JP2008525999A5

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Publication number: JP2008525999A5
Application number: JP2007547030A
Authority: JP
Filing date: 2005-12-20
Publication date: 2009-02-12
Anticipated expiration: 2025-12-20

Claims

基板のための処理チャンバであって、
処理領域を画成するチャンバ本体と、
前記チャンバ本体の範囲内に少なくとも部分的に配置され且つ前記処理領域内に基板を支持するように適合された支持アセンブリと、
円筒電極、及び、前記処理領域から離れたプラズマ形成領域を画成するカップ型接地電極を有するプラズマ源とを備え、
前記プラズマ形成領域は、前記処理領域と連通しており、
前記円筒電極及び前記カップ型接地電極は、前記各電極の表面の少なくとも一部が前記プラズマ形成領域を形成すると共に前記プラズマ形成領域を取り囲むように、隔置されている、前記処理チャンバ。 A processing chamber for a substrate, comprising:
A chamber body defining a processing region;
And adapted support assembly to support a substrate to said at least partially disposed within the chamber body and the processing region,
Cylindrical electrodes, and a plasma source having a cup-shaped ground electrode defining a plasma formation region apart from the processing region,
The plasma forming region communicates with the processing region;
The processing chamber, wherein the cylindrical electrode and the cup-type ground electrode are spaced apart such that at least a part of the surface of each electrode forms the plasma formation region and surrounds the plasma formation region .

前記プラズマ形成領域は、Ｕ型断面を有している、請求項１記載のチャンバ。 The chamber of claim 1 , wherein the plasma forming region has a U-shaped cross section .

前記円筒電極が、高周波源、マイクロ波源、又は直流又は交流の供給源に結合される、請求項１記載のチャンバ。 The chamber of claim 1, wherein the cylindrical electrode is coupled to a high frequency source, a microwave source, or a DC or AC source.

前記円筒電極が、高周波源に結合される、請求項３記載のチャンバ。 The chamber of claim 3, wherein the cylindrical electrode is coupled to a high frequency source.

前記カップ型接地電極が、前記円筒電極より大きい表面積を有する、請求項４記載のチャンバ。 The cup-shaped ground electrode has a larger surface area than the cylindrical electrode, according to claim 4 chamber according.

前記カップ型接地電極が、前記円筒電極の下にある、請求項１記載のチャンバ。 The cup-shaped ground electrode, under the said cylindrical electrode, according to claim 1 chamber according.

前記支持アセンブリを通って熱伝達媒体を流すための１以上の流体チャネルを更に含む、請求項１記載のチャンバ。 Further comprising, claim 1 chamber according to one or more fluid channels for flowing a heat transfer medium through the support assembly.

処理チャンバを洗浄する方法であって、
処理チャンバから基板を取り除くステップと、
前記処理チャンバ内の支持部材の中のチャネルへの冷却流体フローを遮断するステップと、
前記支持部材をガス分配プレートの約０.１インチ以内であるように上昇させるステップと、
前記ガス分配プレートを加熱するステップと、
前記ガス分配プレートを通して熱伝導洗浄ガスを前記処理チャンバに導入するステップと、
前記処理チャンバから堆積物を取り除くステップとを含む前記方法。 A method for cleaning a processing chamber, comprising:
Removing the substrate from the processing chamber;
A step of blocking the cooling fluid flow into the channel in the support member in the processing chamber,
Raising the support member to be within about 0.1 inch of the gas distribution plate;
Heating said gas distribution plate,
Introducing a heat-conducting cleaning gas into the processing chamber through the gas distribution plate,
Removing the deposits from the processing chamber .

プラズマを前記処理チャンバに当てるステップを更に含む、請求項８記載の方法。 Further comprising The method of claim 8, the step of applying a plasma in the processing chamber.

加熱した流体を前記チャネルに導入するステップを更に含む、請求項８記載の方法。 Further comprising The method of claim 8, the step of introducing a heated fluid into the channel.

前記ガス分配プレートが、約１００℃〜約１８０℃に加熱される、請求項８記載の方法。 The method of claim 8 , wherein the gas distribution plate is heated to about 100 ° C. to about 180 ° C.

前記支持部材が、約３５℃〜約１４０℃に加熱される、請求項８記載の方法。 The method of claim 8 , wherein the support member is heated to about 35 ° C. to about 140 ° C.

前記支持部材が、約１００℃に約１時間加熱される、請求項１２記載の方法。 The method of claim 12 , wherein the support member is heated to about 100 ° C. for about 1 hour.

前記支持部材が、約１４０℃に約３時間加熱される、請求項１２記載の方法。 The method of claim 12 , wherein the support member is heated to about 140 ° C. for about 3 hours.

前記熱伝導洗浄ガスが、水素、ヘリウム、又はアルゴンを備えている、請求項８記載の方法。
The method of claim 8 , wherein the thermally conductive cleaning gas comprises hydrogen, helium, or argon.