JP2008311174A - Electron beam generator and its control method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron beam generator which lessens deterioration of electron emission characteristics caused by discharge and CNT scattering on a CNT cathode and has long life and high reliability. <P>SOLUTION: The electron beam generator is a two-pole type structure having no draw-out electrode which is a cause of discharge and deterioration. A current value and a beam diameter of an electron beam can be controlled by changing relative positions among an Wehnelt, a cathode, and an anode. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、カーボンナノチューブを電子源に用いた電子線照射やＸ線照射に用いられる電子線発生装置およびその制御方法に関する。   The present invention relates to an electron beam generating apparatus used for electron beam irradiation and X-ray irradiation using a carbon nanotube as an electron source, and a control method therefor.

カーボンナノチューブ（以下、ＣＮＴという。）は、炭素六員環の連なったグラフェンシートが丸まって円筒状になったものである。単層、２層から多層まであり、その大きさは、直径が０．３〜数百ｎｍ、長さが１〜数十μｍ程度のものである。ＣＮＴは細く高いアスペクト比を有している。そしてその電子伝導性から非常に優れた電界電子放出特性を有しており、従来のタングステンや、六ほう化ランタン等の熱陰極カソードに代わる省エネルギー、高安定な冷陰極型の電子放出源（エミッタ）として蛍光表示管、Ｘ線管、電子線発生装置、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等の用途への利用が期待されている。   A carbon nanotube (hereinafter referred to as CNT) is a graphene sheet in which carbon six-membered rings are connected and is rounded into a cylindrical shape. There are a single layer, a double layer, and a multilayer, and the size is about 0.3 to several hundred nm in diameter and about one to several tens of μm in length. CNTs are thin and have a high aspect ratio. It has excellent field electron emission characteristics due to its electron conductivity. It is an energy-saving and highly stable cold cathode type electron emission source (emitter) that replaces the conventional hot cathode cathodes such as tungsten and lanthanum hexaboride. ) Is expected to be used for applications such as fluorescent display tubes, X-ray tubes, electron beam generators, field emission displays (FED).

上述のように、ＣＮＴをエミッタとするものは、電界放出による冷陰極型であり、電界をかけて電子を放出させるための引出し電極が必要である。そこで実際に、ＣＮＴエミッタを用いた３極型構造の機器、装置が多く提案されている。例えば、特許文献１には蛍光表示管にＣＮＴを適用した例が開示されているが、この蛍光表示管は、カーボンナノチューブの集合体からなる電界放出型電子放出材料が基材電極に貼着されたカソードとアノードに加えてメッシュ状の引出し電極（グリッド電極）が設けられている。   As described above, those using CNT as an emitter are of a cold cathode type by field emission and require an extraction electrode for emitting electrons by applying an electric field. Therefore, many devices and apparatuses having a three-pole structure using CNT emitters have been proposed. For example, Patent Document 1 discloses an example in which CNT is applied to a fluorescent display tube. In this fluorescent display tube, a field emission electron emission material made of an aggregate of carbon nanotubes is attached to a base electrode. In addition to the cathode and anode, a mesh-like extraction electrode (grid electrode) is provided.

また、特許文献２には、Ｘ線発生装置が開示されているが、このＸ線発生装置も、カーボンナノチューブよりなるエミッタを陰極として、さらに引出し電極と電界を整形するためのウェネルトが設けられており、各々に独立の電源を接続し、各電位を独立に制御することにより、エミッタから放出された電子が単孔型の引出し電極で加速され、ウェネルトの窓で絞られて、アノードであるターゲットに衝突してＸ線を発生させるようになっている。   Patent Document 2 discloses an X-ray generator. This X-ray generator is also provided with a Wehnelt for shaping an extraction electrode and an electric field, using an emitter made of carbon nanotube as a cathode. By connecting an independent power source to each, and controlling each potential independently, electrons emitted from the emitter are accelerated by a single-hole type extraction electrode, narrowed by a Wehnelt window, and targeted as an anode. To generate X-rays.

特開２００２−３３４６７４号公報JP 2002-334664 A 特開２００１−２５０４９６号公報JP 2001-250496 A

ＣＮＴエミッタを用いた３極型の電子線発生装置の大きな問題点は、ＣＮＴとカソード近傍に設けられた電位の異なる引出し電極やウェネルト間での放電発生によるＣＮＴエミッタの損傷とそれによって引き起こされるＣＮＴの剥離と引出し電極へのＣＮＴの付着である。放電発生によるＣＮＴエミッタの損傷は、電子放出特性が低下し、その結果として、寿命を短くすることになる。さらにＣＮＴの剥離と引出し電極へのＣＮＴの付着は、ＣＮＴエミッタと引出し電極間の電流集中を引き起こし、その結果として、寿命が極端に短くなるか、放電が頻発し短寿命化を促進することになり、実用上の大きな課題となる。
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、ＣＮＴエミッタの電子放出中の放電発生を抑制し、長寿命化し安定化する電子線発生装置およびその制御方法を提供することを目的とする。 A major problem with a tripolar electron beam generator using a CNT emitter is that the CNT emitter is damaged due to the discharge between the CNT and the cathode provided at different potentials or between the Wenelt and the CNT emitter caused by the damage. Peeling and adhesion of CNTs to the extraction electrode. The damage of the CNT emitter due to the occurrence of discharge deteriorates the electron emission characteristics, and as a result, shortens the lifetime. Furthermore, CNT delamination and CNT adhesion to the extraction electrode cause current concentration between the CNT emitter and the extraction electrode. As a result, the lifetime is extremely shortened, or discharge frequently occurs and promotes shortening of the lifetime. It becomes a big problem in practical use.
The present invention has been made to solve such a problem, and provides an electron beam generator and a control method therefor that suppress the occurrence of discharge during electron emission of a CNT emitter and stabilize it with a long lifetime. With the goal.

