JP2008244384A - Semiconductor laser module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レーザ素子と、該レーザ素子を搭載して温度制御する熱電モジュールが接合される取付部を有するベース部と該ベース部を被覆するキャップとからなるパッケージと、を備えた半導体レーザモジュールに関する。 The present invention relates to a semiconductor laser module comprising: a laser element; and a package comprising a base part having a mounting part to which a thermoelectric module for temperature control is mounted by mounting the laser element, and a cap covering the base part. About.
従来より、光通信機器の発光手段や、CDドライブやDVDドライブの光ピックアップなどに半導体レーザモジュールが広く用いられている。この種の半導体レーザモジュールは、いわゆるCANタイプやフレームタイプなどのパッケージ内にレーザ素子を収容して構成されるのが一般的である。この場合、レーザ素子は、高温になると発振波長が変動するなどして性能が低下するとともに、寿命も短くなるという問題を生じるようになる。このような熱による性能や寿命の劣化は、レーザ素子自身が作動時に発熱することによって生じる場合が多い。 2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor laser modules have been widely used for light emitting means of optical communication equipment and optical pickups for CD drives and DVD drives. This type of semiconductor laser module is generally configured by housing a laser element in a so-called CAN type or frame type package. In this case, when the temperature of the laser element becomes high, the oscillation wavelength fluctuates and the performance deteriorates, and the problem is that the lifetime is shortened. Such degradation of performance and life due to heat often occurs when the laser element itself generates heat during operation.
近年、中空のキャップとベースとから形成されたステムパッケージの取付部にレーザ素子を取り付けて収容した半導体レーザモジュールが広く用いられるようになった。そして、このような半導体レーザモジュールを内蔵する電子機器がさらに小型化し、かつ高出力化するに伴って、レーザ素子からの発熱を自然放熱させるだけでは、温度上昇を十分に抑制することが困難になった。このため、レーザ素子を強制的に温度制御する手段が採用されるようになり、例えば、特許文献1(特開昭59−200481号公報)や、特許文献2(特開2005−86094号公報)や、特許文献3(特表2005−518100号公報)にて提案されるようになった。 In recent years, a semiconductor laser module in which a laser element is mounted and accommodated in a mounting portion of a stem package formed from a hollow cap and a base has been widely used. And as electronic equipment incorporating such a semiconductor laser module is further downsized and increased in output, it is difficult to sufficiently suppress the temperature rise only by naturally dissipating the heat generated from the laser element. became. For this reason, means for forcibly controlling the temperature of the laser element has been adopted. For example, Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 59-200481) and Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-86094). And it came to be proposed by patent document 3 (Japanese translations of PCT publication No. 2005-518100 gazette).
上述した特許文献1〜3にて提案された強制的に温度制御する手段を備えた半導体レーザモジュール90においては、図9に示すように、取付部93を有するベース部91と、このベース部91を被覆する中空のキャップ92とからなるステムパッケージ90aを備えている。そして、このステムパッケージ90a内に熱電モジュール94が配設されていて、この熱電モジュール94の上にキャリア95を介してレーザ素子96が搭載されている。なお、キャップ92の先端部の側壁にはレンズ92aが配設されていて、レーザ素子96からの出射光を集光するようになされている。また、レーザ素子96の出射側の反対側にはレーザ素子96からの出射光を受光するフォトダイオード(受光素子)97が配置されていて、レーザ素子96からの出射光を制御するようになされている。
In the
ここで、熱電モジュール94は複数の熱電素子94aからなり、これらの複数の熱電素子94aが配線パターンが形成された上基板94bと下基板94cとの間で直列接続されるように配置、固定されて形成されている。このような構成となる熱電モジュール94はステムパッケージ90aのベース部91から突出して形成された取付部93に接合されている。また、この熱電モジュール94の上にキャリア95が接合され、このキャリア95の上にレーザ素子96とフォトダイオード(受光素子)97とが配置、固定されている。なお、この場合は、熱電モジュール94の吸熱側となる上基板94bにキャリア95が接合されている。
Here, the
そして、熱電モジュール94に電源が投入されて駆動すると、熱電モジュール94の吸熱側となる上基板94bにより、キャリア95を介してレーザ素子96が吸熱されることとなる。これにより、レーザ素子96が駆動されてレーザ素子96から熱が発生しても、この発生した熱は熱電モジュール94の吸熱側となる上基板94bにより吸熱されるので、レーザ素子96の温度上昇を防止することが可能となる。
しかしながら、特許文献1〜3にて提案された半導体レーザモジュール90においては、ステムパッケージ90aのベース部91から突出して形成された取付部93の上に熱電モジュール94の下基板94cの下面が接合されており、また、この熱電モジュール94の上にキャリア95が接合され、このキャリア95の上にレーザ素子96とフォトダイオード(受光素子)97とが配置、固定されている。ここで、取付部93、熱電モジュール94、キャリア95およびレーザ素子96の薄型化には限界があるため、図9に示すように、レーザ素子96からの出射光の光軸Lはステムパッケージ90aの中心線C−Cよりは上方にずれることとなる。
However, in the
このため、レーザ素子96からの出射光の光軸Lが、キャップ92の先端部の側壁に配設されたレンズ92aの中心線と一致しなくなって、所定の位置に集光できないという問題が生じた。また、レーザ素子96からの出射光の光軸Lと、キャップ92の先端部の側壁に配設されたレンズ92aの中心線とを一致させるためには、ベース部91から突出して形成された取付部93の位置を下方にずらすようにすればよいと考えられる。ところが、取付部93の位置を下方にずらすと、ベース部91を被覆するために設けられたキャップ92が取付部93に接触するようになる。このため、キャップ92が挿入できなくなって、ステムパッケージ90aを構成できなくなるという新たな問題が生じた。
For this reason, the optical axis L of the light emitted from the
そこで、本発明は上記の如き問題点を解消するためになされたものであって、レーザ素子からの出射光の光軸とパッケージの中心線が一致できるようにしても、熱電モジュールが取り付けられる取付部にキャップが接触することなく挿入できる取付構造を備えた半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and the thermoelectric module can be mounted even if the optical axis of the light emitted from the laser element can coincide with the center line of the package. An object of the present invention is to provide a semiconductor laser module having an attachment structure that can be inserted without a cap coming into contact with a portion.
