JP2008300518A - アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 129
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 7
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 abstract description 24
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 24
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 163
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 72
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007611 Zn—In—O Inorganic materials 0.000 description 1
- GWVKDXOHXJEUCP-UHFFFAOYSA-N [N].[O].[Ar] Chemical compound [N].[O].[Ar] GWVKDXOHXJEUCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
さらには、構成原子の原子組成比率に依るトランジスタ特性の変化が少ない、原子組成比率のマージン(設計自由度)の大きな電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】 電界効果型トランジスタであって、
前記電界効果型トランジスタの活性層がInと、Znと、Nと、Oと、を含むアモルファス酸化物からなり、前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、前記酸化物はGaを含まないか、Gaを含む場合には、前記酸化物に含まれるNの原子数よりも少なくする。
【選択図】 図1
Description
まず、トランジスタ動作特性の評価指標について説明する。
本発明に係わるTFT素子の第1実施例を図4を用いて説明する。
活性層を除いては上記実施例1と同様の構成とした。本比較例では活性層11として、N添加していないIn−Zn−O膜を形成した。なお、本比較例においても、活性層の材料の原子組成比率依存性を検討するために、成膜にコンビナトリアル法を用いている。
活性層を除いては上記実施例1と同様の構成とした。本比較例では活性層11として、N添加したIn−Zn−O膜を形成した。なお、本比較例においても、活性層の材料の原子組成比率依存性を検討するために、成膜にコンビナトリアル法を用いている。
本実施例で得られたN添加In−Zn−O活性層について、光吸収スペクトルの解析を行ったところ、上記N添加酸化膜の禁制帯エネルギー幅はInの原子組成比率に依存して約2.7eVから2.9eVの範囲の値を示していた。比較例1のIn−Zn−O膜では禁制帯エネルギー幅が上記と同様に約2.7から2.9eVの範囲、一方比較例2の酸窒化物半導体では約2.3−2.4eVの値を示している。この結果、窒素の原子組成比率(N/(N+O))が大きくなるに従い、可視域での受光感度が増加してしまうことが分かった。
図6は、本実施例で作製したTFT素子を室温下で測定した時の、Vd=6VにおけるId−Vg特性(トランスファ特性)を示したものである。
本発明に係わるTFT素子の第2実施例を図4を用いて説明する。
活性層を除いては上記実施例1と同様の構成とした。本比較例では活性層11として、N添加していないIn−Zn−Ga−O膜を形成した。なお、本比較例においても、活性層の材料の原子組成比率依存性を検討するために、成膜にコンビナトリアル法を用いている。
本実施例で得られたN添加In−Zn−Ga−O活性層について、光吸収スペクトルの解析を行った。その結果、上記N添加酸化膜の禁制帯エネルギー幅は金属の原子組成比率に依存して約2.8eVから3.1eVの範囲の値を示していた。そして実施例1のN添加In−Zn−O膜よりも若干高い値、また比較例3のIn−Zn―Ga−O膜と同程度の値を示していた。
本実施例2において、最も良好なトランジスタ特性が得られたのは、Inの原子組成比率(In/(Zn+In))が約40原子%、全原子数に対するGaの原子組成比率が0.4原子%の時であった。この時、オン電流は比較的大きい値を示しており、Vg=10Vの時には、Id=4×10−4A程度の電流が流れていることがわかった。オフ電流はId=1×10−13A程度、しきい電圧は約2.3Vであり、実施例1と比べてオフ電流が低く、しきい電圧も大きいことが分かった。またこの時、TFTはノーマリーオフ特性を示していた。出力特性から電界効果移動度およびS値を算出したところ、それぞれ約14.4cm2/Vsおよび約0.3V/decと、実施例1で得られた値とほぼ同程度の良好な特性が得られた。上記結果は比較例3で作製したTFTにおいても同様に観測され、微量のGa添加によって、高い電界効果移動度を保ったまま、低いオフ電流やノーマリーオフ特性が実現されることが分かった。
12 ソース電極
13 ドレイン電極
14 ゲート絶縁膜
15 ゲート電極
16 密着層
Claims (6)
- アモルファス酸化物であって、
Inと、Znと、Nと、Oと、を含み、
前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、
前記酸化物は、Gaを含まないか、Gaを含む場合には、前記アモルファス酸化物に含まれるNの原子数よりも少ないことを特徴とするアモルファス酸化物。 - 前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記InとZnの合計に対する原子組成比率が0.01原子%以上7原子%以下であることを特徴とする、請求項1に記載のアモルファス酸化物。
- 前記アモルファス酸化物中の前記InのInとZnに対する原子組成比率が15原子%以上75原子%以下であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のアモルファス酸化物。
- 電界効果型トランジスタであって、
前記電界効果型トランジスタの活性層がInと、Znと、Nと、Oと、を含むアモルファス酸化物からなり、
前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記NとOに対する原子組成比率が0.01原子%以上3原子%以下であり、かつ、
前記酸化物はGaを含まないか、Gaを含む場合には、前記酸化物に含まれるNの原子数よりも少ないことを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 前記アモルファス酸化物中の前記Nの前記InとZnの合計に対する原子組成比率が0.01原子%以上7原子%以下であることを特徴とする、請求項4に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記アモルファス酸化物中の前記InのInとZnに対する原子組成比率が15原子%以上75原子%以下であることを特徴とする、請求項4又は5に記載の電界効果型トランジスタ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007143431A JP5241143B2 (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 電界効果型トランジスタ |
EP08764821A EP2165368B1 (en) | 2007-05-30 | 2008-05-22 | Amorphous oxide and field effect transistor |
US12/597,934 US8188467B2 (en) | 2007-05-30 | 2008-05-22 | Amorphous oxide and field effect transistor |
KR1020097027135A KR101294113B1 (ko) | 2007-05-30 | 2008-05-22 | 아모퍼스 산화물 및 전계 효과형 트랜지스터 |
PCT/JP2008/059852 WO2008149754A1 (en) | 2007-05-30 | 2008-05-22 | Amorphous oxide and field effect transistor |
CN2008800174542A CN101681922B (zh) | 2007-05-30 | 2008-05-22 | 无定形氧化物和场效应晶体管 |
TW097119728A TWI397183B (zh) | 2007-05-30 | 2008-05-28 | 非晶形氧化物與場效電晶體 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007143431A JP5241143B2 (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 電界効果型トランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008300518A true JP2008300518A (ja) | 2008-12-11 |
JP5241143B2 JP5241143B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=39590910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007143431A Active JP5241143B2 (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 電界効果型トランジスタ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8188467B2 (ja) |
EP (1) | EP2165368B1 (ja) |
JP (1) | JP5241143B2 (ja) |
KR (1) | KR101294113B1 (ja) |
CN (1) | CN101681922B (ja) |
TW (1) | TWI397183B (ja) |