上記の課題を解決する根本的な方法は、引出し電極のないカソードとアノードの２極型構造とすることである。２極型構造は、タングステンフィラメントを用いる熱陰極型では一般的な方法であり、一定の加速電圧条件下でフィラメント電流により、フィラメント温度つまり熱電子放出量を調整することができる。一方、冷陰極型においては、カソードとアノード間の加速電圧を変化させる以外に電流値を調整することができない。この電流値をコントロールするために引出し電極が設けられている。加速電圧は装置の用途、条件により定められているため、電流値を制御する目的のために、加速電圧つまり電子の加速エネルギーを変化させることはできない。仮に加速電圧を変えた場合には電子ビームの収束状態が変わり、ビームを所定のサイズに保つためには収束レンズの付加も必要となる。本発明者は、カソードとウェネルトとアノードの相対的位置を変えることによって、電流値の変更や照射あるいはターゲット位置でのビーム径の調整、さらにはＣＮＴカソードの特性変化に対する電流値維持等の制御が可能であることを見出した。   A fundamental method for solving the above problem is to use a bipolar structure of a cathode and an anode without an extraction electrode. The bipolar structure is a general method in the hot cathode type using a tungsten filament, and the filament temperature, that is, the amount of thermoelectrons emitted can be adjusted by the filament current under a constant acceleration voltage condition. On the other hand, in the cold cathode type, the current value cannot be adjusted except for changing the acceleration voltage between the cathode and the anode. In order to control the current value, an extraction electrode is provided. Since the acceleration voltage is determined by the use and conditions of the apparatus, the acceleration voltage, that is, the acceleration energy of electrons cannot be changed for the purpose of controlling the current value. If the acceleration voltage is changed, the convergence state of the electron beam changes, and it is necessary to add a converging lens in order to keep the beam at a predetermined size. By changing the relative positions of the cathode, Wehnelt, and the anode, the present inventor can control the current value, change the irradiation or adjust the beam diameter at the target position, and maintain the current value against the CNT cathode characteristic change. I found it possible.

すなわち、本発明は以下のような特徴を有している。
請求項１に記載の発明は、カーボンナノチューブをエミッタとするカソードとアノードよりなる、引出し電極のない２極型構造であって、カソードと電気的に接続されたウェネルトを有し、該カソードとアノードとウェネルトの内少なくとも２つを進退させる機構を有することを特徴とする電子線発生装置に関するものである。 That is, the present invention has the following features.
The invention according to claim 1 is a bipolar structure without a lead electrode, comprising a cathode having a carbon nanotube emitter and an anode, and having a Wehnelt electrically connected to the cathode. Further, the present invention relates to an electron beam generator characterized by having a mechanism for advancing and retracting at least two of them.

また、請求項２に記載の発明は、カーボンナノチューブをエミッタとするカソードとアノードよりなる、引出し電極のない２極型構造であって、電子ビームの電流値とビーム径を計測する手段を具備し、エミッタからの電子放出量の変化に応じて、カソードとアノードとウェネルトの内少なくとも２つを進退させることにより電子ビームの電流値およびビーム径を設定値範囲内に制御することを特徴とする電子線発生装置の制御方法に関するものである。   The invention described in claim 2 is a bipolar structure having a cathode and an anode with carbon nanotubes as an emitter and having no extraction electrode, and comprises means for measuring the current value and beam diameter of an electron beam. The electron beam current value and beam diameter are controlled within a set value range by advancing and retreating at least two of the cathode, anode and Wehnelt in accordance with the change in the amount of electron emission from the emitter. The present invention relates to a method for controlling a line generator.

以上のように、本発明によれば、ＣＮＴカソードにて発生し易い放電やＣＮＴの剥離を抑制することができ、カソード寿命を延ばし、安定化することが可能となる。これにより実用性や信頼性の高い電子線照射装置、Ｘ線照射装置等の電子線発生装置を製造することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to suppress discharge and CNT delamination that are likely to occur at the CNT cathode, thereby extending the cathode life and stabilizing it. Thereby, electron beam generators, such as an electron beam irradiation apparatus with high practicality and reliability, an X-ray irradiation apparatus, can be manufactured.

本発明の電子線発生装置は、カソードとアノードとウェネルトを有し、引出し電極のない２極型構造であり、ＣＮＴはカソード電極基板上に取付けられている。
基板は導電性のものであり、ステンレス鋼やＦｅ−Ｎｉ系合金等のＮｉ合金、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属および半導体とその合金製のもののほか、ガラスやセラミック等の表面に金属や伝導性半導体を蒸着等により被着させたもの等がある。半導体の例としては、導電性の良好なＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２などのｎ型酸化物半導体等を挙げることができる。 The electron beam generator according to the present invention has a cathode, an anode, and a Wehnelt and has a bipolar structure without an extraction electrode, and CNTs are mounted on a cathode electrode substrate.
The substrate is conductive, made of Ni alloy such as stainless steel or Fe-Ni alloy, metal and semiconductor such as Ti, Co, Cr, Mo, Nb, Mn, Si, Ge, Cu, Al and its alloys. In addition to the above, there are those in which a metal or a conductive semiconductor is deposited on the surface of glass or ceramic by vapor deposition or the like. Examples of semiconductors include n-type oxide semiconductors such as ITO (tin-doped indium oxide), ZnO, SnO 2 , and TiO 2 with good conductivity.

