の方法。
- 前記第1材料及び第2材料がMEMS材料である請求項6記載の方法。
- 前記第1材料を第1温度まで加熱する手段と;
前記第2材料を第2温度まで加熱する手段と;
ほぼそれぞれ第1温度及び第2温度で第1材料及び第2材料を互いに結合する手段と;
を有し、
前記第1材料が、第1温度から第3温度へ変化する際の第1材料のサイズの第1変化量をもち;
前記第2材料が、第2温度から第4温度へ変化する際の第2材料のサイズの第2変化量をもち;
前記サイズの第1変化量がサイズの第2変化量とほぼ同じであることを特徴とする結合装置。 - 前記第3温度が第4温度とほぼ同じである請求項11記載の装置。
- 前記第1温度が第1熱膨張係数をもち;
前記第2温度が第2熱膨張係数をもち;
前記第1熱膨張係数及び第2温度が異なる請求項12記載の装置。 - 前記第1材料及び第2材料がMEMSデバイス用である請求項13記載の装置。
- 前記第1材料がシリコンであり、第2材料がガラスである請求項12記載の装置。
- 前記ガラスがPyrex(商標)である請求項15記載の装置。
- 前記ガラスがHoya(商標)SD2である請求項15記載の装置。
- 前記第3温度及び第4温度がプレ結合温度にほぼ等しい請求項13記載の装置。
- 第1ヒーターを備えた第1材料ホルダーと;
第1材料ホルダーに近接して設けられ、第2ヒーターを備えた第2材料ホルダーと;
を有し;
一方のホルダーが他方のホルダーに対して可動であり;
第1ヒーターが第1の調整可能な温度をもち;また
第2ヒーターが第2の調整可能な温度をもつ結合装置。 - 前記第1ヒーターが第1ホルダーにおける第1材料を第1温度に加熱でき;
第2ヒーターが第2ホルダーにおける第2材料を第1温度に加熱でき;
これらホルダーが第1材料及び第2材料を互いに結合するように相互に向って移動できる請求項19記載の装置。 - 更に、第1ホルダー及び第2ホルダーの一方に接続したアクチュエータと;
第1ホルダー及び第2ホルダー並びにアクチュエータに接続したプロセッサーと
を有する請求項20記載の装置。 - 前記プロセッサーが二つの材料を結合するようにプログラム可能であり、その結果、第3温度においてこれら材料間に予定量の応力が生じる請求項21記載の装置。
- 前記第1温度が第1材料の結合温度であり;
第2温度が第2材料の結合温度である請求項22記載の装置。 - 第3温度が、第1材料及び第2材料の標準周囲温度である請求項23記載の装置。
- ΔT1を第1温度と第3温度との差とし;
ΔT2を第2温度と第3温度との差とし;
α1を第1材料の熱膨張係数とし;
α2を第2材料の熱膨張係数とし;
α1ΔT1≒α2ΔT2
である請求項22記載の装置。 - 前記結合中二つの材料を真空雰囲気内に置く請求項25記載の装置。
- 第1及び第2材料がMEMS構成要素である請求項26記載の装置。
- 前記第1材料がシリコンであり、第2材料がガラスである請求項26記載の装置。
- 前記ガラスがPyrex(商標)である請求項26記載の装置。
- 前記ガラスがHoya(商標)SD2である請求項26記載の装置。
- 物品を互いに結合するため各物品の熱膨張係数に応じて各物品に温度を与え、結合後及びプレ結合温度に戻す際に、物品が相互にサイズを変動して接合部において物品間に生じる応力を僅かにし、また物品が異なる熱膨張係数をもつ結合システム。
- 前記物品がMEMS構成要素である請求項31記載のシステム。
- 前記第1材料がシリコンであり、第2材料がガラスである請求項31記載のシステム。
- 前記ガラスがPyrex(商標)である請求項33記載のシステム。
- 前記ガラスがHoya(商標)SD2である請求項33記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/031,276 US7691723B2 (en) | 2005-01-07 | 2005-01-07 | Bonding system having stress control |
PCT/US2005/046376 WO2006073829A2 (en) | 2005-01-07 | 2005-12-21 | Bonding method for reducing stress in multilayered wafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008526537A true JP2008526537A (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=36577423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007550390A Withdrawn JP2008526537A (ja) | 2005-01-07 | 2005-12-21 | 応力制御を備えた結合システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7691723B2 (ja) |
EP (1) | EP1833754A2 (ja) |
JP (1) | JP2008526537A (ja) |
WO (1) | WO2006073829A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070264796A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Stocker Mark A | Method for forming a semiconductor on insulator structure |
KR20100052167A (ko) * | 2008-11-10 | 2010-05-19 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 본딩 방법 및 웨이퍼 본딩 장비 |
KR101589897B1 (ko) * | 2009-05-18 | 2016-01-29 | 박기용 | 서브마운트 접합 방법 및 그 장치 |
JP5882939B2 (ja) * | 2013-05-01 | 2016-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法、接合装置および接合システム |
EP3161856B1 (de) | 2014-06-26 | 2022-10-12 | JENOPTIK Optical Systems GmbH | Verfahren zur herstellung eines optischen elementes mit mikrooptischen strukturen, anordnung und membraneinheit |
WO2018117361A1 (ko) * | 2016-12-23 | 2018-06-28 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법 |
JP2023095460A (ja) * | 2021-12-24 | 2023-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合方法および接合装置 |
Family Cites Families (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3951707A (en) * | 1973-04-02 | 1976-04-20 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Method for fabricating glass-backed transducers and glass-backed structures |
US3935634A (en) * | 1973-09-04 | 1976-02-03 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Methods of fabricating integrated transducer assemblies |
US4386453A (en) * | 1979-09-04 | 1983-06-07 | Ford Motor Company | Method for manufacturing variable capacitance pressure transducers |
