JP2008311348A - Thermosetting adhesive sheet - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、チップ型デバイスを封止するために用いられる熱硬化型接着シートに関するものであって、詳しくは、その表面を中空とする必要があるデバイス、例えば、弾性表面波装置（ＳＡＷデバイス）、水晶デバイス、高周波デバイス、加速度センサー等の、いわゆる中空デバイスの封止に用いられる熱硬化型接着シートに関するものである。 The present invention relates to a thermosetting adhesive sheet used for sealing a chip-type device, and more specifically, a device whose surface needs to be hollow, such as a surface acoustic wave device (SAW device). The present invention relates to a thermosetting adhesive sheet used for sealing so-called hollow devices such as quartz devices, high-frequency devices, and acceleration sensors.
従来から、半導体素子および電子部品等のチップ型デバイスの封止は、粉末状エポキシ樹脂組成物を用いたトランスファー成形法、液状エポキシ樹脂組成物やシリコーン樹脂等を用いてポッティング法、ディスペンス法、印刷法等により行なわれてきた。しかしながら、このような封止方法では、高価な成形機を必要としたり、必要な部分以外に封止樹脂が付着したりするという課題を抱えており、より安価で簡便な封止方法が要望されていた。 Conventionally, sealing of chip-type devices such as semiconductor elements and electronic components has been performed by transfer molding using a powdered epoxy resin composition, potting, dispensing, printing using a liquid epoxy resin composition or silicone resin. It has been done by law. However, in such a sealing method, there is a problem that an expensive molding machine is required or a sealing resin adheres to other than necessary portions, and a cheaper and simpler sealing method is desired. It was.
特に、表面を中空にする必要のあるチップ型デバイスの封止において、従来の液状封止材料を用いたディスペンス法では、デバイス直下のアクティブ面への封止材料の流入を抑制することが困難であり、チップあるいは基板上にダムを設け封止材料の流入を制御することが行なわれている（例えば、特許文献１〜３参照）。このような手法においても、液状封止材料を完全に流動制御することは困難であり、歩留り低下を引き起こす要因となっていた。また、デバイスの小型化、低コスト化を妨げる要因にもなっていた。 In particular, when sealing chip-type devices that require a hollow surface, it is difficult to suppress the inflow of the sealing material to the active surface directly under the device by the dispensing method using the conventional liquid sealing material. In some cases, a dam is provided on the chip or the substrate to control the inflow of the sealing material (see, for example, Patent Documents 1 to 3). Even in such a technique, it is difficult to completely control the flow of the liquid sealing material, which causes a decrease in yield. In addition, it has been a factor that hinders downsizing and cost reduction of devices.
このような問題を解決するために、例えば、封止用フィルム積層体を用いて、中空型デバイスを封止する方法が提案されている（特許文献４参照）。
しかしながら、上記封止用フィルム積層体を用いた中空型デバイスの封止では、硬化後の弾性率が低いために中空部分への封止樹脂の流入を完全に制御することが困難であり、上記問題を解決するという観点からは充分満足のいくものとは言い難いものであった。 However, in sealing a hollow type device using the sealing film laminate, it is difficult to completely control the inflow of the sealing resin into the hollow part because the elastic modulus after curing is low, From the perspective of solving the problem, it was hard to say that it was satisfactory enough.
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、基板上にチップ型デバイスが搭載された中空型のチップ型デバイスの封止の際に、中空部への封止樹脂の流入を抑制でき、かつチップ型デバイスおよび基板に対する接着性を損なうことなく、簡便で歩留り良く樹脂封止を行なうことのできる熱硬化型接着シートの提供をその目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and can suppress the inflow of the sealing resin into the hollow portion when sealing the hollow chip type device in which the chip type device is mounted on the substrate. In addition, an object of the present invention is to provide a thermosetting adhesive sheet that is simple and can be resin-sealed with good yield without impairing the adhesion to the chip-type device and the substrate.
上記の目的を達成するために、本発明の熱硬化型接着シートは、少なくとも２層からなり、基板上に搭載されたチップ型デバイスの封止用の熱硬化型接着シートであって、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層が下記の特性（Ｘ）を備えるという構成をとる。
（Ｘ）熱硬化前の６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率が１×１０5 〜１×１０7 Ｐａの範囲内である。
In order to achieve the above object, the thermosetting adhesive sheet of the present invention comprises at least two layers and is a thermosetting adhesive sheet for sealing a chip-type device mounted on a substrate. The layer in direct contact with the chip type device has the following characteristic (X).
(X) The tensile storage elastic modulus in 60-100 degreeC before thermosetting is in the range of 1 * 10 < 5 > -1 * 10 < 7 > Pa.
本発明者は、上記目的を達成するために、封止材料として用いる熱硬化型接着シートの態様および物性について鋭意検討を重ねた。その結果、熱硬化型接着シートとして、少なくとも２層からなり、しかも上記シートのうち基板およびチップ型デバイスと直接接触する層が、６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率が１×１０5 〜１×１０7 Ｐａに設定された物性を備えたシートを用いると、適度な粘弾性を備えることから基板上のチップ型デバイスの封止時にチップ型デバイス下部への樹脂の侵入が抑制されることを見出し本発明に到達した。 In order to achieve the above object, the present inventor has intensively studied the aspect and physical properties of a thermosetting adhesive sheet used as a sealing material. As a result, the thermosetting adhesive sheet is composed of at least two layers, and the layer in direct contact with the substrate and the chip-type device among the sheets has a tensile storage elastic modulus at 60 to 100 ° C. of 1 × 10 5 to 1 ×. It has been found that when a sheet having physical properties set to 10 7 Pa is used, resin penetration into the lower part of the chip-type device is suppressed at the time of sealing the chip-type device on the substrate because it has appropriate viscoelasticity. The present invention has been reached.
