JP2008312038A - 光送信機 - Google Patents

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Abstract

【課題】光送信モジュールを複数搭載する場合であっても、小型化及び低消費電力化を図ることができる光送信機を提供する。
【解決手段】光送信機1では、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cにおける各ペルチェ素子14が、ペルチェ素子制御回路20に対して直列接続されている。これにより、個々のペルチェ素子14のインピータンスが低いとしても、ペルチェ素子制御回路20の負荷抵抗を十分に大きくでき、回路の損失を減少させることができる。したがって、光送信機1では、ペルチェ素子制御回路20の電力変換効率の向上が図られる結果、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cを搭載する場合であっても、低消費電力化を実現できる。また、この光送信機1では、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cに一のペルチェ素子制御回路20を対応させているので、装置の大型化も回避できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、主として光通信に用いられる温度制御型の光送信機に関する。
光通信の分野では、光送信モジュールを複数搭載し、波長多重通信に使用される光送信機が知られている。この種の光送信機においては、光送信モジュールに内蔵される発光素子の温度を目標温度に維持するため、ペルチェ素子といった電子冷却素子を用いた温度制御がなされている。例えば特許文献1及び2には、かかる電子冷却素子を制御する制御回路が開示されている。
特開平7−288351号公報 特開平10−335724号公報
しかしながら、光送信モジュールを複数搭載する光送信機に対し、上述した従来の電子冷却素子の制御回路を光送信モジュールごとに適用すると、多数の構成物品を配置するための大きな実装領域が必要となり、光送信機が大型化してしまうという問題がある。
また、特許文献2にも記載があるように、一般には、光送信モジュールに内蔵される電子冷却素子の抵抗値は1Ω程度、制御電流は−1A〜1A程度となっている。したがって、電子冷却素子の制御回路に接続される例えば5V(又は3.3V)の電源電圧から、電子冷却素子に印加する1V以下の電圧を生成するのでは、十分な電力変換効率が得られない。このことは、光送信モジュールを複数搭載する光送信機においては、低消費電力化という観点で看過できないものである。
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、光送信モジュールを複数搭載する場合であっても、小型化及び低消費電力化を図ることができる光送信機を提供することを目的とする。
上記課題の解決のため、本発明者らは、鋭意研究を重ねていく過程で、電子冷却素子の制御回路における電力変換効率の負荷依存性に着目した。ここで、図4は、特許文献2に記載の温度制御回路と同様の構成にて、温度制御回路の負荷抵抗を変えたときの電力変換効率を測定した結果を示す図である。同図に示す結果から、温度制御回路の負荷抵抗が大きい場合の方が温度制御回路の損失が減り、電力変換効率が向上することが分かった。
この結果を受け、本発明者らは、電子冷却素子を内蔵している光送信モジュールと温度制御回路との接続に工夫を加えれば、当該光送信モジュールを複数搭載する場合であっても、小型化及び低消費電力化を図ることができるとの知見を得て、本発明に想到するに至った。
本発明に係る光送信機は、光信号を出力する発光素子、当該発光素子の温度を調整する電子冷却素子、及び発光素子の温度を検出する温度検出素子を備えた複数の光送信モジュールと、各光送信モジュールの電子冷却素子に電流を供給して各電子冷却素子の吸熱・発熱を制御する素子制御手段と、各光送信モジュールの温度検出素子から出力される温度検出信号の出力値に基づいて、素子制御手段から該電子冷却素子に供給される電流量を決定する電流量決定手段とを備え、電子冷却素子は、素子制御手段に対して直列接続されていることを特徴としている。
この光送信機では、複数の光送信モジュールにおける各電子冷却素子が、素子制御手段に対して直列接続されている。したがって、素子制御手段における負荷抵抗が十分に大きくなり、電力変換効率を向上させることが可能となる。これにより、光送信モジュールを複数搭載する場合であっても、低消費電力化を実現できる。また、この光送信機では、上記の接続により、複数の光送信モジュールに対応させて複数の素子制御手段を設ける必要がないため、大型化も回避できる。
また、電流量決定手段は、発光素子の目標温度をTとし、温度検出素子から出力される温度検出信号の最大値をA、最小値をBとした場合に、(A+B)/2=Tを満たすように電子冷却素子に供給する電流量を決定することが好ましい。こうすると、発光素子の温度と目標温度との解離を最小化できる。
また、光送信モジュールごとに設けられ、電子冷却素子をバイパスするように電子冷却素子の入出力端子間を電気的に接続するバイパス手段と、温度検出素子から出力される温度検出信号の出力値に基づいて、バイパス手段に流れる電流量を個別に制御するバイパス制御手段とを更に備えたことが好ましい。この場合、電流量決定手段とバイパス制御手段との協働によって、発光素子の温度をより精度良く調整することが可能となる。
