JP2008305863A - 処理装置 - Google Patents
処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008305863A JP2008305863A JP2007149631A JP2007149631A JP2008305863A JP 2008305863 A JP2008305863 A JP 2008305863A JP 2007149631 A JP2007149631 A JP 2007149631A JP 2007149631 A JP2007149631 A JP 2007149631A JP 2008305863 A JP2008305863 A JP 2008305863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnet
- rotating
- levitating
- processing container
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000005339 levitation Methods 0.000 claims description 74
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 50
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 41
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 23
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 22
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Vibration Prevention Devices (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
Abstract
【解決手段】浮上用電磁石アッセンブリFの磁気吸引力により、被処理体Wを支持する回転浮上体30を浮上し、回転浮上体30の水平方向位置を位置用電磁石アッセンブリHの磁気吸引力により制御しつつ、回転浮上体30を回転電磁石アッセンブリRの磁気吸引力により回転している。浮上用電磁石アッセンブリFは、磁気吸引力を垂直方向下方に向けて作用して、処理容器2の内壁に非接触で吊持するように、回転浮上体30を浮上する。
【選択図】図1
Description
本実施形態では、浮上用電磁石アッセンブリFの磁気吸引力により、被処理体Wを支持する回転浮上体30を処理容器2に非接触で浮上させ、回転浮上体30の水平方向位置を位置用電磁石アッセンブリHの磁気吸引力により制御しつつ、回転浮上体30を回転電磁石アッセンブリRの磁気吸引力により回転させるようにしている。
本変形例では、処理容器2の浮上用壁部2cは、その外壁に垂直方向に貫通し、処理容器2の外部上方から浮上用電磁石アッセンブリFの電磁石42を嵌合した貫通穴81を有し、貫通穴81と電磁石42との間に、シール部材82が装着されており、電磁石側浮上用強磁性体43は、処理容器外部の電磁石42に取付けられている。
シール部材82,92は、例えば、ロー付け、エポキシ樹脂である。
1a;アニール処理部
1b;ガス拡散部
2;処理容器
4a,4b;冷却部材
8;処理ガス導入口
9;処理ガス配管
10;排気口
11;排気配管
12;搬入出口
16a,16b;凹部
17a,17b;LED(発光素子)
18a,18b;光透過部材
20a,20b;透明な樹脂
21a,21b;冷却媒体流路
22a,22b;冷却媒体供給配管
23a,23b;冷却媒体排出配管
24a,24b;制御ボックス
30;回転浮上体
31;浮上体側浮上用強磁性体
32;浮上体側制御用強磁性体
33;支持部材
41;ヨーク
42;電磁石
43;電磁石側浮上用強磁性体
44;有底穴
45;薄壁
50;垂直方向位置センサー(Z軸センサー)
61;ヨーク
62;電磁石
63;電磁石側位置用強磁性体
64;有底穴
65;薄壁
70;水平方向位置センサー(X・Y軸センサー)
73;電磁石側回転用強磁性体
100;アニール装置
W;半導体基板
Claims (28)
- 被処理体を収容し、非磁性体からなる処理容器と、
前記処理容器の内部に配置され、前記被処理体を支持する回転浮上体と、
前記処理容器の外部に配置され、磁気吸引力を垂直方向上方に向けて作用させて、前記処理容器の内壁に非接触で吊持するように、前記回転浮上体を浮上させる浮上用電磁石アッセンブリと、
前記処理容器の外部に配置され、浮上した前記回転浮上体に磁気吸引力を作用させて、水平方向位置を制御する位置用電磁石アッセンブリと、
前記処理容器の外部に配置され、浮上した前記回転浮上体に磁気吸引力を作用させて、回転させる回転用電磁石アッセンブリと、
前記回転浮上体に支持された被処理体に所定の処理を施す処理機構と
を具備することを特徴とする処理装置。 - 前記回転浮上体は、その側方で径方向に所定幅を有する浮上体側浮上用強磁性体を有していることを特徴とする請求項1に記載の処理装置。
- 前記浮上体側浮上用強磁性体は、平板のリング状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の処理装置。
- 前記浮上用電磁石アッセンブリは、
前記処理容器の外部に配置され、背面側をヨークにより連結した一対の電磁石と、
前記処理容器の内部であって、前記一対の電磁石の各々の正面側の下方に、前記浮上体側浮上用強磁性体に所定隙間を介して対向して配置され、前記浮上体側浮上用強磁性体に磁気吸引力を作用する一対の電磁石側浮上用強磁性体と、を有し、
これにより、前記一対の電磁石と、前記ヨークと、前記一対の電磁石側浮上用強磁性体と、前記浮上体側浮上用強磁性体とから、閉じた磁気回路が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の処理装置。 - 前記電磁石側浮上用強磁性体は、平板のリング状に形成した前記浮上体側浮上用強磁性体に沿って、周方向に延在されていることを特徴とする請求項4に記載の処理装置。
- 前記処理容器は、その外壁に上向きに開口し、前記処理容器の外部上方から前記電磁石を嵌合した有底穴を有し、
前記電磁石側浮上用強磁性体は、前記有底穴内側の薄壁を介して、前記処理容器外部の前記電磁石に対向して設けられていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の処理装置。 - 前記処理容器は、その外壁に垂直方向に貫通し、前記処理容器の外部上方から前記電磁石を嵌合した貫通穴を有し、
前記貫通穴と前記電磁石との間に、シール部材が装着されており、