WO (1) | WO2008149754A1 (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010003822A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2010535431A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ |
CN101928560A (zh) * | 2009-06-18 | 2010-12-29 | 晶元光电股份有限公司 | 一种可由紫外光激发的蓝光荧光材料及其制备方法 |
JP2011142311A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011141524A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置を有する電子機器 |
JP2011141522A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
JP2011146692A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、測定装置、比誘電率の測定方法 |
JP2012049211A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | 酸化物半導体薄膜の製造方法および酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタを備えた装置 |
KR20120059414A (ko) * | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
JP2012114421A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2012119672A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法 |
JP2013531383A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-08-01 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 薄膜トランジスタ |
KR20130140802A (ko) * | 2010-11-30 | 2013-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2014017500A (ja) * | 2009-10-30 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014132664A (ja) * | 2008-12-26 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2015018271A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015043440A (ja) * | 2009-11-13 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015053486A (ja) * | 2009-09-16 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015144286A (ja) * | 2010-08-06 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016096346A (ja) * | 2008-12-24 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2016136647A (ja) * | 2010-11-11 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016192577A (ja) * | 2010-02-19 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2016197741A (ja) * | 2009-07-17 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2018029196A (ja) * | 2010-07-02 | 2018-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019024136A (ja) * | 2010-12-28 | 2019-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020161829A (ja) * | 2009-12-11 | 2020-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2021044559A (ja) * | 2010-03-05 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007118204A2 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-18 | Applied Materials, Inc. | Reactive sputtering zinc oxide transparent conductive oxides onto large area substrates |
US8980066B2 (en) * | 2008-03-14 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Thin film metal oxynitride semiconductors |
US8143093B2 (en) * | 2008-03-20 | 2012-03-27 | Applied Materials, Inc. | Process to make metal oxide thin film transistor array with etch stopping layer |
US8258511B2 (en) | 2008-07-02 | 2012-09-04 | Applied Materials, Inc. | Thin film transistors using multiple active channel layers |
JP5889791B2 (ja) | 2009-09-24 | 2016-03-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ソース・ドレイン金属エッチングのためのウェットプロセスを用いた金属酸化物又は金属酸窒化物tftの製造方法 |
US8840763B2 (en) * | 2009-09-28 | 2014-09-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for stable process in a reactive sputtering process using zinc or doped zinc target |
SG178056A1 (en) * | 2009-10-08 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab | Oxide semiconductor layer and semiconductor device |
KR101820972B1 (ko) | 2009-10-09 | 2018-01-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5596963B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2014-09-24 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット及びそれを用いた薄膜トランジスタ |
KR101878731B1 (ko) * | 2011-12-06 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
KR20150025621A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자 |
CN104167448B (zh) * | 2014-08-05 | 2017-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
KR102042782B1 (ko) * | 2017-03-15 | 2019-11-27 | 한화케미칼 주식회사 | 에멀젼, 에멀젼의 제조 방법 및 에멀젼을 이용한 코팅막 형성 방법 |
WO2018211724A1 (ja) * | 2017-05-16 | 2018-11-22 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタターゲット、酸化物半導体膜、ならびに半導体デバイスの製造方法 |
US11581334B2 (en) | 2021-02-05 | 2023-02-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cocktail layer over gate dielectric layer of FET FeRAM |
KR102537632B1 (ko) * | 2021-09-17 | 2023-05-26 | 충북대학교 산학협력단 | 전류 어닐링 공정을 포함하는 전계효과 트랜지스터 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513404A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006133769A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
WO2007058231A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3423896B2 (ja) | 1999-03-25 | 2003-07-07 | 科学技術振興事業団 | 半導体デバイス |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