本発明に係る光送信機によれば、光送信モジュールを複数搭載する場合であっても、小型化及び低消費電力化を図ることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明に係る光送信機の好適な実施形態について詳細に説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明の第1実施形態に係る光送信機の構成を示す図である。図1に示すように、光送信機1は、例えば波長多重方式の光通信システムに組み込まれる装置であり、複数(本実施形態では3つ)の光送信モジュール10(10A,10B,10C)と、ペルチェ素子制御回路(素子制御手段)20とを備えて構成されている。
各光送信モジュール10A,10B,10Cは、レーザダイオード(発光素子)11と、TEC(Thermo Electric Control)回路12と、サーミスタ(温度検出素子)13とをそれぞれ備えている。レーザダイオード11は、所定の送信先に対して送信する光信号を出力する素子である。レーザダイオード11は、駆動回路からの電流供給を受けて所定波長の光信号を出力する。各光送信モジュール10のレーザダイオード11は、それぞれ異なる波長の光信号を出力するようになっている。
TEC回路12は、ペルチェ素子(電子冷却素子)14を有しており、ペルチェ素子14への入出力を行うための端子16A,17A、端子16B,17B、端子16C,17Cを有している。ペルチェ素子14は、これらの端子を介してペルチェ素子制御回路20から供給されるTEC駆動電流に応じて吸熱・発熱を行い、これにより、レーザダイオード11の温度を昇温・降温させる。
各光送信モジュール10A,10B,10Cの各ペルチェ素子14は、ペルチェ素子制御回路20に対して直列接続されている。すなわち、光送信モジュール10AのTEC回路12の一方の端子16Aは、ペルチェ素子制御回路20の一方の端子20aに電気的に接続され、光送信モジュール10AのTEC回路12の他方の端子17Aは、光送信モジュール10BのTEC回路12の一方の端子16Bに電気的に接続されている。
また、光送信モジュール10BのTEC回路12の他方の端子17Bは、光送信モジュール10CのTEC回路12の一方の端子16Cに電気的に接続され、光送信モジュール10CのTEC回路12の他方の端子17Cは、ペルチェ素子制御回路の他方の端子20bに電気的に接続されている。サーミスタ13は、レーザダイオード11の近傍に配置されている。サーミスタ13は、レーザダイオード11の温度を検出し、この検出結果を表す温度検出信号をペルチェ素子制御回路20に出力する。
ペルチェ素子制御回路20は、光送信モジュール10A,10B,10Cの各ペルチェ素子14の動作を制御する回路であり、例えば5Vの電源電圧に接続されている。また、ペルチェ素子制御回路20は、機能的な構成要素として、電流量決定部(電流量決定手段)21を有している。電流量決定部21は、サーミスタ13から出力される温度検出信号に基づいて、ペルチェ素子制御回路20に対して直列接続された各ペルチェ素子14に供給する電流量を決定する部分である。
より具体的には、電流量決定部21は、各レーザダイオード11における目標温度をTとし、各サーミスタ13から出力される温度検出信号の最大値をA、最小値をBとした場合に、(A+B)/2=Tを満たすように各ペルチェ素子14に供給する電流量を決定する。ペルチェ素子制御回路20は、電流量決定部21によって決定された量の電流を各ペルチェ素子14に供給する。
このように、光送信機1では、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cにおける各ペルチェ素子14が、ペルチェ素子制御回路20に対して直列接続されている。これにより、個々のペルチェ素子14のインピータンスが低いとしても、ペルチェ素子制御回路20の負荷抵抗は、十分に大きなものとなる。図4にも示したように、ペルチェ素子制御回路20の負荷抵抗が大きい場合、回路の損失が減り、ペルチェ素子制御回路20の電力変換効率を向上させることが可能となる。
ここで、図5に示すように、比較例に係る光送信機100において、光送信モジュール10A,10B,10Cに対応させて、ペルチェ素子制御回路20A,20B,20Cをそれぞれ設ける場合、各ペルチェ素子14の抵抗値を1Ωとし、制御電流を1Aとすると、各ペルチェ素子制御回路20A,20B,20Cの負荷抵抗は、それぞれ1Ωとなる。この場合、ペルチェ素子制御回路20A,20B,20Cに接続される電源電圧を5Vとすれば、各ペルチェ素子制御回路20A,20B,20Cは、5Vの電源電圧から1Vの電圧を生成するDC電圧変換回路と等価となる。
これに対し、本実施形態に係る光送信機1では、各ペルチェ素子14の抵抗値を1Ωとし、制御電流を1Aとすると、3つのペルチェ素子14が直列接続されたペルチェ素子制御回路20の負荷抵抗は3Ωとなる。したがって、ペルチェ素子制御回路20に接続される電源電圧を5Vとすれば、ペルチェ素子制御回路20は、5Vの電源電圧から3Vの電圧を生成するDC電圧変換回路と等価となり、上述した比較例のように、3つのペルチェ素子制御回路20A,20B,20Cを配置する場合に比べて、ペルチェ素子制御回路20の電力変換効率の向上が図られる。