本発明の半導体レーザモジュールは、レーザ素子と、このレーザ素子を搭載して温度制御する熱電モジュールが接合される取付部を有するベース部とこのベース部を被覆するキャップとからなるパッケージと、を備えている。
そして、上記課題を解決するため、熱電モジュールは、配線パターンが形成された上基板と、配線パターンが形成された下基板と、これらの両基板の配線パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子とからなり、熱電モジュールが接合される取付部はベース部から突出して形成されていて、この取付部に熱電モジュールの下基板の上面が接合されているとともに、取付部に接合された熱電モジュールの上基板の上面にレーザ素子が接合されている。
The semiconductor laser module of the present invention includes a laser element, and a package including a base part having a mounting part to which a thermoelectric module for temperature control is mounted by mounting the laser element, and a cap that covers the base part. ing.
In order to solve the above problems, the thermoelectric module is arranged and connected in series between the upper substrate on which the wiring pattern is formed, the lower substrate on which the wiring pattern is formed, and the wiring patterns on both the substrates. The mounting portion is composed of a plurality of fixed thermoelectric elements, and the mounting portion to which the thermoelectric module is bonded is formed to protrude from the base portion, and the upper surface of the lower substrate of the thermoelectric module is bonded to the mounting portion, and the mounting portion A laser element is bonded to the upper surface of the upper substrate of the thermoelectric module bonded to the substrate.
このように、熱電モジュールが接合される取付部に熱電モジュールの下基板の上面が接合されているとともに、取付部に接合された熱電モジュールの上基板の上面にレーザ素子が接合されていると、パッケージ内に配置された部品の最大高さは熱電モジュールの最下面からレーザ素子の上面までの高さとなって、パッケージ内に配置される部品の高さを低くすることが可能となる。これにより、レーザ素子からの出射光の光軸とパッケージの中心線が一致できるようにしても、熱電モジュールが取り付けられる取付部にキャップが接触することなく挿入することが可能となる。 Thus, when the upper surface of the lower substrate of the thermoelectric module is bonded to the mounting portion to which the thermoelectric module is bonded, and the laser element is bonded to the upper surface of the upper substrate of the thermoelectric module bonded to the mounting portion, The maximum height of the components arranged in the package is the height from the lowermost surface of the thermoelectric module to the upper surface of the laser element, and the height of the components arranged in the package can be reduced. As a result, even if the optical axis of the light emitted from the laser element can coincide with the center line of the package, the cap can be inserted into the attachment portion to which the thermoelectric module is attached without contact.
この場合、レーザ素子の後方にレーザ素子からの出力光を受光する受光素子を配設する必要があるが、この受光素子の配設位置としては、取り付けの容易性の観点からすると、レーザ素子と同じ熱電モジュールの上基板の上面とするのが望ましい。しかしながら、レーザ素子の配設位置とは異なるベース部から突出して形成された取付部に受光素子を配設し、レーザ素子と受光素子との光軸が一致するように形成すると、ベース部からキャップの先端部までの長さを短くすることが可能となる。このため、半導体レーザモジュールの小型化の観点からすると、受光素子はレーザ素子とは異なる取付部に配設するが望ましいということができる。 In this case, it is necessary to dispose a light receiving element that receives output light from the laser element behind the laser element. From the viewpoint of ease of mounting, the light receiving element is disposed from the position of the laser element. The upper surface of the upper substrate of the same thermoelectric module is desirable. However, if the light receiving element is disposed in a mounting portion that protrudes from a base portion that is different from the position where the laser element is disposed, and the optical axes of the laser element and the light receiving element are aligned, the cap from the base portion It becomes possible to shorten the length to the front-end | tip part. For this reason, from the viewpoint of miniaturization of the semiconductor laser module, it can be said that the light receiving element is preferably disposed in a mounting portion different from the laser element.
また、熱電モジュールが接合される取付部はベース部から突出して形成されていて、この取付部に熱電モジュールの下基板の下面が接合されているとともに、取付部に接合された熱電モジュールの上基板の下面にレーザ素子が接合されている構造を採用するようにしてもよい。この場合も、受光素子の配設位置としては、取り付けの容易性の観点からすると、レーザ素子と同じ熱電モジュールの上基板の下面とするのが望ましいが、ベース部からキャップの先端部までの長さを短くするためには、レーザ素子の配設位置とは異なるベース部から突出した取付部の先端部に受光素子を配設し、レーザ素子と受光素子との光軸が一致するように形成するのが望ましい。 In addition, the mounting portion to which the thermoelectric module is bonded is formed to protrude from the base portion, and the lower surface of the lower substrate of the thermoelectric module is bonded to the mounting portion, and the upper substrate of the thermoelectric module bonded to the mounting portion. Alternatively, a structure in which a laser element is bonded to the lower surface may be adopted. In this case as well, from the viewpoint of ease of mounting, the light receiving element is preferably disposed on the lower surface of the upper substrate of the same thermoelectric module as the laser element. In order to shorten the length, the light receiving element is disposed at the tip of the mounting portion protruding from the base portion different from the position where the laser element is disposed so that the optical axes of the laser element and the light receiving element coincide with each other. It is desirable to do.
さらに、熱電モジュールが接合される取付部はベース部から突出して形成されていて、この取付部に熱電モジュールの下基板の上面が接合されているとともに、取付部に接合された熱電モジュールの上基板の下面に前記レーザ素子が接合されている構造を採用するようにしてもよい。この場合も、受光素子の配設位置としては、取り付けの容易性の観点からすると、レーザ素子と同じ熱電モジュールの上基板の下面とするのが望ましいが、ベース部からキャップの先端部までの長さを短くするためには、レーザ素子の配設位置とは異なる下基板の先端部の下面に受光素子を配設し、レーザ素子と受光素子との光軸が一致するように形成するのが望ましい。 Furthermore, the attachment part to which the thermoelectric module is joined is formed protruding from the base part, and the upper surface of the lower substrate of the thermoelectric module is joined to the attachment part, and the upper substrate of the thermoelectric module joined to the attachment part. A structure in which the laser element is bonded to the lower surface of the substrate may be adopted. In this case as well, from the viewpoint of ease of mounting, the light receiving element is preferably disposed on the lower surface of the upper substrate of the same thermoelectric module as the laser element. In order to shorten the length, the light receiving element is disposed on the lower surface of the tip of the lower substrate, which is different from the position where the laser element is disposed, so that the optical axes of the laser element and the light receiving element coincide with each other. desirable.