このように、本発明の熱硬化型接着シートは、少なくとも２層からなるシートであり、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層が、６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率が１×１０5 〜１×１０7 Ｐａの範囲内であるという物性を備えたものである。このため、基板上に搭載されたチップ型デバイスを封止する際に、チップ型デバイスの下部への封止樹脂の侵入が抑制され、基板とチップ型デバイスとの間の中空部分が形成され保持されることとなり、かつチップ型デバイスおよび基板に対し良好な接着性を示すものである。したがって、この熱硬化型接着シートを用いることにより、簡便かつ歩留り良く樹脂封止を行なうことが可能となる。 Thus, the thermosetting adhesive sheet of the present invention is a sheet composed of at least two layers, and the layer in direct contact with the substrate and the chip-type device has a tensile storage elastic modulus at 60 to 100 ° C. of 1 × 10 5 to It has the physical property of being in the range of 1 × 10 7 Pa. For this reason, when sealing the chip type device mounted on the substrate, the intrusion of the sealing resin into the lower part of the chip type device is suppressed, and a hollow portion is formed and held between the substrate and the chip type device. And exhibits good adhesion to the chip-type device and the substrate. Therefore, by using this thermosetting adhesive sheet, it becomes possible to perform resin sealing simply and with good yield.
そして、上記基板およびチップ型デバイスと直接接触する層が、特定の熱可塑性樹脂を主成分とする形成材料により形成された層であると、基板上に搭載されたチップ型デバイスの段差に対して良好な追従性を示しシートの密着性に一層優れたものとなる。 When the layer in direct contact with the substrate and the chip-type device is a layer formed of a forming material containing a specific thermoplastic resin as a main component, the step of the chip-type device mounted on the substrate Good followability is exhibited and sheet adhesion is further improved.
また、上記基板およびチップ型デバイスと直接接触する層が、無機質充填剤をその層形成材料全体の１〜２０重量％含有する形成材料により形成された層であると、所望の引張貯蔵弾性率に制御された熱硬化型接着シートが容易に得られる。 Further, when the layer in direct contact with the substrate and the chip-type device is a layer formed of a forming material containing 1 to 20% by weight of the inorganic filler as a whole, the desired tensile storage modulus is obtained. A controlled thermosetting adhesive sheet can be easily obtained.
さらに、上記基板およびチップ型デバイスと直接接触する層の厚みが、５〜５０μｍであると、チップ型デバイスの下部への封止樹脂の侵入のより一層の抑制効果が得られるとともに、チップ型デバイスおよび基板に対し一層優れた接着性が得られる。 Furthermore, when the thickness of the layer in direct contact with the substrate and the chip-type device is 5 to 50 μm, an effect of further suppressing the penetration of the sealing resin into the lower part of the chip-type device can be obtained, and the chip-type device In addition, better adhesion to the substrate can be obtained.
そして、上記基板およびチップ型デバイスと直接接触する層の上に直接形成されてなる第２の層が、特定の成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて形成されたものであると、樹脂封止に際して良好な硬化特性を示すとともに、シートに対して適性な柔軟性および可撓性を付与することが可能となる。 When the second layer formed directly on the substrate and the layer in direct contact with the chip type device is formed using an epoxy resin composition containing a specific component, In addition to exhibiting good curing characteristics when stopped, it is possible to impart appropriate flexibility and flexibility to the sheet.
つぎに、本発明の実施の形態について詳しく説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail.
本発明の熱硬化型接着シートは、少なくとも２層からなる多層構造の態様をとり、その使用に際して、基板上に搭載されたチップ型デバイスを被覆するよう載置する際に、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層（第１の層）が、熱硬化前の特定の温度範囲において特定の引張貯蔵弾性率を有するものである。 The thermosetting adhesive sheet of the present invention has a multilayer structure composed of at least two layers, and when used, the substrate and the chip-type device are placed on the chip-type device mounted on the substrate so as to cover the chip-type device. The layer in direct contact with the first layer (first layer) has a specific tensile storage modulus in a specific temperature range before thermosetting.
上記基板およびチップ型デバイスと直接接触する層（第１の層）形成材料としては、先に述べたように、６０〜１００℃における熱硬化前の引張貯蔵弾性率が１×１０5 〜１×１０7 Ｐａの範囲となるものであればよく、その構成成分に関しては特に限定されるものではないが、特定の厚みを有する基板上に搭載されたチップ型デバイスの段差に対して、追従性良く密着させて封止するという観点から、例えば、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリブタジエン、スチレン−ブタジエン系エラストマー（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、ポリイソプレン、ポリアクリロニトリル等の熱可塑性樹脂を主成分とする高分子材料があげられる。上記主成分とするとは、層形成材料が熱可塑性樹脂のみからなる場合も含める趣旨である。より具体的には、イソボニルアクリレート（ＩＢＸＡ）、エチルアクリレート（ＥＡ）、ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）を用いてなる共重合体成分等があげられる。上記組成の好ましい重量比率は、ＩＢＸＡ／ＥＡ／ＨＥＡ＝２０／７９／１〜７０／２０／１０の範囲に設定することである。 As described above, the layer (first layer) forming material in direct contact with the substrate and the chip-type device has a tensile storage elastic modulus of 1 × 10 5 to 1 × before thermosetting at 60 to 100 ° C. 10 7 Pa is sufficient as long as it is in the range, and the constituent components thereof are not particularly limited, but have good followability with respect to the step of the chip type device mounted on the substrate having a specific thickness. From the viewpoint of sealing with close contact, for example, various acrylic resins such as polyacrylates, polyether resins, polyethylene resins, polybutadiene, styrene-butadiene elastomers (SBR), ethylene-vinyl acetate copolymers (EVA) ), Polymer materials mainly composed of a thermoplastic resin such as polyisoprene and polyacrylonitrile. The above-mentioned main component is intended to include the case where the layer forming material is composed only of a thermoplastic resin. More specifically, a copolymer component using isobornyl acrylate (IBXA), ethyl acrylate (EA), or hydroxyethyl acrylate (HEA) can be used. A preferable weight ratio of the above composition is set to a range of IBXA / EA / HEA = 20/79/1 to 70/20/10.
