JP2008263154A - 発光ダイオードの蛍光粉塗布工程 - Google Patents
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Abstract
【課題】光リソグラフ処理によって精確なパターンを作り上げ、蛍光粉の塗布部分の形態や量を精確に制御できる高い精度の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供し、従来の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程の問題点を解決する。
【解決手段】チップを提供するステップと、前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供する。
【選択図】図7
【解決手段】チップを提供するステップと、前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供する。
【選択図】図7
Description
本発明は、発光ダイオードの蛍光粉塗布工程に関するものである。
従来、発光ダイオードの蛍光粉塗布工程においては、ベース部の形状が異なるので、それぞれのベース部に対して生産機器を改めて調節する必要がある。このため、生産率が低下し、コストがかかる。
また、それぞれのベース部の形状が異なるので、蛍光粉を確実にチップを覆うように、通常、実際の量より多めに塗布されている。このため、原料の浪費になり、コストの増加につながる。
また、従来の方法によって、蛍光粉をチップ全体に覆わせることができますが、ベース部によって塗布の形態が変わるため、蛍光粉の激発率が充分に発揮されず、発光ダイオード全体の発光率にも影響を及ぼす。
さらに、塗布の量が多くて塗布の形態を制御することができないため、樹脂が硬化する前に、蛍光粉がベース部の底に沈殿してしまう問題が発生する。これによって、発光ダイオードの発光率が低下し、全体の輝度や発色にばらつきが発生する。
そこで、本発明は、前記問題点を解決する発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供することを課題とする。
前記課題を達成するために、本発明に係る発光ダイオードの蛍光粉塗布工程は、チップを提供するステップと、前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える。
また、本発明に係る発光ダイオードの蛍光粉塗布工程は、前記フォトレジストを除去して、前記チップの熔接部を露出させるステップをさらに含む。
また、本発明に係る発光ダイオードの蛍光粉塗布工程は、前記蛍光粉入り樹脂は、蛍光粉とシリコン樹脂の混合物、または蛍光粉と高分子樹脂の混合物である。
さらに、本発明に係る発光ダイオードの蛍光粉塗布工程は、チップを提供するステップと、前記チップを覆うように蛍光粉を含むフォトレジストの層を形成するステップと、光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップの熔接部を露出させるステップと、前記熔接部に外部に接続するためのリードを形成するステップと、を備える。この場合は、フォトレジストとして感光樹脂が用いられる。
本発明は多様の形態で実施することができるが、よりわかり易くために、図面および以下の説明に挙げられた例は、本発明の好適な実施形態であり、決して本発明を限定するものではない。
本発明は、光リソグラフ処理によって精確なパターンを作り上げ、蛍光粉の塗布部分の形態や量を精確に制御できる高い精度の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を提供する。以下、好ましい実施形態で本発明を詳しく説明する。
図1〜図7は、本発明の一実施形態による発光ダイオードの蛍光粉塗布工程を示す連続断面図である。図に示すように、発光ダイオード100は、ベース部102と、チップ104とを備える。
図1に示すように、ベース部102として、シリコン基板やセラミックス、重合物、プラスチック、金属などが用いられる。チップ104は、共晶接合やフリップチップ接続、チップ・サイズ・パッケージなどの方法によってベース部102に固定される。
図2に示すように、フォトレジスト106を(例えばスピンコート法で)チップ104とベース部102に均一に塗布する。なお、フォトレジスト106を露光や現像を行う前後には、ソフトベークやハードベークを行うことができる。
図3に示すように、露光や現像工程(光リソグラフ処理)によってフォトレジスト106をパターン化して、チップ104上に露出部108を形成させる。この露出部108は、蛍光粉をチップ104に塗布する区域である。
図4に示すように、次に、蛍光粉入り樹脂110(蛍光粉と樹脂の混合物)を露出部108に充填する。なお、このときに適当に焼結して、蛍光粉入り樹脂110の硬化を速めに進行させることができる。
図5に示すように、適当なエッチング液でフォトレジスト106を除去し、チップ104の溶接部104a(例えば、N型溶接部)および/またはベース部102の熔接部102aを露出させる。
図6に示すように、熔接部104aおよび/または熔接部102aに外部に接続するためのリード112を形成する。
図7に示すように、さらに、熔接部104aおよび/または熔接部102aを封止樹脂114で封じ止めることができる。なお、封止樹脂114には蛍光粉を含んでもよいし含まなくでもよい。
また、本発明の他の実施形態(図示せず)において、前記フォトレジストとして、感光樹脂(例えばダウコーニング社(Dow Corning、登録商標)の製品M10P、M300P樹脂)を用いり、蛍光粉とを混合して直接チップ104とベース部102に(例えばスピンコート法で)塗布することができる。次に、露光や現像工程によってフォトレジストをパターン化して、チップ104の溶接部104a(例えば、N型溶接部)および/またはベース部102の熔接部102aを露出させる。そして、熔接部104aおよび/または熔接部102aに外部に接続するためのリード112を形成することができる。これによって、本実施形態において、ステップの数と時間を短縮することができる。
(発明の効果)
上述本発明の好ましい実施形態による発光ダイオードの蛍光粉塗布工程によれば、以下の効果がある。
1.光リソグラフ処理によって精確なパターンを作り上げるため、コストの節約や生産率の向上に寄与することができる。また、発光ダイオード全体の発光効率および輝度、発色の均一性の向上に寄与することができる。
2.本発明によれば、異なるチップやベース部にでも合わせることができ、最もよい発光効率および輝度、発色の均一性を得ることができる。
本発明では好適な実施形態を前述の通り開示したが、これは決して本発明を限定するものではなく、当該分野の技術を熟知しているものであれば、本発明の精神と領域を離脱しない範囲内で、多様の変動や修正を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
100:発光ダイオード
102:ベース部
102a:溶接部
104:チップ
104a:溶接部
106:フォトレジスト
108:露出部
110:蛍光粉入り樹脂
112:リード
114:封止樹脂
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Claims (6)
- 発光ダイオードの蛍光粉塗布工程であって、少なくとも
チップを提供するステップと、
前記チップを覆うようにフォトレジストの層を形成するステップと、
光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップ上に蛍光粉を塗布する区域を露出させるステップと、