以下に、本発明の半導体レーザモジュールの実施の形態を図1〜図8に基づいて説明するが、本発明はこの実施の形態に何ら限定されるものでなく、本発明の目的を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
なお、図1は本発明の実施例1の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であり、図1(a)はキャップを透過した状態を模式的に示す正面図であり、図1(b)は、図1(a)の矢印のX方向からキャップを透過した状態を模式的に示す側面図であり、図1(c)は、図1(a)の矢印のY方向からキャップを透過した状態を模式的に示す上面図である。図2は実施例1の変形例の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であり、図2(a)はキャップを透過した状態を模式的に示す正面図であり、図2(b)は、図2(a)の矢印のX方向からキャップを透過した状態を模式的に示す側面図であり、図2(c)は、図2(a)の矢印のY方向からキャップを透過した状態を模式的に示す上面図である。
Hereinafter, embodiments of the semiconductor laser module of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8, but the present invention is not limited to these embodiments and does not change the object of the present invention. It is possible to implement with appropriate modifications.
FIG. 1 is a diagram schematically showing a semiconductor laser module according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1 (a) is a front view schematically showing a state of being transmitted through a cap, and FIG. Fig. 1 is a side view schematically showing a state where a cap is transmitted from the X direction of an arrow in Fig. 1 (a), and Fig. 1 (c) is transmitted through the cap from a Y direction of the arrow in Fig. 1 (a). It is a top view which shows a state typically. FIG. 2 is a diagram schematically showing a semiconductor laser module according to a modification of the first embodiment, FIG. 2 (a) is a front view schematically showing a state where the cap is transmitted, and FIG. It is a side view which shows typically the state which permeate | transmitted the cap from the X direction of the arrow of Fig.2 (a), FIG.2 (c) shows the state which permeate | transmitted the cap from the Y direction of the arrow of Fig.2 (a). It is a top view showing typically.
図3は実施例2の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であって、キャップを透過した状態を模式的に示す正面図である。図4は実施例2の第1変形例の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であって、キャップを透過した状態を模式的に示す正面図である。図5は実施例2の第2変形例の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であって、キャップを透過した状態を模式的に示す正面図である。図6は実施例3の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であって、キャップを透過した状態を模式的に示す正面図である。図7は実施例3の第1変形例の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であって、キャップを透過した状態を模式的に示す正面図である。図8は実施例3の第2変形例の半導体レーザモジュールを模式的に示す図であって、キャップを透過した状態を模式的に示す正面図である。 FIG. 3 is a diagram schematically illustrating the semiconductor laser module of Example 2, and is a front view schematically illustrating a state where the cap is transmitted through the cap. FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a semiconductor laser module according to a first modification of Example 2, and is a front view schematically illustrating a state where the laser beam is transmitted through a cap. FIG. 5 is a diagram schematically illustrating a semiconductor laser module according to a second modification of the second embodiment, and is a front view schematically illustrating a state where the laser beam is transmitted through a cap. FIG. 6 is a diagram schematically illustrating the semiconductor laser module of Example 3, and is a front view schematically illustrating a state where the cap is transmitted through the cap. FIG. 7 is a diagram schematically illustrating a semiconductor laser module according to a first modification of Example 3, and is a front view schematically illustrating a state where the laser beam is transmitted through a cap. FIG. 8 is a diagram schematically illustrating a semiconductor laser module according to a second modification of the third embodiment, and is a front view schematically illustrating a state where the cap is transmitted through the cap.
1.実施例1
本実施例1の半導体レーザモジュール10は、図1に示すように、取付部11aを有するベース部11と、このベース部11を被覆するキャップ12とからなるパッケージ(ステムパッケージ)10aを備えている。また、取付部11aの下面に熱電モジュール13の下基板15の上面が接合されているとともに、この熱電モジュール13の上にキャリア17が接合されている。そして、キャリア17の上にレーザ素子18aとフォトダイオード(受光素子)18bとサーミスタ18cなどが配置、固定されて、半導体レーザモジュール10となされている。