さらには、上記熱可塑性樹脂には、所望の弾性率および耐熱性を得るために、各種架橋剤を用いた架橋したものを用いることが好ましい。上記架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、ポリイソシアネート系、エポキシ系、アミン系等の各種架橋剤を用いることができ、なかでも、反応性の点から、ポリイソシアネート系の架橋剤を用いることが好ましい。上記架橋剤を用いる場合、その配合量は、熱可塑性樹脂１００重量部に対して０．１〜１０重量部の割合に設定することが好ましい。あるいは、架橋剤を用いず、紫外線照射や電子線照射等により架橋させたものであってもよい。 Furthermore, it is preferable to use what was bridge | crosslinked using various crosslinking agents for the said thermoplastic resin in order to obtain a desired elasticity modulus and heat resistance. Although it does not specifically limit as said crosslinking agent, For example, various crosslinking agents, such as a polyisocyanate type, an epoxy type, and an amine type, can be used, and a polyisocyanate type crosslinking agent is used especially from a reactive point. It is preferable. When using the said crosslinking agent, it is preferable to set the compounding quantity to the ratio of 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of thermoplastic resins. Alternatively, it may be crosslinked by ultraviolet irradiation or electron beam irradiation without using a crosslinking agent.
また、上記層（第１の層）形成材料には、無機質充填剤等の充填剤を適当量添加したものを用いてもよく、この場合の無機質充填剤の添加量は、その層（第１の層）形成材料全体の１〜２０重量％に設定することが好ましい。上記無機質充填剤としては、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤が用いられる。例えば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等）、アルミナ粉末、窒化アルミニウム、窒化珪素粉末等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。中でも、得られる硬化物の線膨張係数の低減できるという点から、上記シリカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることが、高充填性および高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が０．２〜３０μｍの範囲のものを用いることが好ましく、特に好ましくは０．５〜１５μｍの範囲のものを用いることである。なお、上記平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導出することができる。 Further, as the layer (first layer) forming material, a material added with an appropriate amount of a filler such as an inorganic filler may be used. In this case, the amount of the inorganic filler added is the layer (first layer). The layer) is preferably set to 1 to 20% by weight of the entire forming material. The inorganic filler is not particularly limited, and various conventionally known fillers are used. Examples thereof include quartz glass powder, talc, silica powder (such as fused silica powder and crystalline silica powder), alumina powder, aluminum nitride, and silicon nitride powder. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, the silica powder is preferably used from the viewpoint that the linear expansion coefficient of the obtained cured product can be reduced, and among the silica powders, the use of the fused silica powder is particularly preferable from the viewpoint of high filling property and high fluidity. preferable. Examples of the fused silica powder include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, it is particularly preferable to use a spherical fused silica powder. Among them, it is preferable to use those having an average particle diameter in the range of 0.2 to 30 μm, and particularly preferable to use those in the range of 0.5 to 15 μm. The average particle diameter can be derived by, for example, using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.
さらには、上記層（第１の層）形成材料に、エポキシ樹脂等の熱硬化成分を適宜混合し、樹脂封止後の後硬化工程にて最終的な硬化物としてもよい。 Furthermore, a thermosetting component such as an epoxy resin may be appropriately mixed with the layer (first layer) forming material, and a final cured product may be obtained in a post-curing step after resin sealing.
つぎに、上記基板およびチップ型デバイスと直接接触する層の上に直接形成されてなる第２の層（２層構造のシートでは、最外層に相当）形成材料としては、例えば、エポキシ樹脂（Ａ成分）、フェノール樹脂（Ｂ成分）、熱可塑性エラストマー（Ｃ成分）、無機質充填剤（Ｄ成分）および硬化促進剤（Ｅ成分）を含有するエポキシ樹脂組成物があげられる。 Next, as a second layer (corresponding to the outermost layer in the case of a two-layer structure) formed directly on the substrate and the layer in direct contact with the chip type device, for example, an epoxy resin (A Component), a phenol resin (component B), a thermoplastic elastomer (component C), an inorganic filler (component D), and a curing accelerator (component E).
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではなく、例えば、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂等の各種エポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。中でも、Ｂステージ（半硬化）での柔軟性と硬化物における機械的強度の確保という観点から、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との併用系、あるいはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とトリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂との併用系が好ましい。 The epoxy resin (component A) is not particularly limited. For example, dicyclopentadiene type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, tris Various epoxy resins such as hydroxyphenylmethane type epoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Above all, from the viewpoint of ensuring flexibility in B-stage (semi-cured) and mechanical strength in the cured product, combined use of naphthalenediol type epoxy resin and bisphenol A type epoxy resin, or bisphenol A type epoxy resin and trishydroxy A combined system with a phenylmethane type epoxy resin is preferred.
上記フェノール樹脂（Ｂ成分）としては、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定するものではないが、例えば、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。そして、上記フェノール樹脂としては、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、中でも、硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂が好適に用いられる。 The phenol resin (component B) is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin (component A). For example, dicyclopentadiene type phenol resin, phenol novolac resin , Cresol novolac resin, phenol aralkyl resin and the like are used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more. And as said phenol resin, it is preferable to use a hydroxyl equivalent of 70-250 and a softening point of 50-110 degreeC, and a phenol novolak resin is used suitably from a viewpoint that hardening reactivity is high especially.
そして、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂（Ａ成分）中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂（Ｂ成分）中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．９〜１．２当量である。 And the compounding ratio of the said epoxy resin (A component) and a phenol resin (B component) is the sum total of the hydroxyl group in a phenol resin (B component) with respect to 1 equivalent of epoxy groups in an epoxy resin (A component). It is preferable to mix | blend so that it may become 0.7-1.5 equivalent. More preferably, it is 0.9-1.2 equivalent.
