JP3838969B2

JP3838969B2 - Dry etching method

Info

Publication number: JP3838969B2
Application number: JP2002364842A
Authority: JP
Inventors: 英規乾
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2002-12-17
Filing date: 2002-12-17
Publication date: 2006-10-25
Anticipated expiration: 2016-07-23
Also published as: JP2003179038A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フォトリソグラフィ技術とこれに伴うエッチング技術は、半導体素子等の製造工程で用いられる微細加工の代表的な技術として知られている。後者のエッチングは、フォトリソグラフィの露光後にパターンとして残す部分以外の不要部分の除去や、あるプロセスで用いるがその後のプロセスでは不要となるものの除去のために行う。このようなエッチングには、プラズマ化したガスによりエッチングを行うドライエッチングがよく用いられる。
【０００３】
このようなエッチングを行うためのドライエッチング装置（以下、単に装置と称する場合がある。）は、内部を真空に保持した状態で、被エッチング材に対してドライエッチングを行う真空処理室と、この真空処理室に隣接して設けられ、内部を真空に保持してある予備室とを具えているものが多い。これは、エッチングを行う真空処理室に大気が流入するのを防ぐためである。真空処理室に大気が流入すると、エッチング時に生じた反応生成物が大気中の水分を吸収して固化し、処理室の内壁に付着する。また、真空処理室の側壁や天壁から固化した反応生成物（以下、パーティクルともいう。）が剥がれ落ちたり、真空処理室内のガスの流れによって巻き上げられたりすることによって、被エッチング材の表面にも付着するおそれがある。被エッチング材の表面にパーティクルが付着すると、レジスト膜と同じ働きをするため、本来ならばエッチングしなければならない部分が、除去されずに残ってしまうことになる（以下、これを膜残りという。）。このため、被エッチング材の加工精度等が低下したり、不良品となってしまったりするおそれがある。装置内に付着した反応生成物の除去には煩雑なメンテナンスが必要となるため、反応生成物の付着を抑えることが可能な装置の開発が検討されてきている。
【０００４】
例えば特開平６−１７７０７４号公報に開示されている装置によれば、上述の予備室の内部を加熱する手段が設けてある。また、特開昭６４−４２５８３号公報に開示されている装置によれば、半導体ウエハの表面に赤外光を照射する手段を設けてある。このように、予備室内や被エッチング材を加熱することにより、反応生成物の付着を抑えようというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の装置はいずれも、真空処理室や被エッチング材の表面への、反応生成物の付着の抑制について、満足のいく効果は得られなかった。また、被エッチング材の処理数が進むにつれ、被エッチング材に付着した反応生成物が妨げとなって、エッチングレートが低下することを避けることができなかった。
【０００６】
したがって、真空処理室や被エッチング材の表面への、反応生成物の付着の抑制に、さらなる効果を期待できるようなドライエッチング方法が望まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このため、この発明のドライエッチング方法によれば、第１予備室と、該第１予備室と第１バルブを介して接続された第２予備室と、該第２予備室と第２バルブを介して接続されていて上部電極および下部電極を具えた真空処理室とを有するドライエッチング装置内で、被エッチング材に対してドライエッチングを行うドライエッチング方法において、大気圧になっている第１予備室に、被エッチング材が形成されている半導体ウエハを搬送する工程と、半導体ウエハが搬送された第１予備室内を真空引きする工程と、第１バルブを開口し、第１予備室から、予め真空状態である第２予備室に半導体ウエハを搬入する工程と、第２バルブを開口し、第２予備室から、予め真空状態である真空処理室に半導体ウエハを搬送する工程と、真空処理室の内部、上部電極及び下部電極を加熱する加熱工程と、共通の熱交換器から供給される熱媒体を同時に上部電極及び下部電極に供給することにより、上部電極及び下部電極の温度を調節しながら被エッチング材に対してドライエッチングを行うドライエッチング処理工程とを含み、ドライエッチング処理工程は、加熱工程の開始から１０秒から３０秒経過した後に行うことを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、真空処理室および被エッチング材のいずれにも、反応生成物に起因するパーティクルが付着するのを抑えることができる。真空処理室の内部と上部電極および下部電極との温度は、同じ温度である必要はない。エッチングによる反応生成物の蒸気圧等も考慮して、例えば、真空処理室の内部の温度を８０℃程度とし、上部電極および下部電極の温度を１１０℃程度とするなど、好適な温度設定とする。又、ドライエッチング処理工程を、加熱工程の開始から１０秒から３０秒経過した後に行うことにより、ウエハ温度の安定を図ることができ、ウエハ面内でのエッチングレートのばらつきが改善され均一性が向上する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照してこの出願の発明の実施の形態について説明する。各図は、発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および位置関係等を概略的に示してあるにすぎない。また、以下の説明中で挙げる使用材料、処理時間、処理温度などの数値的条件は、これら発明の範囲内の好適例にすぎない。従って、これらの発明は、これら条件にのみ限定されるものではない。また、図において、断面を示すハッチング等は省略してある。
【００１０】
＜第１の実施の形態＞
図１は、この発明の第１の実施のドライエッチング方法の説明に供するドライエッチング装置の概略的な平面図であり、ここで用いたドライエッチング装置１０の装置構成を、この装置の天壁を除いた形で示してある。
【００１１】
この実施の形態のドライエッチング装置によれば、内部にプラズマ発生用の上部電極および下部電極を具え、かつ内部を真空に保持した状態で、被エッチング材に対してドライエッチングを行う真空処理室と、この真空処理室に隣接して設けられ、内部を真空に保持してある予備室とを具えたドライエッチング装置において、真空処理室の内部と、上部電極および下部電極のそれぞれを、温度調節するための手段を設けてある。ここでは、次のような装置構成となっている。大気搬送ロボット１００すなわち、外部からこのエッチング装置に搬送する、大気にさらされたロボットに、装置１０が隣接している。装置１０内には、被エッチング材を、このロボット１００から装置１０に搬入するため、また、装置１０からロボット１００に搬出するための、第１予備室１１が設けられている。また、第１予備室１１に、バルブ１３を介して、第２予備室１５が隣接して設けられている。この第２予備室１５内は常に高真空に保持されており、後に述べる真空処理室（第１真空処理室２０ａおよび第２真空処理室２０ｂ）に大気が流入するのを防ぐ構造となっている。また、第２予備室１５内には、真空処理室に被エッチング材を搬送するための、搬送アーム１５ａが具えてある。この第２予備室１５の両脇であって、第１予備室１１に対して９０°の方向の両脇に、バルブ１７ａを介して第１真空処理室２０ａ、およびバルブ１７ｂを介して第２真空処理室２０ｂが設けられている。真空処理室が二つ設けられているのは、被エッチング材の処理数をより多くするためである。その他の構成成分、例えば、エッチングガスの流入口や排気口等は、ここでは省略してある。次に、第１および第２真空処理室２０ａおよび２０ｂについて詳細に説明をする。
