JP2008270318A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ＳＯＩ基板に素子形成領域を囲繞するトレンチ分離膜を形成した場合においても、素子形成領域内の不純物を取り除くことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、ＳＯＩ基板を備えている。さらに、ＳＯＩ基板を構成する半導体層２は、素子が形成される素子形成領域８を備えている。また、平面視において、素子形成領域８を囲繞する第一のトレンチ分離膜６を備えている。また、平面視において、第一のトレンチ分離膜６を囲繞する第二のトレンチ分離膜１０を備えている。さらに、平面視において第二のトレンチ分離膜１０を囲繞する不純物領域９を備えている。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に係る発明であり、特に、ＳＯＩ基板を含む半導体装置および当該半導体装置の製造方法に適用することができる。

近年、半導体装置の高性能化のために、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）基板と溝内に絶縁膜を埋め込んだトレンチ分離膜とが多用されている。当該ＳＯＩ基板とトレンチ分離膜とにより半導体素子を完全に囲い込むことにより、完全分離構造が構成される。このような完全分離構造の場合には、ＰＮ分離構造の場合にできる分離領域の接合容量が無く、また高い素子間耐圧を確保し素子面積を小さくできるので、素子の高速化、高集積化が可能となる。

ところで、ＳＯＩ基板には微量の金属不純物が含まれる場合があり、素子形成領域に当該金属不純物が存在すると、ゲート酸化膜破壊や接合リークなどの不良を発生することになる。当該金属不純物取り除く方法として、たとえば、ウエハ裏面に機械的にダメージを与え、その後の熱処理で発生する結晶欠陥等をゲッタリングサイトとし、金属不純物を捕獲する方法がある。その他に、ウエハ裏面にポリシリコン膜を形成し、発生する結晶欠陥等をゲッタリングサイトとし、金属不純物を捕獲する方法などもある。

なお、ゲッタリングサイトに関する従来技術として、特許文献１および特許文献２がある。

特開２００３−２８９０７６号公報 特開２００２−３３３８２号公報

しかし、素子形成領域を絶縁膜（ＳＯＩ基板を構成する絶縁層およびトレンチ分離膜）で囲い込んだ場合、当該絶縁膜を金属不純物が拡散し抜け出すことができない。したがって、上記当該金属不純物取り除く方法を適用したとしても、素子形成領域内に金属不純物が残ってしまう問題があった。

そこで、本発明は、ＳＯＩ基板に素子形成領域を囲繞するトレンチ分離膜を形成した場合においても、素子形成領域内の不純物を取り除くことが可能な半導体装置、およびその半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る１の実施の形態においては、以下の半導体装置が開示されている。すなわち、ＳＯＩ基板を備えている。さらに、ＳＯＩ基板を構成する半導体層は、素子が形成される素子形成領域を備えている。また、平面視において、素子形成領域を囲繞する第一のトレンチ分離膜を備えている。また、平面視において、第一のトレンチ分離膜を囲繞する第二のトレンチ分離膜を備えている。さらに、平面視において第二のトレンチ分離膜を囲繞する不純物領域を備えている。

上記実施の形態によれば、一度、不純物領域により捕獲された金属不純物が、素子形成領域側に拡散することを確実に防止できる。また、隣接する素子形成領域間には、合計４重のトレンチ分離膜が形成される。したがって、トレンチ分離間耐圧も大幅に向上する効果がある。

以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。

＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。

本発明に係る半導体装置は、支持基板と絶縁層１と半導体層２とから成るＳＯＩ基板を備える。図１では、当該半導体層２の表面の様子を示しており、図２は、当該絶縁層１、当該半導体層２、およびフィールド絶縁膜３の断面構造を示している。なお、図面簡略化のため、図１では図２で示したフィールド絶縁膜３は省略している。また、支持基板は、図示していないが絶縁層１の下面側に形成されている。

以下、図１，２を参照して本実施の形態に係る半導体装置の構成について詳細に説明する。

半導体層２は、複数の素子形成領域８を有している。各素子形成領域８における半導体層２の表面内には、単体もしくは複数の半導体素子が形成される。また、半導体層２の表面内には、複数の環状の第一のトレンチ分離膜６が形成されている。ここで、各第一のトレンチ分離膜６は、平面視において、対応する素子形成領域８を囲繞している。なお、図１，２より推測可能なように、素子形成領域８は、水平方向および下方向は第一のトレンチ分離膜６および絶縁層１により囲まれている。