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる熱可塑性エラストマー（Ｃ成分）は、エポキシ樹脂組成物に柔軟性および可撓性を付与するものであり、このような作用を奏するものであれば特にその構造を制限するものではないが、例えば、つぎのようなゴム質重合体があげられる。すなわち、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリルエステル共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴム等からなる重合体があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。 The thermoplastic elastomer (C component) used together with the A component and the B component imparts flexibility and flexibility to the epoxy resin composition. Although it does not restrict | limit, the following rubber polymers are mention | raise | lifted, for example. That is, examples include various acrylic ester copolymers such as polyacrylic acid esters, polymers made of butadiene rubber, styrene-butadiene rubber (SBR), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), isoprene rubber, acrylonitrile rubber, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
上記熱可塑性エラストマー（Ｃ成分）の含有量としては、柔軟性および可撓性を付与するという観点から、エポキシ樹脂組成物の全有機成分中の１５〜７０重量％の範囲に設定することが好ましく、より好ましくは全有機成分中３０〜６０重量％である。すなわち、熱可塑性エラストマー（Ｃ成分）の含有量が下限値未満では、所望の柔軟性や可撓性を付与することが困難となり、接着シートとして取り扱い作業性が低下する傾向を示し、逆に含有量が上限値を超えると、樹脂封止後（硬化後）の成形物（硬化物）としての強度が不足する傾向がみられるからである。 The content of the thermoplastic elastomer (component C) is preferably set in the range of 15 to 70% by weight in the total organic components of the epoxy resin composition from the viewpoint of imparting flexibility and flexibility. More preferably, it is 30 to 60% by weight in the total organic components. That is, if the content of the thermoplastic elastomer (component C) is less than the lower limit value, it becomes difficult to impart desired flexibility and flexibility, and the handling workability tends to decrease as an adhesive sheet, and conversely contained This is because if the amount exceeds the upper limit, the strength as a molded product (cured product) after resin sealing (after curing) tends to be insufficient.
上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｄ成分）としては、特に限定されるものではなく、先に述べたと同様、従来公知の各種充填剤が用いられる。例えば、石英ガラス粉末、タルク、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等）、アルミナ粉末、窒化アルミニウム、窒化珪素粉末等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。中でも、得られる硬化物の線膨張係数の低減できるという点から、上記シリカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることが、高充填性および高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が０．２〜３０μｍの範囲のものを用いることが好ましく、特に好ましくは０．５〜１５μｍの範囲のものを用いることである。なお、上記平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導出することができる。 The inorganic filler (component D) used together with the components A to C is not particularly limited, and various conventionally known fillers are used as described above. Examples thereof include quartz glass powder, talc, silica powder (such as fused silica powder and crystalline silica powder), alumina powder, aluminum nitride, and silicon nitride powder. These may be used alone or in combination of two or more. Among them, the silica powder is preferably used from the viewpoint that the linear expansion coefficient of the obtained cured product can be reduced, and among the silica powders, the use of the fused silica powder is particularly preferable from the viewpoint of high filling property and high fluidity. preferable. Examples of the fused silica powder include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, it is particularly preferable to use a spherical fused silica powder. Among them, it is preferable to use those having an average particle diameter in the range of 0.2 to 30 μm, and particularly preferable to use those in the range of 0.5 to 15 μm. The average particle diameter can be derived by, for example, using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.
上記無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の６０〜８０重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは６５〜７５重量％である。すなわち、無機質充填剤（Ｄ成分）の含有量が下限値未満では、熱硬化前の前記所定範囲の温度での粘度が低くなり所望の物性を得ることが困難となる傾向がみられ、上限値を超えると、熱硬化前の前記所定範囲の温度での粘度が高くなりすぎ所望の物性を得ることが困難となる傾向がみられるからである。 It is preferable to set content of the said inorganic filler (D component) in the range of 60 to 80 weight% of the whole epoxy resin composition, Especially preferably, it is 65 to 75 weight%. That is, when the content of the inorganic filler (component D) is less than the lower limit, the viscosity at the temperature in the predetermined range before thermosetting tends to be low, and it is difficult to obtain desired physical properties. This is because the viscosity at a temperature in the predetermined range before thermosetting tends to be too high and it becomes difficult to obtain desired physical properties.
上記Ａ〜Ｄ成分とともに用いられる硬化促進剤（Ｅ成分）としては、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）との硬化反応を促進させることができるものであれば特に限定するものではなく、従来公知の各種硬化促進剤があげられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤等の既存の硬化促進剤を用いることができるが、特に第四級ホスホニウム塩化合物を用いることにより、常温保管性に優れた熱硬化型接着シートを得ることができ好ましい。そして、本発明の熱硬化型接着シートの使用においては、作業性および品質安定性の観点から、常温にて長期間保存できることが好ましく、このような特性が得られる硬化促進剤（Ｅ成分）としては、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートが特に好ましく用いられる。 The curing accelerator (component E) used together with the components A to D is particularly limited as long as it can accelerate the curing reaction between the epoxy resin (component A) and the phenol resin (component B). Instead, various conventionally known curing accelerators can be used, and existing curing accelerators such as phosphorus-based curing accelerators and amine-based curing accelerators can be used, but particularly by using quaternary phosphonium salt compounds. It is preferable because a thermosetting adhesive sheet having excellent room temperature storage property can be obtained. And in the use of the thermosetting adhesive sheet of the present invention, it is preferable that it can be stored at room temperature for a long time from the viewpoint of workability and quality stability, and as a curing accelerator (E component) that can obtain such characteristics. For example, triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate are particularly preferably used.
上記硬化促進剤（Ｅ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜１０重量％の範囲に設定することが好ましく、さらに好ましくは０．３〜３重量％であり、特に好ましくは０．５〜２重量％である。 The content of the curing accelerator (component E) is preferably set in the range of 0.1 to 10% by weight of the entire epoxy resin composition, more preferably 0.3 to 3% by weight, particularly preferably. Is 0.5 to 2% by weight.
なお、上記エポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｅ成分以外に必要に応じて、難燃剤、カーボンブラックをはじめとする顔料等の他の添加剤を適宜配合することができる。 In addition to the components A to E, other additives such as a flame retardant and a pigment such as carbon black can be appropriately blended with the epoxy resin composition as necessary.