【００１２】
図２は、図１に示す装置１０のうち、第１および第２真空処理室２０ａおよび２０ｂの構成の説明に供する概略的な構成説明図である。これら二つの真空処理室は、どちらも同じ構成であるため、第１真空処理室２０ａのみにおいて説明をする。
【００１３】
真空処理室２０ａは、内部にプラズマ発生用の上部電極２１および下部電極２３を具えており、いわゆる平行平板型の真空処理室である。上部電極２１には、１３．５６ＭＨz の高周波を印加する高周波電源２５を接続してあり、下部電極２３はグラウンド２７に接続されている。下部電極２３は、被エッチング材Ａを載せるステージとしても用いられる。上部電極２１はシリンダ等の機構により、上下に昇降させることができるようになっており、被エッチング材との距離を調節することができる。
【００１４】
真空処理室２０ａの側壁２９は熱伝導性に優れたアルミ材を用いてあり、この側壁２９内の一部に、ヒーター３１および第１温度センサー３３が互いに埋め込まれており、これらヒーター３１および第１温度センサー３３に、ヒーター温度を調節するための温度コントローラー３５が接続されている。これら、ヒーター３１、第１温度センサー３３、および温度コントローラー３５によって、真空処理室２０ａ内を温度調節するための第１温度調節手段３０を構成している。この例では、ヒーター３１は、最大８０℃まで加熱が可能である。
【００１５】
また、熱交換器３７と、この熱交換器３７に連絡されていて、その一部分が上部電極２１の内部を通っている第１熱媒体循環路３９ａと、この第１熱媒体循環路３９ａの部分のうちこの上部電極２１内の循環路中に設けられていて、循環している熱媒体の温度を検出する第２温度センサー４１ａとで、上部電極２１を温度調節するための第２温度調節手段４０ａを構成している。
【００１６】
また、同様に、熱交換器３７と、この熱交換器３７に連絡されていて、その一部分が下部電極２３の内部を通っている第２熱媒体循環路３９ｂと、この第２熱媒体循環路３９ｂ内の部分のうちこの下部電極２３内の循環路中に設けられていて、循環している熱媒体の温度を検出する第３温度センサー４１ｂとで、下部電極２３を温度調節するための第２温度調節手段４０ｂを構成している。
【００１７】
ここでは、熱交換器３７として、チラーを用いており、熱媒体を加熱するヒーターおよび温度コントローラーを内蔵している。また、第２および第３温度調節手段４０ａおよび４０ｂにおいて、ここでは、同一の熱交換器３７を共用している。また、図２では、第２および第３温度センサー４１ａおよび４１ｂは、第１および第２熱媒体循環路３９ａおよび３９ｂの外側に示してあるが、実際にはこれら温度センサー４１ａおよび４１ｂを、熱媒体循環路内に設けてある。この例では、これら第２および第３温度調節手段４０ａおよび４０ｂにより、上部電極２１および下部電極２３は、１１０℃まで加熱が可能となっている。
【００１８】
第２温度調節手段４０ａは、次のように上部電極２１を温度調節する仕組みになっている。熱交換器３７に連絡されている第１熱媒体循環路３９ａの、図示しない熱媒体供給口から、熱交換器３７内のヒーターによって加熱された熱媒体が供給され、供給された熱媒体は第１熱媒体循環路３９ａの図示しない排出口からチラー（熱交換器３７）に戻される。第１熱媒体循環路３９ａは、その一部分が上部電極２１内を通っており、また、第１熱媒体循環路３９ａ内に熱媒体の温度を検出する第２温度センサー４１ａが具えられているので、例えば熱媒体の温度が下がっている時には、熱交換器３７内の温度コントローラーがヒーターの温度を調節し、一定の温度に調節されるようになっている。また、第３温度調節手段４０ｂも、第２温度調節手段４０ａと同様に、次のように下部電極２３を温度調節する仕組みになっている。熱交換器３７に連絡されている第２熱媒体循環路３９ｂの、図示しない熱媒体供給口から、熱交換器３７内のヒーターによって加熱された熱媒体が供給され、供給された熱媒体は第２熱媒体循環路３９ｂの図示しない排出口から熱交換器３７に戻される。第２熱媒体循環路３９ｂは、その一部分が下部電極２３内を通っており、また、第２熱媒体循環路３９ｂ内に熱媒体の温度を検出する第３温度センサー４１ｂが具えられている。第２真空処理室２０ｂの構成については、第１真空処理室２０ａとまったく同じ構成であるため、説明を省略する。
【００１９】
次に、装置１０を用いたエッチング方法について説明をする。
【００２０】
この発明のエッチング方法によれば、すでに説明したように、内部にプラズマ発生用の上部電極および下部電極を具え、かつ内部を真空に保持した状態で、被エッチング材に対してドライエッチングを行う真空処理室と、この真空処理室に隣接して設けられ、内部を真空に保持してある予備室とを具えたドライエッチング装置でドライエッチングを行うに当たり、真空処理室の内部と、上部電極および下部電極のそれぞれを、同時に加熱して一定の温度に保持した状態でエッチングする点に特色を有している。ここでは、被エッチング材Ａ（図２）を、半導体ウエハとした。また、除去の対象は、ここでは、フォトリソグラフィ後に不要となった、反射保護膜としてのＴｉＮ（窒化チタン）膜とした。反射保護膜は、露光時に、金属配線の反射率を低くして光の干渉を少なくするために用いるものである。以下、エッチング方法の説明を図１および図２を参照して行う。
【００２１】
まず、第１予備室１１を、第１予備室１１内の図示しないＮ₂ （窒素）導入口からＮ₂ パージを行って大気圧にする。その後、大気搬送ロボット１００から、半導体ウエハを、装置１０内の第１予備室１１に搬送する。次に、この第１予備室１１内の真空引きを行う。これは、第１予備室１１内の図示しない真空排気口に接続された真空ポンプによって行う。次に、バルブ１３が開口し、半導体ウエハを、第２予備室１５に搬送する。第２予備室１５は常に高真空に保持されており、エッチング処理を行う真空処理室に大気が流入しないようになっている。次に、バルブ１７ａを開口して、第２予備室１５の搬送アーム１５ａで、半導体ウエハを、第１真空処理室２０ａに搬送する。その後、後に述べるエッチング条件により、ドライエッチングを行う。次に同様のプロセスで、バルブ１７ｂを開口して第２予備室２０ｂにも半導体ウエハを搬送し、エッチング処理を行う。このとき、真空処理室１０の内部、上部電極２１、および下部電極２３は、同時に加熱され、一定の温度に保持されている。第１真空処理室２０ａでエッチング処理が終了した後、第２予備室１５の搬送アーム１５ａで半導体ウエハが第１真空処理室２０ａから搬出され、バルブ１３を通って第１予備室１１、大気搬送ロボット１００へと送られる。また、第２真空処理室２０ｂでドライエッチング処理が済んだ半導体ウエハも、同様のプロセスで大気搬送ロボット１００へと送られる。これを繰り返し、半導体ウエハのエッチングを順次行う。
【００２２】
ここで、真空処理室でのエッチング条件について詳細に説明する。表１は、第１の実施の形態での被エッチング材（除去対象がＴｉＮ膜の半導体ウエハ）に対するエッチング条件を示している。
【００２３】
【表１】