したがって、光送信機1では、ペルチェ素子制御回路20の電力変換効率の向上が図られる結果、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cを搭載する場合であっても、低消費電力化を実現できる。また、この光送信機1では、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cに一のペルチェ素子制御回路20を対応させているので、装置の大型化も回避できる。
さらに、光送信機1では、電流量決定部21は、レーザダイオード11の目標温度をTとし、各サーミスタ13から出力される温度検出信号の最大値をA、最小値をBとした場合に、(A+B)/2=Tを満たすようにペルチェ素子14に供給する電流量を決定する。このような処理により、レーザダイオード11の温度と目標温度Tとの解離を最小化できる。
[第2実施形態]
続いて、本発明の第2実施形態に係る光送信機について説明する。図2は、本発明の第2実施形態に係る光送信機の構成を示す図である。図2に示す光送信機31は、光送信モジュール10A,10B,10Cごとにバイパス回路(バイパス手段)40がそれぞれ設けられている点で第1実施形態に係る光送信機1と異なっている。
すなわち、光送信機31では、光送信モジュール10A,10B,10Cにおいて、ペルチェ素子14をバイパスするようにTEC回路12の
入出力端子16A,17A間、16B,17B間、及び16C,17C間を電気的に接続するバイパス回路40がそれぞれ設けられている。また、ペルチェ素子制御回路20には、更なる機能的な構成要素として、バイパス制御部(バイパス制御手段)22が設けられている。
バイパス回路40は、図3に示すように、電子制御スイッチ41と、抵抗体42と、一対のローパスフィルタ43,43とによって構成されている。電子制御スイッチ41は、例えばリレースイッチであり、バイパス制御部22からのスイッチ制御用パルス信号を受けてオン・オフの切り替えがなされる。電子制御スイッチ41は、パルス幅変調又はパルスカウント変調により、スイッチング時間の微調整が可能となっている。
抵抗体42は、電子制御スイッチ41の一方側に接続されている。抵抗体42の抵抗値は、例えば0Ω〜50Ωの間に設定されている。ローパスフィルタ43,43は、電子制御スイッチ41及び抵抗体42を挟むようにして接続されている。ローパスフィルタ43,43により、電子制御スイッチ41がスイッチングを行う際に発生する高周波のノイズ成分(スイッチング雑音)を除去できる。
バイパス制御部22は、サーミスタ13から出力される温度検出信号に基づいて、各バイパス回路40に流れる電流量を個別に制御する部分である。バイパス制御部22は、温度検出信号が示すいずれかのレーザダイオード11の温度が目標温度Tを外れ、ペルチェ素子制御回路20による制御が過制御となっている光送信モジュール10が存在する場合には、その光送信モジュール10に設けられているバイパス回路40に対してスイッチ制御用パルス信号を出力する。これにより、ペルチェ素子制御回路20から流れる電流の一部がペルチェ素子14を迂回することとなり、レーザダイオード11の温度が目標温度Tに近づくように調整がなされる。
このような光送信機31においても、第1実施形態と同様に、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cの各ペルチェ素子14が、ペルチェ素子制御回路20に対して直列接続されている。したがって、ペルチェ素子制御回路20の電力変換効率の向上が図られる結果、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cを搭載する場合であっても、低消費電力化を実現できる。また、この光送信機31においても、複数の光送信モジュール10A,10B,10Cに一のペルチェ素子制御回路20を対応させているので、装置の大型化も回避できる。
また、この光送信機31では、電流量決定部21によって決定された量の電流が各光送信モジュール10A,10B,10Cの各ペルチェ素子14に供給され、各レーザダイオード11の温度が目標温度Tに近づくように一律に調整される。そして、温度検出信号が示すいずれかのレーザダイオード11の温度が目標温度Tを外れ、ペルチェ素子制御回路20による制御が過制御となっている光送信モジュール10がある場合には、ペルチェ素子制御回路20から流れる電流の一部をバイパス回路40に迂回させることで、レーザダイオード11の温度が個別に調整される。これにより、光送信機31では、レーザダイオード11の温度をより精度良く目標温度Tに調整することが可能となる。
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えばバイパス回路40において、電子制御スイッチ41はトランジスタ等を用いてもよく、電子制御スイッチ41の制御信号は、DCであってもよい。また、ローパスフィルタ43,43は、いずれか一方のみを配置するようにしてもよい。
本発明の第1実施形態に係る光送信機の構成を示す図である。 本発明の第2実施形態に係る光送信機の構成を示す図である。 バイパス回路の構成を示す図である。 従来の構成において、温度制御回路の負荷抵抗を変えたときの電力変換効率を測定した結果を示す図である。 比較例に係る光送信機の構成を示す図である。
符号の説明
1,31…光送信機、10A,10B,10C…光送信モジュール、11…レーザダイオード(発光素子)、13…サーミスタ(温度検出素子)、14…ペルチェ素子(電子冷却素子)、16A〜16C,17A〜17C…入出力端子、20…ペルチェ素子制御回路(素子制御手段)、21…電流量決定部(電流量決定手段)、22…バイパス制御部(バイパス制御手段)、40…バイパス回路(バイパス手段)。