ＣＮＴはアーク放電法やＣＶＤ法等純度、種類等によらず公知の方法で得られたものをそのまま使用することができる。また、基板上に成膜する方法も、スプレー堆積法、電気泳動法、スクリーン印刷法等によらず公知の方法で得られたもので良い。
アノードはカソードに対向して配置される。材質や形状は電子線発生装置の用途等に依存するが、例えば上記基板で例示されている導電性のものが用いられ、典型的な形状は平板である。 As the CNT, those obtained by a known method can be used as they are, regardless of the purity and type such as arc discharge method and CVD method. In addition, the method for forming a film on the substrate may be obtained by a known method regardless of spray deposition, electrophoresis, screen printing, or the like.
The anode is disposed opposite the cathode. The material and shape depend on the application of the electron beam generator and the like. For example, the conductive material exemplified in the substrate is used, and the typical shape is a flat plate.

アノードとカソードの間隔は加速電圧、ＣＮＴカソードの電子放出性能、構造等により決まるが、おおよそ加速電圧に比例する。加速電圧の範囲を約１０〜１００ｋＶとすると、アノードとカソードの間隔は、５〜２００ｍｍ程度、通常１０〜１００ｍｍ程度である。
ウェネルトは、電界を整形しカソードから放出される電子線を絞る機能を有するものであり、広義では積極的に電源に接続して電圧をかけるものも含まれるが、本発明では、カソード近傍に配置され、カソードと短絡あるいは抵抗により接続され、カソードとほぼ同電位であるものと定義する。ウェネルトの材質として、ステンレス鋼、Ｎｉ合金、銅等が用いられる。 The distance between the anode and the cathode is determined by the acceleration voltage, the electron emission performance of the CNT cathode, the structure, etc., but is approximately proportional to the acceleration voltage. When the acceleration voltage range is about 10 to 100 kV, the distance between the anode and the cathode is about 5 to 200 mm, usually about 10 to 100 mm.
Wehnelt has the function of shaping the electric field and narrowing down the electron beam emitted from the cathode. In a broad sense, it includes the one that actively connects to the power supply and applies a voltage. It is defined as being connected to the cathode by a short circuit or resistance and having substantially the same potential as the cathode. As the material of Wehnelt, stainless steel, Ni alloy, copper or the like is used.

本発明においては、このカソードとアノードとウェネルトの少なくとも２つを進退させる機構を設け、これによってどのようになるかを図１の模式図により説明する。１０１はＣＮＴカソードであり、１０２はウェネルト、１０３はアノードである。熱陰極カソードのタングステンフィラメントの場合も同様であるが、ＣＮＴの電子放出特性は徐々に劣化する。この特性劣化に対して、所定の電流値を保つことが電子線発生源としての最も基本の性能である。タングステンフィラメントの場合には、劣化に伴い通電電流を増加させ、フィラメント温度を上げることによって、電流値を一定に保つことができる。一方、ＣＮＴカソードは熱電子放出ではなく電界放出であるため原理的に不可能であるが、アノードの位置に対してウェネルトの位置をカソード側に近づけることによって、カソード表面にかかる電界が強くなり放出電流を増加させることができる。図２はこの原理に従って、ＣＮＴカソードの劣化に対して、ウェネルトを進退させることによって、電流値が一定に保てることを電子ビーム軌道計算で確かめた結果である。図１に示した一点鎖線の領域１０４を２次元の円筒軸を対象としたモデルを電子ビーム軌道計算に用いており、図１に示す原点Ｏ、ｒ軸、Ｚ軸がそれぞれ図２の原点Ｏ、縦軸（ｒ軸）、横軸（Ｚ軸）に対応している。   In the present invention, a mechanism for advancing and retracting at least two of the cathode, the anode, and Wehnelt is provided, and how this is achieved will be described with reference to the schematic diagram of FIG. 101 is a CNT cathode, 102 is Wehnelt, and 103 is an anode. The same applies to the tungsten filament of the hot cathode cathode, but the electron emission characteristics of the CNT gradually deteriorate. Maintaining a predetermined current value against this characteristic deterioration is the most basic performance as an electron beam generation source. In the case of a tungsten filament, the current value can be kept constant by increasing the energizing current along with deterioration and increasing the filament temperature. On the other hand, the CNT cathode is not possible in principle because it emits electric field instead of thermionic emission, but by bringing the Wehnelt position closer to the cathode side than the anode position, the electric field applied to the cathode surface becomes stronger and emitted. The current can be increased. FIG. 2 shows the result of confirming by electron beam trajectory calculation that the current value can be kept constant by advancing and retreating Wehnelt against the deterioration of the CNT cathode according to this principle. 1 is used for electron beam trajectory calculation, and the origin O, r-axis, and Z-axis shown in FIG. 1 are the origin O in FIG. , The vertical axis (r-axis) and the horizontal axis (Z-axis).