【００２４】
ここで、ＲＦパワーは、高周波電力を示す。また、エッチング時間の項の「ＥＰＤ」はエッチングの終点検出をエンド・ポイント・ディテクト法としたことを意味する。また、「Ｏ．Ｅ＝４０％」は、オーバーエッチング時間の設定を、４０％多めにしたことを示す。例えば、ある膜厚の膜を除去するのに、通常１０分程度のエッチング時間を要するとすると、ここではエッチング時間の設定を１４分にするという意味である。
【００２５】
上記の条件でエッチングを行った後、真空処理室内および半導体ウエハに反応生成物が付着しているかどうか、Ｈ₂ Ｏ₂ （過酸化水素水）を用いて調べた。反応生成物とＨ₂ Ｏ₂ とが反応すると、黄色に発色することを利用して、真空処理室２０ａおよび２０ｂ内に、Ｈ₂ Ｏ₂ を流入した。その結果、真空処理室および半導体ウエハのいずれにおいても発色は起こらなかった。よって、パーティクルが、付着していないことが理解できる。
【００２６】
上記の表１の条件で、５０枚の半導体ウエハにおいてＴｉＮ膜のエッチングを行い、エッチングを行った順に１〜５０番までウエハに番号をつけ、ウエハ番号１、１３、２５、２６、３８、５０の６枚のウエハにつき、エッチングレートの変化と、ウエハ面内でのエッチングの均一性を調べた。図３はその結果を示すものである。特に、図３の（Ａ）は６枚のウエハのエッチングレート（Å／ｍｉｎ（分））の変化を示すグラフであり、縦軸にエッチングレート（Å／ｍｉｎ（分））をとり、横軸にウエハ番号をとって示している。また、図３の（Ｂ）はウエハ面内でのエッチングの均一性を示すグラフであり、縦軸に均一性（±％）をとり、横軸にウエハ番号をとって示している。
【００２７】
ここで、エッチングレートは、次の式を用いて算出したものである。
（エッチング前の除去対象の膜の膜厚の平均値−エッチング後の除去対象の膜の膜厚の平均値）／エッチング時間
【００２８】
また、均一性は、ウエハ面内でのエッチングレートの均一性のことであり、各ウエハの面内の９ポイントにおいてエッチングレートを算出し、次の式を用いて算出したものである。
｛（エッチングレートの面内最大値−エッチングレートの面内最小値）／（エッチングレートの面内最大値−エッチングレートの面内最小値）｝×１００
【００２９】
図３の（Ａ）より、エッチングレートは、３１００〜３５００（Å／ｍｉｎ）の範囲を示し、ウエハ処理数が増えるにつれ低下することはないことがわかる。また、図３の（Ｂ）より、均一性においては、６〜９（±％）の範囲を示し、こちらもウエハ処理数が増えるにつれ低下することがないことがわかる。これは、ウエハに膜残りが起こりにくいことを示す。
【００３０】
次に、ＴｉＮ膜のエッチングレートの温度依存性を調べた結果を図４に示す。図４は、上部電極２１および下部電極２３の温度を、６０℃、９０℃、および１１０℃としたときの、それぞれのウエハ（試料）のＴｉＮ膜のエッチングレートの変化を示すグラフであり、縦軸にエッチングレート（Å／ｍｉｎ）をとり、横軸に上部電極および下部電極の温度（℃）をとって示してある。この図からも理解できるように、ＴｉＮ膜のエッチングレートは上部電極および下部電極の温度が６０℃のときは２０００（Å／ｍｉｎ）程度を示し、９０℃のときは２４００（Å／ｍｉｎ）程度を示す。また、１１０℃のときは３１００（Å／ｍｉｎ）程度を示し、温度上昇にほぼ比例してエッチングレートが向上することがわかる。したがって、ＴｉＮ膜の膜残りは生じていないことが推察される。
【００３１】
＜第２の実施の形態＞
第２の実施の形態は、基本的には第１の実施の形態と同様である。ここでは、エッチング装置、エッチング方法、エッチング条件等、第１の実施の形態と同じくしたが、除去対象の膜をＴｉＮ膜の代わりにポリシリコン膜とした。そして、上記の表１の条件で、５０枚の半導体ウエハにおいてエッチングを行い、エッチングを行った順に１〜５０番までウエハに番号をつけ、ウエハ番号１、１３、２５、２６、３８、５０の６枚のウエハにつき、エッチングレートの変化と、ウエハ面内でのエッチングの均一性を調べた。図５はその結果を示すものである。特に、図５の（Ａ）は６枚のウエハのエッチングレート（Å／ｍｉｎ（分））の変化を示すグラフであり、縦軸にエッチングレート（Å／ｍｉｎ（分））をとり、横軸にウエハ番号をとって示している。また、図５の（Ｂ）はウエハ面内でのエッチングの均一性を示すグラフであり、縦軸に均一性（±％）をとり、横軸にウエハ番号をとって示している。
【００３２】
図５の（Ａ）より、エッチングレートは、３４００〜３８００（Å／ｍｉｎ）の範囲を示し、ウエハ処理数が増えるにつれ低下することはないことがわかる。また、図５の（Ｂ）より、均一性においては、４〜６（±％）の範囲を示し、こちらもウエハ処理数が増えるにつれ低下することがないことがわかる。よって、ウエハに膜残りも起こりにくい。
【００３３】
次に、ポリシリコン膜のエッチングレートの温度依存性を調べた結果を図６に示す。図６は、上部電極２１および下部電極２３の温度を、６０℃、９０℃、および１１０℃としたときの、それぞれのウエハ（試料）のポリシリコン膜のエッチングレートの変化を示すグラフであり、縦軸にエッチングレート（Å／ｍｉｎ）をとり、横軸に上部電極および下部電極の温度（℃）をとって示してある。この図からも理解できるように、ポリシリコン膜のエッチングレートは上部電極および下部電極の温度がいずれの場合もほぼ３５００（Å／ｍｉｎ）程度を示し、温度上昇につれてエッチングレートが低下しないことがわかる。したがって、ポリシリコン膜の膜残りは生じていないことが推察される。
【００３４】
＜第３の実施の形態＞
第１の実施の形態とエッチング装置、エッチング方法、エッチング条件等、第１の実施の形態と同じくしたが、第１および第２処理室に半導体ウエハを搬送した後、ヒーター３１および熱交換器３７を作動させてから１０秒から３０秒の間ウエハを放置し、ウエハ温度の安定を図った。この後にエッチング処理を行ったところ、ウエハ面内でのエッチングレートのばらつき（均一性）が改善された。例えば、ウエハの放置を行わなかった場合に均一性が±１３．８％であったとき、放置を行った以外はまったく同条件でエッチングを行うと、均一性が±５．２％となった。したがって、ウエハ温度を安定させたものの方が、均一性が向上することがわかった。
【００３５】
その他の部分については、第１の実施の形態と同様であるため、詳細な説明を省略する。
【００３６】
この発明は、上述した第１、第２および第３の実施の形態にのみ限定されるものではないことは明らかである。例えば、ここでは、真空処理室を二つ有するエッチング装置を用いたが、真空処理室は一つでも良い。また、ここでは、真空処理室内の温度調節手段と、上部および下部電極の温度調節手段を別のものとしたが、同じものであっても、また、すべて違うものであってもよい。例えば、すべての温度調節手段をヒーター、温度センサー、温度コントローラーからなる温度調節手段としても良く、また、すべての温度調節手段を熱交換器、熱媒体循環路、温度センサーからなる温度調節手段としても良い。
【００３７】
また、ここでは、上部電極および下部電極の温度調節手段において、一つの熱交換器を共用しているが、独立して用いても良い。また、上部電極、下部電極、真空処理室内の温度調節手段を、すべて熱交換器、熱媒体循環路、温度センサーからなる温度調節手段とした場合も、一つの熱交換器を共用しても、それぞれに独立して用いてもよい。
【００３８】
【発明の効果】
上述した説明からも明らかなように、この発明のドライエッチング方法によれば、エッチング時に生じる反応生成物の気化が促進され、真空処理室内および被エッチング材の表面に、反応生成物に起因するパーティクルが付着するのを、さらなる効果を持って防ぐことができる。又、ウエハ温度の安定を図ることにより、ウエハ面内でのエッチングレートのばらつきが改善され均一性が向上する。
【００３９】
したがって、被エッチング材の膜残りが生じる心配も少なく、高い加工精度でエッチングを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ドライエッチング装置の一例を示す、概略的な平面図である。
【図２】真空処理室の概略的な断面図である。
【図３】（Ａ）は６枚のウエハのＴｉＮ膜のエッチングレートの変化を示すグラフであり、（Ｂ）はウエハ面内でのエッチングの均一性を示すグラフである。
【図４】ＴｉＮ膜のエッチングレートの温度依存性を示すグラフである。
【図５】（Ａ）は６枚のウエハのポリシリコン膜のエッチングレートの変化を示すグラフであり、（Ｂ）はウエハ面内でのエッチングの均一性を示すグラフである。
【図６】ポリシリコン膜のエッチングレートの温度依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１０：ドライエッチング装置
１１：第１予備室
１３、１７ａ、１７ｂ：バルブ
１５：第２予備室
２０ａ：第１真空処理室
２０ｂ：第２真空処理室
２１：上部電極
２３：下部電極
２５：高周波電源
２７：グラウンド
２９：側壁
３０：第１温度調節手段
３１：ヒーター
３３：第１温度センサー
３５：温度コントローラー
３７：熱交換器（チラー）
３９ａ：第１熱媒体循環路
３９ｂ：第２熱媒体循環路
４０ａ：第２温度調節手段
４０ｂ：第３温度調節手段
４１ａ：第２温度センサー
４１ｂ：第３温度センサー[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a dry etching method.
[0002]
[Prior art]