上記難燃剤としては、例えば、有機リン化合物、酸化アンチモン、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属水酸化物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。 Examples of the flame retardant include organic phosphorus compounds, antimony oxide, metal hydroxides such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
つぎに、本発明の熱硬化型接着シートの製造方法について、２層構造のシートの場合を例に説明する。まず、前記Ａ〜Ｅ成分および必要に応じて他の添加剤を混合することにより外層（第２の層）形成材料となるエポキシ樹脂組成物を調製する。この場合、各配合成分が均一に分散混合される方法であれば特に限定するものではない。そして、必要に応じて各配合成分を有機溶剤に溶解しワニス塗工により製膜する。あるいは、各配合成分を直接ニーダー等で混練することにより固形樹脂を調製し、このようにして得られた固形樹脂をシート状に押し出して製膜形成してもよい。中でも、簡便に均一な厚みのシートを得ることができるという点から、上記ワニス塗工法が好適に用いられる。 Next, the method for producing the thermosetting adhesive sheet of the present invention will be described by taking the case of a two-layered sheet as an example. First, an epoxy resin composition to be an outer layer (second layer) forming material is prepared by mixing the components A to E and other additives as necessary. In this case, there is no particular limitation as long as each compounding component is uniformly dispersed and mixed. And each compounding component is melt | dissolved in the organic solvent as needed, and it forms into a film by varnish coating. Alternatively, a solid resin may be prepared by directly kneading each compounding component with a kneader or the like, and the solid resin thus obtained may be extruded into a sheet to form a film. Especially, the said varnish coating method is used suitably from the point that the sheet | seat of uniform thickness can be obtained simply.
上記ワニス塗工法による外層（第２の層）部分の製造方法について述べる。すなわち、前記Ａ〜Ｅ成分および必要に応じて他の添加剤を常法に準じて適宜混合し、有機溶剤に均一に溶解あるいは分散させ、ワニスを調製する。ついで、上記ワニスをポリエステルフィルム等の基材上に塗布し乾燥させ、ポリエステルフィルム等のフィルムで貼り合わせ、シート状の外層（第２の層）を巻き取る。 A method for producing the outer layer (second layer) portion by the varnish coating method will be described. That is, the components A to E and other additives as necessary are mixed as appropriate according to a conventional method, and uniformly dissolved or dispersed in an organic solvent to prepare a varnish. Next, the varnish is applied onto a substrate such as a polyester film, dried, and bonded together with a film such as a polyester film, and the sheet-like outer layer (second layer) is wound up.
上記有機溶剤としては、特に限定するものではなく従来公知の各種有機溶剤、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、ジオキサン、ジエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。また、有機溶剤における濃度は、通常、３０〜６０重量％の範囲とすることが好ましい。 The organic solvent is not particularly limited, and various conventionally known organic solvents such as methyl ethyl ketone, acetone, dioxane, diethyl ketone, toluene, ethyl acetate and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. The concentration in the organic solvent is usually preferably in the range of 30 to 60% by weight.
上記有機溶剤乾燥後の外層（第２の層）の厚みは、特に制限されるものではないが、厚みの均一性と残存溶剤量の観点から、通常、５〜５０μｍに設定することが好ましく、より好ましくは１０〜４０μｍである。 The thickness of the outer layer (second layer) after drying the organic solvent is not particularly limited, but it is usually preferably set to 5 to 50 μm from the viewpoint of uniformity of thickness and the amount of residual solvent. More preferably, it is 10-40 micrometers.
一方、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層（第１の層）に関しては、例えば、つぎのようにして作製される。すなわち、前述の形成材料となる各成分を有機溶剤に溶解して、溶液を調整した後、これを用いてコーターにより塗工してシートを作製する。あるいは、アクリル系モノマーを無溶剤にて紫外線照射することにより重合させながら塗工してシートを作製する。または、押出機を用いて所望の厚みのシート状に押し出すことによりシートを作製する。 On the other hand, the layer (first layer) in direct contact with the substrate and the chip-type device is produced, for example, as follows. That is, after dissolving each component used as the above-mentioned forming material in an organic solvent to prepare a solution, it is coated with a coater using this to produce a sheet. Alternatively, the acrylic monomer is coated while being polymerized by irradiating with ultraviolet rays without a solvent to produce a sheet. Alternatively, a sheet is produced by extruding into a sheet having a desired thickness using an extruder.
上記層（第１の層）の厚みは、５〜５０μｍに設定することが好ましく、より好ましくは１０〜３０μｍである。すなわち、厚みが５μｍ未満のように薄過ぎると、シートを用いての封止時に上記層（第１の層）が破れ、破れた部分からこの層（第１の層）の上に直接形成されてなる第２の層形成材料である樹脂が流れ出て、基板とチップ型デバイスとの間の中空部に樹脂成分が流入する傾向がみられ、逆に厚みが５０μｍを超え厚過ぎると、シートと基板やチップ型デバイスとの密着性不足により剥離が生じる傾向がみられるからである。 The thickness of the layer (first layer) is preferably set to 5 to 50 μm, more preferably 10 to 30 μm. That is, if the thickness is too thin, such as less than 5 μm, the layer (first layer) is torn during sealing with the sheet, and the layer is directly formed on the layer (first layer) from the torn portion. When the resin that is the second layer forming material flows out and the resin component tends to flow into the hollow portion between the substrate and the chip type device, conversely, if the thickness exceeds 50 μm, the sheet and This is because peeling tends to occur due to insufficient adhesion to the substrate or chip type device.
上記のようにして、それぞれ作製された各層（第１の層および第２の層）を形成するシートを用い、これらシートを熱圧着等でラミネートすることにより熱硬化型接着シート作製することができる。 A thermosetting adhesive sheet can be produced by laminating these sheets by thermocompression bonding or the like using the sheets forming the respective layers (first layer and second layer) produced as described above. .