前記電磁石側浮上用強磁性体は、前記処理容器外部の前記電磁石に取付けられていることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の処理装置。 - 前記浮上用電磁石アッセンブリは、少なくとも3つ前記回転浮上体の外周囲に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記回転浮上体の垂直方向の位置情報を検出する垂直方向位置センサーをさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記垂直方向位置センサーにより検出した前記回転浮上体の垂直方向の位置情報に基づき、その時点での垂直方向位置、傾き、変位速度、及び加速度を演算し、次いで、これらの最適値を演算して、前記浮上用電磁石アッセンブリの電磁石に制御電流を供給する制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項9に記載の処理装置。
- 前記回転浮上体は、その側方で垂直方向に所定幅を有する浮上体側制御用強磁性体を有していることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記浮上体側制御用強磁性体は、円筒状に形成されていることを特徴とする請求項11に記載の処理装置。
- 前記位置用電磁石アッセンブリは、
前記処理容器の外部に配置され、背面側をヨークにより連結した一対の電磁石と、
前記処理容器の内部であって、前記一対の電磁石の各々の正面側の側方に、前記浮上体側制御用強磁性体に所定隙間を介して対向して配置され、前記浮上体側制御用強磁性体に磁気吸引力を作用する一対の電磁石側位置用強磁性体と、を有し、
これにより、前記一対の電磁石と、前記ヨークと、前記一対の電磁石側位置用強磁性体と、前記浮上体側制御用強磁性体とから、閉じた磁気回路が形成されていることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の処理装置。 - 前記電磁石側位置用強磁性体は、円筒状に形成した前記浮上体側制御用強磁性体に沿って、周方向に延在していることを特徴とする請求項13に記載の処理装置。
- 前記処理容器は、その外壁に水平方向に開口し、前記処理容器の外部側方から前記電磁石を嵌合した有底穴を有し、
前記電磁石側位置用強磁性体は、前記有底穴内側の薄壁を介して、前記処理容器外部の前記電磁石に対向して設けられていることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の処理装置。 - 前記処理容器は、その外壁に水平方向に貫通し、前記処理容器の外部側方から前記電磁石を嵌合した貫通穴を有し、
前記貫通穴と前記電磁石との間に、シール部材が装着されており、
前記電磁石側位置用強磁性体は、前記処理容器外部の前記電磁石に取付けられていることを特徴とする請求項13または請求項14に記載の処理装置。 - 前記位置用電磁石アッセンブリは、少なくとも3つ前記回転浮上体の外周囲に配置されていることを特徴とする請求項11から請求項16のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記回転浮上体の水平方向の位置情報を検出する水平方向位置センサーをさらに具備することを特徴とする請求項11から請求項17のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記水平方向位置センサーにより検出した前記回転浮上体の水平方向の位置情報に基づき、その時点での水平方向位置、速度、及び加速度を演算し、次いで、これらの最適値を演算して、前記位置用電磁石アッセンブリの電磁石に制御電流を供給する制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項18に記載の処理装置。
- 前記位置用電磁石アッセンブリと、前記回転用電磁石アッセンブリとは、略同じ水平位置に配置されていることを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の処理装置。
- 前記回転用電磁石アッセンブリは、
前記処理容器の外部に配置され、背面側をヨークにより連結した一対の電磁石と、
前記処理容器の内部であって、前記一対の電磁石の各々の正面側の側方に、前記浮上体側制御用強磁性体に所定隙間を介して対向して配置され、前記浮上体側制御用強磁性体に磁気吸引力を作用する一対の電磁石側回転用強磁性体と、を有し、
これにより、前記一対の電磁石と、前記ヨークと、前記一対の電磁石側回転用強磁性体と、前記浮上体側制御用強磁性体とから、閉じた磁気回路が形成されていることを特徴とする請求項20に記載の処理装置。 - 前記浮上体側制御用強磁性体と、前記電磁石側回転用強磁性体とは、互いに対向する面にそれぞれ凹凸状の歯が形成されていることを特徴とする請求項21に記載の処理装置。
- 前記電磁石側回転用強磁性体は、円筒状に形成した前記浮上体側制御用強磁性体に沿って、周方向に延在していることを特徴とする請求項21または請求項22に記載の処理装置。
- 前記処理容器は、その外壁に水平方向に開口し、前記処理容器の外部側方から前記電磁石を嵌合した有底穴を有し、
前記電磁石側回転用強磁性体は、前記有底穴内側の薄壁を介して、前記処理容器外部の前記電磁石に対向して設けられていることを特徴とする請求項21から請求項23のいずれか1項に記載の処理装置。 - 前記処理容器は、その外壁に水平方向に貫通し、前記処理容器の外部側方から前記電磁石を嵌合した貫通穴を有し、
前記貫通穴と前記電磁石との間に、シール部材が装着されており、
前記電磁石側回転用強磁性体は、前記処理容器外部の前記電磁石に取付けられていることを特徴とする請求項21から請求項23のいずれか1項に記載の処理装置。 - 前記回転用電磁石アッセンブリは、二つで一組を構成し、
各組二つの前記回転用電磁石アッセンブリは、径方向に互いに対向して設けられて、
少なくとも二組の前記回転用電磁石アッセンブリが前記回転浮上体の外周囲に配置されていることを特徴とする請求項20から請求項25のいずれか1項に記載の処理装置。 - 前記位置用電磁石アッセンブリと、前記回転用電磁石アッセンブリとは、周方向に交互に配置されていることを特徴とする請求項26に記載の処理装置。
- 前記水平方向位置センサーにより検出した前記回転浮上体の水平方向の位置情報に基づき、その時点での回転速度、及び加速度を演算し、次いで、これらの最適値を演算して、前記回転用電磁石アッセンブリの電磁石に制御電流を供給する制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項18に記載の処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007149631A JP4979472B2 (ja) | 2007-06-05 | 2007-06-05 | 処理装置 |