1. Example 1
As shown in FIG. 1, the
ここで、ベース部11は、鉄、ニッケル、コバルトからなる合金(例えば、コバール:Kovar)もしくは鉄系材料からなり、プレス加工により略円板状で、その一部から突出するように取付部11aが作製されている。そして、ベース部11には複数の開孔19が形成されていて、この複数の開孔19内にリードが挿入され、ガラス封止がなされるようになされている。なお、ベース部11は金メッキ処理が施されて、ベース部11の表面は金層が形成されている。また、金メッキの下地膜としてニッケルメッキを施すようにしてもよい。この場合、ベース部11には、図示しないキャップ取付部が形成されていて、このキャップ取付部に抵抗溶接法やハンダ付けによりキャップ12が気密に接合されるようになされている。
Here, the
キャップ12は、鉄、ニッケル、コバルトからなる合金(例えば、コバール:Kovar)もしくは鉄系材料からなり、プレス加工により略円筒状に作製されている。そして、キャップ12の先端部の側壁には開口が形成されていて、この開口内に、レーザ素子18aからの出射光を集光するレンズ12aがロウ付けやハンダ付けにより接合されている。また、キャップ12には金メッキ処理が施されて、その表面は金層が形成されている。この場合、金メッキ処理はレンズ12aの接合後でも、あるいは接合前であってもよい。また、金メッキ処理の前にニッケル(Ni)めっき処理を施すようにしてもよい。
The
熱電モジュール13は、上基板14および下基板15と、これらの間で電気的に直列接続された多数の熱電素子16とからなる。ここで、上基板14および下基板15は、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミナ(AlN)、炭化珪素(SiC)などのセラミック材により形成されている。なお、セラミック材でなくても、電気絶縁性のある基板であれば材質は問わない。そして、上基板14の表面(この場合は下表面となる)には配線パターン(導電層)14aが形成されており、下基板15の表面(この場合は上表面となる)にも配線パターン(導電層)15aが形成されている。この場合、熱電モジュール13は、ハンダ付け、ロウ付け、接着剤などの固定手段により取り付け部に固定されている。
The thermoelectric module 13 includes an
配線パターン(導電層)14a,15aは、例えば、銅めっき法やDBC(ダイレクトボンディングカッパー)法やロウ付け法など、あるいは接着剤による接合で形成するようにすればよい。そして、配線パターン(導電層)14a,15aの上にニッケルめっき層や金めっき層を設けるようにしてもよい。なお、下基板15に形成された配線パターン(導電層)15aの端部には一対の電極部15c,15cが形成されていて、この電極部15c,15cに接続されたリード線(スズめっき銅線や金メッキ銅線など)や金ワイヤを通して熱電素子16に外部電力が供給されるようになされている。
The wiring patterns (conductive layers) 14a and 15a may be formed by, for example, a copper plating method, a DBC (direct bonding copper) method, a brazing method, or the like, or bonding with an adhesive. A nickel plating layer or a gold plating layer may be provided on the wiring patterns (conductive layers) 14a and 15a. A pair of
熱電素子16は、P型半導体化合物素子とN型半導体化合物素子とからなるものである。そして、これらがP,N,P,N・・・の順に電気的に直列に接続されるように、配線パターン(導電層)14a,15aにSnSb合金やSnAu合金やSnAgCu合金からなるハンダによりハンダ付けされている。
The
一方、上基板14の表面(この場合は上表面となる)にはキャリア17との接合を容易にするためにメタライズ層14bが形成されているとともに、下基板15の下面にはメタライズ層15bが形成されている。また、上基板14の上面に形成されたメタライズ層14bの上にキャリア17が接合されている。そして、上基板14に接合されたキャリア17の上にレーザ素子18aとフォトダイオード(受光素子)18bとサーミスタ18cが配置、固定されている。なお、フォトダイオード(受光素子)18bはレーザ素子18aからの出射光を受光してレーザ素子18aの出力を制御するために設けられており、レーザ素子18aの後方(出射面の反対側)に位置するように配設されている。また、サーミスタ18cはレーザ素子18bの温度を監視するために設けられている。また、図示していないが、レーザ素子18a、フォトダイオード(受光素子)18bおよびサーミスタ18cは金ワイヤで接続されている。
On the other hand, a
そして、電源が投入されて熱電モジュール13が駆動すると、熱電モジュール13の吸熱側(この場合は上基板14とする)となる上基板14により、キャリア17を介してレーザ素子18aが吸熱されることとなる。これにより、レーザ素子18aが駆動されて発熱しても、この発熱は熱電モジュール13の吸熱側となる上基板14により吸熱されるので、レーザ素子18aの温度上昇を防止することが可能となる。なお、キャリア17はCuWやAlNなどの熱伝導性が良好な材料からなる板状体により形成されている。
When the power is turned on and the thermoelectric module 13 is driven, the
このような構成となる本実施例1においては、取付部11aの下面に熱電モジュール13の下基板15の上面が接合されているので、パッケージ10a内に配置された部品の最大高さは、熱電モジュール13の下基板15の下端からレーザ素子18aの上端までの高さとなる。このため、取付部11aの下面からレーザ素子18aの上端までの高さを低くすることが可能となる。これにより、レーザ素子18aおよびフォトダイオード(受光素子)18bの高さ方向の中心線と、パッケージ10aの高さ方向の中心線とが一致するように、レーザ素子18aおよびフォトダイオード(受光素子)18bを配置することが可能となる。この結果、キャップ12の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ12aの中心線とレーザ素子18aの高さ方向の中心線とを一致させることが可能となる。
In the first embodiment having such a configuration, since the upper surface of the
(変形例)
上述した実施例1においては、キャリア17の上にレーザ素子18aおよびサーミスタ18cとともにフォトダイオード(受光素子)18bを配置する例について説明した。ところが、レーザ素子18aとともに長さ方向に一列となるように配置されるフォトダイオード(受光素子)18bをベース部11の取付部11aに配置するようにすると、形成された半導体レーザモジュールの長さを短くすることが可能となる。そこで、フォトダイオード(受光素子)をベース部の取付部に配置するようにした変形例について、以下に説明する。
(Modification)
In the first embodiment described above, the example in which the photodiode (light receiving element) 18b is disposed on the
本実施例1の変形例の半導体レーザモジュール20は、図2に示すように、取付部21aを有するベース部21と、このベース部21を被覆するキャップ22とからなるパッケージ20aを備えている。また、取付部21aの下面に熱電モジュール23の下基板25の上面が接合されているとともに、この熱電モジュール23の上にキャリア27が接合されている。そして、キャリア27の上にレーザ素子28aとサーミスタ28cなどが配置、固定されている。また、ベース部21の取付部21aの先端部の上面にフォトダイオード(受光素子)28bが配置、固定されて半導体レーザモジュール20となされている。
As shown in FIG. 2, the