また、半導体層２の表面内には、複数の環状の第二のトレンチ分離膜１０が形成されている。ここで、各第二のトレンチ分離膜１０は、平面視において、各第一のトレンチ分離膜６を囲繞している。

また、半導体層２の表面内には、不純物領域９が形成されている。ここで、不純物領域９は、第二のトレンチ分離膜１０から平面方向に所定の距離だけ隔てて、平面視において当該第二のトレンチ分離膜１０を囲繞している。ここで、不純物領域９を構成する不純物は、ボロン、砒素、リン、アンチモンのいずれかを少なくとも含むものである。

所定の領域にボロン等の不純物イオンを注入し、その後に高温の熱処理を施す。これにより、不純物領域９が形成された半導体層２において結晶欠陥が発生し、当該不純物領域９は、金属不純物を捕獲するゲッタリングサイトとして機能する。ここで、１１００℃程度の上記高温の熱処理を施すことにより、半導体層２の上面にフィールド絶縁膜（酸化膜）３も形成される（図２参照）。

また、不純物領域９は、第二のトレンチ分離膜１０および半導体層２の表面内に形成されている他のトレンチ分離膜１５により、平面視において周囲が完全に取り囲まれている。

つまり、本実施の形態に係る半導体装置は、平面視において、隣接する素子形成領域８間に不純物領域９が形成されている。さらに、平面視において、各素子形成領域８と不純物領域９との間には、入れ子状の（２重の）トレンチ分離膜６，１０が形成されている。さらに、平面視において、不純物領域９は、その周辺が第二のトレンチ分離膜１０および他のトレンチ分離膜１５により、完全に囲まれている。

なお、図２に示すように、トレンチ分離膜６，１０，１５は、半導体層２の上面から絶縁層１の上面に至って形成されている。他方、フィールド絶縁膜３は、半導体層２の表面から、絶縁層１の上面に至らない所定の深さに亘って形成されている。

次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について、工程断面図を用いて説明する。

はじめに、支持基板（図示せず）と絶縁層１と半導体層２とを当該順に積層することにより、ＳＯＩ基板を形成する。ここで、図３に示すように、半導体層２の上面において、素子形成領域８は凸状となっている（換言すれば、素子形成領域８間の半導体層２上面は凹んでいる）。

次に、半導体層２上に、酸化膜１１と窒化膜１２とを形成する。その後、窒化膜１２上にレジストを形成し、写真製版技術を用いて当該レジストをパターニングする。より具体的に、素子形成領域８の上面にのみ酸化膜１１と窒化膜１２との積層膜が残るように、当該レジストをパターニングする。その後、当該レジストをマスクとして用いて、窒化膜１１および酸化膜１２をエッチングし除去する(図３参照)。

ここで、素子形成領域８において半導体層２を凸状とし、当該素子形成領域８においてのみ酸化膜１１と窒化膜１２との積層膜を形成している。これは、素子形成領域８以外の領域における後述するフィールド絶縁膜３の膜厚をより厚くするためである。

次に、窒化膜１２および半導体層２を覆うように、レジスト２１を形成する。そして、写真製版技術を用いて当該レジスト２１を所定の形状にパターニングする。次に、図４に示すように、レジスト２１をマスクとして用いて、半導体層２の露出面にボロン等の不純物イオン２２２を注入する。ここで、当該不純物イオン２２２の注入は、隣接する素子形成領域８間の所定の領域に施される。当該不純物イオン２２２の注入により、図４に示されるように、不純物領域９が形成される。

次に、レジスト２１を除去した後、１１００℃程度の熱酸化処理を実施する。これにより、酸化膜が形成される。その後、酸化膜１１、窒化膜１２および当該酸化膜の平坦化処理を施す。これにより、図５に示すように、半導体層２の上面にフィールド絶縁膜（酸化膜）３が形成される。ここで、上記工程の結果、隣接する素子形成領域８間のフィールド絶縁膜３の膜厚は厚くなる。また、当該熱酸化処理により、不純物領域９において結晶欠陥が発生し、当該不純物領域９がゲッタリングサイトとして機能する。(図５)。

