JP2008311362A - セラミック電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】はんだ濡れ性、耐はんだ喰われ性、耐衝撃性、及び、熱サイクル環境下での接続信頼性に優れた外部電極を備えるセラミック電子部品を提供すること。
【解決手段】積層チップバリスタは、バリスタ素体11と、バリスタ素体11に配置された外部電極51と、を備えている。外部電極51は、第1の電極層51aと、第2の電極層51bとを有している。第1の電極層51aは、バリスタ素体11の外表面上に形成され、Ag及びガラス物質を含んでいる。第2の電極層51bは、第1の電極層51a上に形成され、Ptを含むと共に複数箇所において第1の電極層51aに至る孔53cが形成されている。
【選択図】図6
【解決手段】積層チップバリスタは、バリスタ素体11と、バリスタ素体11に配置された外部電極51と、を備えている。外部電極51は、第1の電極層51aと、第2の電極層51bとを有している。第1の電極層51aは、バリスタ素体11の外表面上に形成され、Ag及びガラス物質を含んでいる。第2の電極層51bは、第1の電極層51a上に形成され、Ptを含むと共に複数箇所において第1の電極層51aに至る孔53cが形成されている。
【選択図】図6
Description
本発明は、セラミック素体を備えるセラミック電子部品に関する。
セラミック電子部品として、セラミック素体と、当該セラミック素体に配置された外部電極と、を備えているものが知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載されたセラミック電子部品では、外部電極は、Agを主体とした電極ペーストをセラミック素体に塗布して、当該電極ペースと焼き付けることにより形成されている。
特開2002−246207号公報
本発明は、はんだ濡れ性、耐はんだ喰われ性、耐衝撃性、及び、熱サイクル環境下で接続信頼性に優れた外部電極を備えるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
本発明者等は、はんだ濡れ性、耐はんだ喰われ性、耐衝撃性、及び、熱サイクル環境下での接続信頼性に優れた外部電極について鋭意研究を行った結果、以下のような事実を見出した。
セラミック素体に金属粉末及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより外部電極を形成する場合、ガラス粉末が軟化して溶融したガラス物質により、外部電極の内側(セラミック素体側)にガラス相と金属相とが混在した領域が形成されることとなる。ガラス相と金属相とが混在した領域では、セラミック素体の外表面に付着したガラス物質がアンカー的な機能を果たし、セラミック素体と外部電極との接続強度が高くなり、耐衝撃性が向上する。
導電性ペーストに含まれる金属粉末をAg粉末とした場合、外部電極に含まれるAgがはんだに濡れ易いことから、はんだ濡れ性が向上する。しかしながら、外部電極がAgを含んでいる場合、外部電極に含まれるAgが溶融したはんだに溶け出して外部電極が部分的に消失する、すなわちはんだ喰われが生じ、耐はんだ喰われ性が悪化してしまう。
導電性ペーストに含まれる金属粉末をPt粉末とした場合、外部電極に含まれるPtがはんだに濡れ易いことから、はんだ濡れ性が向上する。また、外部電極に含まれるPtが溶融したはんだに溶け出すようなことはなく、耐はんだ喰われ性も向上する。しかしながら、外部電極がPtを含んでいる場合、熱サイクル環境下にて、はんだと外部電極との間にクラックが生じ、はんだと外部電極との物理的及び電気的接続を損ない、接続信頼性が低下してしまう。
はんだと外部電極との間にクラックが生じる事象は、以下の通りと考えられる。はんだと外部電極とか接すると、はんだと外部電極との界面近傍(はんだと外部電極との接合部)に、はんだに含まれるSnと外部電極に含まれるPtにより金属間化合物が形成される。このSnとPtとの金属間化合物は、結晶構造的に見てダルトナイド(Daltoniode)型の金属間化合物であり、一般に、硬くて脆い性質を有している。このため、熱サイクルに伴う繰り返し応力が作用すると、SnとPtとの金属間化合物が存在する上記接合部にクラックが生じてしまう。
ところで、外部電極がPtの代わりにAgを含んでいる場合、はんだと外部電極が接すると、はんだに含まれるSnと外部電極に含まれるAgによりSnとAgとの金属間化合物が上記接合部に形成されることとなる。このSnとAgとの金属間化合物は、ベルトライド(Berthollide)型の金属間化合物であり、一般に、柔らかくて延性を有するという性質を有しているので、上記接合部にクラックの発生を抑制することが可能となる。
また、PtとAgとの金属間化合物も、ベルトライド型の金属間化合物であり、SnとAgとの金属間化合物と同様に、柔らかく延性を有している。
かかる研究結果を踏まえ、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に配置された外部電極と、を備えており、外部電極は、セラミック素体の外表面上に形成され、Ag及びガラス物質を含む第1の電極層と、第1の電極層上に形成され、Ptを含むと共に複数箇所において第1の電極層に至る孔が形成された第2の電極層と、を有していることを特徴とする。