この場合、フォトダイオード(受光素子)28bは取付部21aの先端部の上面に配置、固定されることとなるので、図2(c)に示すように、レーザ素子28aとサーミスタ28cとをキャリア27上の幅方向に配置でき、キャリア27の長さを短くすることが可能となる。これにより、熱電モジュール23の上基板24および下基板25の長さも短くできるとともに、キャップ22の長さも短くすることが可能となる。結局、形成された半導体レーザモジュール20の長さを実施例1の半導体レーザモジュール10の長さ(図2の点線の部分が半導体レーザモジュール10の長さとなる)よりも短くすることが可能となる。
In this case, since the photodiode (light receiving element) 28b is disposed and fixed on the upper surface of the tip of the mounting
そして、取付部21aの下面に熱電モジュール23の下基板25の上面を接合するようにしているので、取付部21aの下面からレーザ素子28aの上端までの高さを低くすることが可能となる。これにより、レーザ素子28aおよびフォトダイオード(受光素子)28bの高さ方向の中心部と、パッケージ20aの高さ方向の中心位置とが一致するように、パッケージ20a内に配置することが可能となる。この結果、キャップ22の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ22aの中心線とレーザ素子28aの中心部とを一致させることが可能となる。
Since the upper surface of the
なお、本変形例の半導体レーザモジュール20の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール23の上基板24および下基板25については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)24a,25a、メタライズ層24b,25bおよび電極部25c,25cが形成されている。また、ベース部21にはリードが挿入される複数の開孔29が形成されている。
In addition, since the material of each component of the
2.実施例2
上述した実施例1およびその変形例においては、熱電モジュール13(23)の上基板14(24)の上面にキャリア17(27)を接合し、このキャリア17(27)の上面にレーザ素子18a(28a)などを配置する例について説明した。ところが、熱電モジュールの上基板の下面にキャリアを接合し、このキャリアの下面にレーザ素子などを配置すると、パッケージ内に配置された部品の最大高さは、熱電モジュールの下基板から上基板までの高さとなって、取付部の下面から熱電モジュールの上基板の上端面までの高さを低くすることが可能となる。そこで、熱電モジュールの上基板の下面にキャリアを接合するようにした実施例2について、以下に説明する。
2. Example 2
In the above-described first embodiment and its modification, the carrier 17 (27) is bonded to the upper surface of the upper substrate 14 (24) of the thermoelectric module 13 (23), and the
本実施例2の半導体レーザモジュール30は、図3に示すように、取付部31aを有するベース部31と、このベース部31を被覆するキャップ32とからなるパッケージ30aを備えている。また、取付部31aの上面に熱電モジュール33の下基板35の下面が接合されているとともに、この熱電モジュール33の上基板34の下面にキャリア37が接合されている。そして、キャリア37の下面にレーザ素子38aとフォトダイオード(受光素子)38bとサーミスタ(図示せず)などが配置、固定されて、半導体レーザモジュール30となされている。
As shown in FIG. 3, the
この場合、取付部31aの上面に熱電モジュール33の下基板35の下面が接合され、上基板34の下面にキャリヤ37を介してレーザ素子38aが接合されるので、パッケージ30a内に配置された部品の最大高さは、熱電モジュール13の下基板35の下端から上基板34の上端までの高さとなる。このため、取付部31aの下面から上基板34の上端までの高さを低くすることが可能となる。これにより、レーザ素子38aおよびフォトダイオード(受光素子)38bの高さ方向の中心線と、パッケージ30aの高さ方向の中心線とが一致するように、レーザ素子38aおよびフォトダイオード(受光素子)38bを配置することが可能となる。この結果、キャップ32の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ32aの中心線とレーザ素子38aの高さ方向の中心線とを一致させることが可能となる。
In this case, the lower surface of the
なお、本実施例2の半導体レーザモジュール30の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール33の上基板34および下基板35については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)34a,35a、メタライズ層34b,35bおよび電極部(図示せず)が形成されている。また、ベース部31にはリードが挿入される複数の開孔(図示せず)が形成されている。
In addition, since the material of each component of the
上述した実施例2においては、キャリア37の下にレーザ素子38aおよびサーミスタ(図示せず)とともにフォトダイオード(受光素子)38bを配置する例について説明した。ところが、レーザ素子38aとともに長さ方向に一列となるように配置されるフォトダイオード(受光素子)38bをベース部31の取付部31aに配置するようにすると、形成された半導体レーザモジュールの長さを短くすることが可能となる。そこで、フォトダイオード(受光素子)をベース部の取付部に配置するようにした変形例について、以下に説明する。
In the above-described second embodiment, the example in which the photodiode (light receiving element) 38b is disposed under the
(第1変形例)
本実施例2の第1変形例の半導体レーザモジュール40は、図4に示すように、取付部41aを有するベース部41と、このベース部41を被覆するキャップ42とからなるパッケージ40aを備えている。また、取付部41aの上面に熱電モジュール43の下基板45の下面が接合されているとともに、上基板44の下面に高さを揃えるために嵩上げして形成されたキャリア47が接合されている。そして、キャリア47の下にレーザ素子48aとサーミスタ(図示せず)などが配置、固定されている。また、ベース部41の取付部41aの先端部に形成された凹部41bの下面にフォトダイオード(受光素子)48bが配置、固定されて半導体レーザモジュール40となされている。
(First modification)
As shown in FIG. 4, the
この場合、フォトダイオード(受光素子)48bは取付部41aに形成された凹部41bの下面に配置、固定されることとなるので、図4に示すように、レーザ素子48aとサーミスタ(図示せず)とをキャリア47の下面の幅方向に配置でき、キャリア47の長さを短くすることが可能となる。これにより、熱電モジュール43の上基板44および下基板45の長さも短くできるとともに、キャップ42の長さも短くすることが可能となる。結局、形成された半導体レーザモジュール40の長さを実施例2の半導体レーザモジュール30の長さよりも短くすることが可能となる。
In this case, the photodiode (light receiving element) 48b is disposed and fixed on the lower surface of the
そして、レーザ素子48aは、高さを揃えるために嵩上げして形成されたキャリア47の下面に接合されているとともに、フォトダイオード(受光素子)48bは取付部41aに形成された凹部41bの下面に接合されている。これにより、レーザ素子48aおよびフォトダイオード(受光素子)48bの高さ方向の中心部と、パッケージ40aの高さ方向の中心位置とが一致するように、パッケージ40a内に配置することが可能となる。この結果、キャップ42の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ42aの中心線とレーザ素子48aの中心部とを一致させることが可能となる。