KR1020097025320A KR101274781B1 (ko) | 2007-06-05 | 2008-05-29 | 처리 장치 |
CN2008800188795A CN101681867B (zh) | 2007-06-05 | 2008-05-29 | 处理装置 |
US12/663,134 US8299671B2 (en) | 2007-06-05 | 2008-05-29 | Processing apparatus |
PCT/JP2008/059892 WO2008149769A1 (ja) | 2007-06-05 | 2008-05-29 | 処理装置 |
TW097120746A TWI429016B (zh) | 2007-06-05 | 2008-06-04 | Processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007149631A JP4979472B2 (ja) | 2007-06-05 | 2007-06-05 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008305863A true JP2008305863A (ja) | 2008-12-18 |
JP4979472B2 JP4979472B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=40093585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007149631A Expired - Fee Related JP4979472B2 (ja) | 2007-06-05 | 2007-06-05 | 処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8299671B2 (ja) |
JP (1) | JP4979472B2 (ja) |
KR (1) | KR101274781B1 (ja) |
CN (1) | CN101681867B (ja) |
TW (1) | TWI429016B (ja) |
WO (1) | WO2008149769A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011010661A1 (ja) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びその動作方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101386685B1 (ko) * | 2012-04-20 | 2014-04-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102578766B1 (ko) * | 2015-09-24 | 2023-09-15 | 삼성전자주식회사 | 이온 빔 에칭 장치 |
CN108987298B (zh) * | 2017-05-31 | 2020-10-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 旋转涂胶装置和方法 |
CN112033325A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-12-04 | 孙路涵 | 一种高性能铝合金材料检测平台 |
CN113488367A (zh) | 2020-12-14 | 2021-10-08 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | 具有等离子体处理***和热处理***的工件处理装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000515331A (ja) * | 1997-05-16 | 2000-11-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Rtpチャンバのための磁気的浮上型回転装置 |
JP2002016125A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Ebara Corp | 基板回転装置 |
JP2002093724A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5332442A (en) * | 1991-11-15 | 1994-07-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Surface processing apparatus |
US5818137A (en) | 1995-10-26 | 1998-10-06 | Satcon Technology, Inc. | Integrated magnetic levitation and rotation system |
JP3541286B2 (ja) * | 1996-01-25 | 2004-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | クランプ板及びエッチング装置 |
US6479801B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-11-12 | Tokyo Electron Limited | Temperature measuring method, temperature control method and processing apparatus |
JP5049443B2 (ja) * | 2000-04-20 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム |
US6437290B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-08-20 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus having a thin light-transmitting window |
JP2002202192A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-07-19 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定方法、熱処理装置及び方法、コンピュータプログラム、並びに、放射温度計 |