A photolithography technique and an etching technique associated therewith are known as representative techniques for microfabrication used in the manufacturing process of semiconductor elements and the like. The latter etching is performed to remove unnecessary portions other than portions left as a pattern after photolithography exposure and to remove unnecessary portions that are used in a certain process but are not necessary in the subsequent processes. For such etching, dry etching in which etching is performed with a plasma gas is often used.
[0003]
A dry etching apparatus (hereinafter, simply referred to as an apparatus) for performing such etching includes a vacuum processing chamber for performing dry etching on a material to be etched in a state where the inside is kept in a vacuum, Many are provided with a preparatory chamber that is provided adjacent to the vacuum processing chamber and is kept in a vacuum. This is to prevent air from flowing into the vacuum processing chamber in which etching is performed. When the atmosphere flows into the vacuum processing chamber, the reaction product generated during etching absorbs moisture in the atmosphere and solidifies, and adheres to the inner wall of the processing chamber. Further, reaction products (hereinafter also referred to as particles) solidified from the side walls and the top wall of the vacuum processing chamber are peeled off or rolled up by the gas flow in the vacuum processing chamber, so that the surface of the material to be etched is May also adhere. When particles adhere to the surface of the material to be etched, the same function as the resist film is performed, so that a portion that should be etched originally remains without being removed (hereinafter referred to as a film residue). ). For this reason, there exists a possibility that the processing precision etc. of a to-be-etched material may fall, or it may become inferior goods. Since complicated maintenance is required to remove the reaction product adhering to the inside of the apparatus, development of an apparatus capable of suppressing the adhesion of the reaction product has been studied.
[0004]
For example, according to the apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-177704, there is provided means for heating the inside of the preliminary chamber. Further, according to the apparatus disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 64-42583, means for irradiating infrared light onto the surface of the semiconductor wafer is provided. In this manner, the adhesion of reaction products is suppressed by heating the preliminary chamber and the material to be etched.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, none of the conventional apparatuses has achieved a satisfactory effect for suppressing the adhesion of reaction products to the surface of the vacuum processing chamber or the material to be etched. Further, as the number of materials to be etched progresses, it has been unavoidable that a reaction product adhering to the material to be etched hinders a decrease in etching rate.
[0006]
Therefore, there has been a demand for a dry etching method that can expect further effects in suppressing the adhesion of reaction products to the surface of the vacuum processing chamber or the material to be etched.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
Therefore, according to the dry etching method of the present invention, the first preliminary chamber, the second preliminary chamber connected to the first preliminary chamber via the first valve, the second preliminary chamber and the second valve are provided. In a dry etching method in which dry etching is performed on a material to be etched in a dry etching apparatus having a vacuum processing chamber having an upper electrode and a lower electrode connected to each other, a first preliminary that is at atmospheric pressure A step of transporting the semiconductor wafer on which the material to be etched is formed into the chamber, a step of evacuating the first preliminary chamber in which the semiconductor wafer is transported, and opening the first valve, A step of carrying a semiconductor wafer into a second preliminary chamber in a vacuum state, a step of opening the second valve, and transferring the semiconductor wafer from the second preliminary chamber to a vacuum processing chamber in a vacuum state in advance, and vacuum processing While adjusting the temperature of the upper electrode and the lower electrode by simultaneously heating the heating process for heating the inner electrode, the upper electrode and the lower electrode, and simultaneously supplying the heating medium supplied from the common heat exchanger to the upper electrode and the lower electrode look including a dry etching step of performing dry etching with respect to the object to be etched, dry etching process, and performs a 10 seconds from the start of the heating process after the elapse of 30 seconds.