次に、フィールド絶縁膜３を覆うように、窒化膜と酸化膜を当該順に堆積する。その後、トレンチ分離膜が形成される領域が開口されたレジストを上記酸化膜上に形成する。その後、当該レジストを用いて酸化膜、窒化膜、フィールド絶縁膜３および半導体層２をエッチング除去する。これにより、半導体層２の表面内に、当該半導体層２の底面まで至る、複数の溝が形成される。ここで、各溝は平面視において環状の形状を有している。その後、酸化膜、窒化膜を除去し、当該溝に酸化膜を充填し、素子形成領域８のフィールド絶縁膜３を除去する。そして、素子形成領域８に半導体素子を形成することにより、図１，２に示した構成が完成する。

本実施の形態に係る半導体装置では、１の素子形成領域８を囲繞するように、２つのトレンチ分離膜６，１０が入れ子状（２重に）形成されている。そして、第二のトレンチ分離膜１０と水平方向に所定の距離だけ隔てて、当該第二のトレンチ分離膜１０の外周に不純物領域９が形成されている。つまり、金属不純物を捕獲している不純物領域９と素子形成領域８との間には、２重のトレンチ分離膜６，１０が存在する。

したがって、一度不純物領域９により捕獲された金属不純物が、素子形成領域８側に拡散することを確実に防止できる。

また上述の構成から分かるように、隣接する素子形成領域８間には、合計４重のトレンチ分離膜６，１０が形成される。したがって、トレンチ分離間耐圧も大幅に向上する効果がある。

また、不純物領域９は、第二のトレンチ分離膜１０および半導体層２に形成される他のトレンチ分離膜により、平面視において取り囲まれている。

したがって、拡散層に捕獲された不純物を、トレンチ溝形成後の熱処理によりトレンチ溝外側（素子形成領域内）に再拡散させないようにすることができる。つまり、トレンチ溝に埋め込まれた酸化膜やＢｏｘ層を通して不純物は拡散し難くなる。

なお、不純物領域９を形成し、熱処理を施した後に、各トレンチ分離膜６，１０，１５を形成している。したがって、不純物領域９により金属不純物を捕獲した後に、隣接する素子形成領域を各トレンチ分離膜６，１０，１５等により区画できる。

＜実施の形態２＞
図６は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図７は、図６のＢ−Ｂ断面を示す断面図である。

本発明に係る半導体装置は、支持基板と絶縁層１と半導体層２とから成るＳＯＩ基板を備える。図６では、当該半導体層２の表面の様子を示しており、図７は、絶縁層１、半導体層２、およびフィールド絶縁膜３の断面構造を示している。なお、図面簡略化のため、図６では図７で示したフィールド絶縁膜３は省略しており、フィールド絶縁膜３が形成されていない（除去されている）領域４０，４５の輪郭のみを実線で示した。また、支持基板は、図示していないが絶縁層１の下面側に形成されている。

以下、図６，７を参照して本実施の形態に係る半導体装置の構成について詳細に説明する。

半導体層２は、複数の素子形成領域８を有している。各素子形成領域８における半導体層２の表面内には、単体もしくは複数の半導体素子が形成される。また、半導体層２の表面内には、複数の環状のトレンチ分離膜３６が形成されている。ここで、各トレンチ分離膜３６は、平面視において、対応する素子形成領域８を囲繞している。なお、図６，７より推測可能なように、素子形成領域８は、水平方向および下方向はトレンチ分離膜３６および絶縁層１により囲まれている。

また、半導体層２の表面内には、フィールド絶縁膜３が形成されている。ここで、図６，７に示すように、フィールド絶縁膜３の一部（第一の領域と把握できる）４０が除去されている。ここで、当該フィールド絶縁膜３の除去されている領域４０は、トレンチ分離膜３６と平面方向に所定の距離だけ隔てられた領域である。さらに、当該領域４０は、平面視においてトレンチ分離膜３６を囲繞する環状の領域である。当該領域４０からは、半導体層２が露出している。

また、半導体層２の表面内には、不純物領域９が形成されている。ここで、不純物領域９は、フィールド絶縁膜３が除去された領域４０から平面方向に所定の距離だけ隔てられている。さらに、不純物領域９は、平面視において当該領域４０を囲繞している。ここで、不純物領域９を構成する不純物は、ボロン、砒素、リン、アンチモンのいずれかを少なくとも含むものである。