本発明に係るセラミック電子部品では、外部電極の第1の電極層がガラス物質を含んでいるので、セラミック素体と外部電極(第1の電極層)との接続強度が高くなり、外部電極の耐衝撃性が向上する。また、第2の電極層がPtを含んでいるので、外部電極のはんだ濡れ性及び耐はんだ喰われ性が向上する。
ところで、第2の電極層には、複数箇所において第1の電極層に至る孔が形成されている。このため、第2の電極層上にはんだを付着させて当該はんだを溶融させた場合、溶融したはんだは、第2の電極層に形成された孔を通って第1の電極層に至り、当該第1の電極層に接する。はんだが第1の電極層と接すると、はんだと第1の電極層との界面近傍に、はんだに含まれるSnと第1の電極層に含まれるAgとの金属間化合物が形成されることとなる。したがって、熱サイクル環境下において、はんだと外部電極(第1の電極層)との間でクラックが生じるようなことはなく、外部電極の接続信頼性が向上する。
また、本発明では、第1の電極層がAgを含み、第2の電極層がPtを含んでいるので、第1の電極層と第2の電極層との界面近傍に、PtとAgとの金属間化合物が形成されることとなる。したがって、熱サイクル環境下において、第1の電極層と第2の電極層との間でクラックが生じるようなことはなく、外部電極の接続信頼性が向上する。
好ましくは、第2の電極層上に形成されると共に、はんだからなる突起状電極を更に備えている。
好ましくは、セラミック素体内に配置され、Pdを含むと共に第1の電極層と接続される内部電極を更に備えており、第1の電極層は、Pdを更に含んでいる。
内部電極がPdを含み、第1の電極層がAgを含んでいる場合、AgがPdに拡散する速度とPdがAgに拡散する速度とが異なることにより、内部電極がセラミック素体の外表面から大きく突き出すように伸びてしまう。このように、内部電極がセラミック素体の外表面から突き出すと、セラミック素体と第1の電極層との密着性が低下し、セラミック素体と第1の電極層との接続強度が低下してしまう懼れがある。これに対して、第1の電極層がPdを含んでいると、内部電極がセラミック素体の外表面から突き出すのが抑制され、セラミック素体と第1の電極層との接続強度の低下を防ぐことができる。
好ましくは、第1の電極層は、Ag粉末及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。
好ましくは、第2の電極層は、Pt粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。
本発明によれば、はんだ濡れ性、耐はんだ喰われ性、耐衝撃性、及び、熱サイクル環境下での接続信頼性に優れた外部電極を備えるセラミック電子部品を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
(第1実施形態)
図1及び図2は、第1実施形態に係る積層チップバリスタの構成を示す斜視図である。また、図3は、図1におけるIII−III線に沿う断面構成を示す図であり、図4は、図3におけるIV−IV線に沿う断面構成を示す図である。図5は、図4におけるV−V線に沿う断面構成を示す図である。
図1及び図2は、第1実施形態に係る積層チップバリスタの構成を示す斜視図である。また、図3は、図1におけるIII−III線に沿う断面構成を示す図であり、図4は、図3におけるIV−IV線に沿う断面構成を示す図である。図5は、図4におけるV−V線に沿う断面構成を示す図である。
図1〜図5に示す積層チップバリスタMV1は、特にノートパソコンや携帯電話機などの小型電子機器に対する高密度実装への要求を満足すべく、実装面側に設けたハンダバンプをリフローすることによって実装基板(図示せず)に実装する、いわゆるBGA(ボールグリッドアレイ)パッケージ対応タイプのバリスタ素子である。
同図に示すように、積層チップバリスタMV1は、略直方体形状のバリスタ素体11と、2つの接続導体41と、4つの外部電極51と、突起状電極53を備えている。バリスタ素体11は、外表面として、互いに対向する一対の主面13,15を有している。各接続導体41は、バリスタ素体11の一方の主面13上に配置されている。各外部電極51は、バリスタ素体11の他方の主面15上に配置されている。主面15は、積層チップバリスタMV1が実装される面に対向する面となる。バリスタ素体11の外表面のうち接続導体41及び外部電極51から露出している部分は、絶縁保護層(不図示)にて覆われている。絶縁保護層は、グレーズガラス(例えば、SiO2、ZnO、B、Al2O3等からなるガラス等)を付着させ、所定温度にて焼き付けることにより形成することができる。
バリスタ素体11は、電圧非直線特性(以下、「バリスタ特性」と称する)を有する複数のバリスタ層が積層された積層体として構成され、例えば縦1mm、横1mm、厚さ0.5mmに設定されている。実際の積層チップバリスタMV1では、複数のバリスタ層は、互いの境界が視認できない程度に一体化されている。バリスタ素体11は、半導体セラミックにて構成されるセラミック素体である。