[0008]
According to this structure, it can suppress that the particle resulting from a reaction product adheres to both a vacuum processing chamber and a to-be-etched material. The temperature inside the vacuum processing chamber and the temperature of the upper electrode and the lower electrode need not be the same. Considering the vapor pressure of the reaction product by etching, for example, the temperature inside the vacuum processing chamber is set to about 80 ° C., and the temperature of the upper electrode and the lower electrode is set to about 110 ° C. . Also, by performing the dry etching process after 10 to 30 seconds from the start of the heating process, it is possible to stabilize the wafer temperature, improve the variation of the etching rate in the wafer surface, and improve the uniformity. improves.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the invention of this application will be described with reference to the drawings. Each figure only schematically shows the size, shape, positional relationship and the like of each component to the extent that the invention can be understood. In addition, numerical conditions such as materials used, processing time, and processing temperature listed in the following description are only preferable examples within the scope of the present invention. Therefore, these inventions are not limited only to these conditions. Further, in the drawing, hatching or the like showing a cross section is omitted.
[0010]
<First Embodiment>
FIG. 1 is a schematic plan view of a dry etching apparatus used for explaining the dry etching method according to the first embodiment of the present invention. The apparatus structure of the dry etching apparatus 10 used here is shown in FIG. It is shown in the excluded form.
[0011]
According to the dry etching apparatus of this embodiment, there is provided a vacuum processing chamber that includes an upper electrode and a lower electrode for generating plasma and that performs dry etching on a material to be etched in a state in which the inside is kept in a vacuum. In a dry etching apparatus provided adjacent to the vacuum processing chamber and having a preliminary chamber that is maintained in a vacuum, the temperature of the interior of the vacuum processing chamber and each of the upper electrode and the lower electrode are adjusted. Means are provided. Here, the apparatus configuration is as follows. The apparatus 10 is adjacent to the atmospheric transfer robot 100, that is, the robot exposed to the atmosphere that is transferred to the etching apparatus from the outside. In the apparatus 10, a first preliminary chamber 11 is provided for carrying the material to be etched from the robot 100 to the apparatus 10 and for carrying out the material to be etched from the apparatus 10 to the robot 100. In addition, a second preliminary chamber 15 is provided adjacent to the first preliminary chamber 11 via a valve 13. The inside of the second preliminary chamber 15 is always maintained at a high vacuum, and has a structure that prevents air from flowing into the vacuum processing chambers (first vacuum processing chamber 20a and second vacuum processing chamber 20b) described later. . The second preliminary chamber 15 includes a transfer arm 15a for transferring the material to be etched to the vacuum processing chamber. On both sides of the second preliminary chamber 15 and on both sides in the direction of 90 ° with respect to the first preliminary chamber 11, a second vacuum chamber 20a and a second valve 17b are connected via a valve 17a. A vacuum processing chamber 20b is provided. Two vacuum processing chambers are provided in order to increase the number of processed materials to be etched. Other components such as an etching gas inlet and an exhaust outlet are omitted here. Next, the first and second