図２の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、アノードとカソード間の距離を固定し、それぞれＣＮＴカソードの劣化を模擬して電界増倍係数αを１１７３、７８２、５８７に変化させたとき、つまり、初期特性から約半分の特性にまで劣化したときに、ウェネルトの位置を少しずつ進退させて計算し、アノードとカソード間の加速電圧１５ｋＶで、電流値が１ｍＡとなるようなウェネルトの位置を求めた場合であり、カソード、アノード、ウェネルトの形状と電界の状態を示す等電位線とそれによる電子ビームの軌道計算結果を示したものである。アノードとカソード間に印加された電圧による平均電界強度に対し、ＣＮＴのような先鋭な形状の先端近傍には局所的にその電界の数１０〜数千倍の電界集中が発生する。この効果によってＣＮＴから電子が放出されるのであるが、電界増倍係数αとは、その平均電界に対して、何倍の電界強度となっているかを意味するものである。ただし、ランダムな形状もしくは状態のＣＮＴの電界増倍度を求めることは現実的に困難であり、しかも、電界増倍度はプログラム条件の電界増倍係数αとは一致しないため、本計算における電界増倍係数αやカソード、ウェネルト等の寸法値および結果は、傾向を示すものであり、実際の条件とは必ずしも一致しない。   2A, 2B, and 2C, the distance between the anode and the cathode is fixed, and the electric field multiplication factor α is changed to 1173, 782, and 587 by simulating the deterioration of the CNT cathode, respectively. In other words, when the initial characteristics deteriorate to about half of the characteristics, the calculation is performed by gradually moving the Wehnelt position back and forth, and the current value becomes 1 mA at an acceleration voltage of 15 kV between the anode and the cathode. This is the case where the position is obtained, and shows the equipotential lines indicating the shape of the cathode, the anode, and Wehnelt and the state of the electric field, and the trajectory calculation result of the electron beam. In contrast to the average electric field strength caused by the voltage applied between the anode and the cathode, an electric field concentration of several tens to several thousand times the electric field is locally generated in the vicinity of the tip of a sharp shape such as CNT. Electrons are emitted from the CNTs by this effect, and the electric field multiplication factor α means how many times the electric field strength is higher than the average electric field. However, it is practically difficult to obtain the electric field multiplication factor of a CNT having a random shape or state, and the electric field multiplication factor does not coincide with the electric field multiplication factor α of the program condition. The dimensional values and results of the multiplication factor α, cathode, Wehnelt, etc. show trends and do not necessarily match the actual conditions.

図３は、図２の計算結果を基に、アノードとカソード間の距離を４.８５ｍｍに一定とした条件下で、電子ビームの電流値を一定に保った場合の電界増倍係数αに対するビーム径の変化を示したものである。図３より、ウェネルトを２ｍｍカソード側へ近づけることによって、電流値を一定に保つことができることがわかる。しかし、図３に示すように、この方法では、ウェネルトをカソード側へ近づけるに伴いビームが収束状態から発散状態へと、アノードでのビーム径が大きく変化する。一方、カソードとウェネルトの相対位置を固定し、カソード及びウェネルトに対してアノードの位置を変化させた場合のビーム径の変化を示したものが図４である。この場合でも、アノードでのビーム径を一定に保つことができないが、さらにカソード劣化時（α＝５８７）において、アノードとカソードもしくはウェネルトとの距離が近く放電する危険性が高くなる。   FIG. 3 shows the beam with respect to the electric field multiplication factor α when the current value of the electron beam is kept constant under the condition that the distance between the anode and the cathode is kept constant at 4.85 mm based on the calculation result of FIG. This shows the change in diameter. FIG. 3 shows that the current value can be kept constant by bringing Wehnelt closer to the 2 mm cathode side. However, as shown in FIG. 3, in this method, the beam diameter at the anode greatly changes from the convergent state to the divergent state as the Wehnelt approaches the cathode side. On the other hand, FIG. 4 shows changes in the beam diameter when the relative positions of the cathode and Wehnelt are fixed and the position of the anode is changed with respect to the cathode and Wehnelt. Even in this case, the beam diameter at the anode cannot be kept constant, but further, when the cathode is deteriorated (α = 587), the distance between the anode and the cathode or Wehnelt becomes close and the risk of discharge increases.

上記のことから、カソード、アノード、ウェネルトのいずれか一つを進退させる、例えば、ウェネルトをカソードに近づけるか、あるいはカソードとアノードを近づけるか等によって、電子ビームの電流値を一定に保つことができるが、ビーム径は発散あるいは収束して一定に保つことはできない。そこで、カソードとウェネルトの間隔を大きくすれば、電流量は減少するものの、電子ビームを収束させる方向であるため、ＣＮＴカソードの電子放出特性に対してカソードとアノードとウェネルトとの間にビーム径を一定に保つ最適な位置条件が存在するものと考えた。   From the above, the current value of the electron beam can be kept constant by moving any one of the cathode, anode, and Wehnelt back and forth, for example, by bringing Wehnelt closer to the cathode or closer to the cathode and anode. However, the beam diameter cannot be kept constant by diverging or converging. Therefore, if the distance between the cathode and Wehnelt is increased, the amount of current decreases, but the direction of the electron beam is converged. Therefore, the beam diameter between the cathode, anode and Wehnelt is reduced with respect to the electron emission characteristics of the CNT cathode. It is considered that there is an optimal position condition to keep constant.

図５は、電子ビームの電流値とビーム径とが一定になるような条件においてカソードとウェネルトの位置を求めた結果である。図５より、ＣＮＴカソードのエミッション特性変化に応じて、電流値とビーム径を一定に保つためにはカソードとウェネルトとアノードとの間に最適な位置条件が存在することがわかり、例えば、アノードの位置を固定して、カソードとウェネルトの両方を最適な位置になるように設定すればよいことがわかる。すなわち、電子ビームの電流値とビーム径を一定に保つためには、カソード、アノード、ウェネルトのすべてを、あるいはカソード、アノード、ウェネルトの内いずれか２つを進退させればよいのである。   FIG. 5 shows the results of determining the positions of the cathode and Wehnelt under conditions where the current value of the electron beam and the beam diameter are constant. FIG. 5 shows that there is an optimum position condition between the cathode, Wehnelt, and the anode in order to keep the current value and the beam diameter constant according to the emission characteristic change of the CNT cathode. It can be seen that the position should be fixed and both the cathode and Wehnelt should be set to the optimum position. That is, in order to keep the electron beam current value and the beam diameter constant, all of the cathode, anode, and Wehnelt, or any two of the cathode, anode, and Wehnelt, can be advanced and retracted.

