JP2008260650A - SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させる。また、エピタキシャル成長は、20kPa以下の減圧下で行なう。
【選択図】図1
Description
(1)六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、前記基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする、SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
(2)前記原料ガスのC/Si比が0.25以上0.5以下であることを特徴とする、上記(1)に記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
(3)前記エピタキシャル成長が前記六方晶系SiC単結晶基板にオフ角を設けないで行われることを特徴とする、上記(1)又は(2)に記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
(4)前記エピタキシャル成長が20kPa以下の減圧下で行われることを特徴とする、上記(1)〜(3)のいずれか1つに記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
(5)前記エピタキシャル成長の前又はその後に、水素とプロパンからなる混合ガスを一定時間流すことを特徴とする、上記(1)〜(4)のいずれか1つに記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
Claims (5)
- 六方晶系SiC単結晶基板の(0001)Si面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比(C/Si比)が0.20以上0.75未満の原料ガスを導入することにより、前記基板と同じポリタイプのSiC単結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする、SiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
- 前記原料ガスのC/Si比が0.25以上0.5以下であることを特徴とする、請求項1に記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
- 前記エピタキシャル成長が前記六方晶系SiC単結晶基板にオフ角を設けないで行われることを特徴とする、請求項1又は2に記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
- 前記エピタキシャル成長が20kPa以下の減圧下で行われることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
- 前記エピタキシャル成長の前又はその後に、水素とプロパンからなる混合ガスを一定時間流すことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のSiC単結晶エピタキシャル薄膜の成長方法。
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