JP2000332061A

JP2000332061A - チップ熱圧着ツール及びそれを備えたチップ実装装置

Info

Publication number: JP2000332061A
Application number: JP2000074710A
Authority: JP
Inventors: Akira Yamauchi; 朗山内; Yoshiyuki Arai; 義之新井
Original assignee: Toray Engineering Co Ltd
Current assignee: Toray Engineering Co Ltd
Priority date: 1999-03-16
Filing date: 2000-03-16
Publication date: 2000-11-30
Anticipated expiration: 2020-03-16
Also published as: JP3916366B2

Abstract

(57)【要約】【課題】セラミックホルダーとセラミックヒータとセ
ラミック圧子とを焼結したチップ熱圧着ツールに関し、
熱膨張及び熱伝導の影響によって前記セラミック圧子の
平行度が規定外に変化するのを防止する。【解決手段】金属製のツール本体１の下端に装着され
ている金属製の接続ブロック３０の下端にセラミックホ
ルダー２が装着されていると共に、かかるセラミックホ
ルダー２とセラミックヒータ４とセラッミク圧子５とが
焼結されている。なお、セラミックホルダー２の線膨張
係数が、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５の線
膨張係数と略等しく、しかも、セラミックホルダー２及
びセラミック圧子５の熱伝導率は、セラミックヒータ４
から見てセラミック圧子５の加圧面側へ向う程大きいと
共にセラミックホルダー２の取付面側へ向う程小さく設
けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ熱圧着ツー
ル及びそれを備えたチップ実装装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶基板等、各種の基板にチップ
を熱圧着、すなわち、実装する際に用いられるチップ熱
圧着ツールは、各種型式のものが公知である。その一つ
として、例えば、特開平７−８６３４１号公報において
開示されているように、ツール本体の下端にセラミック
ホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下
端にセラミックヒータ及びセラミック圧子を装着したチ
ップ熱圧着ツールが挙げられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この種のチ
ップ熱圧着ツールは、セラミックホルダーとセラミック
ヒータとセラミック圧子との一体化（三者相互間の固
着）を、適当な接着剤を用いて行っている関係上、接着
剤の塗布厚さの不均一性に起因する熱膨張の相違や接着
剤の経時的な劣化等によって、或いは、前記接着剤は一
般に熱伝導率が小さい為に、これを挟む二者間に発生す
る温度差に起因する熱変形歪みによって、セラミック圧
子の平行度（加工面と基板又は基板保持ステージとの平
行度のこと）又は平面度（加工面の平面度のこと）、以
下、かかる平行度又は平面度を単に平行度というが、こ
れが経時的に変化し易くて一定しないといった欠点を有
していた。

【０００４】加えて、ツール本体が金属製である為、ツ
ール本体とセラミックホルダーとをボルト締めによって
固着していたが、この箇所の加熱冷却が繰り返されるこ
とに起因してボルト締めに緩みが生じたり、或いは、ツ
ール本体の上端部に装着されている平行度調整機構に熱
伝導し、これ等の影響によってもセラミック圧子の平行
度が変化し易かった。

【０００５】なお、セラミック圧子の平行度は、特に、
ミクロン単位の精度が要求される実装において問題視さ
れ、かつ、それが規定内に一定に保たれないと、実装時
にチップずれ等が生じて、例えば、それが数μｍ以下と
いった高精度の実装が困難になる。

【０００６】そこで、本発明者等は先願（特願平９−２
８２６１８）において、セラミックホルダーとセラミッ
クヒータとセラミック圧子とを焼結せしめた熱圧着ツー
ルを提案したが、これにおいては、それらの熱膨張及び
熱伝導の影響を考慮していない為に、次々と実装して行
くうちに、セラミックホルダー等が夫々異なった状態に
熱膨張して歪みが発生すると共に、セラミックヒータか
らの伝熱によってツール本体も加熱されて同様に歪みが
発生し、その為、チップ熱圧着ツールの平行度を規定内
に一定に保つことが困難になり易く、従って、高精度の
実装を一定して行うことの困難性を有していた。本発明
は、このような欠点に鑑み、それを解消すべく鋭意検討
の結果、得られたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る
チップ熱圧着ツールの一つは、請求項１に記載するよう
に、ツール本体の下端に直接若しくはツール本体の下端
に装着されている接続ブロックの下端にセラミックホル
ダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下端に
セラミックヒータ及びセラミック圧子を焼結せしめたチ
ップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミックホルダーの
線膨張係数が、前記セラミックヒータ兼用圧子の線膨張
係数と略等しく、かつ、前記セラミックホルダーの熱伝
導率は、前記セラミックヒータ兼用圧子から見て前記セ
ラミックホルダーの取付面側へ向う程小さいことを特徴
とするものである。