次に、この原理を用いて電子ビームの電流値とビーム径を所定値に保つための制御方法について説明する。電子ビームの電流値はアノードとカソード間に接続された電源において計測することができる。一方、ビーム径の計測方法については、図１にその一例を示す。キロボルト以上の電圧で加速された電子ビームがアノード１０３に衝突すると、制動放射光によりビームが衝突した領域１０５が発光する。この発光領域１０５をＣＣＤカメラ１０６にて撮影し、画像処理方法によりビーム径を計測することができる。以上の方法により計測された電流値とビーム径を用いて、図６に、アノードを固定した状態でＣＮＴカソードのエミッション特性変化に対応して、電子ビームの電流値とビーム径を所定値に保つための制御フローを示す。なお、ここでは、電流値とビーム径は設定値範囲内となるように制御するものとする。一般的にカソードの特性が劣化した場合、電流値は減少するとともに、ビーム径が大きくなる傾向がある。図６に示したフローは、最初に、電子ビームの電流値（Ｉｂ）を電源に接続した電流計により計測し、設定値の範囲内か否かを判断する。電流値（Ｉｂ）が設定値範囲内であれば、引き続きビーム径（Ｐｂ）を計測する。しかし、カソードからの電子放出量が低下したことにより、電流値（Ｉｂ）が設定値範囲外になった場合には、カソードの位置を変更させた後にビーム径（Ｐｂ）を計測する。ここで、電流値（Ｉｂ）が設定値下限を下回った場合には、カソードを微小値だけアノード側へ前進させる。逆に、電流値（Ｉｂ）が設定値上限を上回った場合には、カソードを微小値だけアノード方向から後退させるようにすればよい。次に、ビーム径（Ｐｂ）が設定値の範囲内か否かを判断する。ビーム径（Ｐｂ）が設定値範囲内であれば終了であり、設定値範囲外であればウェネルトの位置を変更させて、再度電流値を計測する。ここで、ビーム径（Ｐｂ）が設定値上限を上回った場合には、ウェネルトを微小値だけアノード側へ前進させる。逆に、ビーム径（Ｐｂ）が設定値下限を下回った場合には、ウェネルトを微小値だけアノード方向から後退させるようにすればよい。   Next, a control method for maintaining the electron beam current value and the beam diameter at predetermined values using this principle will be described. The current value of the electron beam can be measured by a power source connected between the anode and the cathode. On the other hand, an example of the beam diameter measuring method is shown in FIG. When an electron beam accelerated at a voltage of kilovolts or more collides with the anode 103, a region 105 where the beam collides with the bremsstrahlung light is emitted. The light emitting area 105 can be photographed by the CCD camera 106 and the beam diameter can be measured by an image processing method. Using the current value and the beam diameter measured by the above method, the current value and the beam diameter of the electron beam are kept at a predetermined value corresponding to the change in the emission characteristics of the CNT cathode with the anode fixed in FIG. The control flow for this is shown. Here, the current value and the beam diameter are controlled to be within the set value range. In general, when the cathode characteristics deteriorate, the current value tends to decrease and the beam diameter tends to increase. In the flow shown in FIG. 6, first, the current value (Ib) of the electron beam is measured by an ammeter connected to a power source, and it is determined whether or not the current value is within a set value range. If the current value (Ib) is within the set value range, the beam diameter (Pb) is continuously measured. However, when the current value (Ib) falls outside the set value range due to a decrease in the amount of electron emission from the cathode, the beam diameter (Pb) is measured after changing the position of the cathode. Here, when the current value (Ib) falls below the lower limit of the set value, the cathode is advanced to the anode side by a minute value. Conversely, when the current value (Ib) exceeds the set value upper limit, the cathode may be retracted by a minute value from the anode direction. Next, it is determined whether or not the beam diameter (Pb) is within a set value range. If the beam diameter (Pb) is within the set value range, the process ends. If the beam diameter (Pb) is outside the set value range, the Wehnelt position is changed and the current value is measured again. Here, when the beam diameter (Pb) exceeds the upper limit of the set value, the Wehnel is advanced to the anode side by a minute value. Conversely, when the beam diameter (Pb) is below the lower limit of the set value, the Wehnelt may be retracted from the anode direction by a minute value.

以上のように最適なカソードとウェネルトの位置条件を求めることができる。また、カソードの位置を固定した場合には、図６においてカソードをアノードに置き換えることにより最適なアノードとウェネルトの位置条件を求めることができる。同様に、ウェネルトの位置を固定した場合には、図６においてウェネルトをアノードに置き換えることにより最適なカソードとアノードの位置条件を求めることができる。   As described above, the optimum cathode and Wehnelt position conditions can be obtained. When the position of the cathode is fixed, the optimum anode and Wehnelt position conditions can be obtained by replacing the cathode with the anode in FIG. Similarly, when the Wehnelt position is fixed, the optimum cathode and anode position conditions can be obtained by replacing the Wehnelt with the anode in FIG.