所定の領域にボロン等の不純物イオンを注入し、その後に高温の熱処理を施す。これにより、不純物領域９が形成された半導体層２において結晶欠陥が発生し、当該不純物領域９は、金属不純物を捕獲するゲッタリングサイトとして機能する。ここで、１１００℃程度の上記高温の熱処理を施すことにより、半導体層２の上面にフィールド絶縁膜（酸化膜）３も形成される。

なお、フィールド絶縁膜３は、第二の領域４５においても形成されていない。つまり、第二の領域４５では、フィールド絶縁膜３は除去されている。よって、第二の領域４５からは半導体層２が露出される。また、図６に示すように、不純物領域９は、フィルード絶縁膜３が形成されていない、第一の領域４０および第二の領域４５により、平面視において周囲が完全に取り囲まれている。

つまり、本実施の形態に係る半導体装置は、平面視において、隣接する素子形成領域８間に、金属不純物を捕獲している不純物領域９が形成されている。さらに、平面視において、各素子形成領域８と不純物領域９との間には、トレンチ分離膜３６が形成されている。さらに、平面視において、不純物領域９は、その周辺が、フィールド絶縁膜３が除去された、第一の領域４０および第二の領域４５により、完全に囲まれている。

なお、図７に示すように、トレンチ分離膜３６は、半導体層２の上面から絶縁層１の上面に至って形成されている。他方、フィールド絶縁膜３は、半導体層２の表面から、絶縁層１の上面に至らない所定の深さに亘って形成されている。

なお、不純物注入と活性化のための加熱処理とを施すことにより、上記第一、二の領域４０，４５に活性領域を形成しても良い。

また、本実施の形態においても、実施の形態１で説明した工程順序を採用する。つまり、不純物領域９の形成後、金属不純物の捕獲のために加熱処理を施す。その後、各トレンチ分離膜３６を形成する。なお、本実施の形態では、第一の領域４０および第二の領域４５において、フィールド絶縁膜３を除去する工程がさらに加わることは言うまでも無い。

本実施の形態に係る半導体装置は、上記のように構成されているので、実施の形態１に係る半導体装置が有する効果に加えて以下の効果も有する。

つまり、本実施の形態では、不純物領域９の周囲には、フィールド絶縁膜３が形成されない領域４０，４５が存在する。そして、当該領域４０，４５の端辺部（つまり、フィールド絶縁膜３の端部）は応力が強い。このため、不純物領域９から発生した結晶欠陥は当該領域４０，４５の端辺部で終端する。したがって、水平方向に結晶欠陥が拡がることを抑制することができる。

また、上記のように結晶欠陥の水平方向の拡がりを抑制できる。したがって、当該結晶欠陥による素子特性への影（ゲート酸化膜破壊や接合リークなど）を受けずに、トレンチ分離膜３６間距離を狭くでき（フィールド絶縁膜３が除去された領域４０を追加した分以上に結晶欠陥の拡がりを抑えることができ）、ＳＯＩ基板に形成される素子の集積度を上げることもできる。

また、不純物領域９は、第一の領域４０および絶縁膜が除去されている第二の領域４５により、平面視において取り囲まれている。

したがって、応力の大きいフィールドエッジに欠陥を終端させ、欠陥領域の広がりを少なくすることができる。このように、拡散層からの欠陥の広がりを抑えることができるので、素子間領域を小さくできる。

＜実施の形態３＞
図８は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。また、図９は、図８のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。

本発明に係る半導体装置は、支持基板と絶縁層１と半導体層２とから成るＳＯＩ基板を備える。図８では、当該半導体層２の表面の様子を示しており、図９は、当該絶縁層１、当該半導体層２、およびフィールド絶縁膜３の断面構造を示している。なお、図面簡略化のため、図８では図８で示したフィールド絶縁膜３は省略している。また、支持基板は、図示していないが絶縁層１の下面側に形成されている。

