JP2007019053A - Optical module for performing packaging and sealing on wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive optical module where the number of processes is reduced by performing packaging that has been made individually on a wafer collectively. <P>SOLUTION: A light element is arranged on the wafer for packaging, and the anodic bonding of an Si wafer having through holes and a glass wafer is applied to the light element. The light element is arranged in the through hole of Si. After that, a thin-film process is used to form a Fresnel lens by a transparent resin on glass. Finally, dicing is performed for division. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は通信、あるいは光記録用の光モジュールの実装形態に関する。   The present invention relates to a mounting form of an optical module for communication or optical recording.

光モジュールは、光通信や光記録に必須の部品である。比較的短距離の通信や、光記録用のモジュールには、缶タイプと呼ばれるパッケージに、光素子および光素子を実装するためのサブマウントが実装され、レンズが実装された金属キャップがパッケージに溶接されて気密封止が行われている。以下に缶タイプの光モジュールについて説明する。   The optical module is an essential component for optical communication and optical recording. For relatively short-distance communication and optical recording modules, an optical element and a submount for mounting the optical element are mounted in a package called a can type, and a metal cap mounted with a lens is welded to the package Airtight sealing is performed. A can-type optical module will be described below.

光素子は、化合物半導体を用いて製造される。これを金属製のパッケージに直接接続すると、光素子と金属の熱膨張差により大きな残留応力が発生し、光素子が割れたり、特性が劣化したりする。そこで、熱膨張率が化合物半導体に近い、セラミックやＳｉのサブマウントと呼ばれる部品に接続し、サブマウントをパッケージに接続している。その後、ワイヤーボンディングにより、パッケージの端子と光素子の電極が電気的に接続される。レンズは、低融点の封止ガラスなどを用いて、筒状の金属キャップの一方の端部に固定される。光素子とレンズの位置合わせを行い、もう一方の端部をパッケージに溶接する。これにより光素子は、パッケージと金属キャップとレンズによって気密封止される。発光素子モジュールの場合には、出射した光はレンズで集光されて外部へ伝送され、受光素子モジュールの場合には、外部からの光信号をレンズで受光素子の受光部に集光させる。   The optical element is manufactured using a compound semiconductor. When this is directly connected to a metal package, a large residual stress is generated due to a difference in thermal expansion between the optical element and the metal, and the optical element is broken or the characteristics are deteriorated. Therefore, the thermal expansion coefficient is connected to a component called a ceramic or Si submount that is close to a compound semiconductor, and the submount is connected to the package. Thereafter, the terminal of the package and the electrode of the optical element are electrically connected by wire bonding. The lens is fixed to one end of a cylindrical metal cap using a low melting point sealing glass or the like. The optical element and lens are aligned, and the other end is welded to the package. Thus, the optical element is hermetically sealed by the package, the metal cap, and the lens. In the case of a light emitting element module, the emitted light is collected by a lens and transmitted to the outside. In the case of a light receiving element module, an optical signal from the outside is condensed on a light receiving portion of the light receiving element by a lens.

特開平０６−３１４８５７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 06-314857

このような構成のモジュールでは、光素子をサブマウントに接続する工程、サブマウントをパッケージに接続する工程、金属キャップにレンズを低融点ガラスで固定する工程、金属キャップをパッケージに位置合わせして溶接する工程など、全て個別に行われている。このため、製造に時間がかかり、コスト上昇の要因となっていた。   In the module having such a configuration, the step of connecting the optical element to the submount, the step of connecting the submount to the package, the step of fixing the lens to the metal cap with low-melting glass, and aligning and welding the metal cap to the package All processes are performed individually. For this reason, it took time to manufacture, which was a cause of cost increase.

本発明が解決しようとする課題は、個別に行われてきた実装をウェハ上で一括して行うようにすることで工程数を低減し、安価な光モジュールを提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide an inexpensive optical module by reducing the number of steps by collectively performing individual mounting on a wafer.