カソード、ウェネルトおよびアノードを進退させる手段は問うところではなく、螺条やピニオンラック等を利用することができる。アノードでのビーム径計測については、前述の方法以外にも種々の方法が考えられる。アノードではＸ線も発生しているため、Ｘ線検出可能なカメラで撮影する方法や電子線、Ｘ線により発光する蛍光体をアノードの内側（ビーム側）あるいは外側（大気側）に塗布し、その発光をＣＣＤカメラで撮影する方法等がある。   Means for advancing and retreating the cathode, Wehnelt, and anode is not questioned, and a screw, a pinion rack, or the like can be used. Various methods other than the above-described method can be considered for measuring the beam diameter at the anode. Since X-rays are also generated at the anode, a method of photographing with a camera capable of detecting X-rays, an electron beam, and a phosphor emitting light by X-rays are applied to the inside (beam side) or outside (atmosphere side) of the anode, There is a method of photographing the emitted light with a CCD camera.

実際の電子線発生装置の一例として、図７に、大気中への電子線、Ｘ線照射装置に適用した場合の断面図を示す。真空チャンバーや真空管等２０２の真空下において、ＣＮＴカソード１０１とアルミニウム、ベリリウム、チタン等のフォイルでできたアノード２０１間に高電圧電源３０１を接続して、１０〜５０ｋＶの電圧を印加して、電子線を発生させる。発生させた電子線は加速されて加速電圧と同じエネルギーでアノードであるフォイルに到達する。そのフォイルを透過させて電子線を大気中へ取り出し、対象物に照射するのが電子線照射装置であり、フォイルにてＸ線を発生させ大気中の対象物へ照射するのがＸ線照射装置である。   As an example of an actual electron beam generator, FIG. 7 shows a cross-sectional view when applied to an electron beam and X-ray irradiation device into the atmosphere. A high voltage power supply 301 is connected between the CNT cathode 101 and the anode 201 made of a foil of aluminum, beryllium, titanium or the like under a vacuum of a vacuum chamber, a vacuum tube 202 or the like, and a voltage of 10 to 50 kV is applied to apply electrons. Generate a line. The generated electron beam is accelerated and reaches the foil as the anode with the same energy as the acceleration voltage. An electron beam irradiating device transmits the foil, takes out the electron beam into the atmosphere, and irradiates the object. An X-ray irradiating device generates X-rays in the foil and irradiates the object in the atmosphere. It is.

本装置では、ＣＮＴカソード１０１とウェネルト１０２全体とアノード２０１間の位置を変更するための電動式の移動機構２０４が据付られており、制御装置３０５の指令により変更させることができる。２０３はカソード単独の移動機構であり、負の高電圧がかかるため、バッテリーや絶縁アンプ、無線等を用いて電気的には絶縁された構成により、制御装置３０５からの指令でカソードの位置を変更する。３０２は引出された全ビーム電流を計測する電流計であり、３０４はアノードでのビーム径を簡易的に測定する手段の一例であり、前述のような蛍光体などの発光をＣＣＤカメラで測定する方法でも良い。３０４は必要なビームサイズをほぼ同じ大きさに開けられた穴を持つ導電性のグリッド板であり、３０４に流入する電流値を３０３の電流計でモニタする。この電流値が所定の設定値上限以上になれば、ビーム径が所定値より大きくなったと判定し、設定値下限以下となるとビーム径が所定値より小さくなったと判定する。電流計３０２と３０３の測定値を元に制御装置３０５によって、ウェネルトとカソードの位置を移動機構２０３、２０４により動かし、最適な値、条件となるように制御することができる。   In this apparatus, an electric moving mechanism 204 for changing the position between the CNT cathode 101, the entire Wehnelt 102 and the anode 201 is installed, and can be changed by a command from the control device 305. 203 is a moving mechanism of the cathode alone, and since a negative high voltage is applied, the position of the cathode is changed by a command from the control device 305 by an electrically insulated configuration using a battery, an insulation amplifier, radio, or the like. To do. Reference numeral 302 denotes an ammeter that measures the extracted total beam current. Reference numeral 304 denotes an example of a means for simply measuring the beam diameter at the anode. The light emission of the phosphor as described above is measured with a CCD camera. The method is fine. Reference numeral 304 denotes a conductive grid plate having holes in which the required beam size is opened to approximately the same size, and the current value flowing into 304 is monitored by an ammeter 303. If this current value is equal to or greater than a predetermined set value upper limit, it is determined that the beam diameter is larger than the predetermined value, and if it is equal to or smaller than the set value lower limit, it is determined that the beam diameter is smaller than the predetermined value. Based on the measured values of the ammeters 302 and 303, the control device 305 moves the positions of Wehnelt and cathode by the moving mechanisms 203 and 204, and can control the optimum values and conditions.

以上は、大気中への電子線、Ｘ線照射装置の場合の例であるが、真空チャンバー内でのターゲットへの照射やＸ線発生装置、あるいは、Ｘ線管などの真空管への適用も可能である。   The above is an example in the case of an electron beam and X-ray irradiation device to the atmosphere, but irradiation to a target in a vacuum chamber and application to an X-ray generation device or a vacuum tube such as an X-ray tube are also possible. It is.