US4565096A (en) * | 1983-12-09 | 1986-01-21 | Rosemount Inc. | Pressure transducer |
US4632871A (en) | 1984-02-16 | 1986-12-30 | Varian Associates, Inc. | Anodic bonding method and apparatus for X-ray masks |
US4609968A (en) * | 1984-05-18 | 1986-09-02 | Becton, Dickinson And Company | Glass inlays for use in bonding semiconductor wafers |
US4578735A (en) * | 1984-10-12 | 1986-03-25 | Knecht Thomas A | Pressure sensing cell using brittle diaphragm |
US4603371A (en) * | 1984-10-12 | 1986-07-29 | Rosemount Inc. | Capacitive sensing cell made of brittle material |
US4730496A (en) * | 1986-06-23 | 1988-03-15 | Rosemount Inc. | Capacitance pressure sensor |
US4943032A (en) * | 1986-09-24 | 1990-07-24 | Stanford University | Integrated, microminiature electric to fluidic valve and pressure/flow regulator |
US4701826A (en) | 1986-10-30 | 1987-10-20 | Ford Motor Company | High temperature pressure sensor with low parasitic capacitance |
US4899125A (en) * | 1987-07-24 | 1990-02-06 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Cantilever beam transducers and methods of fabrication |
US4852408A (en) * | 1987-09-03 | 1989-08-01 | Scott Fetzer Company | Stop for integrated circuit diaphragm |
US5441803A (en) * | 1988-08-30 | 1995-08-15 | Onyx Optics | Composites made from single crystal substances |
US5473945A (en) * | 1990-02-14 | 1995-12-12 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Micromechanical angular accelerometer with auxiliary linear accelerometer |
US5216631A (en) * | 1990-11-02 | 1993-06-01 | Sliwa Jr John W | Microvibratory memory device |
JP2896725B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1999-05-31 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
US5173836A (en) | 1992-03-05 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Hermetically sealed interface |
US5365790A (en) | 1992-04-02 | 1994-11-22 | Motorola, Inc. | Device with bonded conductive and insulating substrates and method therefore |
IL106790A (en) | 1992-09-01 | 1996-08-04 | Rosemount Inc | A capacitive pressure sensation consisting of the bracket and the process of creating it |
US5264075A (en) | 1992-11-06 | 1993-11-23 | Ford Motor Company | Fabrication methods for silicon/glass capacitive absolute pressure sensors |
US5749226A (en) * | 1993-02-12 | 1998-05-12 | Ohio University | Microminiature stirling cycle cryocoolers and engines |
AU6235094A (en) | 1993-02-12 | 1994-08-29 | Ohio University | Microminiature stirling cycle cryocoolers and engines |
DE69426789T2 (de) * | 1993-04-28 | 2001-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Akustische Oberflächenwellenanordnung und Herstellungsverfahren dafür |
US5520054A (en) * | 1994-03-29 | 1996-05-28 | Rosemount Inc. | Increased wall thickness for robust bond for micromachined sensor |
JP3383081B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2003-03-04 | 三菱電機株式会社 | 陽極接合法を用いて製造した電子部品及び電子部品の製造方法 |
JP3114006B2 (ja) | 1994-08-29 | 2000-12-04 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体装置、及び、その製造方法 |
US5725729A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-10 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Process for micromechanical fabrication |
US5453628A (en) * | 1994-10-12 | 1995-09-26 | Kobe Steel Usa, Inc. | Microelectronic diamond capacitive transducer |
US5914562A (en) * | 1995-02-06 | 1999-06-22 | Philips Electronics North America Corporation | Anodic bonded plasma addressed liquid crystal displays |
JP3447300B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2003-09-16 | ローズマウント インコーポレイテッド | 圧力送信機のマウント組立体 |