【０００８】本発明に係るチップ熱圧着ツールの他の一
つは、請求項７に記載するように、ツール本体の下端に
直接若しくはツール本体の下端に装着されている接続ブ
ロックの下端にセラミックホルダーを装着すると共に前
記セラミックホルダーの下端にセラミックヒータ兼用圧
子を焼結せしめたチップ熱圧着ツールにおいて、前記セ
ラミックホルダーの線膨張係数が、前記セラミックヒー
タ兼用圧子の線膨張係数と略等しく、かつ、前記セラミ
ックホルダーの熱伝導率は、前記セラミックヒータ兼用
圧子から見て前記セラミックホルダーの取付面側へ向う
程小さいことを特徴とするものである。

【０００９】また、本発明に係るチップ実装装置は、請
求項１０に記載するように、請求項１〜９に記載のチッ
プ熱圧着ツールのいずれか一つを備えていることを特徴
とするものである。

【００１０】なお、チップ実装装置とは、チップを搭載
するマウント装置やチップを接合するボンディング装置
に加えて、例えば、基板とチップ、基板と接着剤（ＡＣ
Ｆ、ＮＣＦ等）など予め対象物同士が接触（搭載又は仮
接着等）されたものを加熱加圧することによって固着又
は転写させる装置を包含する広い概念の装置をいう。ま
た、基板保持ステージ側は、加熱式、非加熱式のいずれ
の形態であってもよい。

【００１１】

【発明の実施の形態】正面図である図１及び図１の左側
面図である図２において、チップ熱圧着ツールの下端部
分が示されているが、このツールの下端部分は、金属製
のツール本体１の下端に直接、セラミックホルダー２
（セラミック製のホルダー）が複数のボルト３で固着さ
れていると共に、このホルダー２の下端に、セラミック
ヒータ４及びセラミック圧子５（セラミック製の圧子）
が焼結されている。

【００１２】なお、セラミック圧子５に温度検出手段３
１（例えば、熱電対、放射温度計など）を設けて設定温
度に制御可能な形態に設けられている。

【００１３】すなわち、セラミックヒータ４は、図３に
おいて示されているように、発熱部６と端子部７とをＴ
字状に配した所定厚さ（例えば、１ｍｍ程度）のパネル
体に形成されているが、このヒータ４の発熱部６が、セ
ラミックホルダー２の下端面に形成されている取付け用
凹部８に嵌挿されてセラミックホルダー２と焼結されて
いると共にセラミック圧子５の上端部も、取付け用凹部
８に嵌挿されてセラミックホルダー２及びセラミックヒ
ータ４と焼結されている。なお、セラミック圧子５に温
度検出手段３１（例えば、熱電対、放射温度計など）を
装着して設定温度に制御可能に設けている。

【００１４】また、前記焼結は、窒化けい素粉、窒化ア
ルミニウム粉又は窒化ほう素粉等が混入されているバイ
ンダーを各部の接触面に塗布した状態で数千気圧下、１
７００℃〜１８００℃に加熱して行うことができ、か
つ、これにより、セラミックホルダー２とセラミックヒ
ータ４とセラミック圧子５とを一体化させることができ
るが、その際、セラミックヒータ４の発熱部６及びセラ
ミック圧子５の上端部が取付け用凹部８に嵌挿されてい
るので、位置ずれを生じさせないで強固に接合すること
ができる。