EP2453480A2 (en) * | 2004-11-10 | 2012-05-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
EP1810335B1 (en) | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
JP5016831B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-09-05 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体薄膜トランジスタを用いた発光素子及びこれを用いた画像表示装置 |
-
2007
- 2007-05-30 JP JP2007143431A patent/JP5241143B2/ja active Active
-
2008
- 2008-05-22 CN CN2008800174542A patent/CN101681922B/zh active Active
- 2008-05-22 WO PCT/JP2008/059852 patent/WO2008149754A1/en active Application Filing
- 2008-05-22 EP EP08764821A patent/EP2165368B1/en not_active Not-in-force
- 2008-05-22 US US12/597,934 patent/US8188467B2/en active Active
- 2008-05-22 KR KR1020097027135A patent/KR101294113B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-05-28 TW TW097119728A patent/TWI397183B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0513404A (ja) * | 1991-07-03 | 1993-01-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2006133769A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 |
WO2007058231A1 (ja) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
Cited By (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010535431A (ja) * | 2007-08-02 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ |
JP2010003822A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP2016096346A (ja) * | 2008-12-24 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9941310B2 (en) | 2008-12-24 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations |
JP2017152704A (ja) * | 2008-12-24 | 2017-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9711651B2 (en) | 2008-12-26 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US11817506B2 (en) | 2008-12-26 | 2023-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9136390B2 (en) | 2008-12-26 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2014132664A (ja) * | 2008-12-26 | 2014-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
CN101928560A (zh) * | 2009-06-18 | 2010-12-29 | 晶元光电股份有限公司 | 一种可由紫外光激发的蓝光荧光材料及其制备方法 |
JP2016197741A (ja) * | 2009-07-17 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2017120918A (ja) * | 2009-09-16 | 2017-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015053486A (ja) * | 2009-09-16 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6138391B1 (ja) * | 2009-09-16 | 2017-05-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9959822B2 (en) | 2009-10-16 | 2018-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
JP2018180562A (ja) * | 2009-10-16 | 2018-11-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US9368082B2 (en) | 2009-10-16 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
US10565946B2 (en) | 2009-10-16 | 2020-02-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the liquid crystal display device |
JP2011141522A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、及び当該液晶表示装置を具備する電子機器 |
US10657882B2 (en) | 2009-10-21 | 2020-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including display device |
US20190012960A1 (en) | 2009-10-21 | 2019-01-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including display device |
US9165502B2 (en) | 2009-10-21 | 2015-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including display device |
US10083651B2 (en) | 2009-10-21 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including display device |
US8890781B2 (en) | 2009-10-21 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including display device |
US11107396B2 (en) | 2009-10-21 | 2021-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including thin film transistor including top-gate |
JP2011141524A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置を有する電子機器 |
US9722086B2 (en) | 2009-10-30 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
JP2014017500A (ja) * | 2009-10-30 | 2014-01-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015043440A (ja) * | 2009-11-13 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10083823B2 (en) | 2009-11-13 | 2018-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor |
JP2016225650A (ja) * | 2009-12-04 | 2016-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015018271A (ja) * | 2009-12-04 | 2015-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102492561B1 (ko) | 2009-12-11 | 2023-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
JP2011142311A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US11545579B2 (en) | 2009-12-11 | 2023-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20200103887A (ko) * | 2009-12-11 | 2020-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