MX9707606A (es) * | 1995-04-28 | 1997-12-31 | Rosemount Inc | Transmisor de presion con grupo de montaje aislador de alta presion. |
US5891751A (en) * | 1995-06-02 | 1999-04-06 | Kulite Semiconductor Products, Inc . | Hermetically sealed transducers and methods for producing the same |
US6141497A (en) | 1995-06-09 | 2000-10-31 | Marotta Scientific Controls, Inc. | Multilayer micro-gas rheostat with electrical-heater control of gas flow |
DE19638373B8 (de) * | 1995-09-19 | 2007-08-09 | Denso Corp., Kariya | Halbleitersensor und sein Herstellungsverfahren |
US5824204A (en) | 1996-06-27 | 1998-10-20 | Ic Sensors, Inc. | Micromachined capillary electrophoresis device |
US5769986A (en) * | 1996-08-13 | 1998-06-23 | Northrop Grumman Corporation | Stress-free bonding of dissimilar materials |
US5917264A (en) * | 1996-09-05 | 1999-06-29 | Nagano Keiki Co Ltd | Electrostatic capacitance type transducer and method for producing the same |
US5865417A (en) * | 1996-09-27 | 1999-02-02 | Redwood Microsystems, Inc. | Integrated electrically operable normally closed valve |
US5877580A (en) * | 1996-12-23 | 1999-03-02 | Regents Of The University Of California | Micromachined chemical jet dispenser |
US5938923A (en) * | 1997-04-15 | 1999-08-17 | The Regents Of The University Of California | Microfabricated filter and capsule using a substrate sandwich |
US6016027A (en) * | 1997-05-19 | 2000-01-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microdischarge lamp |
US6111351A (en) * | 1997-07-01 | 2000-08-29 | Candescent Technologies Corporation | Wall assembly and method for attaching walls for flat panel display |
US6356013B1 (en) * | 1997-07-02 | 2002-03-12 | Candescent Intellectual Property Services, Inc. | Wall assembly and method for attaching walls for flat panel display |
US6050138A (en) * | 1997-10-22 | 2000-04-18 | Exponent, Inc. | System and method for performing bulge testing of films, coatings and/or layers |
US6071426A (en) * | 1997-12-08 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Micro benchtop optics by bulk silicon micromachining |
US6124145A (en) * | 1998-01-23 | 2000-09-26 | Instrumentarium Corporation | Micromachined gas-filled chambers and method of microfabrication |
US6823693B1 (en) * | 1998-03-06 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Anodic bonding |
US6328482B1 (en) * | 1998-06-08 | 2001-12-11 | Benjamin Bin Jian | Multilayer optical fiber coupler |
US6143583A (en) | 1998-06-08 | 2000-11-07 | Honeywell, Inc. | Dissolved wafer fabrication process and associated microelectromechanical device having a support substrate with spacing mesas |
US6252229B1 (en) * | 1998-07-10 | 2001-06-26 | Boeing North American, Inc. | Sealed-cavity microstructure and microbolometer and associated fabrication methods |
US6089099A (en) * | 1998-09-08 | 2000-07-18 | Smi Corporation | Method for forming a bonded silicon-glass pressure sensor with strengthened corners |
US6078103A (en) * | 1998-10-29 | 2000-06-20 | Mcdonnell Douglas Corporation | Dimpled contacts for metal-to-semiconductor connections, and methods for fabricating same |
US6326682B1 (en) | 1998-12-21 | 2001-12-04 | Kulite Semiconductor Products | Hermetically sealed transducer and methods for producing the same |
US6277666B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-08-21 | Honeywell Inc. | Precisely defined microelectromechanical structures and associated fabrication methods |
JP2001064041A (ja) | 1999-08-26 | 2001-03-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 陽極接合方法 |
WO2001050106A1 (en) * | 2000-01-06 | 2001-07-12 | Rosemount Inc. | Grain growth of electrical interconnection for microelectromechanical systems (mems) |