【００１５】また、セラミックヒータ４は、図３及び図
４（発熱部６の縦断面図）において示されているよう
に、電気絶縁材であるセラミック材１０で発熱体９を被
覆して構成され、その端子部７から発熱体９の端子１１
を突出せしめていると共に発熱部６に接続孔１２を貫通
せしめており、そして、この接続孔１２は、図１におい
て示されているように、セラミック圧子５に貫通せしめ
られているチップ吸着孔１３とセラミックホルダー２に
貫通せしめられている接続孔１４とに接続されている。

【００１６】なお、セラミックホルダー２、セラミック
ヒータ４のセラミック材１０及びセラミック圧子５は、
窒化けい素に所定量のガラスなどが添加された材で構成
され、かつ、セラミックホルダー２の線膨張係数は、セ
ラミックヒータ４及びセラミック圧子５の線膨張係数と
同等若しくは略等しく、しかも、それらの熱伝導率は、
セラミックヒータ４を基点としてセラミック圧子５の加
圧面側（チップ吸着孔１３が開口されている面側）へ向
う程大きいと共にそれと反対側のセラミックホルダー２
の取付面側へ向う程小さくなるように設けている。

【００１７】より具体的には、セラミックホルダー２、
セラミックヒータ４及びセラミック圧子５の線膨張係数
は、２．５〜３．０（×１０^-6）／℃であると共に、セ
ラミック圧子５の熱伝導率は、８４Ｗ／ｍ・Ｋ、セラミ
ックホルダー２のそれは、１７〜８４Ｗ／ｍ・Ｋであ
る。

【００１８】なお、上述のようにセラミックヒータとセ
ラミック圧子とを別体にしないで、それらを一体に構成
したセラミックヒータ兼用圧子を装着する場合において
は、両者の線膨張係数は、同一又は略同一に設けられる
と共に熱伝導率は、セラミックホルダー取付部方向へ向
う程、小さくなるように設けられる。

【００１９】また、セラミック材は、周知のように、窒
化けい素等（主成分）及びガラスなど（添加物）を組成
分とするが、ガラスの混入量によって熱伝導率が異なっ
ているので、所定の熱伝導率のものを選択することがで
きる。

【００２０】また、図１においては、接続孔１４の上端
が示されていないが、接続孔１４は、ツール本体１に貫
通せしめられている接続孔１５に接続されている。この
ように、接続孔１２と１４と１５とでチップ吸着孔１３
に連通される吸気通路１６を形成している。その為、ツ
ール本体１に装着されている耐圧ホース１７を経て吸気
することによりチップ吸着孔１３から吸気することがで
き、従って、セラミック圧子５でチップ（図示されてい
ない）を吸着保持することができる。

【００２１】また、セラミックホルダー２に、長穴状の
複数の冷却スリット１８と第１エアー吹出し通路１９と
接続孔２０（図５参照）とが貫通せしめられているが、
第１エアー吹出し通路１９は、セラミックヒータ４の発
熱部６の上端面上に形成され、かつ、図１において、そ
の左右両端が開口せしめられている。

【００２２】また、接続孔２０は、第１エアー吹出し通
路１９とツール本体１に貫通せしめられている接続孔２
１（図５参照）とに接続されている。このように、接続
孔２０と２１とで第１エアー吹出し通路１９に連通され
る第１エアー供給通路２２を形成している。

【００２３】また、第１エアー供給通路２２は、図６に
おいて示されているように一対設けられている。その
為、ツール本体１に装着されている耐圧ホース２３（図
５参照）を経てエアーを供給することにより、図１にお
いて、第１エアー吹出し通路１９の左右両端の開口から
エアーを吹き出すことができる。

【００２４】よって、セラミックヒータ４の発熱部６か
ら発せられる熱が、かかるエアーによって奪われ、従っ
て、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５を急速に
冷却することができると共にセラミックホルダー２に過
度に熱伝導するのを防止することができ、しかも、冷却
スリット１８によって、加熱されたセラミックホルダー
２を冷却して、セラミックホルダー２と金属製のツール
本体１との接合部が過度に加熱されるのを防止すること
ができる。