The
なお、本実施例2の第1変形例の半導体レーザモジュール40の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール43の上基板44および下基板45については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)44a,45a、メタライズ層44b,45bおよび電極部(図示せず)が形成されている。また、ベース部41にはリードが挿入される複数の開孔(図示せず)が形成されている。
In addition, since the material of each component of the
(第2変形例)
本実施例2の第2変形例の半導体レーザモジュール50は、図5に示すように、取付部51aを有するベース部51と、このベース部51を被覆するキャップ52とからなるパッケージ50aを備えている。また、取付部51aの上面に熱電モジュール53の下基板55の下面が接合されているとともに、上基板54の下面に高さを揃えるために設けられたCuなどの高熱伝導性を有する高熱伝導体59と、分割された下基板55とを介してキャリア57が接合されている。そして、キャリア57の下にレーザ素子58aとサーミスタ(図示せず)などが配置、固定されている。また、ベース部51の取付部51aの先端部に形成された凹部51bの下面にフォトダイオード(受光素子)58bが配置、固定されて半導体レーザモジュール50となされている。
(Second modification)
As shown in FIG. 5, the
この場合、フォトダイオード(受光素子)58bは取付部51aの先端部に形成された凹部51bの下面に配置、固定されることとなるので、図5に示すように、レーザ素子58aとサーミスタ(図示せず)とをキャリア57の下面の幅方向に配置でき、キャリア57の長さを短くすることが可能となる。これにより、熱電モジュール53の上基板54および下基板55の長さも短くできるとともに、キャップ52の長さも短くすることが可能となる。結局、形成された半導体レーザモジュール50の長さを実施例2の半導体レーザモジュール30の長さよりも短くすることが可能となる。
In this case, since the photodiode (light receiving element) 58b is arranged and fixed on the lower surface of the recess 51b formed at the tip of the mounting
そして、レーザ素子58aは、高さを揃えるために設けられた高熱伝導体59と、分割された下基板55とを介してキャリア57の下面に接合されているとともに、フォトダイオード(受光素子)58bは取付部51aに形成された凹部51bの下面に接合されている。これにより、レーザ素子58aおよびフォトダイオード(受光素子)58bの高さ方向の中心部と、パッケージ50aの高さ方向の中心位置とが一致するように、パッケージ50a内に配置することが可能となる。この結果、キャップ52の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ52aの中心線とレーザ素子58aの中心部とを一致させることが可能となる。なお、本第2変形例においては、下基板55は熱電素子用の基板とレーザ素子の基板に分割されているので、下基板55の高さバラツキが非常に小さくなる。これにより、レーザ素子58aとフォトダイオード(受光素子)58bとの位置合わせが容易になる。
The
本実施例2の第2変形例の半導体レーザモジュール50の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール53の上基板54および下基板55については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)54a,55a、メタライズ層54b,55bおよび電極部(図示せず)が形成されている。また、ベース部51にはリードが挿入される複数の開孔(図示せず)が形成されている。
Since the material of each component of the
なお、上述した本実施例2の第1変形例および第2変形例においては、取付部41a(51a)の先端部に形成された凹部41b(51b)の下面にフォトダイオード48b(58b)を配置する例を示したが、フォトダイオード48b(58b)を配置する場所は凹部41b(51b)に限らず、先端部であれば、凹部が形成されていない取付部の先端部の側壁面に取り付けたり、あるいは、この先端部に斜面を形成するようにして、この斜面に取り付けるようにしてもよい。
In the first modification and the second modification of the second embodiment described above, the
3.実施例3
上述した実施例2およびその変形例においては、取付部31a(41a,51a)の上面に熱電モジュール33(43,53)の下基板35(45,55)の下面を接合するとともに、上基板34(44,54)の下面にキャリア37(47,57)を接合し、このキャリア37(47,57)の下面にレーザ素子38a(48a,58a)などを配置する例について説明した。ところが、取付部の下面に下基板の上面を接合するようにすると、取付部の下面から熱電モジュールの上基板の上端面までの高さをさらに低くすることが可能となる。そこで、取付部の下面に熱電モジュールの上基板の上面を接合するようにした実施例3について、以下に説明する。
3. Example 3
In the above-described second embodiment and its modifications, the lower surface of the lower substrate 35 (45, 55) of the thermoelectric module 33 (43, 53) is joined to the upper surface of the mounting
本実施例3の半導体レーザモジュール60は、図6に示すように、取付部61aを有するベース部61と、このベース部61を被覆するキャップ62とからなるパッケージ60aを備えている。また、取付部61aの下面に熱電モジュール63の下基板65の上面が接合されているとともに、この熱電モジュール63の上基板64の下面にキャリア67が接合されている。そして、キャリア67の下面にレーザ素子68aとフォトダイオード(受光素子)68bとサーミスタ(図示せず)などが配置、固定されて、半導体レーザモジュール60となされている。
As shown in FIG. 6, the
この場合、取付部61aの下面に熱電モジュール63の下基板65の上面が接合され、上基板64の下面にキャリヤ67を介してレーザ素子68aが接合されるので、パッケージ60a内に配置された部品の最大高さは、熱電モジュール63の下基板65の下端から上基板64の上端までの高さとなる。このため、熱電モジュール63の下基板65の下面から上基板64の上端までの高さを低くすることが可能となる。これにより、レーザ素子68aおよびフォトダイオード(受光素子)68bの高さ方向の中心線と、パッケージ60aの高さ方向の中心線とが一致するように、レーザ素子68aおよびフォトダイオード(受光素子)68bを配置することが可能となる。この結果、キャップ62の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ62aの中心線とレーザ素子68aの高さ方向の中心線とを一致させることが可能となる。
In this case, the upper surface of the
なお、本実施例3の半導体レーザモジュール60の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール63の上基板64および下基板65については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)64a,65a、メタライズ層64b,65bおよび電極部(図示せず)が形成されている。また、ベース部61にはリードが挿入される複数の開孔(図示せず)が形成されている。
In addition, since the material of each component of the