この課題を解決する手段として、本発明によれば、貫通穴を有するＳｉウェハの片面にガラスウェハが陽極接合で接合され、もう一方の片面に電極膜が形成されたウェハが陽極接合で接合され、前記ガラスウェハと前記電極膜が形成されたウェハに挟まれた、前記Ｓｉウェハの貫通穴の内部において、前記電極膜上に光素子が実装されていることを特徴とする光モジュールが提供される。   As means for solving this problem, according to the present invention, a glass wafer is bonded to one side of a Si wafer having a through hole by anodic bonding, and a wafer having an electrode film formed on the other side is bonded by anodic bonding. An optical module is provided in which an optical element is mounted on the electrode film inside a through hole of the Si wafer sandwiched between the glass wafer and the wafer on which the electrode film is formed. The

本発明によれば、ウェハで一括して封止などが行われるため、短時間で大量の光モジュールの製造が可能であり、安価な光モジュールを提供することができる。   According to the present invention, since sealing and the like are performed collectively with a wafer, a large amount of optical modules can be manufactured in a short time, and an inexpensive optical module can be provided.

以下、本発明を、図面に基づいて説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on the drawings.

本発明の第一の実施例を図１を用いて説明する。図１の光モジュールでは、セラミック１上に、金属配線２が埋め込まれ、その一部の表面に金属薄膜電極３が形成されている。セラミックあるいは金属配線２の上に、ガラス膜９が形成され、このガラス膜９により貫通穴付きＳｉ６が接合されている。貫通穴の内部では、金属薄膜電極３上に薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだ４が形成され、この薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだ４により面発光光素子５が接続されている。面発光光素子５はワイヤーボンディング１０により金属薄膜電極３に接続され、金属２を通して外部と接続される。貫通穴付きＳｉ６の上にはガラス７が接合され、さらに面発光光素子５から出射された光が通る部分にはフレネルレンズ８が形成され、ガラス７を透過して出てきた光が外部で集光されるようになっている。図１は、本発明による光モジュールの完成の状態を示すもので、ダイシングにより分割された後の状態を表している。製造過程はウェハ上で行われており、以下にそのプロセスを説明する。   A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the optical module of FIG. 1, a metal wiring 2 is embedded on a ceramic 1, and a metal thin film electrode 3 is formed on a part of the surface. A glass film 9 is formed on the ceramic or metal wiring 2, and Si 6 with a through hole is joined by the glass film 9. Inside the through hole, a thin film Au—Sn solder 4 is formed on the metal thin film electrode 3, and the surface emitting optical element 5 is connected by the thin film Au—Sn solder 4. The surface emitting optical element 5 is connected to the metal thin film electrode 3 by wire bonding 10 and is connected to the outside through the metal 2. A glass 7 is bonded on the Si 6 with a through hole, and a Fresnel lens 8 is formed in a portion where light emitted from the surface emitting light element 5 passes, and light emitted through the glass 7 is externally transmitted. Condensed. FIG. 1 shows a completed state of an optical module according to the present invention, and shows a state after being divided by dicing. The manufacturing process is performed on a wafer, and the process will be described below.

まずセラミック１では、グリーンシートの状態のセラミックを積層し、電極、配線形状の凹パターンを形成しておく。この凹パターン内にタングステン等の金属ペーストを印刷し、これを焼成して金属配線２を形成する。次に金属配線２が形成された面を研磨し、平坦にする。このセラミック１の大きさとしては、４インチ径などのサイズが好適である。   First, in the ceramic 1, a ceramic in a green sheet state is laminated to form an electrode and a wiring-shaped concave pattern. A metal paste such as tungsten is printed in the concave pattern and fired to form the metal wiring 2. Next, the surface on which the metal wiring 2 is formed is polished and flattened. The size of the ceramic 1 is preferably a size such as a 4 inch diameter.

次に貫通穴付きＳｉとの接合部の位置に、ガラス膜９をスパッタで形成する。この時のガラスの材質はパイレックス（登録商標）ガラスなど、Ｎａイオンなどを含むものが好適である。   Next, a glass film 9 is formed by sputtering at the position of the joint with Si with a through hole. The material of the glass at this time is preferably one containing Na ions, such as Pyrex (registered trademark) glass.