vacuum processing chambers

20a and 20b will be described in detail.
[0012]
FIG. 2 is a schematic configuration explanatory diagram for explaining the configuration of the first and second

vacuum processing chambers

20a and 20b in the apparatus 10 shown in FIG. Since these two vacuum processing chambers have the same configuration, only the first vacuum processing chamber 20a will be described.
[0013]
The vacuum processing chamber 20a includes an upper electrode 21 and a lower electrode 23 for generating plasma, and is a so-called parallel plate type vacuum processing chamber. A high frequency power supply 25 for applying a high frequency of 13.56 MHz is connected to the upper electrode 21, and the lower electrode 23 is connected to the ground 27. The lower electrode 23 is also used as a stage on which the material A to be etched is placed. The upper electrode 21 can be moved up and down by a mechanism such as a cylinder, and the distance from the material to be etched can be adjusted.
[0014]
The side wall 29 of the vacuum processing chamber 20a is made of an aluminum material having excellent thermal conductivity, and a heater 31 and a first temperature sensor 33 are embedded in a part of the side wall 29. A temperature controller 35 for adjusting the heater temperature is connected to the 1 temperature sensor 33. The heater 31, the first temperature sensor 33, and the temperature controller 35 constitute a first temperature adjusting means 30 for adjusting the temperature in the vacuum processing chamber 20a. In this example, the heater 31 can be heated up to a maximum of 80 ° C.
[0015]
Also, a heat exchanger 37, a first heat medium circulation path 39 a that is in communication with the heat exchanger 37 and partially passes through the upper electrode 21, and a portion of the first heat medium circulation path 39 a The second temperature adjusting means for adjusting the temperature of the upper electrode 21 with the second temperature sensor 41a provided in the circulation path in the upper electrode 21 and detecting the temperature of the circulating heat medium. 40a is configured.
[0016]
Similarly, a heat exchanger 37, a second heat medium circulation path 39 b that is in communication with the heat exchanger 37 and partially passes through the inside of the lower electrode 23, and the second heat medium circulation path A third temperature sensor 41b, which is provided in a circulation path in the lower electrode 23 among the portions in 39b and detects the temperature of the circulating heat medium, adjusts the temperature of the lower electrode 23. 2 The temperature control means 40b is comprised.
[0017]
Here, a chiller is used as the heat exchanger 37, and a heater and a temperature controller for heating the heat medium are incorporated. In the second and third temperature adjusting means 40a and 40b, the same heat exchanger 37 is shared here. In FIG. 2, the second and

third temperature sensors

41a and 41b are shown outside the first and second heat medium circulation paths 39a and 39b. It is provided in the medium circulation path. In this example, the upper electrode 21 and the lower electrode 23 can be heated to 110 ° C. by the second and third temperature adjusting means 40a and 40b.
[0018]
The second temperature adjusting means 40a is configured to adjust the temperature of the upper electrode 21 as follows. A heat medium heated by a heater in the heat exchanger 37 is supplied from a heat medium supply port (not shown) of the first heat medium circulation path 39a connected to the heat exchanger 37, and the supplied heat medium is the first heat medium. 1 It returns to the chiller (heat exchanger 37) from the discharge port (not shown) of the heat medium circulation path 39a. A portion of the first heat medium circulation path 39a passes through the upper electrode 21, and a second temperature sensor 41a for detecting the temperature of the heat medium is provided in the first heat medium circulation path 39a. For example, when the temperature of the heat medium is lowered, the temperature controller in the heat exchanger 37 adjusts the temperature of the heater so as to be adjusted to a constant temperature. Further, the third temperature adjusting means 40b is configured to adjust the temperature of the lower electrode 23 as follows, similarly to the second temperature adjusting means 40a. A heat medium heated by a heater in the heat exchanger 37 is supplied from a heat medium supply port (not shown) of the second heat medium circulation path 39b connected to the heat exchanger 37, and the supplied heat medium is the first heat medium. 2 It returns to the heat exchanger 37 from the discharge port (not shown) of the heat medium circulation path 39b. A portion of the second heat medium circulation path 39b passes through the lower electrode 23, and a third temperature sensor 41b for detecting the temperature of the heat medium is provided in the second heat medium circulation path 39b. About the structure of the 2nd vacuum processing chamber 20b, since it is the completely same structure as the 1st vacuum processing chamber 20a, description is abbreviate | omitted.
[0019]
Next, an etching method using the apparatus 10 will be described.
[0020]
According to the etching method of the present invention, as already explained, the vacuum for performing dry etching on the material to be etched with the upper electrode and the lower electrode for generating plasma inside and maintaining the inside in a vacuum. When performing dry etching with a dry etching apparatus provided with a processing chamber and a preliminary chamber that is provided adjacent to the vacuum processing chamber and holds the inside in a vacuum, the inside of the vacuum processing chamber, the upper electrode, and the lower electrode Each electrode is characterized in that it is etched while being heated and held at a constant temperature at the same time. Here, the material to be etched A (FIG. 2) is a semiconductor wafer. In addition, the object to be removed here is a TiN (titanium nitride) film as a reflection protective film, which becomes unnecessary after photolithography. The reflection protective film is used to reduce the interference of light by reducing the reflectance of the metal wiring during exposure. Hereinafter, the etching method will be described with reference to FIGS.
[0021]
First, a first preliminary chamber 11, to atmospheric pressure by performing a N ₂ purged from the N ₂ (nitrogen) inlet (not shown) in the first preliminary chamber 11. Thereafter, the semiconductor wafer is transferred from the atmospheric transfer robot 100 to the first preliminary chamber 11 in the apparatus 10. Next, the first preliminary chamber 11 is evacuated. This is performed by a vacuum pump connected to a vacuum exhaust port (not shown) in the first preliminary chamber 11. Next, the valve 13 is opened, and the semiconductor wafer is transferred to the second preliminary chamber 15. The second preliminary chamber 15 is always maintained at a high vacuum so that the atmosphere does not flow into the vacuum processing chamber in which the etching process is performed. Next, the valve 17a is opened, and the semiconductor wafer is transferred to the first vacuum processing chamber 20a by the transfer arm 15a of the second preliminary chamber 15. Thereafter, dry etching is performed under the etching conditions described later. Next, in the same process, the valve 17b is opened, the semiconductor wafer is transferred to the second preliminary chamber 20b, and an etching process is performed. At this time, the inside of the vacuum processing chamber 10, the upper electrode 21, and the lower electrode 23 are simultaneously heated and maintained at a constant temperature. After the etching process is completed in the first vacuum processing chamber 20a, the semiconductor wafer is unloaded from the first vacuum processing chamber 20a by the transfer arm 15a of the second preliminary chamber 15 and passes through the valve 13 to the first preliminary chamber 11 and the atmospheric transfer. It is sent to the robot 100. Further, the semiconductor wafer that has been dry-etched in the second vacuum processing chamber 20b is also sent to the atmospheric transfer robot 100 by the same process. This process is repeated to sequentially etch the semiconductor wafer.
[0022]
Here, the etching conditions in the vacuum processing chamber will be described in detail. Table 1 shows the etching conditions for the material to be etched (the semiconductor wafer whose removal target is a TiN film) in the first embodiment.
[0023]
[Table 1]