上述した実施例3においては、キャリア67の下にレーザ素子68aおよびサーミスタ(図示せず)とともにフォトダイオード(受光素子)68bを配置する例について説明した。ところが、レーザ素子68aとともに長さ方向に一列となるように配置されるフォトダイオード(受光素子)68bをベース部61の取付部61aの下面に接合された下基板の下面に配置するようにすると、形成された半導体レーザモジュールの長さを短くすることが可能となる。そこで、フォトダイオード(受光素子)をベース部の取付部の下面に接合された下基板の下面に配置するようにした変形例について、以下に説明する。
In the above-described third embodiment, the example in which the photodiode (light receiving element) 68b is disposed under the
(第1変形例)
本実施例3の第1変形例の半導体レーザモジュール70は、図7に示すように、取付部71aを有するベース部71と、このベース部71を被覆するキャップ72とからなるパッケージ70aを備えている。また、取付部71aの下面に熱電モジュール73の下基板75の上面が接合されているとともに、上基板74の下面に高さを揃えるために嵩上げして形成されたキャリア77が接合されている。そして、キャリア77の下にレーザ素子78aとサーミスタ(図示せず)などが配置、固定されている。また、ベース部71の取付部71aの下面に接合された下基板の先端部の下面にフォトダイオード(受光素子)78bが配置、固定されて半導体レーザモジュール70となされている。
(First modification)
As shown in FIG. 7, the
この場合、フォトダイオード(受光素子)78bは取付部71aの下面に接合された下基板75の先端部の下面に配置、固定されることとなるので、図7に示すように、レーザ素子78aとサーミスタ(図示せず)とをキャリア77の下面の幅方向に配置でき、キャリア77の長さを短くすることが可能となる。これにより、熱電モジュール73の上基板74および下基板75の長さも短くできるとともに、キャップ72の長さも短くすることが可能となる。結局、形成された半導体レーザモジュール70の長さを実施例3の半導体レーザモジュール60の長さよりも短くすることが可能となる。
In this case, the photodiode (light receiving element) 78b is disposed and fixed on the lower surface of the tip portion of the
そして、レーザ素子78aは、高さを揃えるために嵩上げして形成されたキャリア77の下面に接合されているとともに、フォトダイオード(受光素子)78bは取付部71aの下面に接合された下基板75の先端部の下面に接合されている。これにより、レーザ素子78aおよびフォトダイオード(受光素子)78bの高さ方向の中心部と、パッケージ70aの高さ方向の中心位置とが一致するように、パッケージ70a内に配置することが可能となる。この結果、キャップ72の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ72aの中心線とレーザ素子78aの中心部とを一致させることが可能となる。
The
なお、本変形例の半導体レーザモジュール70の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール73の上基板74および下基板75については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)74a,75a、メタライズ層74b,75bおよび電極部(図示せず)が形成されている。また、ベース部71にはリードが挿入される複数の開孔(図示せず)が形成されている。
In addition, since the material of each component of the
(第2変形例)
本実施例3の第2変形例の半導体レーザモジュール80は、図8に示すように、取付部81aを有するベース部81と、このベース部81を被覆するキャップ82とからなるパッケージ80aを備えている。また、取付部81aの下面に熱電モジュール83の下基板85の上面が接合されているとともに、上基板84の下面に高さを揃えるために設けられた高熱伝導体89と、分割された下基板85とを介してキャリア87が接合されている。そして、キャリア87の下にレーザ素子88aとサーミスタ(図示せず)などが配置、固定されている。また、ベース部81の取付部81aの下面に接合された下基板85の先端部の下面にフォトダイオード(受光素子)88bが配置、固定されて半導体レーザモジュール80となされている。
(Second modification)
As shown in FIG. 8, the
この場合、フォトダイオード(受光素子)88bは取付部81aの下面に接合された下基板85の先端部の下面に配置、固定されることとなるので、図8に示すように、レーザ素子88aとサーミスタ(図示せず)とをキャリア87の下面の幅方向に配置でき、キャリア87の長さを短くすることが可能となる。これにより、熱電モジュール83の上基板84および下基板85の長さも短くできるとともに、キャップ82の長さも短くすることが可能となる。結局、形成された半導体レーザモジュール80の長さを実施例3の半導体レーザモジュール60の長さよりも短くすることが可能となる。
In this case, the photodiode (light receiving element) 88b is disposed and fixed on the lower surface of the tip portion of the
そして、レーザ素子88aは、高さを揃えるために設けられた高熱伝導体89と、分割された下基板85とを介してキャリア87の下面に接合されているとともに、フォトダイオード(受光素子)88bは下基板85の下面に接合されている。これにより、レーザ素子88aおよびフォトダイオード(受光素子)88bの高さ方向の中心部と、パッケージ80aの高さ方向の中心位置とが一致するように、パッケージ80a内に配置することが可能となる。この結果、キャップ82の先端部の側壁の中心部に形成されたレンズ82aの中心線とレーザ素子88aの中心部とを一致させることが可能となる。なお、本第2変形例においては、下基板85は熱電素子用の基板とレーザ素子の基板に分割されているので、下基板85の高さバラツキが非常に小さくなる。これにより、レーザ素子88aとフォトダイオード(受光素子)88bとの位置合わせが容易になる。
The
なお、本変形例の半導体レーザモジュール80の各構成要素の材質などは上述した実施例1の半導体レーザモジュール10の各構成要素と同様であるのでその説明は省略する。また、熱電モジュール83の上基板84および下基板85については、上述した実施例1と同様に、配線パターン(導電層)84a,85a、メタライズ層84b,85bおよび電極部(図示せず)が形成されている。また、ベース部81にはリードが挿入される複数の開孔(図示せず)が形成されている。
In addition, since the material of each component of the
なお、上述した実施の形態においては、上基板が熱電モジュールの吸熱側となるように形成して上基板によりレーザ素子を冷却制御する例について説明したが、レーザ素子が低温の温度環境で使用される場合は、上基板が熱電モジュールの発熱側となるように形成し、上基板によりレーザ素子を加熱制御するようにしてもよい。 In the above-described embodiment, the example in which the upper substrate is formed on the heat absorption side of the thermoelectric module and the laser element is controlled to be cooled by the upper substrate has been described. However, the laser element is used in a low temperature environment. In this case, the upper substrate may be formed so as to be on the heat generation side of the thermoelectric module, and the laser element may be controlled to be heated by the upper substrate.