次に金属薄膜電極３を形成する。これにはＴｉ/Ｐｔ/Ａｕの金属を組み合わせた金属薄膜が好適である。このパターン形成方法は、全面にベタで薄膜を形成し、金属薄膜電極３上をレジストで覆い、ミリングでそれ以外の部分を除去するプロセスが好適である。   Next, the metal thin film electrode 3 is formed. For this purpose, a metal thin film combining Ti / Pt / Au metal is suitable. This pattern forming method is preferably a process in which a thin film is formed on the entire surface, the metal thin film electrode 3 is covered with a resist, and other portions are removed by milling.

面発光光素子５は、薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだ４上に、一旦押し付けて仮固定される。ウェハ全面に光素子を仮固定した後、リフローにより薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだ４を溶融させ、完全に接続させる。この後、ワイヤーボンディング１０により、ウェハ上の全ての面発光光素子５は金属薄膜電極３と接続される。   The surface emitting optical element 5 is temporarily pressed and temporarily fixed onto the thin film Au—Sn solder 4. After the optical element is temporarily fixed on the entire surface of the wafer, the thin film Au—Sn solder 4 is melted by reflow and completely connected. Thereafter, all the surface emitting optical elements 5 on the wafer are connected to the metal thin film electrode 3 by wire bonding 10.

貫通穴付きＳｉ６は、穴の大きい方、すなわち図１中ではセラミック１側の穴のサイズでマスクが形成される。その後、異方性ウェットエッチングによりエッチングされる。このようにすることで、図１のような斜面を有する貫通穴が形成される。貫通穴が形成されたＳｉウェハを、図１のような方向でガラス膜９に接合する。この時、陽極接合を用いることができる。   In the Si6 with a through hole, the mask is formed with the larger hole, that is, the size of the hole on the ceramic 1 side in FIG. Thereafter, etching is performed by anisotropic wet etching. By doing in this way, the through-hole which has a slope like FIG. 1 is formed. The Si wafer in which the through hole is formed is bonded to the glass film 9 in the direction as shown in FIG. At this time, anodic bonding can be used.

陽極接合は、ガラスとＳｉあるいは金属を接合する技術で、加熱しながら電圧を印加することで、ガラス中のＮａイオンなどを強制的にドリフトさせ、接合界面に静電引力を発生させて密着を促し、同時に界面で化学反応を起こして接合させる技術である。このため、ガラス膜９には、Ｎａイオンなどを含むパイレックス（登録商標）ガラスが好適である。   Anodic bonding is a technology that joins glass and Si or metal. By applying voltage while heating, Na ions in the glass are forcibly drifted, and electrostatic attraction is generated at the bonding interface. It is a technology that promotes and at the same time causes a chemical reaction at the interface to join. Therefore, Pyrex (registered trademark) glass containing Na ions or the like is suitable for the glass film 9.

ガラス７もウェハの状態で貫通穴付きＳｉ６に陽極接合により接合される。この後、透明な樹脂を用いて、薄膜技術を用いてフレネルレンズ８が形成される。   The glass 7 is also bonded to Si6 with a through hole by anodic bonding in a wafer state. Thereafter, the Fresnel lens 8 is formed by using a thin film technique using a transparent resin.

最後にダイシングによる分割であるが、本実施例においては、二段階のダイシングを行う。まず、一回目のダイシングでは、幅の広いダイシングブレードを用いて、切断面が１１のようになるようにダイシングを行う。この時のダイシングの深さは、セラミック１、金属配線２、および金属薄膜電極３を切断しないようにする。次に二回目のダイシングでは、幅の小さいブレードを用いて、切断面が１２の位置になるようにセラミック１を切断する。このようにすることで、金属箔膜電極３を残して光モジュールをウェハから分割することができる。   Finally, division by dicing is performed. In this embodiment, two-stage dicing is performed. First, in the first dicing, dicing is performed using a wide dicing blade so that the cut surface becomes 11. The dicing depth at this time is such that the ceramic 1, the metal wiring 2 and the metal thin film electrode 3 are not cut. Next, in the second dicing, the ceramic 1 is cut by using a blade having a small width so that the cut surface is at a position of 12. By doing so, the optical module can be divided from the wafer while leaving the metal foil film electrode 3.

最後に外部から、ワイヤーボンディング１０により接続を行う。   Finally, connection is made from the outside by wire bonding 10.