[0024]
Here, the RF power indicates high frequency power. Further, “EPD” in the term of etching time means that the end point detection of the etching is the end point detection method. “OE = 40%” indicates that the over-etching time setting is increased by 40%. For example, if an etching time of about 10 minutes is usually required to remove a film having a certain thickness, this means that the etching time is set to 14 minutes here.
[0025]
After etching under the above conditions, it was examined using H ₂ O ₂ (hydrogen peroxide solution) whether or not the reaction product adhered to the vacuum processing chamber and the semiconductor wafer. When the reaction to the product and H ₂ O ₂ reacts, by utilizing the fact that the color yellow, the vacuum processing chamber 20a and the 20b, flowing the H ₂ O _2. As a result, color development did not occur in either the vacuum processing chamber or the semiconductor wafer. Therefore, it can be understood that particles are not attached.
[0026]
Under the conditions shown in Table 1 above, TiN films were etched on 50 semiconductor wafers, and the wafers were numbered from 1 to 50 in the order of etching, and

wafer numbers

1, 13, 25, 26, 38, 50 The change in the etching rate and the uniformity of etching within the wafer surface were investigated for these six wafers. FIG. 3 shows the result. In particular, FIG. 3A is a graph showing changes in the etching rate (Å / min (min)) of six wafers, with the vertical axis representing the etching rate (Å / min (min)) and the horizontal axis. The wafer number is shown in FIG. FIG. 3B is a graph showing the uniformity of etching within the wafer surface, with the vertical axis representing the uniformity (±%) and the horizontal axis representing the wafer number.
[0027]
Here, the etching rate is calculated using the following equation.
(Average value of the film thickness of the film to be removed before etching-Average value of the film thickness of the film to be removed after etching) / Etching time
Uniformity is the uniformity of the etching rate within the wafer surface, and is calculated using the following equation by calculating the etching rate at 9 points within the surface of each wafer.
{(In-plane maximum value of etching rate−In-plane minimum value of etching rate) / (Maximum in-plane value of etching rate−In-plane minimum value of etching rate)} × 100
[0029]
FIG. 3A shows that the etching rate is in the range of 3100 to 3500 (ｍｉｎ / min), and does not decrease as the number of wafers processed increases. 3B shows that the uniformity is in the range of 6 to 9 (±%), and this also does not decrease as the number of wafer processing increases. This indicates that film residue hardly occurs on the wafer.
[0030]
Next, the result of examining the temperature dependence of the etching rate of the TiN film is shown in FIG. FIG. 4 is a graph showing changes in the etching rate of the TiN film of each wafer (sample) when the temperature of the upper electrode 21 and the lower electrode 23 is 60 ° C., 90 ° C., and 110 ° C. The axis represents the etching rate (Å / min) and the horizontal axis represents the temperature (° C.) of the upper electrode and the lower electrode. As can be understood from this figure, the etching rate of the TiN film shows about 2000 (Å / min) when the temperature of the upper electrode and the lower electrode is 60 ° C., and about 2400 (Å / min) when the temperature of 90 ° C. Indicates. Moreover, when it is 110 degreeC, it shows about 3100 (min / min), and it turns out that an etching rate improves in proportion to a temperature rise. Therefore, it is presumed that no TiN film remains.
[0031]
<Second Embodiment>
The second embodiment is basically the same as the first embodiment. Here, the etching apparatus, etching method, etching conditions, and the like are the same as those in the first embodiment, but the film to be removed is a polysilicon film instead of the TiN film. Then, etching is performed on 50 semiconductor wafers under the conditions in Table 1 above, and the wafers are numbered from 1 to 50 in the order of etching, and

wafer numbers

1, 13, 25, 26, 38, and 50 are assigned. For six wafers, the change in etching rate and the uniformity of etching within the wafer surface were examined. FIG. 5 shows the result. In particular, FIG. 5A is a graph showing changes in the etching rate (） / min (min)) of six wafers, with the vertical axis representing the etching rate (Å / min (min)) and the horizontal axis. The wafer number is shown in FIG. FIG. 5B is a graph showing the uniformity of etching within the wafer surface. The vertical axis represents the uniformity (±%), and the horizontal axis represents the wafer number.
[0032]
FIG. 5A shows that the etching rate is in the range of 3400 to 3800 (ｍｉｎ / min) and does not decrease as the number of wafer processing increases. 5B shows that the uniformity is in the range of 4 to 6 (±%), and this also does not decrease as the number of wafer processing increases. Therefore, film residue hardly occurs on the wafer.
[0033]
Next, the result of examining the temperature dependence of the etching rate of the polysilicon film is shown in FIG. FIG. 6 is a graph showing changes in the etching rate of the polysilicon film of each wafer (sample) when the temperatures of the upper electrode 21 and the lower electrode 23 are 60 ° C., 90 ° C., and 110 ° C. The vertical axis represents the etching rate (Å / min), and the horizontal axis represents the temperature (° C.) of the upper electrode and the lower electrode. As can be understood from this figure, the etching rate of the polysilicon film shows about 3500 (Å / min) in both cases of the temperature of the upper electrode and the lower electrode, and it can be seen that the etching rate does not decrease as the temperature rises. . Therefore, it is presumed that no polysilicon film remains.
[0034]
<Third Embodiment>
The first embodiment is the same as the first embodiment in the etching apparatus, etching method, etching conditions, and the like. However, after the semiconductor wafer is transferred to the first and second processing chambers, the heater 31 and the heat exchanger 37 are transferred. The wafer was allowed to stand for 10 to 30 seconds after the operation of, to stabilize the wafer temperature. When an etching process was performed thereafter, the variation (uniformity) in the etching rate within the wafer surface was improved. For example, when the uniformity was ± 13.8% when the wafer was not left, the uniformity was ± 5.2% when etching was performed under exactly the same conditions except that the wafer was left. . Therefore, it was found that the uniformity is improved when the wafer temperature is stabilized.
[0035]
Since other parts are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof is omitted.
[0036]
Obviously, the present invention is not limited to the first, second and third embodiments described above. For example, although an etching apparatus having two vacuum processing chambers is used here, the number of vacuum processing chambers may be one. Here, the temperature adjusting means in the vacuum processing chamber and the temperature adjusting means of the upper and lower electrodes are different from each other, but they may be the same or different from each other. For example, all temperature control means may be temperature control means consisting of a heater, temperature sensor, and temperature controller, and all temperature control means may be temperature control means consisting of a heat exchanger, a heat medium circuit, and a temperature sensor. good.
[0037]
In this case, one heat exchanger is shared in the temperature adjusting means for the upper electrode and the lower electrode, but they may be used independently. In addition, when the temperature control means in the upper electrode, the lower electrode, and the vacuum processing chamber are all the heat exchanger, the heat medium circuit, and the temperature sensor, even if one heat exchanger is shared, You may use each independently.
[0038]
【The invention's effect】
As is apparent from the above description, according to the dry etching method of the present invention, the vaporization of the reaction product generated during the etching is promoted, and particles caused by the reaction product are formed on the surface of the vacuum processing chamber and the material to be etched. It is possible to prevent the adhesion with a further effect. Further, by stabilizing the wafer temperature, the variation in the etching rate within the wafer surface is improved and the uniformity is improved.
[0039]
Therefore, there is little fear of the film residue of the material to be etched, and etching can be performed with high processing accuracy.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a dry etching apparatus.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a vacuum processing chamber.
FIG. 3A is a graph showing changes in the etching rate of TiN films of six wafers, and FIG. 3B is a graph showing etching uniformity within the wafer surface.
FIG. 4 is a graph showing the temperature dependence of the etching rate of the TiN film.
FIG. 5A is a graph showing changes in the etching rate of polysilicon films of six wafers, and FIG. 5B is a graph showing etching uniformity within the wafer surface.
FIG. 6 is a graph showing temperature dependence of an etching rate of a polysilicon film.
[Explanation of symbols]
10: dry etching apparatus 11: first