JP2020161829A (ja) * | 2009-12-11 | 2020-10-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20190025741A (ko) * | 2009-12-11 | 2019-03-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
US10804409B2 (en) | 2009-12-11 | 2020-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP7059320B2 (ja) | 2009-12-11 | 2022-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015144309A (ja) * | 2009-12-11 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102273623B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2021-07-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
KR102308442B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2021-10-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
KR20210084667A (ko) * | 2009-12-11 | 2021-07-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
KR101857692B1 (ko) * | 2009-12-11 | 2018-05-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작방법 |
US10103272B2 (en) | 2009-12-11 | 2018-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9196738B2 (en) | 2009-12-11 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9530893B2 (en) | 2009-12-17 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
US8853683B2 (en) | 2009-12-17 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity |
JP2011146692A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、測定装置、比誘電率の測定方法 |
JP2016192577A (ja) * | 2010-02-19 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2021044559A (ja) * | 2010-03-05 | 2021-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
JP7101739B2 (ja) | 2010-03-05 | 2022-07-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法及びトランジスタの作製方法 |
JP2018029196A (ja) * | 2010-07-02 | 2018-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013531383A (ja) * | 2010-07-02 | 2013-08-01 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | 薄膜トランジスタ |
JP2015144286A (ja) * | 2010-08-06 | 2015-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11677384B2 (en) | 2010-08-06 | 2023-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit with semiconductor layer having indium, zinc, and oxygen |
US11177792B2 (en) | 2010-08-06 | 2021-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power supply semiconductor integrated memory control circuit |
JP2012049211A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Fujifilm Corp | 酸化物半導体薄膜の製造方法および酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ、並びに薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2019117948A (ja) * | 2010-11-05 | 2019-07-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9299851B2 (en) | 2010-11-05 | 2016-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20200123766A (ko) * | 2010-11-05 | 2020-10-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2016106402A (ja) * | 2010-11-05 | 2016-06-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US10170598B2 (en) | 2010-11-05 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012114421A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-06-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR102320343B1 (ko) * | 2010-11-05 | 2021-11-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2017228797A (ja) * | 2010-11-05 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体層の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
JP2016136647A (ja) * | 2010-11-11 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10811522B2 (en) | 2010-11-11 | 2020-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10153360B2 (en) | 2010-11-11 | 2018-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11631756B2 (en) | 2010-11-11 | 2023-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2012119672A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法 |
KR20130140802A (ko) * | 2010-11-30 | 2013-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2016197736A (ja) * | 2010-11-30 | 2016-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102058962B1 (ko) * | 2010-11-30 | 2019-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
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JP2019024136A (ja) * | 2010-12-28 | 2019-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8188467B2 (en) | 2012-05-29 |
WO2008149754A1 (en) | 2008-12-11 |
EP2165368A1 (en) | 2010-03-24 |
KR20100020488A (ko) | 2010-02-22 |
KR101294113B1 (ko) | 2013-08-08 |
TWI397183B (zh) | 2013-05-21 |
TW200915576A (en) | 2009-04-01 |
CN101681922B (zh) | 2012-05-23 |
US20100140611A1 (en) | 2010-06-10 |
CN101681922A (zh) | 2010-03-24 |
JP5241143B2 (ja) | 2013-07-17 |
EP2165368B1 (en) | 2012-05-30 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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