なお、上記熱硬化型接着シートでは、第１の層および第２の層からなる２層構造のシートについて述べたが、これに限定するものではなく、３層以上の多層構造のシートであってもよい。３層以上の多層構造のシートの場合、上記２層構造のシートと同様、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層が前述の特性（Ｘ）を備えていなければならない。そして、その層形成材料および厚み等も先に述べたと同様である。さらに、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層の上に直接形成されてなる第２の層に関しても、形成材料としては、先に述べたエポキシ樹脂組成物が好適に用いられ、その厚みも前述の設定とすることが好ましい。また、第３の層およびそれ以降の層における形成材料に関しては、基本的には、先に述べたエポキシ樹脂組成物を用いることが好ましい。 In the thermosetting adhesive sheet, a two-layered sheet composed of the first layer and the second layer has been described. However, the sheet is not limited to this, and is a multilayered sheet having three or more layers. Also good. In the case of a sheet having a multilayer structure of three or more layers, the layer in direct contact with the substrate and the chip-type device must have the aforementioned property (X) as in the case of the sheet having the two-layer structure. The layer forming material, thickness, etc. are the same as described above. Furthermore, regarding the second layer formed directly on the substrate and the layer in direct contact with the chip-type device, the aforementioned epoxy resin composition is preferably used as the forming material, and the thickness thereof is also described above. It is preferable to set as follows. In addition, regarding the forming materials in the third layer and the subsequent layers, basically, the above-described epoxy resin composition is preferably used.
このようにして得られる本発明の熱硬化型接着シートは、基板およびチップ型デバイスと直接接触する層（第１の層）が、下記の特性（Ｘ）を備える必要がある。
（Ｘ）６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率が１×１０5 〜１×１０7 Ｐａの範囲内である。
In the thermosetting adhesive sheet of the present invention thus obtained, the layer (first layer) that is in direct contact with the substrate and the chip-type device needs to have the following characteristic (X).
(X) The tensile storage elastic modulus in 60-100 degreeC is in the range of 1 * 10 < 5 > -1 * 10 < 7 > Pa.
すなわち、上記特性（Ｘ）において、上記温度範囲での引張貯蔵弾性率が１×１０5 Ｐａ未満では、成形時に第１の層が流動して変形しやすくなり、その結果、チップ型デバイス下部の中空部分へ封止用樹脂が侵入しやすくなる。また、１×１０7 Ｐａを超えると、第１の層が変形しにくくなり、成形時に基板やチップ型デバイス表面の凹凸に追従し難くなり、その結果、樹脂封止部分と基板との密着性に劣るようになる。 That is, in the above characteristic (X), when the tensile storage modulus in the temperature range is less than 1 × 10 5 Pa, the first layer tends to flow and deform during molding, and as a result, The sealing resin easily enters the hollow portion. Further, if it exceeds 1 × 10 7 Pa, the first layer is difficult to deform, and it becomes difficult to follow the unevenness of the surface of the substrate or chip-type device during molding. As a result, the adhesion between the resin-encapsulated portion and the substrate Become inferior.
上記特性（Ｘ）の６０〜１００℃の温度範囲における引張貯蔵弾性率は、つぎのようにして測定される。すなわち、上記引張貯蔵弾性率は、測定対象となる熱硬化前の封止用熱硬化性接着シートを準備し、粘弾性測定装置を用いて、６０〜１００℃の範囲の測定温度条件下にて、熱硬化前の６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率を測定することにより得られる。より詳しくは、ティ・エー・インスツルメント社製の動的粘弾性測定装置ＲＳＡIIを用い、昇温速度５℃／分、測定周波数１Ｈｚで引張りモードにより引張貯蔵弾性率を測定する。 The tensile storage elastic modulus in the temperature range of 60 to 100 ° C. of the above characteristic (X) is measured as follows. That is, the tensile storage elastic modulus is prepared under a measurement temperature condition in a range of 60 to 100 ° C. using a viscoelasticity measuring device by preparing a thermosetting adhesive sheet for sealing before thermosetting to be measured. It is obtained by measuring the tensile storage modulus at 60 to 100 ° C. before thermosetting. More specifically, using a dynamic viscoelasticity measuring device RSAII manufactured by TA Instruments Inc., the tensile storage elastic modulus is measured by a tensile mode at a temperature rising rate of 5 ° C./min and a measurement frequency of 1 Hz.
本発明の熱硬化型接着シートを用いての基板上に搭載されたチップ型デバイスの封止は、例えば、つぎのようにして行なわれる。すなわち、基板上の所定位置にチップ型デバイスを搭載して電気的に接続させた後、搭載したチップ型デバイスを覆うように熱硬化型接着シートを、その第１の層がチップ型デバイスと直接接触するようチップ型デバイスに配置し、所定の封止条件にて、シートを加熱硬化することによりチップ型デバイスと基板との空間を中空に保持した状態でチップ型デバイスを樹脂封止する。 Sealing of the chip type device mounted on the substrate using the thermosetting adhesive sheet of the present invention is performed, for example, as follows. That is, after a chip-type device is mounted and electrically connected to a predetermined position on the substrate, a thermosetting adhesive sheet is placed so as to cover the mounted chip-type device, and the first layer is directly connected to the chip-type device. The chip-type device is placed in contact with the chip-type device, and the sheet-type device is resin-sealed in a state where the space between the chip-type device and the substrate is held hollow by heat-curing the sheet under predetermined sealing conditions.
上記封止条件としては、例えば、温度８０〜１００℃、圧力１００〜５００ｋＰａにて０．５〜５分間真空プレスを行なった後、大気開放して、温度１５０〜１９０℃にて３０〜１２０分間加熱することがあげられる。 As the sealing conditions, for example, after performing vacuum pressing at a temperature of 80 to 100 ° C. and a pressure of 100 to 500 kPa for 0.5 to 5 minutes, the atmosphere is opened, and the temperature is 150 to 190 ° C. for 30 to 120 minutes. Heating can be mentioned.