蛍光粉入り樹脂を前記区域に充填するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程。 - 前記フォトレジストを除去して、前記チップの熔接部を露出させるステップをさらに含む請求項1記載の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程。
- 前記蛍光粉入り樹脂は蛍光粉とシリコン樹脂の混合物である請求項1記載の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程。
- 前記蛍光粉入り樹脂は蛍光粉と高分子樹脂の混合物である請求項1記載の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程。
- 発光ダイオードの蛍光粉塗布工程であって、少なくとも
チップを提供するステップと、
前記チップを覆うように蛍光粉を含むフォトレジストの層を形成するステップと、
光リソグラフ処理によって、前記フォトレジストをパターン化して、前記チップの熔接部を露出させるステップと、
前記熔接部に外部に接続するためのリードを形成するステップと、を備える発光ダイオードの蛍光粉塗布工程。 - 前記フォトレジストは感光樹脂である請求項5記載の発光ダイオードの蛍光粉塗布工程。
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---|---|---|---|
TW096112770A TWI392111B (zh) | 2007-04-11 | 2007-04-11 | 發光二極體裝置的螢光粉塗佈製程 |
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013138209A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
JP2014123738A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Soraa Inc | 発光材料で紫色発光ledをコーティングする方法および装置 |
US9269876B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-02-23 | Soraa, Inc. | Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
JP2016523455A (ja) * | 2013-07-03 | 2016-08-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
KR101819594B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2018-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 유닛, 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 발광 유닛의 제조 방법 |
JP2018509650A (ja) * | 2015-03-11 | 2018-04-05 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数の変換素子、変換素子、およびオプトエレクトロニクス装置の製造方法 |
US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
US10036099B2 (en) | 2008-08-07 | 2018-07-31 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US10145026B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-12-04 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules |
JP2019514194A (ja) * | 2015-12-29 | 2019-05-30 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 側面反射器と蛍光体とを備えるフリップチップled |
US10557595B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-02-11 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
JP2023095084A (ja) * | 2021-12-24 | 2023-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100986336B1 (ko) | 2009-10-22 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 제조방법 및 발광소자 패키지 |
US20110309393A1 (en) | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Micron Technology, Inc. | Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods |
DE102015204057A1 (de) * | 2015-03-06 | 2016-09-08 | Osram Gmbh | Herstellen eines Beleuchtungsmoduls |
US11424396B2 (en) | 2015-12-29 | 2022-08-23 | Lumileds Llc | Flip chip LED with side reflectors and phosphor |
CN108537800B (zh) * | 2018-03-22 | 2021-08-06 | 华南理工大学 | 一种大功率白光led荧光粉微涂覆区域的分割方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000315062A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 平面表示装置 |
JP2003273408A (ja) * | 2000-07-31 | 2003-09-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2005311395A (ja) * | 2005-07-14 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2007067420A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-15 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 色変換型発光ダイオード |
JP2007073733A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Konica Minolta Holdings Inc | 発光ダイオード(led)及び発光ダイオードの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100390390B1 (ko) * | 2000-08-17 | 2003-07-07 | 광주과학기술원 | 전기영동법과 사진식각을 이용한 평판 디스플레이의형광체 코팅방법 |