以下、図８，９を参照して本実施の形態に係る半導体装置の構成について詳細に説明する。

半導体層２は、複数の素子形成領域８を有している。各素子形成領域８における半導体層２の表面内には、単体もしくは複数の半導体素子が形成される。また、半導体層２の表面内には、複数の環状の第一のトレンチ分離膜６１が形成されている。ここで、各第一のトレンチ分離膜６１は、平面視において、対応する素子形成領域８を囲繞している。なお、図８，９より推測可能なように、素子形成領域８は、水平方向および下方向は第一のトレンチ分離膜６１および絶縁層１により囲まれている。

また、半導体層２の表面内には、不純物領域９が形成されている。ここで、不純物領域９は、第一のトレンチ分離膜６１から平面方向に所定の距離だけ隔てて形成されている。また、当該不純物領域９は、平面視において当該第一のトレンチ分離膜６１を囲繞している。ここで、不純物領域９を構成する不純物は、ボロン、砒素、リン、アンチモンのいずれかを少なくとも含むものである。

所定の領域にボロン等の不純物イオンを注入し、その後に高温の熱処理を施す。これにより、不純物領域９が形成された半導体層２において結晶欠陥が発生し、当該不純物領域９は、金属不純物を捕獲するゲッタリングサイトとして機能する。ここで、１１００℃程度の上記高温の熱処理を施すことにより、半導体層２の上面にフィールド絶縁膜（酸化膜）３も形成される。

さらに、本実施の形態では、複数の環状の第二のトレンチ分離膜６２が、半導体層２の表面内には形成されている。ここで、平面視において、第二のトレンチ分離膜６２は、不純物領域９内に形成されている。また、平面視において、各第二のトレンチ分離膜６２は、各第一のトレンチ分離膜６１を囲繞している。

なお、不純物領域９内には、他のトレンチ分離膜６３も形成されている。ここで、平面視において、当該他のトレンチ分離膜６３は、複数の第一、二のトレンチ分離膜６１，６２および複数の素子形成領域８を囲繞している。

つまり、本実施の形態に係る半導体装置は、平面視において、隣接する素子形成領域８間に不純物領域９が形成されている。さらに、平面視において、各素子形成領域８と不純物領域９との間には、第一のトレンチ分離膜６１が形成されている。さらに、平面視において、不純物領域９内には、第一のトレンチ分離膜６１を囲繞する第二のトレンチ分離膜６２および、他のトレンチ分離膜６３が形成されている。

なお、図９に示すように、トレンチ分離膜６１〜６３は、半導体層２の上面から絶縁層１の上面に至って形成されている。他方、フィールド絶縁膜３は、半導体層２の表面から、絶縁層１の上面に至らない所定の深さに亘って形成されている。

また、本実施の形態においても、実施の形態１で説明した工程順序を採用する。つまり、不純物領域９の形成後、金属不純物の捕獲のために加熱処理を施す。その後、各トレンチ分離膜６１〜６３を形成する。

以上のように、本実施の形態に係る半導体装置は、素子形成領域８と金属不純物を捕獲している不純物領域９との間において、複数のトレンチ分離膜６１，６２が形成されている。したがって、一度捕獲した金属不純物を、各トレンチ分離膜６１，６２を超えて、素子形成領域８に到達することを防止できる。さらに、上記の通り複数のトレンチ分離膜６１〜６３が形成されるので、素子形成領域８間の分離耐圧をより向上させることができる。

つまり、本実施の形態に係る半導体装置は、金属不純物のゲッタリング効果に加えて、高い素子分離耐圧も確保できる。

なお、上記説明では、不純物領域９内には、２種類のトレンチ分離膜６２，６３が形成されている。しかし、トレンチ分離膜６３を省略することもできる。他方、当該不純物領域９内に、トレンチ分離膜６２，６３以外のトレンチ分離膜を形成しても良い。

また、上記各実施の形態において、第二のトレンチ分離膜１０から平面方向に所定の距離だけ隔てて不純物領域９が形成されている。または、第一の領域４０と平面方向に所定の距離だけ隔てて不純物領域９が形成されている。ここで第一の領域４０は、トレンチ分離膜と平面方向に所定の距離だけ隔てられた領域である。または、第一のトレンチ分離膜６１と平面方向に所定の距離だけ隔てて不純物領域９が形成されている。つまり、分離領域と不純物領域９とが離れて形成されている。

たとえば、拡散層に汚染物質を確保した後に、トレンチ溝を開口したとする。この場合、拡散層がトレンチに接していると、トレンチ開口時に汚染物質がむき出しになった開口部が表面に出てしまう。したがって、その後の処理をする装置を汚染し、その後に処理するウエハをさらに汚染するといった２次汚染を引き起こす可能性がある。そこで、上記のように、分離領域と不純物領域９とを離して形成することにより、拡散層をむき出しになることがない。よって、上述のような汚染を防止できることになる。

実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す平面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。 実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す平面図である。 実施の形態２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。 実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す平面図である。 実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

符号の説明

１ 絶縁層、２ 半導体層、３ フィールド絶縁膜、６，６１ 第一のトレンチ分離膜、８ 素子形成領域、９ 不純物領域、１０，６２ 第二のトレンチ分離膜、３６，６３ トレンチ分離膜、４０，４５ フィールド絶縁膜が除去された領域。

Claims (8)

1. 支持基板と絶縁層と半導体層とから成るＳＯＩ基板を備える半導体装置において、
   前記半導体層における素子が形成される領域である素子形成領域と、
   平面視において、前記素子形成領域を囲繞するように前記半導体層に形成される第一のトレンチ分離膜と、
   平面視において、前記第一のトレンチ分離膜を囲繞するように前記半導体層に形成される第二のトレンチ分離膜と、
   前記第二のトレンチ分離膜から平面方向に所定の距離だけ隔てて、平面視において前記第二のトレンチ分離膜を囲繞するように前記半導体層に形成される不純物領域とを、備える、
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記不純物領域は、
   前記第二のトレンチ分離膜および前記半導体層に形成される他のトレンチ分離膜により、平面視において取り囲まれている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 支持基板と絶縁層と半導体層とから成るＳＯＩ基板を備える半導体装置において、
   前記半導体層における素子が形成される領域である素子形成領域と、
   平面視において、前記素子形成領域を囲繞するように前記半導体層に形成されるトレンチ分離膜と、
   前記半導体層の表面内に形成され、第一の領域が除去されている絶縁膜と、
   前記絶縁膜が除去されている前記第一の領域と平面方向に所定の距離だけ隔てて、前記半導体層に形成される不純物領域とを、備えており、
   前記第一の領域は、
   前記トレンチ分離膜と平面方向に所定の距離だけ隔てられた領域であり、かつ平面視において前記トレンチ分離膜を囲繞する環状領域であり、
   前記不純物領域は、
   平面視において前記第一の領域を囲繞するように形成されている、
   ことを特徴とする半導体装置。
4. 前記不純物領域は、
   前記第一の領域および前記絶縁膜が除去されている第二の領域により、平面視において取り囲まれている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 支持基板と絶縁層と半導体層とから成るＳＯＩ基板を備える半導体装置において、
   前記半導体層における素子が形成される領域である素子形成領域と、
   平面視において、前記素子形成領域を囲繞するように前記半導体層に形成される第一のトレンチ分離膜と、
   前記第一のトレンチ分離膜と平面方向に所定の距離だけ隔てて、平面視において前記第一のトレンチ分離膜を囲繞するように前記半導体層に形成される不純物領域と、
   前記第一のトレンチ分離膜を平面視において囲繞するように、前記不純物領域内において形成される第二のトレンチ分離膜とを、備える、
   ことを特徴とする半導体装置。
6. 前記不純物領域を構成する不純物は、
   ボロン、砒素、リン、アンチモンのいずれかを少なくとも含む、
   ことを特徴とする請求項１，３，５のいずれかに記載の半導体装置。
7. 前記不純物領域は、
   金属不純物を捕獲している、
   ことを特徴とする請求項１，３，５のいずれかに記載の半導体装置。
8. （Ａ）支持基板と絶縁層と半導体層とを当該順に積層する工程と、
   （Ｂ）前記半導体層の所定の領域に対して、所定の不純物を注入する工程と、
   （Ｃ）前記工程（Ｂ）の後に、加熱処理を施す工程と、
   （Ｄ）前記工程（Ｃ）の後に、素子が形成される素子形成領域を平面視において囲繞するトレンチ分離膜を前記半導体層内に形成する工程とを、備えており、
   前記所定の領域は、前記トレンチ分離膜を平面視において囲繞している、
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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