バリスタ層は、1層当たりの厚さが例えば5〜60μmとなっている。バリスタ層は、ZnOを主成分とし、副成分として希土類元素であるPrと、アルカリ土類金属元素であるCaとを含んでいる。バリスタ層は、他の副成分として例えばCo、Cr,Si,K、Alなどを含んでいる。各バリスタ層におけるZnOの含有量は特に限定されないが、好ましくは、バリスタ層全体の材料を100原子量%とした場合、69.0原子量%〜99.8原子量%とされる。
このようなバリスタ素体11の内部には、4対の内部電極対21が2行×2列のマトリクス状に配置されている。各内部電極対21は、略矩形状をなす第1の内部電極23及び第2の内部電極33によって構成され、例えば厚さ0.5〜5μmに設定されている。第1の内部電極23は、バリスタ層の面内方向に延在しており、第1の内部電極23の一端は、バリスタ素体11の主面13に露出し、第1の内部電極23の他端は、バリスタ素体11の主面15から所定の距離だけ内側に位置している。
第2の内部電極33は、第1の内部電極23と略平行に配置されており、第2の内部電極33の一端は、バリスタ素体11の主面15に露出し、第2の内部電極33の他端は、バリスタ素体11の主面13から所定の距離だけ内側に位置している。すなわち、図3及び図5に示すように、第1の内部電極23と第2の内部電極33とは、バリスタ素体11の側面側から見て互い違いに配置されており、その略半分の領域が互いに対向した状態となっている。
第1の内部電極23と第2の内部電極33との間には、少なくとも一層のバリスタ層が介在しており、第1の内部電極23と第2の内部電極33とは、互いに電気的に絶縁されている。第1の内部電極23と第2の内部電極33とは、Pdを主成分としており、副成分として例えばAgを含んでいる。
接続導体41は、図1及び図3に示すように、例えば長辺0.8mm、短辺0.4mmの略長方形状をなし、バリスタ素体11の主面13側に配置されている。各接続導体41は、4つの内部電極対21のうち、バリスタ層の積層方向に並んで位置する2つの内部電極対21の第1の内部電極23がバリスタ素体11の主面13に露出した部分を覆っている。これにより、上述した第1の内部電極23,23同士は、接続導体41を介して互いに電気的に接続されている。
接続導体41は、金属とガラス物質とを含んでいる。接続導体41は、金属として、Ag及びPdを含んでいる。接続導体41は、金属粉末(Ag−Pd合金粉末)及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。第1の電極層51aの厚みは、例えば1〜20μmである。
外部電極51は、図2及び図4に示すように、例えば一辺が0.4mmの略正方形状をなし、内部電極対21に対応するように、2行×2列のマトリクス状にバリスタ素体11の主面15側に配置されている。各外部電極51は、内部電極対21の第2の内部電極33がバリスタ素体11の主面15に露出した部分をそれぞれ覆っている。これにより、外部電極51と第2の内部電極33とは、互いに電気的に接続されている。
外部電極51は、図6にも示されるように、第1の電極層51aと第2の電極層51bとを有している。図6は、外部電極及び突起状電極の構成を説明するための模式図である。
第1の電極層51aは、バリスタ素体11の主面15上に形成されており、金属及びガラス物質を含んでいる。第1の電極層51aは、金属として、Ag及びPdを含んでいる。第1の電極層51aは、金属粉末(Ag−Pd合金粉末)及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。第1の電極層51aの厚みは、例えば1〜20μmである。
第2の電極層51bは、第1の電極層51a上に形成されており、Ptを含んでいる。第2の電極層51bは、Pt粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。第2の電極層51bは、ガラス物質を含んでいてもよい。第2の電極層51bには、複数箇所において第1の電極層51aに至る孔51cが形成されている。図2及び図3に示すように、第2の電極層51bの裏側の略中央部分には、半球状の突起状電極53が形成される電極形成部52がそれぞれ設けられている。第2の電極層51bの厚みは、第1の電極層51aの厚みよりも薄く、例えば0.1〜5μmである。第2の電極層51bは、導電性ペーストの焼き付け以外にも、蒸着法やめっき法によっても形成することができる。
突起状電極53は、Snを含むはんだからなり、外部電極51(第2の電極層51b)上に配置されている。突起状電極53は、第2の電極層51bと電気的且つ物理的に接続されている。また、突起状電極53は、第2の電極層51bに形成された各孔51cを通して、第1の電極層51aとも電気的且つ物理的に接続されている。はんだは、いわゆる鉛フリーはんだであって、例えば、Sn−Ag−Cu系のはんだや、Sn−Zn系のはんだ等である。
突起状電極(いわゆる、バンプ電極)53は、印刷法により形成することができる。すなわち、はんだペーストを、第2の電極層51bの電極形成部52に対応する開口が形成されたメタルマスクを用いて、第2の電極層51bの電極形成部52上にスクリーン印刷した後に、加熱して溶融させることにより突起状電極53を形成することができる。このとき、溶融したはんだペーストが、第2の電極層51bに形成された各孔51c内に入り込むこととなる。これにより、突起状電極53と第1の電極層51aとが、孔51cを通して接続されることとなる。突起状電極53は、印刷法以外にも、ディスペンス法、ボール搭載法、蒸着法、又はめっき法等によっても形成することができる。