10…半導体レーザモジュール、10a…パッケージ、11…ベース部、11a…取付部、12…キャップ、12a…レンズ、13…熱電モジュール、14…上基板、14a…配線パターン14b…メタライズ層、15…下基板、15a…配線パターン、15b…メタライズ層、15c…電極部、16…熱電素子、17…キャリア、18a…レーザ素子、18b…フォトダイオード(受光素子)、18c…サーミスタ、19…開孔、20…半導体レーザモジュール、20a…パッケージ、21…ベース部、21a…取付部、22…キャップ、22a…レンズ、23…熱電モジュール、24…上基板、24a…配線パターン、24b…メタライズ層、25…下基板、25a…配線パターン、25b…メタライズ層、25c…電極部、27…キャリア、28a…レーザ素子、28b…フォトダイオード(受光素子)、28c…サーミスタ、29…開孔、30…半導体レーザモジュール、30a…パッケージ、31…ベース部、31a…取付部、32…キャップ、32a…レンズ、33…熱電モジュール、34…上基板、34a…配線パターン、34b…メタライズ層、35…下基板、37…キャリア、38a…レーザ素子、38b…フォトダイオード(受光素子)、40…半導体レーザモジュール、40a…パッケージ、41…ベース部、41a…取付部、41b…凹部、42…キャップ、42a…レンズ、43…熱電モジュール、44…上基板、44a…配線パターン、44b…メタライズ層、45…下基板、47…キャリア、48a…レーザ素子、48b…フォトダイオード(受光素子)、50…半導体レーザモジュール、50a…パッケージ、51…ベース部、51a…取付部、51b…凹部、52…キャップ、52a…レンズ、53…熱電モジュール、54…上基板、54a…配線パターン、54b…メタライズ層、55…下基板、57…キャリア、58a…レーザ素子、58b…フォトダイオード(受光素子)、59…高熱伝導体、60…半導体レーザモジュール、60a…パッケージ、61…ベース部、61a…取付部、62…キャップ、62a…レンズ、63…熱電モジュール、64…上基板、64a…配線パターン、64b…メタライズ層、65…下基板、67…キャリア、68a…レーザ素子、68b…フォトダイオード(受光素子)、70…半導体レーザモジュール、70a…パッケージ、71…ベース部、71a…取付部、72…キャップ、72a…レンズ、73…熱電モジュール、74…上基板、74a…配線パターン、74b…メタライズ層、75…下基板、77…キャリア、78a…レーザ素子、78b…フォトダイオード(受光素子)、80…半導体レーザモジュール、80a…パッケージ、81…ベース部、81a…取付部、82…キャップ、82a…レンズ、83…熱電モジュール、84…上基板、84a…配線パターン、84b…メタライズ層、85…下基板、87…キャリア、88a…レーザ素子、88b…フォトダイオード(受光素子)、89…高熱伝導体
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記熱電モジュールは、配線パターンが形成された上基板と、配線パターンが形成された下基板と、これらの両基板の前記配線パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子とからなり、
前記熱電モジュールが接合される取付部は前記ベース部から突出して形成されていて、該取付部に前記熱電モジュールの下基板の上面が接合されているとともに、
前記取付部に接合された熱電モジュールの前記上基板の上面に前記レーザ素子が接合されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。 A semiconductor laser module comprising: a laser element; and a package comprising a base portion having a mounting portion to which a thermoelectric module for temperature control is mounted by mounting the laser element, and a cap covering the base portion,
The thermoelectric module includes an upper substrate on which a wiring pattern is formed, a lower substrate on which the wiring pattern is formed, and a plurality of thermoelectric elements arranged and fixed so as to be connected in series between the wiring patterns on both the substrates. And consist of
The attachment portion to which the thermoelectric module is joined is formed to protrude from the base portion, and the upper surface of the lower substrate of the thermoelectric module is joined to the attachment portion,
A semiconductor laser module, wherein the laser element is bonded to the upper surface of the upper substrate of the thermoelectric module bonded to the mounting portion.
前記熱電モジュールは、配線パターンが形成された上基板と、配線パターンが形成された下基板と、これらの両基板の前記配線パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子とからなり、
前記熱電モジュールが接合される取付部は前記ベース部から突出して形成されていて、該取付部に前記熱電モジュールの下基板の下面が接合されているとともに、
前記取付部に接合された熱電モジュールの前記上基板の下面に前記レーザ素子が接合されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。 A semiconductor laser module comprising: a laser element; and a package comprising a base portion having a mounting portion to which a thermoelectric module for temperature control is mounted by mounting the laser element, and a cap covering the base portion,
The thermoelectric module includes an upper substrate on which a wiring pattern is formed, a lower substrate on which the wiring pattern is formed, and a plurality of thermoelectric elements arranged and fixed so as to be connected in series between the wiring patterns on both the substrates. And consist of
The attachment part to which the thermoelectric module is joined is formed protruding from the base part, and the lower surface of the lower substrate of the thermoelectric module is joined to the attachment part,
A semiconductor laser module, wherein the laser element is bonded to the lower surface of the upper substrate of the thermoelectric module bonded to the mounting portion.
前記熱電モジュールは、配線パターンが形成された上基板と、配線パターンが形成された下基板と、これらの両基板の前記配線パターン間で直列接続されるように配置・固定された複数の熱電素子とからなり、
前記熱電モジュールが接合される取付部は前記ベース部から突出して形成されていて、該取付部に前記熱電モジュールの下基板の上面が接合されているとともに、
前記取付部に接合された熱電モジュールの前記上基板の下面に前記レーザ素子が接合されていることを特徴とする半導体レーザモジュール。 A semiconductor laser module comprising: a laser element; and a package comprising a base portion having a mounting portion to which a thermoelectric module for temperature control is mounted by mounting the laser element, and a cap covering the base portion,
The thermoelectric module includes an upper substrate on which a wiring pattern is formed, a lower substrate on which the wiring pattern is formed, and a plurality of thermoelectric elements arranged and fixed so as to be connected in series between the wiring patterns on both the substrates. And consist of
The attachment portion to which the thermoelectric module is joined is formed to protrude from the base portion, and the upper surface of the lower substrate of the thermoelectric module is joined to the attachment portion,
A semiconductor laser module, wherein the laser element is bonded to the lower surface of the upper substrate of the thermoelectric module bonded to the mounting portion.
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