このようにして得られる半導体装置の構成の一例について述べる。すなわち、図１に示すように、チップ型デバイス１に設けられた接続用電極部（バンプ）３と配線回路基板２に設けられた接続用電極部（図示せず）を対向させた状態で、配線回路基板２上にチップ型デバイス１が搭載されている。そして、上記配線回路基板２上に搭載されたチップ型デバイス１を覆うように、配線回路基板２上に封止樹脂層４が形成され樹脂封止されている。なお、チップ型デバイス１と配線回路基板２との間となるチップ型デバイス１下面（アクティブ面）方向の下部部分は、中空部分５に形成されている。
An example of the structure of the semiconductor device thus obtained will be described. That is, as shown in FIG. 1, in a state where the connection electrode portion (bump) 3 provided in the chip-type device 1 and the connection electrode portion (not shown) provided in the printed
なお、上記半導体デバイスでは、チップ型デバイス１に設けられた接続用電極部３がバンプ形状に形成されているが特にこれに限定するものではなく、配線回路基板２に設けられた接続用電極部がバンプ形状に設けられていてもよい。
In the semiconductor device, the
上記チップ型デバイス１と配線回路基板２との空隙（中空部分５）間距離は、上記接続用電極部（バンプ）３の大きさ等によって適宜設定されるが、一般に、１０〜１００μｍ程度である。また、上記接続用電極部（バンプ）３間距離は、一般に、１５０〜５００μｍ程度に設定することが好ましい。
The distance between the gaps (hollow portions 5) between the chip type device 1 and the printed
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。 Next, examples will be described together with comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.
〔第２の層形成シートの作製〕
まず、２層構造のシートのうち、外層となる第２の層を形成するためのシートを作製するために、下記に示す配合成分を準備し、つぎのようにして厚み２００μｍのエポキシ樹脂組成物製シートを作製した。すなわち、下記に示す配合成分を混合し、有機溶剤（メチルエチルケトン）１００重量部を加えて均一に溶解あるいは分散させ、ワニスを調製する。ついで、上記ワニスをポリエステルフィルム製基材上に塗布し乾燥させることにより、基材上に層を形成して第２の層形成シートを作製した。
[Production of second layer forming sheet]
First, in order to prepare a sheet for forming a second layer as an outer layer among sheets having a two-layer structure, the following blending components were prepared, and an epoxy resin composition having a thickness of 200 μm was prepared as follows. A sheet made was produced. That is, the compounding components shown below are mixed, and 100 parts by weight of an organic solvent (methyl ethyl ketone) is added and uniformly dissolved or dispersed to prepare a varnish. Next, the varnish was applied onto a polyester film substrate and dried to form a layer on the substrate to produce a second layer-forming sheet.
〔配合成分〕
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂〔粘度１３Ｐａ・ｓ（２５℃）、エポキシ当量１９０、比重１．１７、重量平均分子量３７０〕
６．０重量部
トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量１７０）
６．０重量部
アクリル共重合体〔ブチルアクリレート・エチルアクリレート・アクリロニトリルを主成分とするグリシジル基含有アクリル酸エステル共重合体、数平均分子量２５×１０4 、重量平均分子量８５××１０4 、固形分濃度１５％、メチルエチルケトン溶液、粘度７０Ｐａ・ｓ（２５℃）〕
２８．０重量部
ノボラック型フェノール樹脂（軟化点６０℃、水酸基当量１０５）
１０．０重量部
トリフェニルホスフィン（分子量２６２、比重１．１ｇ／ｃｍ3 、融点８０℃）
０．３重量部
平均粒径５．５μｍの球状溶融シリカ粉末（粒径３０μｍ以上をカット、累積１０％粒径ｄ10１．３μｍ、累積中心粒径ｄ50５．５μｍ、累積９０％粒径ｄ90１７．０μｍ、比表面積２．０ｍ2 ／ｇ）
４９．７重量部
[Composition ingredients]
Bisphenol A type epoxy resin [viscosity 13 Pa · s (25 ° C.), epoxy equivalent 190, specific gravity 1.17, weight average molecular weight 370]
6.0 parts by weight Trishydroxyphenylmethane type epoxy resin (softening point 60 ° C., epoxy equivalent 170)
6.0 parts by weight Acrylic copolymer [glycidyl group-containing acrylic ester copolymer mainly composed of butyl acrylate / ethyl acrylate / acrylonitrile, number average molecular weight 25 × 10 4 , weight average molecular weight 85 ×× 10 4 , solid Concentration 15%, methyl ethyl ketone solution, viscosity 70 Pa · s (25 ° C.)]
28.0 parts by weight novolak type phenolic resin (softening point 60 ° C., hydroxyl group equivalent 105)
10.0 parts by weight Triphenylphosphine (molecular weight 262, specific gravity 1.1 g / cm 3 , melting point 80 ° C.)
0.3 parts by weight Spherical fused silica powder with an average particle size of 5.5 μm (cut the particle size of 30 μm or more, cumulative 10% particle size d 10 1.3 μm, cumulative central particle size d 50 5.5 μm, cumulative 90% particle size d 90 17.0 μm, specific surface area 2.0 m 2 / g)
49.7 parts by weight
〔実施例１〜４、比較例１〜２〕
後記の表１に示す各成分を同表に示す割合で分散混合し、これに有機溶剤（メチルエチルケトン）１００重量部を加えて第１の層形成用ワニスを調製した。なお、表１中のＩＢＸＡはイソボニルアクリレート、ＥＡはエチルアクリレート、ＨＥＡはヒドロキシエチルアクリレート、コロネートＬは日本ポリウレタン社製のポリイソシアネートである。
[Examples 1-4, Comparative Examples 1-2]
Each component shown in Table 1 described later was dispersed and mixed in the ratio shown in the same table, and 100 parts by weight of an organic solvent (methyl ethyl ketone) was added thereto to prepare a first layer forming varnish. In Table 1, IBXA is isobornyl acrylate, EA is ethyl acrylate, HEA is hydroxyethyl acrylate, and coronate L is polyisocyanate manufactured by Nippon Polyurethane.
つぎに、上記ワニスを、離型剤処理した厚み５０μｍのポリエステルＡ（三菱化学ポリエステル社製、ＭＲＦ−５０）上にコンマコーターにて塗工し乾燥させることにより、後記の表１に示す厚みの第１の層形成シートを作製した。 Next, the varnish was coated with a comma coater on 50 μm thick polyester A (MRF-50, manufactured by Mitsubishi Chemical Polyester Co., Ltd.) treated with a release agent, and dried to obtain the thickness shown in Table 1 below. A first layer forming sheet was prepared.