Claims (3)

  1. 光信号を出力する発光素子、当該発光素子の温度を調整する電子冷却素子、及び前記発光素子の温度を検出する温度検出素子を備えた複数の光送信モジュールと、
    各光送信モジュールの前記電子冷却素子に電流を供給して前記各電子冷却素子の吸熱・発熱を制御する素子制御手段と、
    各光送信モジュールの前記温度検出素子から出力される温度検出信号の出力値に基づいて、前記素子制御手段から該電子冷却素子に供給される電流量を決定する電流量決定手段とを備え、
    前記電子冷却素子は、前記素子制御手段に対して直列接続されていることを特徴とする光送信機。
  2. 前記電流量決定手段は、
    前記発光素子の目標温度をTとし、前記温度検出素子から出力される前記温度検出信号の最大値をA、最小値をBとした場合に、(A+B)/2=Tを満たすように前記電子冷却素子に供給する電流量を決定することを特徴とする請求項1記載の光送信機。
  3. 前記光送信モジュールごとに設けられ、前記電子冷却素子をバイパスするように前記電子冷却素子の入出力端子間を電気的に接続するバイパス手段と、
    前記温度検出素子から出力される前記温度検出信号の出力値に基づいて、前記バイパス手段に流れる電流量を個別に制御するバイパス制御手段とを更に備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の光送信機。

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194876A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Ntt Electornics Corp 低電力化波長選択装置
US20200295535A1 (en) * 2017-12-15 2020-09-17 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9515738B2 (en) * 2013-12-17 2016-12-06 Hisense Broadband Multimedia Technologies Co., Ltd. Optical module
JP6655310B2 (ja) 2015-07-09 2020-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN105007122A (zh) * 2015-07-17 2015-10-28 博为科技有限公司 一种基于帕尔贴制冷与制热效应的光收发装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335724A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Kyocera Corp 半導体レーザーの温度制御回路
JP2000232251A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Nec Corp 電子冷却装置
JP2002305275A (ja) * 2001-02-01 2002-10-18 Nec Corp 温度分布均一化電子冷却装置
JP2005521233A (ja) * 2001-07-06 2005-07-14 インテル・コーポレーション 波長可変レーザの制御システム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5920583A (en) * 1994-02-22 1999-07-06 Lucent Technologies Inc. Dual laser with thermoelectric cooling
JPH07288351A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Fujitsu Ltd ペルチェ制御回路及びその素子構造
US7236507B2 (en) * 2002-11-08 2007-06-26 Finisar Corporation Time-based adjustment of temperature control of laser to stabilize wavelengths
US6922423B2 (en) * 2003-04-11 2005-07-26 Robert L. Thornton Control system for a semiconductor laser
US7664150B2 (en) * 2006-01-24 2010-02-16 Nlight Photonics Corporation Diode laser electrical isolation system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335724A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Kyocera Corp 半導体レーザーの温度制御回路
JP2000232251A (ja) * 1999-02-09 2000-08-22 Nec Corp 電子冷却装置
JP2002305275A (ja) * 2001-02-01 2002-10-18 Nec Corp 温度分布均一化電子冷却装置
JP2005521233A (ja) * 2001-07-06 2005-07-14 インテル・コーポレーション 波長可変レーザの制御システム

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009194876A (ja) * 2008-02-18 2009-08-27 Ntt Electornics Corp 低電力化波長選択装置
US20200295535A1 (en) * 2017-12-15 2020-09-17 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same
US11764542B2 (en) * 2017-12-15 2023-09-19 Horiba, Ltd. Semiconductor laser device, and method and program for driving the same

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Publication number Publication date
US7830933B2 (en) 2010-11-09
US20090086776A1 (en) 2009-04-02

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