上述した積層チップバリスタMV1では、バリスタ層において第1の内部電極23と第2の内部電極33とが対向する領域が、バリスタ特性を発現する。したがって、積層チップバリスタMV1では、図7に示すように、直列で接続される2つのバリスタBが二対存在することとなる。
続いて、図8及び図9を参照しながら、積層チップバリスタMV1の製造方法について説明する。図8は、積層チップバリスタの製造手順を示すフローチャートであり、図9は、積層チップバリスタが製造される様子を示す図である。
まず、バリスタ層を構成する主成分であるZnOと、副成分であるPr、Caと、その他の副成分であるCo、Cr,Si,K、Alとを所定の割合で混合し、バリスタ材料を調整する(S101)。調整後、バリスタ材料に、有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加え、ボールミル等を用いて20時間程度の混合・粉砕を行ことにより、スラリーを得る。
次に、例えばドクターブレード法を用いることにより、例えばポリエチレンテレフタラートからなるフィルム(図示しない)上にスラリーを塗布し、これを乾燥して厚さ30μm程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離することで、グリーンシートを得る(S103)。
次に、グリーンシートに第1の内部電極23に対応する電極部分を複数形成する(S105)。同様にして、異なるグリーンシートに第2の内部電極33に対応する電極部分を複数形成する(S105)。第1の内部電極23及び第2の内部電極33に対応する電極部分は、Pdを主成分とする金属粉末、有機バインダ、有機溶剤等を混合した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によってグリーンシート上に印刷し、これを乾燥させることによって形成する。
次に、電極部分が形成されたグリーンシートと、電極部分が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてシート積層体を形成する(S107)。そして、シート積層体をチップ単位に切断することにより、分割された複数のグリーン体LS1(図8参照)を得る(S109)。
得られたグリーン体LS1では、第1の内部電極23に対応する電極部分EL1が形成されたグリーンシートGS1と、第2の内部電極33に対応する電極部分EL2が形成されたグリーンシートGS2と、電極部分EL1,EL2が形成されていないグリーンシートGS3とが順次積層されている。なお、グリーンシートGS3は、必要に応じて複数層積層してもよい。
次に、例えば180℃〜400℃の温度で0.5時間〜24時間程度グリーン体LS1を加熱処理し、脱バインダを行う。さらに、例えば850℃〜1400℃の温度で0.5時間〜8時間程度グリーン体LS1を焼成する(S111)。この焼成により、グリーンシートGS1〜GS3がバリスタ層となり、電極部分EL1,EL2がそれぞれ第1の内部電極23及び第2の内部電極33となり、バリスタ素体11を得る。
バリスタ素体11が完成した後、次に、バリスタ素体11の主面13及び主面15に接続導体41及び外部電極51をそれぞれ形成する(S113)。より具体的には、接続導体41及び第1の電極層51aの形成にあたり、まず、Pd及びAgを含む金属粉末(Ag−Pd合金粉末)に、ガラス粉末、有機バインダ、有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意する。次に、用意した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によってバリスタ素体11の主面13,15に付着させ、これを乾燥させることによって、接続導体41に対応する導体部分及び第1の電極層51aに対応する導体部分を形成する。ガラス粉末には、B、Bi、Al,Si,Sr,Ba、Pr、Zn、Pbのうちの少なくとも一種が含まれるガラスフリットを用いることができる。
また、第2の電極層51bの形成にあたり、まず、Ptを含む金属粉末(Pt粉末)に、有機バインダ、有機溶剤を混合した導電性ペーストを用意する。次に、用意した導電性ペーストを、例えばスクリーン印刷によって第1の電極層51a上に付着させ、これを乾燥させることによって、第2の電極層51bに対応する導体部分を形成する。
そして、形成した導体部分を例えば900℃で焼き付けることにより、各導体部分がそれぞれ接続導体41及び外部電極51(第1の電極層51a及び第2の電極層51b)となる。従来のように、外部電極51の表面にNiやSnといったメッキ層の形成は行わず、焼き付けられた導電性ペーストの外表面は、そのまま外部電極51の外表面となる。この後、公知の形成方法により、外部電極51の電極形成部52に突起状電極53をそれぞれ形成すると、上述した積層チップバリスタMV1が完成する。