US6366468B1 (en) * | 2000-04-28 | 2002-04-02 | Hewlett-Packard Company | Self-aligned common carrier |
US6445053B1 (en) * | 2000-07-28 | 2002-09-03 | Abbott Laboratories | Micro-machined absolute pressure sensor |
NL1016030C1 (nl) | 2000-08-28 | 2002-03-01 | Aquamarijn Holding B V | Sproei inrichting met een nozzleplaat, een nozzleplaat, alsmede werkwijzen ter vervaardiging en voor toepassing van een dergelijke nozzleplaat. |
US6533391B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-03-18 | Hewlett-Packard Development Company, Llp | Self-aligned modules for a page wide printhead |
US6809424B2 (en) * | 2000-12-19 | 2004-10-26 | Harris Corporation | Method for making electronic devices including silicon and LTCC and devices produced thereby |
US6443179B1 (en) * | 2001-02-21 | 2002-09-03 | Sandia Corporation | Packaging of electro-microfluidic devices |
US6548895B1 (en) * | 2001-02-21 | 2003-04-15 | Sandia Corporation | Packaging of electro-microfluidic devices |
US6897123B2 (en) * | 2001-03-05 | 2005-05-24 | Agityne Corporation | Bonding of parts with dissimilar thermal expansion coefficients |
US6660614B2 (en) * | 2001-05-04 | 2003-12-09 | New Mexico Tech Research Foundation | Method for anodically bonding glass and semiconducting material together |
US6811916B2 (en) | 2001-05-15 | 2004-11-02 | Neah Power Systems, Inc. | Fuel cell electrode pair assemblies and related methods |
US7017410B2 (en) * | 2001-08-10 | 2006-03-28 | The Boeing Company | Isolated resonator gyroscope with a drive and sense plate |
EP1419511B1 (en) * | 2001-08-20 | 2006-06-28 | Honeywell International Inc. | Snap action thermal switch |
EP1423713A1 (en) * | 2001-08-24 | 2004-06-02 | Honeywell International Inc. | Hermetically sealed silicon micro-machined electromechanical system (mems) device having diffused conductors |
US6704111B2 (en) * | 2001-09-11 | 2004-03-09 | Honeywell International Inc. | High temperature electrode seal in a ring laser gyro |
US6758610B2 (en) * | 2001-12-10 | 2004-07-06 | Jds Uniphase Corporation | Optical component attachment to optoelectronic packages |
US6605339B1 (en) * | 2001-12-19 | 2003-08-12 | Sandia Corporation | Micro heat barrier |
US6793829B2 (en) | 2002-02-27 | 2004-09-21 | Honeywell International Inc. | Bonding for a micro-electro-mechanical system (MEMS) and MEMS based devices |
US6647794B1 (en) | 2002-05-06 | 2003-11-18 | Rosemount Inc. | Absolute pressure sensor |
US20030226806A1 (en) | 2002-06-11 | 2003-12-11 | Young Lincoln C. | Methods and devices for liquid extraction |
US7052117B2 (en) * | 2002-07-03 | 2006-05-30 | Dimatix, Inc. | Printhead having a thin pre-fired piezoelectric layer |
DE10231730B4 (de) * | 2002-07-13 | 2012-08-30 | Robert Bosch Gmbh | Mikrostrukturbauelement |
EP1540677A2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-06-15 | Bioscale Inc. | Resonant sensor and sensing system |
US6621135B1 (en) | 2002-09-24 | 2003-09-16 | Maxim Integrated Products, Inc. | Microrelays and microrelay fabrication and operating methods |
US7463125B2 (en) * | 2002-09-24 | 2008-12-09 | Maxim Integrated Products, Inc. | Microrelays and microrelay fabrication and operating methods |
US6914785B1 (en) * | 2002-10-11 | 2005-07-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Variable electronic circuit component |
US6787885B2 (en) * | 2002-11-04 | 2004-09-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Low temperature hydrophobic direct wafer bonding |
US7259466B2 (en) * | 2002-12-17 | 2007-08-21 | Finisar Corporation | Low temperature bonding of multilayer substrates |
US6969839B2 (en) * | 2003-01-31 | 2005-11-29 | Intevac, Inc. | Backthinned CMOS sensor with low fixed pattern noise |