【００２５】更に、図２において示されているように、
セラミックホルダー２の上端面に一対の第２エアー吹出
し通路２４が設けられているが、この第２エアー吹出し
２４は、同図において、前後両端が開口せしめられ、か
つ、これに、ツール本体１に貫通せしめられている第２
エアー供給通路２５が連通せしめられているので、ツー
ル本体１に装着されている耐圧ホース２６を経てエアー
を供給することにより、図２において、第２エアー吹出
し通路２４の前後両端の開口からエアーを吹き出すこと
ができて、セラミックホルダー２と金属製のツール本体
１との接合部を強制的に冷却することができる。

【００２６】このように、本発明に係るチップ熱圧着ツ
ールの一つは、線膨張率の低い金属製のツール本体１の
下端に直接、装着されたセラミックホルダー２とセラミ
ックヒータ４とセラミック圧子５とを焼結すると共に、
セラミックホルダー２の線膨張係数は、セラミックヒー
タ４及びセラミック圧子５の線膨張係数と同等若しくは
略等しく、しかも、それらの熱伝導率は、セラミックヒ
ータ４を基点としてセラミック圧子５の加圧面側（チッ
プ吸着孔１３が開口されている面側）へ向う程大きいと
共にそれと反対側のセラミックホルダー２の取付面側へ
向う程小さくなるように設けている。

【００２７】また、セラミックヒータとセラミック圧子
とを一体にした形態のセラミックヒータ兼用圧子を装着
する場合においては、両者（上側のヒータ部分とその下
側の圧子部分）の線膨張係数は、同一又は略同一に設け
られると共に熱伝導率は、セラミックホルダー取付部方
向へ向う程、小さくなるように設けている。

【００２８】その為、このチップ熱圧着ツールを備えた
ボンディング装置によって次々と熱圧着（実装）を行っ
ても、セラミック圧子５の平行度を長期間にわたって規
定内に保つことがことができ、従って、高精度の実装を
一定して行うことができる。

【００２９】図示されていないが、チップ実装装置は、
水平面内において移動し得るように装着されている基板
保持ステージで液晶基板等の基板を支持すると共に、か
かるステージの移動制御若しくは移動回転制御によって
基板の実装箇所を、それの上方に装着されているチップ
熱圧着ツールが吸着保持しているチップに対して精密に
位置合わせせしめ、次いで、チップ吸着孔１３を介して
チップを吸着保持しているチップ熱圧着ツールを降下さ
せて基板保持ステージ上の前記基板に熱圧着（実装）す
ることができるように構成されている。

【００３０】なお、上記基板保持ステージは、ＸＹ方向
若しくはＸＹθ方向に移動制御可能な可動テーブル上に
装着されていると共にチップ熱圧着ツールは、水平方向
には移動し得ないが、垂直に上下動し得るように装着さ
れる。しかし、これ以外の形態に設けてもよい。例え
ば、チップ熱圧着ツールを回転させ得るように装着した
り或いは水平方向へ移動し得るように装着したりしても
よい。

【００３１】また、チップ熱圧着ツールに関し、吸気通
路１６及びチップ吸着孔１３を設けていないものであっ
てもよいが、温度制御の高速応答が図れるので、それら
を設ける方が好ましい。また、セラミックホルダー２、
セラミックヒータ４及びセラミック圧子５は、アルミ
ナ、ジルコニアのような酸化物系セラミックや、窒化ア
ルミニウム、窒化ほう素、窒化けい素のような非酸化物
系セラミックのいずれを用いて構成してもよいが、好ま
しくは、セラミック圧子５は、前者に比して熱伝導率を
調整できる後者が用いられる。

【００３２】また、ツール本体１に対してセラミックホ
ルダー２を、適当な接着剤を用いて固着してもよいが、
セラミックヒータ４が損傷した場合等において交換する
ことができるようにボルト締めにより装着するのが好ま
しく、更には、その他のクランプ機構であってもよい。

【００３３】また、冷却スリット１８は、貫通せしめら
れるのが好ましいが、貫通させないで所定深さに設けて
もよく、かつ、その個数は必要に応じて所定個数が選択
されると共に、その形状も必要に応じて所定形状に設け
られる。

