JP2008270318A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、SOI基板を備えている。さらに、SOI基板を構成する半導体層2は、素子が形成される素子形成領域8を備えている。また、平面視において、素子形成領域8を囲繞する第一のトレンチ分離膜6を備えている。また、平面視において、第一のトレンチ分離膜6を囲繞する第二のトレンチ分離膜10を備えている。さらに、平面視において第二のトレンチ分離膜10を囲繞する不純物領域9を備えている。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図2は、図1のA−A断面を示す断面図である。
図6は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図7は、図6のB−B断面を示す断面図である。
図8は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図9は、図8のC−C断面を示す断面図である。
Claims (8)
- 支持基板と絶縁層と半導体層とから成るSOI基板を備える半導体装置において、
前記半導体層における素子が形成される領域である素子形成領域と、
平面視において、前記素子形成領域を囲繞するように前記半導体層に形成される第一のトレンチ分離膜と、
平面視において、前記第一のトレンチ分離膜を囲繞するように前記半導体層に形成される第二のトレンチ分離膜と、
前記第二のトレンチ分離膜から平面方向に所定の距離だけ隔てて、平面視において前記第二のトレンチ分離膜を囲繞するように前記半導体層に形成される不純物領域とを、備える、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物領域は、
前記第二のトレンチ分離膜および前記半導体層に形成される他のトレンチ分離膜により、平面視において取り囲まれている、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 支持基板と絶縁層と半導体層とから成るSOI基板を備える半導体装置において、
前記半導体層における素子が形成される領域である素子形成領域と、
平面視において、前記素子形成領域を囲繞するように前記半導体層に形成されるトレンチ分離膜と、
前記半導体層の表面内に形成され、第一の領域が除去されている絶縁膜と、
前記絶縁膜が除去されている前記第一の領域と平面方向に所定の距離だけ隔てて、前記半導体層に形成される不純物領域とを、備えており、
前記第一の領域は、
前記トレンチ分離膜と平面方向に所定の距離だけ隔てられた領域であり、かつ平面視において前記トレンチ分離膜を囲繞する環状領域であり、
前記不純物領域は、
平面視において前記第一の領域を囲繞するように形成されている、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物領域は、
前記第一の領域および前記絶縁膜が除去されている第二の領域により、平面視において取り囲まれている、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 支持基板と絶縁層と半導体層とから成るSOI基板を備える半導体装置において、
前記半導体層における素子が形成される領域である素子形成領域と、
平面視において、前記素子形成領域を囲繞するように前記半導体層に形成される第一のトレンチ分離膜と、
前記第一のトレンチ分離膜と平面方向に所定の距離だけ隔てて、平面視において前記第一のトレンチ分離膜を囲繞するように前記半導体層に形成される不純物領域と、
前記第一のトレンチ分離膜を平面視において囲繞するように、前記不純物領域内において形成される第二のトレンチ分離膜とを、備える、
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物領域を構成する不純物は、
ボロン、砒素、リン、アンチモンのいずれかを少なくとも含む、
ことを特徴とする請求項1,3,5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記不純物領域は、
金属不純物を捕獲している、
ことを特徴とする請求項1,3,5のいずれかに記載の半導体装置。 - (A)支持基板と絶縁層と半導体層とを当該順に積層する工程と、
(B)前記半導体層の所定の領域に対して、所定の不純物を注入する工程と、
(C)前記工程(B)の後に、加熱処理を施す工程と、
(D)前記工程(C)の後に、素子が形成される素子形成領域を平面視において囲繞するトレンチ分離膜を前記半導体層内に形成する工程とを、備えており、
前記所定の領域は、前記トレンチ分離膜を平面視において囲繞している、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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