US6756186B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-06-29 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices |
US6869753B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Screen printing process for light emitting base layer |
US7372198B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-05-13 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor |
US8012774B2 (en) * | 2005-01-11 | 2011-09-06 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Coating process for a light-emitting diode (LED) |
-
2007
- 2007-04-11 TW TW096112770A patent/TWI392111B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-06-21 JP JP2007164055A patent/JP2008263154A/ja active Pending
- 2007-08-17 US US11/892,002 patent/US7919229B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000315062A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Hitachi Ltd | 平面表示装置 |
JP2003273408A (ja) * | 2000-07-31 | 2003-09-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2005311395A (ja) * | 2005-07-14 | 2005-11-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
JP2007067420A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-15 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | 色変換型発光ダイオード |
JP2007073733A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Konica Minolta Holdings Inc | 発光ダイオード(led)及び発光ダイオードの製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10036099B2 (en) | 2008-08-07 | 2018-07-31 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules |
US11662067B2 (en) | 2009-09-18 | 2023-05-30 | Korrus, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
US11105473B2 (en) | 2009-09-18 | 2021-08-31 | EcoSense Lighting, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US10557595B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-02-11 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
US10553754B2 (en) | 2009-09-18 | 2020-02-04 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
KR101819594B1 (ko) * | 2011-08-02 | 2018-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 유닛, 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 및 발광 유닛의 제조 방법 |
JP2013138209A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-11 | Advanced Optoelectronic Technology Inc | 発光ダイオードパッケージの製造方法 |
US9269876B2 (en) | 2012-03-06 | 2016-02-23 | Soraa, Inc. | Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects |
US10604865B2 (en) | 2012-06-04 | 2020-03-31 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules |
US10145026B2 (en) | 2012-06-04 | 2018-12-04 | Slt Technologies, Inc. | Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules |
US9978904B2 (en) | 2012-10-16 | 2018-05-22 | Soraa, Inc. | Indium gallium nitride light emitting devices |
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JP2014123738A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Soraa Inc | 発光材料で紫色発光ledをコーティングする方法および装置 |
JP2016523455A (ja) * | 2013-07-03 | 2016-08-08 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス部品の製造方法 |
US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
US10529902B2 (en) | 2013-11-04 | 2020-01-07 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
US9419189B1 (en) | 2013-11-04 | 2016-08-16 | Soraa, Inc. | Small LED source with high brightness and high efficiency |
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