【００３４】以上、金属製のツール本体１の下端に直
接、セラミックホルダー２を装着した場合の形態につい
て述べたが、本発明においては、図７〜９において示さ
れているように、金属製のツール本体１の下端に金属製
の接続ブロック３０を装着し、そして、この接続ブロッ
ク３０の下端にセラミックホルダー２を装着すると共に
セラミックホルダー２とセラミックヒータ４とセラミッ
ク圧子５とを焼結してもよい。

【００３５】なお、図７は正面図、図８，９は図７の左
側面図であるが、これらの図において示されているよう
に、接続ブロック３０には、吸気通路１６ａを形成する
為の接続孔１５ａが貫通せしめられていると共に、第２
エアー供給通路２５ａ及び第１エアー供給通路２２ａを
形成する為の接続孔２１ａが貫通せしめられ、そして、
第１エアー供給通路２２ａは、図６において示されてい
る上述の第１エアー供給通路２２と同様に、図９におい
て前後方向に所定間隔に一対設けられ、更に、耐圧ホー
ス１７ａ、２３ａ、２６ａが装着されている。

【００３６】よって、金属製のツール本体１の下端に接
続ブロック３０を装着したチップ熱圧着ツールにおいて
も、金属製のツール本体１の下端に直接、セラミックホ
ルダー２を装着したチップ熱圧着ツールと同様に、セラ
ミックヒータ４の発熱部６からセラミックホルダー２へ
の熱伝導を抑制することができる。

【００３７】従って、セラミックホルダー２の温度昇降
の大きさを小さくすることができることにより、歪みが
発生しないので、ボルトの緩みも無くなると共に、平行
調整機能を有したツール本体の熱膨張による伸び、平行
度の狂い（歪み）を無くすることができる。

【００３８】なお、図示されていないが、接続ブロック
３０は、ボルト締めによって金属製のツール本体１の下
端に装着されている。また、セラミック圧子５に、測温
用の熱電対３１（図２，８参照）が装着されていると共
に、ツール本体１は、図示されていないＸＹＺ方向に移
動制御可能な可動テーブルを介して三軸方向へ移動し得
るように装着されている。

【００３９】しかし、これ以外の、例えば、Ｚ軸方向だ
けに移動、或いはそれらに加えて所定角度θに回転し得
るように装着してもよく、更に、第１，２エアー供給通
路２２（又は２２ａ），２５（又は２５ａ）から第１，
２エアー吹出し通路１９，２４に供給されるエアーにつ
いても、常温エアー、冷却エアーのいずれであってもよ
い。

【００４０】また、セラミックホルダー２に関し、上述
のような一体型（図１〜９において示されているような
型）に代えて、積層型に設けてもよい。図１０，１１に
おいて、二層型のものが示されているが、このホルダー
２は、下側のセラミックブロック２ａと上側のセラミッ
クブロック２ｂとを焼結せしめて形成されている。

【００４１】なお、両ブロック２ａ，２ｂは、その熱膨
張係数が略同一であるが、その熱伝導率は、上側のセラ
ミックブロック２ｂの熱伝導率の方が、下側のセラミッ
クブロック２ａのそれよりも小さい。このように、二個
以上の、すなわち、複数のセラミックブロックをセラミ
ックヒータ側からセラミックホルダー取付部に向って熱
伝導率の大きい順に積層して形成（熱伝導率が大きなセ
ラミックブロックの上に、それよりも熱伝導率が小さい
セラミックブロックを順に積層して形成）してもよい。

【００４２】このように、セラミックホルダー２を積層
型に設けることにより、ホルダー自身及び平行調整機能
を有したツール本体１に温度上昇による歪みが発生する
のを、より効果的に防止することができ、従って、チッ
プ熱圧着ツールの平行度が短期間で規定外に変化するの
を防止することができる。

【００４３】また、上述の図１０、１１において示され
ているセラミックブロック２ａ，２ｂでは、平面的に積
層しているが、凹凸形にして組み合わせた形態であって
もよい。更に積層が増えても同様である。