ところで、バリスタ素体11に上記導電性ペーストを焼き付けることにより第1の電極層51aを形成する際、上記導電性ペーストに含まれるガラス粉末が軟化して溶融したガラス物質により、第1の電極層51aの内側(バリスタ素体11側)にガラス相と金属相とが混在した領域が形成されることとなる。ガラス相と金属相とが混在した領域では、図6に示されるように、バリスタ素体11の外表面に付着したガラス物質Gがアンカー的な機能を果たし、バリスタ素体11と第1の電極層51aとの接続強度が高くなる。
上記導電性ペーストを焼き付けることにより第2の電極層51bを形成する際、第2の電極層51bに孔51cが形成されることとなる。導電性ペーストを焼き付ける際に、Pt粉末同士が焼結してPtからなる大きな塊が形成されていき、このPtからなる塊が第2の電極層51bを形成するようになる。このとき、Pt粉末同士が互いに引き合うようになるため、第2の電極層51bに複数の孔51cが分散して形成される。孔51cは、導電性ペーストの付着厚みやPt粉末の含有量等を調整することにより、形成状態を制御することが可能である。例えば、導電性ペーストの付着厚みを薄くしたり、Pt粉末の含有量を少なくしたりすることにより、孔51cが形成され易くなる傾向にある。
また、第2の電極層51bを形成する際、第1の電極層51aと第2の電極層51bとの界面近傍に、第1の電極層51aに含まれることとなるAgと、第2の電極層51bに含まれることとなるPtとにより金属間化合物が形成される。このPtとAgとの金属間化合物は、ベルトライド型の金属間化合物であり、柔らかく延性を有している。
突起状電極53を形成する際、突起状電極53を構成するはんだと第1の電極層51aとが孔51cを通して接することとなる。このとき、突起状電極53(はんだ)と第1の電極層51aとの界面近傍に、第1の電極層51aに含まれることとなるAgと、はんだに含まれることとなるSnとにより金属間化合物が形成される。このSnとAgとの金属間化合物は、ベルトライド型の金属間化合物であり、柔らかく延性を有している。
以上のように、第1実施形態では、外部電極51の第1の電極層51aがガラス物質を含んでいるので、バリスタ素体11と第1の電極層51a(外部電極51)との接続強度が高くなり、外部電極51の耐衝撃性が向上する。また、突起状電極53と接することとなる第2の電極層51bがPtを含んでいるので、外部電極51のはんだ濡れ性及び耐はんだ喰われ性が向上する。
第2の電極層51bには、複数箇所において第1の電極層51aに至る孔51cが形成されているため、第2の電極層51b上に突起状電極53を形成する際に、上述したように、はんだと第1の電極層51aとの界面近傍において、SnとAgとの金属間化合物が形成されることとなる。したがって、熱サイクル環境下において、SnとAgとの金属間化合物が、熱サイクルに伴う繰り返し応力を吸収するように作用し、はんだと第1の電極層51aとの間でクラックが生じるようなことはない。
第2の電極層51bと突起状電極53との界面近傍には、第2の電極層51bに含まれることとなるPtと、はんだに含まれることとなるSnとにより金属間化合物が形成されることとなる。このため、熱サイクル環境下において、第2の電極層51bと突起状電極53との間にクラックが生じる懼れがある。しかしながら、はんだと第1の電極層51aとが第2の電極層51bを挟むようにして結合することとなり、万が一、第2の電極層51bと突起状電極53との間にクラックが生じた場合でも、はんだと第1の電極層51aとの間にて接続が確保されている。したがって、熱サイクル環境下において、外部電極51の接続信頼性が向上する。
第1実施形態では、第2の内部電極33がPdを含み、第1の電極層51aもPdを含んでいる。第1の電極層51aがPdを含んでいると、Pdを含んでいる第2の内部電極33がバリスタ素体11の主面15から突き出してしまうのが抑制され、バリスタ素体11と第1の電極層51aとの接続強度の低下を防ぐことができる。
第1実施形態では、第1の電極層51aがAgを含んでいることにより、外部電極51の低抵抗化が図られている。
第1実施形態では、第2の電極層51bがPtを含んでいることにより、メッキ層の形成が不要となる。この結果、積層チップバリスタMV1の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化にも寄与する。
(第2実施形態)
第2実施形態に係る積層チップバリスタについて説明する。図10は、第2実施形態に係る積層チップバリスタの断面構成を示す図である。
第2実施形態に係る積層チップバリスタについて説明する。図10は、第2実施形態に係る積層チップバリスタの断面構成を示す図である。
同図に示すように、積層チップバリスタMV2は、例えば縦1.6mm、横0.8mm、厚さ0.8mmに設定された、いわゆる1608タイプの積層チップバリスタである。この積層チップバリスタMV2は、主として外部電極の構成が第1実施形態に係る積層チップバリスタMV1と異なっているが、内部電極対の配置数や接続導体を有していない点を除けば、各構成要素の組成などは第1実施形態に係る積層チップバリスタMV1と共通している。