ついで、先に作製したエポキシ樹脂組成物製シート（第２の層形成シート）と上記第１の層形成シートを貼り合わせ、ロールラミネーターを用いてラミネートすることにより、２層構造の熱硬化型接着シートを作製した。 Next, the epoxy resin composition sheet (second layer forming sheet) prepared above and the first layer forming sheet are bonded together and laminated using a roll laminator to form a thermosetting adhesive having a two-layer structure. A sheet was produced.
〔引張貯蔵弾性率〕
上記のようにして作製した第１の層形成シートを用いて、熱硬化前の状態である６０℃および１００℃における第１の層形成シートの引張貯蔵弾性率を測定した。すなわち、６０℃および１００℃における第１の層形成シートの引張貯蔵弾性率を、粘弾性測定装置（ティ・エー・インスツルメント社製、ＲＳＡII）を用いて測定した。
[Tensile storage modulus]
Using the first layer-forming sheet produced as described above, the tensile storage elastic modulus of the first layer-forming sheet at 60 ° C. and 100 ° C., which is the state before thermosetting, was measured. That is, the tensile storage elastic modulus of the first layer-forming sheet at 60 ° C. and 100 ° C. was measured using a viscoelasticity measuring apparatus (manufactured by TA Instruments Inc., RSAII).
〔封止評価〕
得られた熱硬化型接着シートを、セラミック基板上にマトリックス状に配列搭載したＳＡＷフィルターチップ（チップ厚み２００μｍ、バンプ高さ３０μｍ）上に覆うように載置し、温度１００℃，圧力３００ｋＰａの条件にて１分間真空プレス（到達真空度６．６５×１０2 Ｐａ）した。大気開放後、基板を１７５℃のオーブンに１時間投入することにより熱硬化型接着シートを加熱硬化させた。その後、ダイシング装置を用いてパッケージを個片化し、得られたチップの断面観察を行い、チップ下部の中空部分への樹脂の侵入の有無、ならびに、基板と熱硬化型接着シートにより形成された封止樹脂部分との密着性を観察した。そして、チップ下部の中空部分への樹脂の侵入が確認されたものを×、侵入が確認されなかったものを○として評価した。一方、密着性に関しては、密着が充分であったものを○、密着が不充分でダイシング後のチップ側面において、樹脂とセラミック基板上に隙間があったものを×として評価した。
[Sealing evaluation]
The obtained thermosetting adhesive sheet was placed so as to cover a SAW filter chip (chip thickness: 200 μm, bump height: 30 μm) arrayed and mounted in a matrix on a ceramic substrate, under conditions of a temperature of 100 ° C. and a pressure of 300 kPa. For 1 minute under a vacuum (degree of ultimate vacuum 6.65 × 10 2 Pa). After opening to the atmosphere, the substrate was put into an oven at 175 ° C. for 1 hour to heat and cure the thermosetting adhesive sheet. After that, the package is separated into pieces using a dicing apparatus, the cross section of the obtained chip is observed, the presence or absence of resin intrusion into the hollow portion below the chip, and the sealing formed by the substrate and the thermosetting adhesive sheet. The adhesion with the stop resin portion was observed. And what evaluated the penetration | invasion of the resin to the hollow part of a chip | tip lower part was evaluated as x, and what was not confirmed penetration | invasion was evaluated as (circle). On the other hand, regarding the adhesiveness, the case where the adhesion was sufficient was evaluated as ◯, and the case where the adhesion was insufficient and the chip side surface after dicing had a gap between the resin and the ceramic substrate was evaluated as x.
上記測定・評価結果を下記の表１に併せて示す。 The measurement / evaluation results are also shown in Table 1 below.
上記の結果、上記６０℃および１００℃の温度での特定の範囲となる引張貯蔵弾性率を満たす実施例品は、チップ下部への樹脂の侵入が無く、基板との密着性も充分で剥離等も生じず良好な結果が得られた。 As a result, the examples satisfying the tensile storage elastic modulus in the specific ranges at the temperatures of 60 ° C. and 100 ° C. have no penetration of the resin into the lower part of the chip, have sufficient adhesion to the substrate, and peel off. No good results were obtained.
これに対して、上記６０℃および１００℃の温度での特定の範囲となる引張貯蔵弾性率を外れた比較例品は、チップ下部への侵入が確認されたか、あるいは基板との密着性が不充分であった。 On the other hand, in the comparative example product having a tensile storage elastic modulus that falls within the specific ranges at the temperatures of 60 ° C. and 100 ° C., penetration into the lower part of the chip was confirmed, or adhesion to the substrate was poor. It was enough.
１ チップ型デバイス
２ 配線回路基板
３ チップ型デバイスの接続用電極部（バンプ）
４ 封止樹脂層
５ 中空部分
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip-
4 Sealing
Claims (5)
（Ｘ）熱硬化前の６０〜１００℃における引張貯蔵弾性率が１×１０5 〜１×１０7 Ｐａの範囲内である。 A thermosetting adhesive sheet for sealing a chip-type device mounted on a substrate, comprising at least two layers, the layer directly contacting the substrate and the chip-type device having the following characteristic (X) Characteristic thermosetting adhesive sheet.
(X) The tensile storage elastic modulus in 60-100 degreeC before thermosetting is in the range of 1 * 10 < 5 > -1 * 10 < 7 > Pa.
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂。
（Ｃ）熱可塑性エラストマー。
（Ｄ）無機質充填剤。
（Ｅ）硬化促進剤。 The second layer formed directly on the substrate and the layer in direct contact with the chip-type device is formed using an epoxy resin composition containing the following components (A) to (E): Item 5. The thermosetting adhesive sheet according to any one of Items 1 to 4.
(A) Epoxy resin.
(B) Phenolic resin.
(C) Thermoplastic elastomer.
(D) Inorganic filler.
(E) Curing accelerator.
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