US7573723B2 (en) * | 2003-02-21 | 2009-08-11 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Method for attaching chips in a flip-chip arrangement |
EP1460037A1 (en) | 2003-03-18 | 2004-09-22 | SensoNor asa | A multi-layer device and method for producing the same |
US7192001B2 (en) * | 2003-05-08 | 2007-03-20 | The Regents Of The University Of Michigan Office Of Technology Transfer | Thermopneumatic microvalve |
US20050012197A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-01-20 | Smith Mark A. | Fluidic MEMS device |
US7045868B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-05-16 | Motorola, Inc. | Wafer-level sealed microdevice having trench isolation and methods for making the same |
US8529724B2 (en) * | 2003-10-01 | 2013-09-10 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Anodic bonding of silicon carbide to glass |
US6910379B2 (en) * | 2003-10-29 | 2005-06-28 | Honeywell International, Inc. | Out-of-plane compensation suspension for an accelerometer |
US7520850B2 (en) * | 2003-11-19 | 2009-04-21 | Transoma Medical, Inc. | Feedback control and ventricular assist devices |
US6949807B2 (en) * | 2003-12-24 | 2005-09-27 | Honeywell International, Inc. | Signal routing in a hermetically sealed MEMS device |
JP4511844B2 (ja) * | 2004-02-05 | 2010-07-28 | 横河電機株式会社 | 圧力センサ及び圧力センサの製造方法 |
US7153759B2 (en) * | 2004-04-20 | 2006-12-26 | Agency For Science Technology And Research | Method of fabricating microelectromechanical system structures |
JP2005317807A (ja) | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Olympus Corp | 陽極接合装置 |
-
2005
- 2005-01-07 US US11/031,276 patent/US7691723B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-21 WO PCT/US2005/046376 patent/WO2006073829A2/en active Application Filing
- 2005-12-21 JP JP2007550390A patent/JP2008526537A/ja not_active Withdrawn
- 2005-12-21 EP EP05855006A patent/EP1833754A2/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006073829A3 (en) | 2006-08-24 |
EP1833754A2 (en) | 2007-09-19 |
WO2006073829A2 (en) | 2006-07-13 |
US7691723B2 (en) | 2010-04-06 |
US20060154443A1 (en) | 2006-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008526537A (ja) | 応力制御を備えた結合システム | |
KR102365284B1 (ko) | 기판 결합 방법 | |
KR101684815B1 (ko) | 대량 이송 기구 | |
TWI610773B (zh) | 質量傳送工具機械臂組件與含有整合式位移感測器的微拾取陣列架座 | |
US7807509B2 (en) | Anodically bonded ultra-high-vacuum cell | |
JP6615126B2 (ja) | 光ファイバ加熱を含む基板温度制御装置、基板温度制御システム、電子デバイス処理システム及び方法 | |
JP2003058258A5 (ja) | ||
JP2002534710A (ja) | 統合されたマイクロ電子機械的アライメントおよびロッキング装置、ならびに光ファイバモジュールの製造方法 | |
US6939778B2 (en) | Method of joining an insulator element to a substrate | |
JPWO2019159410A1 (ja) | 共振装置及び共振装置製造方法 | |
US20180082973A1 (en) | Bonding method and bonded body | |
CN107533996B (zh) | 衬底固持器和用于接合两个衬底的方法 | |
US7122872B2 (en) | Control of stress in metal films by controlling the atmosphere during film deposition | |
US20230280366A1 (en) | Physical Quantity Sensor, Inertial Measurement Unit, And Method For Manufacturing Physical Quantity Sensor | |
JP4679884B2 (ja) | 光モジュールのためのアライメントアセンブリ及び方法 | |
JP5500056B2 (ja) | 赤外線センサパッケージおよび該赤外線センサパッケージを搭載した電子機器 | |
US6933004B2 (en) | Control of stress in metal films by controlling the temperature during film deposition | |
JP2000332061A (ja) | チップ熱圧着ツール及びそれを備えたチップ実装装置 | |
Yang | Oven-controlled inertial sensors | |
JP6819338B2 (ja) | 物理量検出装置および電子機器 | |
JP2007329156A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、並びに電子部品 | |
WO2024053270A1 (ja) | 半導体チップをガラス接合する方法、圧力センサの製造方法及び接合装置 | |
JP2004157541A (ja) | シリコン・ガラス陽極接合技術を利用した光ファイバブロックの製造方法 | |
JP5048300B2 (ja) | 基板載置装置の評価装置及びその評価方法 | |
JP2012251964A (ja) | 温度検出方法、基板貼り合わせ方法、重ね合わせ基板、及び、温度検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090303 |