preliminary chamber

13, 17a, 17b: valve 15: second preliminary chamber 20a: first vacuum processing chamber 20b: second vacuum processing chamber 21: upper electrode 23: lower electrode 25: high frequency power source 27: Ground 29: Side wall 30: First temperature adjusting means 31: Heater 33: First temperature sensor 35: Temperature controller 37: Heat exchanger (chiller)
39a: first heat medium circulation path 39b: second heat medium circulation path 40a: second temperature adjustment means 40b: third temperature adjustment means 41a: second temperature sensor 41b: third temperature sensor

Claims

第１予備室と、該第１予備室と第１バルブを介して接続された第２予備室と、該第２予備室と第２バルブを介して接続されていて上部電極および下部電極を具えた真空処理室とを有するドライエッチング装置内で、被エッチング材に対してドライエッチングを行うドライエッチング方法において、
大気圧になっている前記第１予備室に、前記被エッチング材が形成されている半導体ウエハを搬送する工程と、
前記半導体ウエハが搬送された前記第１予備室内を真空引きする工程と、
前記第１バルブを開口し、前記第１予備室から、予め真空状態である前記第２予備室に前記半導体ウエハを搬入する工程と、
前記第２バルブを開口し、前記第２予備室から、予め真空状態である前記真空処理室に前記半導体ウエハを搬送する工程と、
前記真空処理室の内部、前記上部電極及び前記下部電極を加熱する加熱工程と、
共通の熱交換器から供給される熱媒体を同時に前記上部電極及び前記下部電極に供給することにより、前記上部電極及び前記下部電極の温度を調節しながら前記被エッチング材に対してドライエッチングを行うドライエッチング処理工程とを含み、
前記ドライエッチング処理工程は、前記加熱工程の開始から１０秒から３０秒経過した後に行う
ことを特徴とするドライエッチング方法。A first auxiliary chamber; a second auxiliary chamber connected to the first auxiliary chamber via a first valve; and an upper electrode and a lower electrode connected to the second auxiliary chamber via a second valve. In a dry etching method for performing dry etching on a material to be etched in a dry etching apparatus having a vacuum processing chamber,
Transferring the semiconductor wafer on which the material to be etched is formed to the first preliminary chamber which is at atmospheric pressure;
Evacuating the first preliminary chamber in which the semiconductor wafer is transferred;
Opening the first valve, and carrying the semiconductor wafer from the first preliminary chamber into the second preliminary chamber in a vacuum state in advance;
Opening the second valve and transferring the semiconductor wafer from the second preliminary chamber to the vacuum processing chamber in a vacuum state in advance;
A heating step of heating the inside of the vacuum processing chamber, the upper electrode and the lower electrode;
By simultaneously supplying the heat medium supplied from a common heat exchanger to the upper electrode and the lower electrode, dry etching is performed on the material to be etched while adjusting the temperature of the upper electrode and the lower electrode. look including a dry etching process,
The dry etching method, wherein the dry etching treatment step is performed after 10 to 30 seconds have elapsed from the start of the heating step .

請求項１に記載のドライエッチング方法において、前記加熱工程では、前記真空処理室の側壁に埋め込まれた温度センサーにより前記真空処理室の内部の加熱を制御することを特徴とするドライエッチング方法。 2. The dry etching method according to claim 1, wherein in the heating step, heating in the vacuum processing chamber is controlled by a temperature sensor embedded in a side wall of the vacuum processing chamber.

請求項１または２に記載のドライエッチング方法において、前記加熱工程では、前記真空処理室の側壁に埋め込まれたヒーターにより前記真空処理室の内部の加熱を行うことを特徴とするドライエッチング方法。 3. The dry etching method according to claim 1, wherein, in the heating step, the inside of the vacuum processing chamber is heated by a heater embedded in a side wall of the vacuum processing chamber.

請求項１ないし３のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、前記ドライエッチング処理工程において、前記上部電極には高周波電圧を印加することを特徴とするドライエッチング方法。In the dry etching method according to any one of claims 1 to 3, in the dry etching process, a dry etching method characterized by applying a high frequency voltage to the upper electrode.

請求項１ないし４のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、前記被エッチング材は、半導体ウエハ上に形成された窒化チタンであることを特徴とするドライエッチング方法。In the dry etching method according to any one of claims 1 to 4, wherein the material to be etched is dry etching method which is a titanium nitride formed on a semiconductor wafer.

請求項１ないし４のいずれか一項に記載のドライエッチング方法において、前記被エッチング材は、半導体ウエハ上に形成されたポリシリコン膜であることを特徴とするドライエッチング方法。In the dry etching method according to any one of claims 1 to 4, wherein the material to be etched is dry etching method, which is a polysilicon film formed on a semiconductor wafer.