【００４４】すなわち、セラミックホルダー２が、前記
一体型（非積層型）及び前記積層型のいずれであって
も、セラミックヒータ４部分は高温（例えば、２５０
℃）であると共にツール本体１の下端部分は低温（例え
ば、３０℃〜５０℃）である。しかし、前記一体型にお
いては、セラミックホルダー２の中間部分で急激に温度
が下がる為に、その温度差による熱変形歪みが発生し易
いのに対し、前記積層型においては、そのように熱伝導
を妨げる部分がなく急激に温度が下がらず緩やかに下が
る故、歪みが発生し難く、従って、これの方が有利であ
る。

【００４５】また、セラミック圧子も、セラミックヒー
タ側からツール先端側（セラミック圧子の加圧面側）に
向って熱伝導率の小さい順にセラミック板を積層し、か
つ、線膨張係数を同一又は略同一にすることにより、熱
による歪み、伸びの影響を無くすことができる。

【００４６】以上からして明らかのように、本発明に係
るチップ熱圧着ツールの構成形態としては、（１）セラ
ミックホルダーとセラミックヒータ兼用圧子との組み合
わせと、（２）二層以上のセラミックブロック積層型ホ
ルダーとセラミックヒータ兼用圧子との組み合わせと、
（３）セラミックホルダーとセラミックヒータとセラミ
ック圧子との組み合わせと、（４）二層以上のセラミッ
クブロック積層型ホルダーとセラミックヒータとセラミ
ック圧子との組み合わせと、（５）セラミックホルダー
とセラミックヒータと二層以上のセラミック板積層型圧
子との組み合わせと、（６）二層以上のセラミックブロ
ック積層型ホルダーとセラミックヒータと二層以上のセ
ラミック板積層型圧子との組み合わせ等が挙げられる。

【００４７】なお、セラミックホルダーとセラミックヒ
ータとセラミック圧子との組み合わせ全体の熱伝導率の
理想バランスとしては、セラミック圧子の加圧面からセ
ラミックホルダー取付部方向へ向って熱伝導率が小さく
なるように設ける方が好ましいが、セラミックヒータは
発熱源である為、前記熱伝導率のバランスから外れ出た
場合においても本効果は得られ、かつ、かかる本効果
は、セラミックホルダー、セラミック圧子夫々を積層型
に設けた場合、及び、セラミックホルダーとセラミック
ヒータとを個別に設けないで、それに代えて、セラミッ
クヒータ兼用圧子を設けても同じである。

【００４８】また、セラミックヒータ及びセラミック圧
子は、焼結によって固着せしめる場合のみならず、必要
に応じて、取り外し可能な形態に装着、例えば、吸着方
法、静電気方法、メカクランプ方法等によって装着して
もよい。なお、温度検出手段３１はセラミックヒータ４
又はセラミックホルダー２に装着してもよいが、チップ
吸着位置に最も近い箇所に装着するのが好ましい。

【００４９】また、セラミックホルダー、セラミックヒ
ータ及びセラミック圧子は、基板保持ステージ側に設け
ることもあるが、この場合、基板保持ステージに装着さ
れたセラミックホルダーの上端にそれらを焼結したり、
或いは、取り外し可能な形態に装着、例えば、吸着方
法、静電気方法、メカクランプ方法等によって装着した
り、更には、重力のみで保持せしめる場合もある。

【００５０】また、本発明におけるチップとは、例え
ば、半導体チップ、ＩＣチップ、光素子、ウエハなど、
その種類や大きさに関係なく、基板に対して搭載又は接
合させようとする実装対象物をいう。

【００５１】更に、基板とは、例えば、樹脂基板、ガラ
ス基板、フィルム基板、チップ、ウエハなど、上記チッ
プが搭載又は接合せしめられる方の実装対象物をいう。

【００５２】

【発明の効果】上述のように、本発明によると、セラミ
ックホルダー、セラミックヒータ、セラミック圧子等の
省スペース中で、ツール本体とセラミックホルダーの取
付部へ熱を伝えにくいように構成したことにより、平行
調整機能を有したツール本体の熱膨張による伸び、平行
度の狂い（歪み）を無くすることができる。

