JP2008300841A - 抵抗性メモリ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも一つの第1電極E1と、第1電極E1と離隔された少なくとも一つの第2電極E2と、第1電極E1と第2電極E2との間に備えられ、第1抵抗変化層R1を備える第1構造体S1と、第1中間電極M1、及び、第1抵抗変化層R1と電気的に連結された第1スイッチング素子D1と、を備え、第1及び第2電極E1,E2のうち少なくとも一つは、貴金属と卑金属とを含む合金層を備える抵抗性メモリ素子である。貴金属は、p型酸化物と接触してスイッチング特性を表すか、またはダイオードのp型半導体層と接触してオーミック特性を表す金属であり、卑金属は、合金層の接着力を向上させる役割を持つ。
【選択図】図1
Description
E1 第1電極
E2 第2電極
E3 第3電極
M1 第1中間電極
R1 第1抵抗変化層
S1 第1構造物
S2 第2構造物
Claims (23)
- 少なくとも一つの第1電極と、
前記第1電極と離隔された少なくとも一つの第2電極と、
前記第1電極と第2電極との間に備えられ、第1抵抗変化層を備える第1構造体と、
前記第1抵抗変化層と電気的に連結された第1スイッチング素子と、を備え、
前記第1及び第2電極のうち少なくとも一つは、貴金属と卑金属とを含む合金層を備えることを特徴とする抵抗性メモリ素子。 - 前記合金層は、二元合金及び三元合金のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記貴金属は、Pt,Ir,Ru,Pd及びAuのうちいずれか一つであることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記合金層は、Pt−Ti合金層またはPt−Ni合金層であることを特徴とする請求項3に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記Pt−Ti合金層で、Tiの含有量X(mol%)は、0<X≦40であることを特徴とする請求項4に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記Pt−Ni合金層で、Niの含有量Y(mol%)は、0<Y≦90であることを特徴とする請求項4に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1構造体は、前記第1スイッチング素子を備え、
前記第1抵抗変化層と前記第1スイッチング素子との間に第1中間電極をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性メモリ素子。 - 前記第1中間電極は、前記合金層を備えることを特徴とする請求項7に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1スイッチング素子は、第1酸化物ダイオードであることを特徴とする請求項7に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1電極上に前記第1抵抗変化層、前記第1中間電極、前記第1スイッチング素子及び前記第2電極が順次に備えられたことを特徴とする請求項7に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1電極上に前記第1スイッチング素子、前記第1中間電極、前記第1抵抗変化層及び前記第2電極が順次に備えられたことを特徴とする請求項7に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1及び第2電極は、互いに交差する複数の配線であり、
前記第1及び第2電極の交差点に前記第1構造体が備えられたことを特徴とする請求項7に記載の抵抗性メモリ素子。 - 前記第2電極と離隔された少なくとも一つの第3電極と、
前記第2電極と前記第3電極との間に備えられ、第2抵抗変化層を備える第2構造体と、
前記第2抵抗変化層と電気的に連結された第2スイッチング素子と、をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性メモリ素子。 - 前記第3電極は、前記合金層を備えることを特徴とする請求項13に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第2構造体は、前記第2スイッチング素子を備え、
前記第2抵抗変化層と前記第2スイッチング素子との間に第2中間電極をさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の抵抗性メモリ素子。 - 前記第2中間電極は、前記合金層を備えることを特徴とする請求項15に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第2スイッチング素子は、第2酸化物ダイオードであることを特徴とする請求項15に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第2電極上に前記第2抵抗変化層、前記第2中間電極、前記第2スイッチング素子及び前記第3電極が順次に備えられたことを特徴とする請求項15に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第2電極上に前記第2スイッチング素子、前記第2中間電極、前記第2抵抗変化層及び前記第3電極が順次に備えられたことを特徴とする請求項15に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第2及び第3電極は、互いに交差する複数の配線であり、
前記第2及び第3電極の交差点に前記第2構造体が備えられたことを特徴とする請求項15に記載の抵抗性メモリ素子。 - 前記抵抗性メモリ素子は、1D(Diode)−1R(Resistor)セル構造を有する多層交差点メモリ素子であることを特徴とする請求項20に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1抵抗変化層は、高抵抗状態から低抵抗状態に、または低抵抗状態から高抵抗状態に可逆的に変換する要素を備えることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性メモリ素子。
- 前記第1抵抗変化層は、高抵抗状態から低抵抗状態に非可逆的に変換する要素を備えることを特徴とする請求項1に記載の抵抗性メモリ素子。
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