すなわち、この積層チップバリスタMV2は、バリスタ素体11と、少なくとも一対の内部電極対71と、一対の外部電極81とを備えている。内部電極対71は、少なくとも一層のバリスタ層が介在した状態でその先端部分が互いに対向する第1の内部電極72及び第2の内部電極73からなる。第1の内部電極72及び第2の内部電極73は、Pdを主成分としており、副成分として例えばAgを含んでいる。
各外部電極81は、バリスタ素体11の両端面11aを覆うようにそれぞれ配置されている。外部電極81は、各端面11aから露出する第1の内部電極72及び第2の内部電極73にそれぞれ物理的且つ電気的に接続されている。外部電極81は、外部電極51と同様に、第1の電極層81aと第2の電極層81bとを有している。
第1の電極層81aは、バリスタ素体11の端面11a上に形成されており、金属及びガラス物質を含んでいる。第1の電極層81aは、金属として、Ag及びPdを含んでいる。第1の電極層81aは、金属粉末(Ag−Pd合金粉末)及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。
第2の電極層81bは、第1の電極層81a上に形成されており、Ptを含んでいる。第2の電極層81bは、Pt粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層である。第2の電極層81bには、複数箇所において第1の電極層81aに至る孔が形成されている。第2の電極層81bに形成される孔は、第2の電極層51bに形成される孔51cと同様にして形成され、導電性ペーストの付着厚みやPt粉末の含有量等を調整することにより、その形成状態が制御される。
外部電極81の略半分の領域は、フィレット形成部83となっており、フィレット形成部83にはんだフィレット91を直接形成することにより、基板Pへの積層チップバリスタMV2の実装が行われる。はんだフィレット91は、付与されたはんだペーストが溶融し、硬化することにより、形成される。はんだフィレット91は、第2の電極層81bと電気的且つ物理的に接続されている。はんだフィレット91は、いわゆる鉛フリーはんだ(例えば、Sn−Ag−Cu系のはんだや、Sn−Zn系のはんだ等)からなり、Snを含んでいる。
はんだフィレット91が形成される際に、溶融したはんだペーストが、第2の電極層81bに形成された各孔内に入り込むこととなる。これにより、はんだフィレット91と第1の電極層81aとが、第2の電極層81bに形成された各孔を通して電気的且つ物理的に接続されることとなる。
以上のように、第2実施形態では、外部電極81の第1の電極層81aがガラス物質を含んでいるので、バリスタ素体11と第1の電極層81a(外部電極81)との接続強度が高くなり、外部電極81の耐衝撃性が向上する。また、はんだフィレット91と接することとなる第2の電極層81bがPtを含んでいるので、外部電極81のはんだ濡れ性及び耐はんだ喰われ性が向上する。
第2の電極層81bには、複数箇所において第1の電極層81aに至る孔が形成されているため、はんだフィレット91が形成される際に、はんだフィレット91と第1の電極層81aとの界面近傍において、SnとAgとの金属間化合物が形成されることとなる。したがって、熱サイクル環境下において、SnとAgとの金属間化合物が、熱サイクルに伴う繰り返し応力を吸収するように作用し、はんだフィレット91と第1の電極層81aとの間でクラックが生じるようなことはない。
第2の電極層81bとはんだフィレット91との界面近傍には、第2の電極層81bに含まれることとなるPtと、はんだフィレット91に含まれることとなるSnとにより金属間化合物が形成されることとなる。このため、熱サイクル環境下において、第2の電極層81bとはんだフィレット91との間にクラックが生じる懼れがある。しかしながら、はんだフィレット91と第1の電極層81aとが第2の電極層81bを挟むようにして結合することとなり、万が一、第2の電極層81bとはんだフィレット91との間にクラックが生じた場合でも、はんだと第1の電極層81aとの間にて接続が確保されている。したがって、熱サイクル環境下において、外部電極81の接続信頼性が向上する。
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
本実施形態では、セラミック電子部品の一例として、積層チップバリスタについて説明したが、セラミック素体を有するセラミック電子部品であれば、特に限定されるものではなく、例えば、積層チップコンデンサ、積層アクチュエータ、又は積層チップインダクタ等の電子部品にも適用できる。
本実施形態では、第1の電極層51a,81aがPdを含んでいるが、必ずしもPdを含んでいる必要はない。内部電極に含まれる金属元素によっては、第1の電極層51a,81aは、Pdを含んでいる必要はなく、Pdの代わりに他の金属元素を含んでいてもよい。
11…バリスタ素体、13,15…主面、23…第1の内部電極、33…第2の内部電極、51…外部電極、51a…第1の電極層、51b…第2の電極層、53…突起状電極、72…第1の内部電極、73…第2の内部電極、81…外部電極、81a…第1の電極層、81b…第2の電極層、91…はんだフィレット、MV1,MV2…積層チップバリスタ。
Claims (5)
- セラミック素体と、
前記セラミック素体に配置された外部電極と、を備えており、
前記外部電極は、
前記セラミック素体の外表面上に形成され、Ag及びガラス物質を含む第1の電極層と、
前記第1の電極層上に形成され、Ptを含むと共に複数箇所において前記第1の電極層に至る孔が形成された第2の電極層と、を有していることを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記第2の電極層上に形成されると共に、はんだからなる突起状電極を更に備えていることを特徴とする請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記セラミック素体内に配置され、Pdを含むと共に前記第1の電極層と接続される内部電極を更に備えており、
前記第1の電極層は、Pdを更に含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載のセラミック電子部品。 - 前記第1の電極層は、Ag粉末及びガラス粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記第2の電極層は、Pt粉末を含む導電性ペーストを焼き付けることにより形成された焼付け電極層であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152614A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP2010161175A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
JP2020057747A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201221501A (en) * | 2010-11-26 | 2012-06-01 | Sfi Electronics Technology Inc | Process for producing ZnO varistor particularly having internal electrode composed of pure silver and sintered at a lower sintering temperature |
KR101137405B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2012-04-20 | (주) 아모엘이디 | 무수축 바리스터 기판 및 그 제조 방법 |
DE102011014967B4 (de) * | 2011-03-24 | 2015-04-16 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
CN112908693B (zh) * | 2016-12-01 | 2022-10-21 | 株式会社村田制作所 | 芯片型电子部件 |
JP2022136822A (ja) * | 2021-03-08 | 2022-09-21 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
JP2022156320A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62264613A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
JPH0661089A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
JPH11162780A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Tokin Ceramics Kk | 積層セラミックコンデンサー結合体とその製造方法 |
JP2000049044A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Kyocera Corp | 薄膜コンデンサ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5339068A (en) * | 1992-12-18 | 1994-08-16 | Mitsubishi Materials Corp. | Conductive chip-type ceramic element and method of manufacture thereof |
JP3646345B2 (ja) * | 1995-04-11 | 2005-05-11 | 株式会社デンソー | 正特性サーミスタ装置 |
JPH11505070A (ja) * | 1995-05-10 | 1999-05-11 | リッテルフューズ,インコーポレイティド | Ptc回路保護装置およびその製造方法 |
KR100326778B1 (ko) * | 1996-12-26 | 2002-03-12 | 모리시타 요이찌 | Ptc 서미스터 및 그 제조 방법 |
DE19931056B4 (de) * | 1999-07-06 | 2005-05-19 | Epcos Ag | Vielschichtvaristor niedriger Kapazität |
US6535105B2 (en) * | 2000-03-30 | 2003-03-18 | Avx Corporation | Electronic device and process of making electronic device |
KR100476158B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2005-03-15 | 주식회사 아모텍 | 글래스 코팅막을 갖는 세라믹 칩 소자 및 그의 제조방법 |
JP3822798B2 (ja) | 2001-02-16 | 2006-09-20 | 太陽誘電株式会社 | 電圧非直線抵抗体及び磁器組成物 |
US7075405B2 (en) * | 2002-12-17 | 2006-07-11 | Tdk Corporation | Multilayer chip varistor and method of manufacturing the same |
DE10313891A1 (de) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
JP2006186316A (ja) | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Kyocera Corp | セラミック電子部品及び積層セラミックコンデンサ |
US7505239B2 (en) * | 2005-04-14 | 2009-03-17 | Tdk Corporation | Light emitting device |
JP4146450B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2008-09-10 | Tdk株式会社 | 発光装置 |
-
2007
- 2007-06-13 JP JP2007156658A patent/JP2008311362A/ja active Pending
-
2008
- 2008-06-03 US US12/132,082 patent/US20080308312A1/en not_active Abandoned
- 2008-06-03 TW TW097120610A patent/TW200913805A/zh unknown
- 2008-06-04 DE DE102008026710A patent/DE102008026710A1/de not_active Ceased
- 2008-06-13 CN CN2008101101485A patent/CN101325095B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-13 KR KR1020080055736A patent/KR101022980B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62264613A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-17 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
JPH0661089A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
JPH11162780A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-18 | Tokin Ceramics Kk | 積層セラミックコンデンサー結合体とその製造方法 |
JP2000049044A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Kyocera Corp | 薄膜コンデンサ |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009152614A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP4697755B2 (ja) * | 2007-12-20 | 2011-06-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 多層セラミック基板の製造方法 |
JP2010161175A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
JP2020057747A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造 |
JP7283045B2 (ja) | 2018-10-04 | 2023-05-30 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造 |
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