JP2008258299A - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガリウムナイトライド系の電界効果トランジスタ1において、ガリウムナイトライドで構成された電子走行層103と、構造式Inx AI1-x N(0.13≦x≦0.22)で示されるインジウムアルミナイトライドで構成されており電極収容のためのゲートリセス構造105及びドレインリセス構造106を有している厚みが50nmより厚い電子供給層104と設け、ゲート電極108あるいはドレイン電極109の少なくとも一部が対応するリセス構造の底面に形成されるようにした。
【選択図】図1
Description
図2に示した構造のガリウムナイトライド系の電界効果トランジスタ2を、以下のようにして作製した。
比較例として、上記実施例の作製の場合と同様の手法にて、図3 に示すガリウムナイトライド系電界効果トランジスタ3を作製した。電界効果トランジスタ3は電子供給層303の厚みが30nmであり、電子供給層303にリセス構造を有さない以外、構成、製法は実施例で説明したトランジスタの場合と同じである。図3の各部のうち、図2の各部に対応する部分には、300番台の対応する符号を付してある。
102、202、302 緩衝層
103、203、303 電子走行層
104、204、304 電子供給層
105、205 ゲートリセス構造
106、206 ドレインリセス構造
107、207 ソースリセス構造
108、208、308 ゲート電極
109、209、309 ドレイン電極
110、210、310 ソース電極
113、213、313 素子分離
Claims (5)
- ガリウムナイトライド系電界効果トランジスタにおいて、
ガリウムナイトライドで構成された電子走行層と、
構造式Inx AI1-x N(0.13≦x≦0.22)で示されるインジウムアルミナイトライドで構成されており電極収容のための凹部を有している厚みが50nmより厚い電子供給層とを備えて成り、
ゲート電極あるいはドレイン電極の少なくとも一部が前記凹部の底面に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 前記ゲート電極のドレイン側端部が前記凹部の底面以外の電子供給層上に形成されている請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート電極のドレイン側端部が前記電子供給層の前記凹部以外の上に形成されている請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ドレイン電極のゲート側端部が前記凹部の底面以外の電子供給層上に形成されている請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ドレイン電極のゲート側端部が前記電子供給層の前記凹部以外の上に形成されている請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
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---|---|
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009119356A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法 |
WO2009119357A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法 |
JP2011091200A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012503881A (ja) * | 2008-09-23 | 2012-02-09 | トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッド | オフカット基板に形成されたヘテロエピタキシャル・ガリウムナイトライド系デバイス |
JP2014072377A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
KR20150017546A (ko) * | 2013-08-07 | 2015-02-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 전력 반도체 소자 |
JP5737948B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2015-06-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界トランジスタの製造方法、および電子装置 |
EP2920818A4 (en) * | 2012-11-16 | 2016-07-06 | Vishay Gen Semiconductor Llc | SCHOTTKY DIODE ON GAN BASE WITH A PARTIALLY TAKEN DOUBLE METAL ELECTRODE |
EP2920817A4 (en) * | 2012-11-16 | 2016-07-06 | Vishay Gen Semiconductor Llc | SCHOTTKY DIODE BASED ON GALLIUM NITRIDE (GAN) HAVING A PARTIALLY ENCASED ANODE |
WO2023223499A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005268493A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | National Institute Of Information & Communication Technology | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP2006269586A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
WO2007007589A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-03 JP JP2007097133A patent/JP2008258299A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005129696A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005268493A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | National Institute Of Information & Communication Technology | ヘテロ接合電界効果トランジスタ |
JP2006269586A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Toshiba Corp | 半導体素子 |
WO2007007589A1 (ja) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Nec Corporation | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8872226B2 (en) | 2008-03-24 | 2014-10-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Group III nitride epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and process for producing group III nitride epitaxial substrate for semiconductor device |
WO2009119357A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法 |
WO2009119356A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法 |
JPWO2009119357A1 (ja) * | 2008-03-24 | 2011-07-21 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法 |
US8890208B2 (en) | 2008-03-24 | 2014-11-18 | Ngk Insulators, Ltd. | Group III nitride epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and process for producing group III nitride epitaxial substrate for semiconductor device |
JP2012503881A (ja) * | 2008-09-23 | 2012-02-09 | トライクイント・セミコンダクター・インコーポレイテッド | オフカット基板に形成されたヘテロエピタキシャル・ガリウムナイトライド系デバイス |
JP5737948B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2015-06-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ、ヘテロ接合電界トランジスタの製造方法、および電子装置 |
JP2011091200A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2014072377A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
EP2920818A4 (en) * | 2012-11-16 | 2016-07-06 | Vishay Gen Semiconductor Llc | SCHOTTKY DIODE ON GAN BASE WITH A PARTIALLY TAKEN DOUBLE METAL ELECTRODE |
EP2920817A4 (en) * | 2012-11-16 | 2016-07-06 | Vishay Gen Semiconductor Llc | SCHOTTKY DIODE BASED ON GALLIUM NITRIDE (GAN) HAVING A PARTIALLY ENCASED ANODE |
KR20150017546A (ko) * | 2013-08-07 | 2015-02-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 전력 반도체 소자 |
KR102087941B1 (ko) * | 2013-08-07 | 2020-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 전력 반도체 소자 |
WO2023223499A1 (ja) * | 2022-05-19 | 2023-11-23 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
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