【００５３】また、セラミックホルダーは、セラミック
ヒータ側からセラミックホルダ取付部に向って熱伝導を
徐々に低下するように焼結により構成し、かつ、線膨張
係数を同一又は略同一にするような積層構造にすること
により、隣り合う積層間では温度差を小さくすることが
できる（急激に熱を落とすのではなく徐々に落とすこと
ができる）為、セラミック圧子、セラミックヒータ、セ
ラミックホルダー、ツール本体の熱変形を押さえること
ができる。

【００５４】従って、この積層構造により、熱は、チッ
プ加圧側へは伝え易く、平行調整機能を有したツール本
体側には伝え難くく、線膨張係数は同一又は略同一であ
る為、熱が要因となる問題が無くすことができ、高精度
な実装を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】チップ熱圧着ツールの下端部分の正面図であ
る。

【図２】図１の左側面図である。

【図３】セラミックヒータの斜視図である。

【図４】セラミックヒータの発熱部の縦断面図である。

【図５】図１の左側面図である。

【図６】チップ熱圧着ツールの下端部分の正面図であ
る。

【図７】チップ熱圧着ツールの下端部分の正面図であ
る。

【図８】図７の左側面図である。

【図９】図７の左側面図である。

【図１０】他の例に係るチップ熱圧着ツールの正面図で
ある。

【図１１】図１０の左側面図である。

【符号の説明】

１：ツール本体２：セラミックホルダー４：セラミックヒータ５：セラミック圧子６：発熱部８：取付け用凹部１３：チップ吸着孔３０：接続ブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ツール本体の下端に直接若しくはツール
本体の下端に装着されている接続ブロックの下端にセラ
ミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダ
ーの下端にセラミックヒータ及びセラミック圧子を焼結
せしめたチップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミック
ホルダーの線膨張係数が、前記セラミックヒータ及び前
記セラミック圧子の線膨張係数と略等しく、かつ、前記
セラミックホルダー及び前記セラミック圧子の熱伝導率
は、前記セラミックヒータから見て前記セラミック圧子
の加圧面側へ向う程大きいと共にそれと反対側の前記セ
ラミックホルダーの取付面側へ向う程小さいことを特徴
とするチップ熱圧着ツール。
【請求項２】セラミックホルダーがセラミックブロッ
クの積層体で構成されていると共に各セラミックブロッ
ク同士が焼結せしめられていることを特徴とする請求項
１に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項３】セラミックブロックがセラミックヒータ
側からツール本体若しくは接続ブロック側へ向って熱伝
導率の大きい順に積層せしめられていることを特徴とす
る請求項２に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項４】セラミック圧子がセラミック板の積層体
で構成されていると共に各セラミック板同士が焼結せし
められていることを特徴とする請求項１，２又は３に記
載のチップ熱圧着ツール。
【請求項５】セラミック板がセラミックヒータ側から
ツール先端側（セラミック圧子の加圧面側）へ向って熱
伝導率の小さい順に積層せしめられていることを特徴と
する請求項４に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項６】セラミックヒーターの発熱部及びセラミ
ック圧子の上端部が、セラミックホルダーの下端面に形
成されている取付け用凹部に嵌挿されて焼結せしめられ
ていることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５に
記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項７】ツール本体の下端に直接若しくはツール
本体の下端に装着されている接続ブロックの下端にセラ
ミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダ
ーの下端にセラミックヒータ兼用圧子を焼結せしめたチ
ップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミックホルダーの
線膨張係数が、前記セラミックヒータ兼用圧子の線膨張
係数と略等しく、かつ、前記セラミックホルダーの熱伝
導率は、前記セラミックヒータ兼用圧子から見て前記セ
ラミックホルダーの取付面側へ向う程小さいことを特徴
とするチップ熱圧着ツール。
【請求項８】セラミックホルダーがセラミックブロッ
クの積層体で構成されていると共に各セラミックブロッ
ク同士が焼結せしめられていることを特徴とする請求項
７に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項９】セラミックブロックがセラミックヒータ
兼用圧子側からツール本体若しくは接続ブロック側へ向
って熱伝導率の大きい順に積層せしめられていることを
特徴とする請求項８に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項１０】請求項１〜９に記載のチップ熱圧着ツ
ールのいずれか一つを備えていることを特徴とするチッ
プ実装装置。