本発明に係る電子線発生装置の基本構成を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the basic composition of the electron beam generator which concerns on this invention. カソードとアノード間の相対位置を固定し、ＣＮＴカソード特性変化に対して、電流を一定に保つためのウェネルトの位置を求めた結果である。 （ａ）ＣＮＴカソード高特性時（初期）での位置関係とビーム軌道計算結果（ｂ）ＣＮＴカソード中間特性時での位置関係とビーム軌道計算結果（ｃ）ＣＮＴカソード劣化時（初期の１／２）での位置関係とビーム軌道計算結果This is a result of obtaining the Wehnelt position for keeping the current constant with respect to the CNT cathode characteristic change while fixing the relative position between the cathode and the anode. (A) CNT cathode high characteristic (initial) positional relationship and beam trajectory calculation result (b) CNT cathode intermediate characteristic positional relationship and beam trajectory calculation result (c) CNT cathode degradation (1/2 of initial) ) And beam trajectory calculation results カソードとアノード間の相対位置を固定し、電流一定となるようにウェネルトの位置変化とビーム径の関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the position change of a Wehnelt and a beam diameter so that the relative position between a cathode and an anode might be fixed and an electric current might become constant. カソードとウェネルト間の相対位置を固定し、電流一定となるようアノードの位置変化とビーム径の関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the position change of an anode, and a beam diameter so that the relative position between a cathode and Wehnelt may be fixed and an electric current may become constant. 本発明に係る電流値とビーム径を一定に保つためのカソード、ウェネルト、アノードの最適位置を求めたグラフである。It is the graph which calculated | required the optimal position of the cathode, Wehnelt, and anode for keeping the electric current value and beam diameter which concern on this invention constant. 本発明に係る電流値とビーム径を一定に保つためのカソードとウェネルトの制御方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the control method of the cathode and Wehnelt for maintaining the electric current value and beam diameter which concern on this invention. 本発明に係る実施例を示す電子線発生装置の模式図である。It is a schematic diagram of the electron beam generator which shows the Example which concerns on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０１ ＣＮＴカソード
１０２ ウェネルト
１０３ アノード
１０４ ビーム軌道計算モデルの領域
１０５ 電子ビーム衝突によるアノード板発光領域
１０６ アノード板の発光を撮影するＣＣＤカメラ
１０７ アノードとカソード間の距離
１０８ アノードとウェネルト間の距離
２０１ 金属製のフォイル材のアノード板
２０２ 真空チャンバー
２０３ ＣＮＴカソードの電動式移動機構
２０４ ウェネルト及びカソードの電動式移動機構
３０１ 電子加速用の高電圧電源
３０２ 引出された全ビーム電流を測定するための電流計
３０３ ３０４に流入した電流値を測定するための電流計
３０４ 発散した電子ビームを検出するための金属板
３０５ カソードとウェネルト位置を制御するための制御装置 101 CNT cathode 102 Wehnelt 103 Anode 104 Beam trajectory calculation model region 105 Anode plate light emission region due to electron beam collision 106 CCD camera for photographing emission of anode plate 107 Distance between anode and cathode 108 Distance between anode and Wehnelt 201 Metal Foil material anode plate 202 Vacuum chamber 203 Electric movement mechanism of CNT cathode 204 Electric movement mechanism of Wehnelt and cathode 301 High voltage power source for electron acceleration 302 Ammeter 303 for measuring the total beam current drawn An ammeter for measuring the current value flowing into the electrode 304 A metal plate for detecting a diverging electron beam 305 A control device for controlling the cathode and Wehnelt positions

Claims (2)

カーボンナノチューブをエミッタとするカソードとアノードよりなる、引出し電極のない２極型構造であって、カソードと電気的に接続されたウェネルトを有し、該カソードとアノードとウェネルトの内少なくとも２つを進退させる機構を有することを特徴とする電子線発生装置     A bipolar structure consisting of a cathode and an anode with carbon nanotubes as an emitter and without an extraction electrode, and has Wenelt electrically connected to the cathode, and at least two of the cathode, anode and Wehnelt advance and retreat Electron beam generator characterized by having a mechanism カーボンナノチューブをエミッタとするカソードとアノードよりなる、引出し電極のない２極型構造であって、電子ビームの電流値とビーム径を計測する手段を具備し、エミッタからの電子放出量の変化に応じて、カソードとアノードとウェネルトの内少なくとも２つを進退させることにより電子ビームの電流値およびビーム径を設定値範囲内に制御することを特徴とする電子線発生装置の制御方法     A bipolar structure consisting of a cathode and an anode with carbon nanotubes as an emitter and without an extraction electrode, equipped with means for measuring the current value and beam diameter of the electron beam, and responding to changes in the amount of electron emission from the emitter And controlling the electron beam current value and beam diameter within a set value range by advancing and retreating at least two of the cathode, anode and Wehnelt.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010194448A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Jfe Engineering Corp Method of treating exhaust gas by electron beam irradiation
WO2010134259A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Electron gun
JP2011218293A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Jfe Engineering Corp Treatment device of exhaust gas
JP2013225490A (en) * 2012-03-21 2013-10-31 Jfe Engineering Corp Array type particle beam irradiation device and control method thereof
EP2991095A1 (en) * 2014-08-25 2016-03-02 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. High voltage feedthrough assembly, electron diffraction apparatus and method of electrode manipulation in a vacuum environment
JP6206546B1 (en) * 2016-06-23 2017-10-04 株式会社明電舎 Field emission device and reforming method
JP6226033B1 (en) * 2016-06-24 2017-11-08 株式会社明電舎 Field emission device and field emission method
EP3240010A4 (en) * 2014-12-25 2018-07-04 Meidensha Corporation Field emission device and reforming treatment method
KR20190008979A (en) * 2016-06-13 2019-01-25 메이덴샤 코포레이션 Field emission device and regeneration processing method
CN111328426A (en) * 2017-11-10 2020-06-23 阿尔卡姆公司 Method and apparatus for detecting electron beam source filament wear
EP4195235A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-14 Excillum AB Method and arrangement for an x-ray source