-
2007
- 2007-06-05 JP JP2007149631A patent/JP4979472B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-29 CN CN2008800188795A patent/CN101681867B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-29 KR KR1020097025320A patent/KR101274781B1/ko active IP Right Grant
- 2008-05-29 WO PCT/JP2008/059892 patent/WO2008149769A1/ja active Application Filing
- 2008-05-29 US US12/663,134 patent/US8299671B2/en active Active
- 2008-06-04 TW TW097120746A patent/TWI429016B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000515331A (ja) * | 1997-05-16 | 2000-11-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Rtpチャンバのための磁気的浮上型回転装置 |
JP2002016125A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Ebara Corp | 基板回転装置 |
JP2002093724A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011010661A1 (ja) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びその動作方法 |
JP2011139015A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-07-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその動作方法 |
US20120118504A1 (en) * | 2009-07-22 | 2012-05-17 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and method for operating same |
CN102473670A (zh) * | 2009-07-22 | 2012-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置及其动作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100164315A1 (en) | 2010-07-01 |
CN101681867B (zh) | 2012-11-21 |
JP4979472B2 (ja) | 2012-07-18 |
TW200913123A (en) | 2009-03-16 |
KR101274781B1 (ko) | 2013-06-13 |
TWI429016B (zh) | 2014-03-01 |
US8299671B2 (en) | 2012-10-30 |
WO2008149769A1 (ja) | 2008-12-11 |
KR20100018530A (ko) | 2010-02-17 |
CN101681867A (zh) | 2010-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5533335B2 (ja) | 処理装置及びその動作方法 | |
JP4979472B2 (ja) | 処理装置 | |
JP6165992B2 (ja) | 磁気浮上搬送装置 | |
KR101409524B1 (ko) | 기판 이송 장치 | |
KR100710524B1 (ko) | 기판처리장치 | |
JP6683575B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20010111030A (ko) | 기판 회전장치 | |
JP2007189222A (ja) | リフトピン構造を有する半導体処理装置 | |
JP2001002241A (ja) | 搬送モジュール及びクラスターシステム | |
JP2002093724A (ja) | 熱処理装置 | |
KR102424177B1 (ko) | 자기부상 회전 장치 및 진공 처리 장치 | |
JP4481124B2 (ja) | 磁気軸受装置及び該磁気軸受装置が搭載されたターボ分子ポンプ | |
JP4644766B2 (ja) | 非接触型被処理物回転処理装置 | |
KR20180109835A (ko) | 진공 시스템에서 사용하기 위한 캐리어, 진공 프로세싱을 위한 시스템, 및 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법 | |
WO2020145149A1 (ja) | 真空ポンプ | |
JP2006049489A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102424176B1 (ko) | 자기부상 회전 장치 및 이를 포함하는 진공 처리 장치 | |
KR100523674B1 (ko) | 급속 열처리장치의 웨이퍼 회전장치 | |
JP2001060616A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20240046030A (ko) | 기판 반송 모듈 및 기판 반송 방법 | |
JP2001001290A (ja) | 処理モジュール及びクラスターシステム | |
JP2018029164A (ja) | 基板回転装置および基板処理装置 | |
JP2006045635A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2007162913A (ja) | 磁気浮上型回転装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120417 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4979472 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |