JP2008266748A - Film laminate package etchant and electrode forming method using the same - Google Patents
Film laminate package etchant and electrode forming method using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008266748A JP2008266748A JP2007113912A JP2007113912A JP2008266748A JP 2008266748 A JP2008266748 A JP 2008266748A JP 2007113912 A JP2007113912 A JP 2007113912A JP 2007113912 A JP2007113912 A JP 2007113912A JP 2008266748 A JP2008266748 A JP 2008266748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- solution
- film
- etchant
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は少なくとも二層の金属膜からなる積層膜から電極パターンを形成するために用いられる積層膜一括エッチング液と、このエッチング液を用いた電極形成方法に関する。 The present invention relates to a laminated film batch etching solution used for forming an electrode pattern from a laminated film composed of at least two metal films, and an electrode forming method using this etching solution.
水晶フィルタ等の圧電デバイスの電極材料としＡｇ膜を使用する場合、通常Ａｇ膜は圧電基板に密着性を良くするためにＮｉ下地層の上に積層されている。 When an Ag film is used as an electrode material for a piezoelectric device such as a crystal filter, the Ag film is usually laminated on a Ni underlayer in order to improve adhesion to the piezoelectric substrate.
一般的なＡｇエッチング液としては、アンモニア水と過酸化水素水の混合液（１：１）や硝酸が知られているが、Ｎｉ下地層とＡｇ電極膜の積層膜をエッチングする場合、各層を選択エッチングして多工程で電極パターンを形成することよりは、できるだけ一括で簡素に行うことが工程上有利であり、このため多層金属膜の一括エッチング処理が望まれている。
特許文献１には、リン酸、硝酸、および酢酸を配合してなる、１液で金属膜を含む積層膜を一括エッチング可能なエッチング液が提示されている。このエッチング液では、まず、Ａｇ電極膜がエッチングされた後、Ｎｉ下地層がエッチングされるが、Ｎｉ下地層のエッチングが進行している間に、Ａｇ電極膜のエッチングも進行するため、Ａｇ電極膜が過剰にエッチング（オーバーエッチング）されてしまい、仕上がった電極パターンは所望の電極パターンよりも小さくなり、電気的特性が見込みよりも変動してしまうという問題があった。更に、エッチング液の成分に酢酸が含まれるので、酢酸の臭気で作業環境が悪化しているという問題があった。
以上の問題を解決するために、本発明は、圧電基板上にＮｉ下地層を介してＡｇ電極膜を乗せた多層膜を選択エッチングすることなく、１液のまま一括エッチングすることができ、かつ各膜のオーバーエッチングを抑制することができるエッチング液と、このエッチング液を用いた電極形成方法を提供することを目的とする。 In order to solve the above problems, the present invention can perform batch etching as a single solution without selectively etching a multilayer film in which an Ag electrode film is placed on a piezoelectric substrate via a Ni underlayer, and An object of the present invention is to provide an etching solution capable of suppressing over-etching of each film and an electrode forming method using the etching solution.
本発明は、上記目的を達成するため、本願発明に係る積層膜一括エッチング液は、少なくとも二層の金属膜からなる積層膜を一括してエッチングするエッチング液であって、前記エッチング液はリン酸、硝酸、純水から構成され、エッチング液の全体積に対するリン酸の体積比率をＸ（％）、硝酸の体積比率をＹ（％）、純水の体積比率をＺ（％）としたとき、４１＜Ｘ≦５５、０＜Ｙ≦５、４３≦Ｚ＜５８、（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）となるように配合することを特徴としている。また、前記積層膜は、Ｎｉ下地層の上にＡｇ電極膜を積層した構造であることを特徴としている。 In order to achieve the above object, the present invention provides a multilayer film batch etching solution according to the present invention that etches a multilayer film composed of at least two layers of metal films, and the etching solution is phosphoric acid. The volume ratio of phosphoric acid to the total volume of the etching solution is X (%), the volume ratio of nitric acid is Y (%), and the volume ratio of pure water is Z (%). 41 <X ≦ 55, 0 <Y ≦ 5, 43 ≦ Z <58 (provided that X + Y + Z = 100). The laminated film has a structure in which an Ag electrode film is laminated on a Ni underlayer.
このような構成により、過剰なＡｇ電極膜のエッチングを抑制しつつ、Ｎｉ下地層のエッチングを行わせることができ、Ｎｉ下地層とＡｇ電極膜の多層膜を、１液で一括エッチングすることができるものとなっている。なお、エッチング対象としては、基本的にＮｉ下地層のＡｇ電極膜からなる積層膜であるが、下地膜としてＮｉ以外にＣｒを利用したものにも適用できる。ただＣｒのエッチングレートはＮｉよりもかなり遅いので、膜厚は薄くする必要がある。また、電極膜としてＡｇ以外にＡｌ膜も適用可能となっている。 With such a configuration, the etching of the Ni underlayer can be performed while suppressing excessive etching of the Ag electrode film, and the multilayer film of the Ni underlayer and the Ag electrode film can be collectively etched with one liquid. It is possible. The etching target is basically a laminated film composed of an Ag electrode film of a Ni underlayer, but can also be applied to a film using Cr as a base film in addition to Ni. However, since the etching rate of Cr is considerably slower than that of Ni, it is necessary to reduce the film thickness. In addition to Ag, an Al film can be applied as the electrode film.
前記積層膜一括エッチング液の溶液温度を５０±１０℃とすることを特徴としている。このような構成により、エッチングレートを向上させることができ、より円滑にエッチングを行うことができる。 The laminated film batch etching solution has a temperature of 50 ± 10 ° C. With such a configuration, the etching rate can be improved and etching can be performed more smoothly.
また、本発明に係る電極形成方法は、前記積層膜一括エッチング液を用い、Ｎｉ下地層上にＡｇ電極膜を積層した積層膜を一括でエッチングしてパターン電極を形成することを特徴としている。 The electrode forming method according to the present invention is characterized in that a patterned electrode is formed by collectively etching a laminated film in which an Ag electrode film is laminated on a Ni underlayer using the laminated film batch etching solution.
このような構成に係る発明では、各層をそれぞれ選択エッチングすることなく、１液で一括エッチングすることが可能となり、かつ、各膜のオーバーエッチングを抑制できる電極を形成することができる。同時に、酢酸を使用しないため、酢酸の臭気の問題がなく、取り扱いが容易で実用的なエッチング液とすることができる。 In the invention according to such a configuration, it is possible to perform batch etching with one liquid without selectively etching each layer, and it is possible to form an electrode that can suppress over-etching of each film. At the same time, since acetic acid is not used, there is no problem of the odor of acetic acid, and an easy-to-use and practical etching solution can be obtained.
以下に、本発明に係る積層膜一括エッチング液およびこれを用いた電極形成方法についての最良の実施形態につき説明する。
本発明は、現状工程内で使用している、“Ｃｒエッチング液”と、“Ａｌエッチング液”でもＡｇ電極膜とＮｉ下地層との積層膜を一括して溶解ができる可能性を評価した結果によって得られたものである。
Hereinafter, the best mode of a laminated film batch etching solution and an electrode forming method using the same according to the present invention will be described.
The present invention is a result of evaluating the possibility that the laminated film of the Ag electrode film and the Ni underlayer can be dissolved together even with the “Cr etching solution” and the “Al etching solution” used in the current process. It was obtained by.
本発明では、圧電基板にＮｉ下地層を介してＡｇ電極膜を形成し、レジスト膜によってパターン形成した状態において、Ｎｉ−Ａｇ積層膜のエッチング液として、現状工程でＡｌエッチング液として使用しているリン酸、硝酸、純水とからなる原液を希釈液により希釈してなるものを用いている。原液組成であるリン酸自体はＡｇ電極膜のエッチングを行うことはなく、硝酸を加えることによりエッチング液として機能する。実際のエッチングを硝酸が行い、リン酸はエッチングレートを調整する機能を果たしている。純水を加えることで水溶液として用い、積層膜を施した水晶基板をエッチング水溶液に浸漬することでエッチング作用を行わせる。 In the present invention, the Ag electrode film is formed on the piezoelectric substrate through the Ni underlayer, and the pattern is formed by the resist film, the Ni-Ag laminated film is used as the etching solution for the Ni-Ag laminated film in the current process. A solution obtained by diluting a stock solution composed of phosphoric acid, nitric acid and pure water with a diluent is used. The phosphoric acid itself, which is a stock solution composition, does not etch the Ag electrode film, but functions as an etching solution by adding nitric acid. Nitric acid performs the actual etching, and phosphoric acid functions to adjust the etching rate. It is used as an aqueous solution by adding pure water, and an etching action is performed by immersing the quartz substrate on which the laminated film is applied in an etching aqueous solution.
このエッチング液の原液はリン酸：硝酸：純水＝８２：３：１５の体積割合をもつ組成とし、実際の原液における各組成分の含有量は、リン酸５４３０ｍｌ、硝酸２００ｍｌ、純水１０００ｍｌに調整している。このようなエッチング原液は通常はＡｌ膜のエッチングに用いられるものであり、これをそのまま用いてしまうと、Ａｇ電極膜がオーバーエッチングされることから、希釈液（純水）にて希釈し、Ａｇ電極膜のエッチングレートとＮｉ下地層のエッチングレートが同等になるように調整する。実験の結果によれば、原液を５０％（１／２希釈）を超え、６７％（２／３希釈）以下の希釈濃度、好ましくは６０％の希釈濃度とすることにより良好なエッチングが可能となっている。 The stock solution of this etching solution has a composition having a volume ratio of phosphoric acid: nitric acid: pure water = 82: 3: 15. The content of each component in the actual stock solution is 5430 ml of phosphoric acid, 200 ml of nitric acid, and 1000 ml of pure water. It is adjusted. Such an etching stock solution is usually used for etching an Al film. If this is used as it is, the Ag electrode film is over-etched, so it is diluted with a diluent (pure water), and Ag Adjustment is made so that the etching rate of the electrode film and the etching rate of the Ni underlayer are equal. According to the results of the experiment, it is possible to perform good etching by setting the stock solution to a dilution concentration of more than 50% (1/2 dilution) and 67% (2/3 dilution) or less, preferably 60%. It has become.
なお、原液を５０％の希釈濃度とした時のエッチング液の体積割合はリン酸：硝酸：純水＝５４３０ml：２００ml：７６３０ml＝４１：２：５８であり、６０％の希釈濃度とした時のエッチング液の体積割合はリン酸：硝酸：純水＝５４３０ml：２００ml：５４２０ml＝４９：２：４９であり、６７％の希釈濃度とした時のエッチング液の体積割合はリン酸：硝酸：純水＝５４３０ml：２００ml：４３１５ml＝５５：２：４３であった。即ち、エッチング液の全体積に対するリン酸の体積比率Ｘ（％）、硝酸の体積比率Ｙ（％）、純水の体積比率Ｚ（％）としたときに、４１＜Ｘ≦５５、０＜Ｙ≦５、４３≦Ｚ＜５８、（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）となるように配合することにより、Ａｇ電極膜がオーバーエッチングされずに、良好な電極形状が得られることが実験により判明した。ここで、硝酸の配分を多くしすぎるとオーバーエッチングが顕著になってしまうので硝酸の体積比率Ｙは５％以下が望ましい。好適には、硝酸体積比率は１〜３％がよい。１％より小さくなるとエッチングレートが遅く、３％より大きくなるとオーバーエッチングになりやすいからである。 The volume ratio of the etching solution when the stock solution is 50% diluted is phosphoric acid: nitric acid: pure water = 5430 ml: 200 ml: 7630 ml = 41: 2: 58, and when the dilution concentration is 60%. The volume ratio of the etching solution is phosphoric acid: nitric acid: pure water = 5430 ml: 200 ml: 5420 ml = 49: 2: 49, and the volume ratio of the etching solution when the dilution concentration is 67% is phosphoric acid: nitric acid: pure water. = 5430 ml: 200 ml: 4315 ml = 55: 2: 43. That is, assuming that the volume ratio X (%) of phosphoric acid to the total volume of the etching solution, the volume ratio Y (%) of nitric acid, and the volume ratio Z (%) of pure water, 41 <X ≦ 55, 0 <Y It has been experimentally found that by blending so that ≦ 5, 43 ≦ Z <58 (where X + Y + Z = 100), the Ag electrode film is not over-etched and a good electrode shape can be obtained. Here, if the distribution of nitric acid is increased too much, over-etching becomes remarkable, so the volume ratio Y of nitric acid is preferably 5% or less. The nitric acid volume ratio is preferably 1 to 3%. This is because the etching rate is slow when it is smaller than 1%, and over-etching is likely when it is larger than 3%.
このエッチングの際の溶液温度は好ましくは常温より高い５０℃±１０℃に設定することにより、エッチングレートが向上し、より円滑にエッチングすることが可能である。しかし、エッチング液の溶液温度を６０℃より大きくしてしまうと、エッチング液の純水成分が蒸発してしまい、エッチング液の成分比率が変わってしまうので好ましくない。４０℃以下ではエッチングレートが低くなり、エッチングに時間がかかって作業効率が悪くなる。 The solution temperature during this etching is preferably set to 50 ° C. ± 10 ° C., which is higher than the normal temperature, so that the etching rate can be improved and the etching can be performed more smoothly. However, if the solution temperature of the etching solution is made higher than 60 ° C., the pure water component of the etching solution evaporates and the component ratio of the etching solution changes, which is not preferable. When the temperature is 40 ° C. or lower, the etching rate is low, and it takes time to etch, resulting in poor working efficiency.
この効果を確認するため、Ｃｒエッチング液によるＮｉ−Ａｇ積層膜をエッチングした例を比較例として示し、実施形態に係るＮｉ−Ａｇ積層膜一括エッチング液による実施例を下記に示す。 In order to confirm this effect, the example which etched the Ni-Ag laminated film by Cr etching liquid is shown as a comparative example, and the Example by the Ni-Ag laminated film batch etching liquid which concerns on embodiment is shown below.
＜エッチング液＞
（１）比較例のＣｒエッチング液の原液成分
（２）実施例のＮｉ−Ａｇ積層膜一括エッチング液の原液成分（現状工程で使用されているＡｌエッチング液）
＜評価用ウェハー＞
（１）膜厚：Ｎｉ下地層８０Å、Ａｇ電極膜１０００Å
（２）Ａｇ蒸着条件
加熱温度：１６０℃（設定値）
＜方法＞
それぞれのエッチング液に評価用ウェハーを浸漬し、電極パターン形成状態を顕微鏡にて確認した。
＜実験結果＞
（１）Ｃｒエッチング液
表１に示すＣｒエッチング液によるＮｉ−Ａｇ積層膜のエッチング状態の断面図の代表例を図４（１）〜（４）に、エッチング結果を表３に示す。なお、図４の（１）は原液でエッチングした場合、（２）は原液を希釈液で５０％に希釈した場合、（３）は原液を希釈液で２５％に希釈した場合、（４）は原液を希釈液で６．２５％に希釈した場合の夫々の電極断面図を示している。また、同図において、１０は水晶基板、１２はＮｉ下地層、１４はＡｇ電極膜、１６はレジスト膜である。
同図に示すように、Ｃｒエッチング液はＡｇ電極膜のみをエッチングし、Ｎｉ下地層をエッチングしないので、Ｎｉ膜は別のエッチング液でエッチングする必要がある。また、図４（１）に示すように原液では２秒程度で、Ａｇ電極膜がオーバーエッチングになりエッチングレートが速すぎるため、純水にて希釈する必要がある。また、図４（２）〜（４）に示すように、原液を５０％、２５％、６．２５％に希釈したとしても、エッチング時間が数１０秒違っただけでオーバーエッチングになってしまったり、Ａｇ電極膜が抜けなかったりして、取り扱いがかなり困難である。
表２に示すＮｉ−Ａｇ積層膜一括エッチング液によるＡｇ電極膜エッチング状態を、図１〜３に、エッチング結果を表４に示す。なお、図１（１）〜（４）は原液を用いた場合、図２（１）、（２）は原液を６７％に希釈したエッチング液を用いた場合、図３（１）〜（３）は原液を６０％に希釈したエッチング液を用いた場合において、夫々エッチング時間を変化させた時の電極断面図を示している。
同図に示すように、本実施例のＮｉ−Ａｇ積層膜一括エッチング液は、前記Ｃｒエッチング液とは異なり、Ａｇ電極膜及びＮｉ下地層を一度にエッチングすることが可能である。図１（１）、（２）に示すように、原液を用いた場合では５〜１０秒程度でまずＡｇ電極膜がエッチングされ、図１（３）に示すように、２０秒程度でＮｉ下地層のエッチングが完了する。しかし、２０秒以上経過すると、Ｎｉ下地層のエッチングを待っている間に、Ａｇ電極膜のエッチングも進行するため、図１（４）に示すように、仕上がったＡｇ電極膜のパターンはオーバーエッチングとなってしまう。このようにエッチング時間が１０秒違っただけで、Ａｇ電極膜がオーバーエッチングされてしまうため、原液での使用が難しく、希釈する必要がある。
次に、エッチング原液を５０％に希釈した水溶液（１／２希釈）と、６７％（２／３希釈）に希釈した水溶液で実験を行った。５０％に希釈した水溶液では２００秒入れても殆どエッチングされなかったが、図２に示すように、６７％に希釈した水溶液では６０〜７０秒で良好な結果であった。
更に、エッチング液の配合を調整し、原液を６０％に希釈した水溶液で実験を行ったところ、図３に示すように、５０秒程度でＡｇ電極膜がエッチングされ、９０秒程度でＮｉ下地層のエッチングが完了する。Ｎｉ下地層のエッチングを待っている間にＡｇ電極膜のエッチングが進むこともなく、エッチング状態は良好である。実験的に、２４０秒間エッチングを行ったが、殆どオーバーエッチングは起きていない。以上から、エッチング原液を５０％より大きく６７％以下に希釈する、好ましくは６０％に希釈すれば、Ａｇ電極膜がオーバーエッチングされないことが判明した。
(1) Stock component of Cr etching solution of comparative example
<Evaluation wafer>
(1) Film thickness: Ni base layer 80 mm, Ag electrode film 1000 mm
(2) Ag deposition conditions Heating temperature: 160 ° C. (set value)
<Method>
The wafer for evaluation was immersed in each etching liquid, and the electrode pattern formation state was confirmed with the microscope.
<Experimental result>
(1) Cr Etching Solution FIGS. 4 (1) to 4 (4) show typical examples of cross-sectional views of the Ni-Ag laminated film etched with the Cr etching solution shown in Table 1, and Table 3 shows the etching results. 4 (1) shows the case where the stock solution is etched, (2) shows the case where the stock solution is diluted to 50% with the diluent, (3) shows the case where the stock solution is diluted to 25% with the diluent, (4) Shows cross-sectional views of the respective electrodes when the stock solution is diluted to 6.25% with a diluent. In the figure, 10 is a quartz substrate, 12 is a Ni underlayer, 14 is an Ag electrode film, and 16 is a resist film.
As shown in the figure, since the Cr etching solution etches only the Ag electrode film and does not etch the Ni underlayer, the Ni film needs to be etched with another etching solution. Further, as shown in FIG. 4A, the stock solution takes about 2 seconds and the Ag electrode film is over-etched and the etching rate is too fast. Therefore, it is necessary to dilute with pure water. In addition, as shown in FIGS. 4 (2) to (4), even if the stock solution is diluted to 50%, 25%, or 6.25%, overetching occurs when the etching time is different by several tens of seconds. It is difficult to handle because the Ag electrode film does not come off.
1-3 shows the etching state of the Ag electrode film by the Ni—Ag laminated film batch etching solution shown in Table 2, and Table 4 shows the etching results. FIGS. 1 (1) to (4) use a stock solution, and FIGS. 2 (1) and 2 (2) show a case where an etchant diluted to 67% is used, and FIGS. 3 (1) to 3 (3). ) Shows cross-sectional views of the electrodes when the etching time is changed in the case of using an etching solution in which the stock solution is diluted to 60%.
As shown in the figure, the Ni-Ag laminated film batch etchant of this example can etch the Ag electrode film and the Ni underlayer at a time unlike the Cr etchant. As shown in FIGS. 1 (1) and (2), when the stock solution is used, the Ag electrode film is first etched in about 5 to 10 seconds. As shown in FIG. The formation etching is completed. However, when 20 seconds or more have passed, the etching of the Ag electrode film proceeds while waiting for the etching of the Ni underlayer, so that the pattern of the finished Ag electrode film is over-etched as shown in FIG. End up. Thus, since the Ag electrode film is over-etched only by changing the etching time by 10 seconds, it is difficult to use it in the stock solution, and it is necessary to dilute it.
Next, an experiment was conducted with an aqueous solution diluted to 50% (1/2 dilution) and an aqueous solution diluted to 67% (2/3 dilution). The aqueous solution diluted to 50% was hardly etched even when it was added for 200 seconds. However, as shown in FIG. 2, the aqueous solution diluted to 67% showed good results in 60 to 70 seconds.
Further, the composition of the etching solution was adjusted, and an experiment was conducted with an aqueous solution in which the stock solution was diluted to 60%. As shown in FIG. 3, the Ag electrode film was etched in about 50 seconds, and the Ni underlayer was formed in about 90 seconds. Etching is completed. While waiting for the etching of the Ni underlayer, the etching of the Ag electrode film does not proceed and the etching state is good. Experimentally, etching was performed for 240 seconds, but almost no overetching occurred. From the above, it has been found that if the etching stock solution is diluted to more than 50% and not more than 67%, preferably 60%, the Ag electrode film is not over-etched.
以上のように、ウェハー工程で使用している“Ｃｒエッチング液”と“Ａｌエッチング液”という２種類のエッチング液の評価を行ったが、電極パターン形成で使用しているＡｌエッチング液を６０％に希釈した水溶液がＮｉ−Ａｇ積層膜一括エッチング液として適当であることが確認できた。 As described above, two types of etching solutions, “Cr etching solution” and “Al etching solution” used in the wafer process, were evaluated. 60% of the Al etching solution used in the electrode pattern formation was evaluated. It was confirmed that the diluted aqueous solution was suitable as a Ni—Ag laminated film batch etching solution.
比較例のＣｒエッチング液については、Ａｇ電極膜のエッチング自体は可能であるが、原液ではエッチングレートが速すぎるため、希釈する必要がある。しかし、エッチング時間の管理が難しく、１０秒も長く入れると、すぐにオーバーエッチングになってしまう。また、Ｃｒエッチング液はＡｇ電極膜のみをエッチングするため、Ｎｉ下地層のエッチングを別の液（希塩酸など）で行わなければならないことなどの問題があり、エッチング液としての使用は難しいと考える。 As for the Cr etching solution of the comparative example, the etching of the Ag electrode film itself is possible, but it is necessary to dilute the stock solution because the etching rate is too high. However, it is difficult to manage the etching time, and if it is set for as long as 10 seconds, it will be overetched immediately. Further, since the Cr etching solution etches only the Ag electrode film, there is a problem that the Ni underlayer must be etched with another solution (such as dilute hydrochloric acid), and it is considered difficult to use as the etching solution.
それに対し、本発明のＮｉ−Ａｌ積層膜一括エッチング液については、原液そのままで使用するとエッチングレートがやや速く、オーバーエッチングになるが、５０〜６７％に希釈すると６０〜９０秒でＡｇ電極膜のエッチングが良好な状態になる。Ｃｒエッチング液のように、エッチング時間を厳密に管理する必要も無く、何よりもＡｌエッチング液の場合、１つの液でＡｇ電極膜とＮｉ下地層のエッチング液が可能であることが魅力である。 On the other hand, the Ni-Al laminated film batch etching solution of the present invention has a slightly higher etching rate and overetching when used as it is, but when diluted to 50 to 67%, the Ag electrode film is formed in 60 to 90 seconds. Etching is in good condition. It is not necessary to strictly control the etching time as in the case of the Cr etching solution, and above all, in the case of the Al etching solution, it is attractive that the etching solution for the Ag electrode film and the Ni underlayer can be formed with one solution.
したがって、現状使用しているＡｌエッチング原液を５０％より大きく６７％以下に希釈する、好ましくは６０％に希釈したエッチング液をＮｉ−Ａｇ積層膜一括エッチング液として使用することが望ましいと理解できる。 Therefore, it can be understood that the currently used Al etching stock solution is diluted to more than 50% and 67% or less, and preferably an etching solution diluted to 60% is preferably used as the Ni-Ag laminated film batch etching solution.
１０………水晶基板、１２………Ｎｉ膜、１４………Ａｇ膜、１６………レジスト膜。 10... Quartz substrate, 12... Ni film, 14... Ag film, 16.
Claims (4)
前記エッチング液はリン酸、硝酸、純水から構成され、エッチング液の全体積に対するリン酸の体積比率をＸ（％）、硝酸の体積比率をＹ（％）、純水の体積比率をＺ（％）としたとき、４１＜Ｘ≦５５、０＜Ｙ≦５、４３≦Ｚ＜５８、（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００）となるように配合することを特徴とした積層膜一括エッチング液。 An etchant that collectively etches a laminated film composed of at least two metal layers,
The etching solution is composed of phosphoric acid, nitric acid, and pure water. The volume ratio of phosphoric acid to the total volume of the etching solution is X (%), the volume ratio of nitric acid is Y (%), and the volume ratio of pure water is Z ( %), 41 <X ≦ 55, 0 <Y ≦ 5, 43 ≦ Z <58 (provided that X + Y + Z = 100).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007113912A JP2008266748A (en) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | Film laminate package etchant and electrode forming method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007113912A JP2008266748A (en) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | Film laminate package etchant and electrode forming method using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008266748A true JP2008266748A (en) | 2008-11-06 |
Family
ID=40046624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007113912A Pending JP2008266748A (en) | 2007-04-24 | 2007-04-24 | Film laminate package etchant and electrode forming method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2008266748A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013243452A (en) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | Method of manufacturing piezoelectric vibration device |
| JP2013255052A (en) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Seiko Epson Corp | Vibration element, vibrator, electronic device, electronic apparatus, mobile body, and manufacturing method of vibration element |
| US10096486B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-10-09 | Toshiba Memory Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method and substrate processing liquid |
| US20180375011A1 (en) * | 2013-10-22 | 2018-12-27 | Daishinku Corporation | Method for producing a piezoelectric resonator element and method for producing a piezoelectric device using the piezoelectric resonator element |
-
2007
- 2007-04-24 JP JP2007113912A patent/JP2008266748A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013243452A (en) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Citizen Finetech Miyota Co Ltd | Method of manufacturing piezoelectric vibration device |
| JP2013255052A (en) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Seiko Epson Corp | Vibration element, vibrator, electronic device, electronic apparatus, mobile body, and manufacturing method of vibration element |
| US9450166B2 (en) | 2012-06-06 | 2016-09-20 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, mobile body and method of manufacturing resonator element |
| US10147867B2 (en) | 2012-06-06 | 2018-12-04 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, mobile body and method of manufacturing resonator element |
| US10680158B2 (en) | 2012-06-06 | 2020-06-09 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, mobile body and method of manufacturing resonator element |
| US11495727B2 (en) | 2012-06-06 | 2022-11-08 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, mobile body and method of manufacturing resonator element |
| US20180375011A1 (en) * | 2013-10-22 | 2018-12-27 | Daishinku Corporation | Method for producing a piezoelectric resonator element and method for producing a piezoelectric device using the piezoelectric resonator element |
| US10096486B2 (en) | 2016-02-02 | 2018-10-09 | Toshiba Memory Corporation | Substrate processing apparatus, substrate processing method and substrate processing liquid |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI383068B (en) | Etchant and method for fabricating electric device including thin film transistor using the same | |
| JP5559956B2 (en) | Etching solution composition for thin film transistor liquid crystal display device | |
| JP2006339635A (en) | Etching composition | |
| JP5735811B2 (en) | Etching solution composition for metal thin film mainly composed of copper | |
| JP5041870B2 (en) | Etching composition for thin film transistor liquid crystal display device and method for producing thin film transistor liquid crystal display device. | |
| JP4926162B2 (en) | Etching solution composition for forming metal wiring for thin film transistor liquid crystal display device | |
| CN105887089B (en) | Etching liquid composition and etching method using the same | |
| JP2009076601A (en) | Etching solution | |
| JP2009091656A (en) | Etching composition | |
| JP4696565B2 (en) | Etching solution and etching method | |
| JP2010199121A (en) | Etching solution composition for metal laminate film | |
| CN102471688A (en) | Etchant composition for forming copper interconnects | |
| KR20110123025A (en) | Etchant for metal wire and method for manufacturing metal wire using the same | |
| JP2008266748A (en) | Film laminate package etchant and electrode forming method using the same | |
| KR20090007668A (en) | Etchant compositions for metal laminated films having titanium and aluminum layer | |
| JP4864434B2 (en) | Etching composition for thin film transistor liquid crystal display device | |
| TW201142084A (en) | Etching solution composition for metal layer comprising copper and titanium (4) | |
| CN106555187B (en) | Etchant composition, method for etching copper-based metal layer, method for manufacturing array substrate and array substrate manufactured by same | |
| CN107316836B (en) | Etching liquid composition, array substrate for display device and manufacturing method thereof | |
| TWI596235B (en) | Etchant composition for copper-based metal layer, and method of manufacturing array substrate for display device using the same | |
| KR102179756B1 (en) | Etching solution composition for a metal nitride layer | |
| KR20160090574A (en) | Etching solution composition for copper-based metal layer and method for etching copper-based metal layer using the same | |
| KR101804573B1 (en) | An etching solution composition | |
| CN106995920B (en) | The manufacturing method and copper system metal film etchant of display base plate | |
| JP2013237873A (en) | Etchant composition and method for forming metal wiring |