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284036A (en) * 1985-05-31 1986-12-15 コムビナ−ト・フアウ・エ−・ベ−・ロコモテイフバウ−エレクトロテヒニツシエ・ウエルケ“ハンス・バイムレル” Electron gun for high electron beam output
JPH0492346A (en) * 1990-08-08 1992-03-25 Jeol Ltd Electric field discharge type electron gun
JP2001250496A (en) * 2000-03-06 2001-09-14 Rigaku Corp X-ray generator
JP2003016913A (en) * 2001-07-02 2003-01-17 Canon Inc Electron emitting element, electron source, image forming device and manufacturing method of electron emitting element
JP2003100243A (en) * 2001-09-19 2003-04-04 Aet Japan:Kk Microminiature microwave electron source
JP2004335420A (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Japan Science & Technology Agency Fe type x-ray radiography system and method of manufacturing fe emitter used in the same
JP2005197075A (en) * 2004-01-07 2005-07-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Electron beam generator

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61284036A (en) * 1985-05-31 1986-12-15 コムビナ−ト・フアウ・エ−・ベ−・ロコモテイフバウ−エレクトロテヒニツシエ・ウエルケ“ハンス・バイムレル” Electron gun for high electron beam output
JPH0492346A (en) * 1990-08-08 1992-03-25 Jeol Ltd Electric field discharge type electron gun
JP2001250496A (en) * 2000-03-06 2001-09-14 Rigaku Corp X-ray generator
JP2003016913A (en) * 2001-07-02 2003-01-17 Canon Inc Electron emitting element, electron source, image forming device and manufacturing method of electron emitting element
JP2003100243A (en) * 2001-09-19 2003-04-04 Aet Japan:Kk Microminiature microwave electron source
JP2004335420A (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Japan Science & Technology Agency Fe type x-ray radiography system and method of manufacturing fe emitter used in the same
JP2005197075A (en) * 2004-01-07 2005-07-21 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Electron beam generator

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010194448A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Jfe Engineering Corp Method of treating exhaust gas by electron beam irradiation
WO2010134259A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 株式会社 日立ハイテクノロジーズ Electron gun
JP2010272381A (en) * 2009-05-22 2010-12-02 Hitachi High-Technologies Corp Electron gun
US8669535B2 (en) 2009-05-22 2014-03-11 Hitachi High-Technologies Corporation Electron gun
JP2011218293A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Jfe Engineering Corp Treatment device of exhaust gas
JP2013225490A (en) * 2012-03-21 2013-10-31 Jfe Engineering Corp Array type particle beam irradiation device and control method thereof
EP2991095A1 (en) * 2014-08-25 2016-03-02 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. High voltage feedthrough assembly, electron diffraction apparatus and method of electrode manipulation in a vacuum environment
WO2016030004A3 (en) * 2014-08-25 2016-04-21 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. High voltage feedthrough assembly, time-resolved transmission electron microscope and method of electrode manipulation in a vacuum environment
US10366861B2 (en) 2014-08-25 2019-07-30 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. High voltage feedthrough assembly, time-resolved transmission electron microscope and method of electrode manipulation in a vacuum environment
JP2017529661A (en) * 2014-08-25 2017-10-05 マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウＭＡＸ−ＰＬＡＮＣＫ−ＧＥＳＥＬＬＳＣＨＡＦＴ ＺＵＲ ＦＯｅＲＤＥＲＵＮＧ ＤＥＲ ＷＩＳＳＥＮＳＣＨＡＦＴＥＮ Ｅ．Ｖ． High voltage feedthrough assembly, time-resolved transmission electron microscope, and method of electrode manipulation in a vacuum environment
EP3240010A4 (en) * 2014-12-25 2018-07-04 Meidensha Corporation Field emission device and reforming treatment method
US10607801B2 (en) 2016-06-13 2020-03-31 Meidensha Corporation Electric field radiation device and regeneration processing method
KR20190008979A (en) * 2016-06-13 2019-01-25 메이덴샤 코포레이션 Field emission device and regeneration processing method
KR102043895B1 (en) * 2016-06-13 2019-11-15 메이덴샤 코포레이션 Field radiator and regeneration treatment method
JP6206546B1 (en) * 2016-06-23 2017-10-04 株式会社明電舎 Field emission device and reforming method
WO2017221478A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 株式会社明電舎 Field emission device and reforming treatment method
JP2017228444A (en) * 2016-06-23 2017-12-28 株式会社明電舎 Field emission device and modification processing method
US10424457B2 (en) 2016-06-23 2019-09-24 Meidensha Corporation Field emission device and reforming treatment method
JP2017228471A (en) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社明電舎 Field emission device and field emission method
KR20190016117A (en) * 2016-06-24 2019-02-15 메이덴샤 코포레이션 Field emission device and electric field emission method
WO2017221479A1 (en) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社明電舎 Field emission device and field emission method
KR102045503B1 (en) * 2016-06-24 2019-11-18 메이덴샤 코포레이션 Field radiating device and field radiating method
JP6226033B1 (en) * 2016-06-24 2017-11-08 株式会社明電舎 Field emission device and field emission method
US10651001B2 (en) 2016-06-24 2020-05-12 Meidensha Corporation Field emission device and field emission method
CN111328426A (en) * 2017-11-10 2020-06-23 阿尔卡姆公司 Method and apparatus for detecting electron beam source filament wear
JP2021502670A (en) * 2017-11-10 2021-01-28 ア−カム アーベー A method for detecting filament fatigue, a method for forming a three-dimensional article, and a device for detecting filament fatigue.
EP4195235A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-14 Excillum AB Method and arrangement for an x-ray source
WO2023104785A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-15 Excillum Ab Method and arrangement for an x-ray source

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