図２に、図１の光モジュールの組み立てプロセスの一部を示す。セラミック１上に、１３の金属配線および金属薄膜電極および薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだが形成されている。この上に面発光光素子５を位置合わせして押し付けて仮接続を行う。全て仮接続したら、セラミック１全体を窒素雰囲気か、還元雰囲気中で加熱してリフローを行い面発光光素子５をセラミック１上に完全に固定する。次に貫通穴１４のついたＳｉ６をセラミック１上のガラス膜９に押し付けて陽極接合を行う。ガラス７も貫通穴付きＳｉ６に押し付けて、同時に陽極接合を行うことも可能であり、光素子のあるＳｉの貫通穴の空間は、気密封止されている。   FIG. 2 shows a part of the assembly process of the optical module of FIG. On the ceramic 1, 13 metal wirings, metal thin film electrodes, and a thin film Au—Sn solder are formed. The surface emitting light element 5 is aligned and pressed on this to make a temporary connection. After all the temporary connections, the entire ceramic 1 is heated in a nitrogen atmosphere or a reducing atmosphere and reflowed to completely fix the surface emitting light element 5 on the ceramic 1. Next, Si6 with a through hole 14 is pressed against the glass film 9 on the ceramic 1 to perform anodic bonding. It is also possible to press the glass 7 against Si 6 with a through hole and simultaneously perform anodic bonding, and the space of the Si through hole with the optical element is hermetically sealed.

この後、透明樹脂などを用いてガラス７上にフレネルレンズ８を形成し、図１で説明したように二段階のダイシングを行い、分割する。   Thereafter, the Fresnel lens 8 is formed on the glass 7 using a transparent resin or the like, and the dicing is performed in two stages as described with reference to FIG.

図３に、本発明の第二の実施例を示す。本実施例では、面発光光素子５の横に、面受光光素子１５が実装され、貫通穴付きＳｉ６の貫通穴およびガラス膜９との接合面にはＡｌ膜１６が形成されている。図中の矢印は、面発光光素子５から出射された光の光路の一部を表している。図３のような実装形態にすることで、面発光光素子５の光をモニターし、出力などを調節することが可能である。なお、図３においては、電気接続を示すワイヤーボンディングと金属薄膜電極を省略している。   FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, a surface light receiving light element 15 is mounted beside the surface light emitting light element 5, and an Al film 16 is formed on the joint surface between the through hole of Si 6 with a through hole and the glass film 9. The arrow in the figure represents a part of the optical path of the light emitted from the surface emitting optical element 5. By adopting the mounting form as shown in FIG. 3, it is possible to monitor the light of the surface emitting light element 5 and adjust the output and the like. In FIG. 3, wire bonding and metal thin film electrodes indicating electrical connection are omitted.

図３の実施例の製造プロセスは、第一の実施例と同様である。設計時に、面受光光素子のための金属配線、金属薄膜電極、薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだを形成すること、光素子の接続時に、面発光光素子と同時に面受光光素子も接続することが追加される。   The manufacturing process of the embodiment of FIG. 3 is the same as that of the first embodiment. At the time of design, metal wiring, metal thin film electrode, thin film Au-Sn solder for the surface light receiving optical element is formed, and when the optical element is connected, the surface light receiving optical element is also connected simultaneously with the surface light emitting optical element. The

図４に本発明の第三の実施例を示す。本実施例では、第一の実施例で述べた構造で、面発光光素子５を、面受光光素子１５に置き換えたものである。本実施例の構造とすることで、外部から伝送された光信号をフレネルレンズ８で面受光光素子１５上に集光させ、受信用の光モジュールとすることができる。製造プロセスは、第一の実施例と同様である。   FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the surface emitting optical element 5 is replaced with the surface light receiving optical element 15 in the structure described in the first embodiment. With the structure of this embodiment, an optical signal transmitted from the outside can be condensed on the surface light-receiving optical element 15 by the Fresnel lens 8 to obtain a receiving optical module. The manufacturing process is the same as in the first embodiment.

図５に本発明の第四の実施例を示す。本実施例では、Ｓｉウェハ１９上に、面受光光素子１７が半導体プロセスで直接形成され、これが金属薄膜配線１８で外部へ取り出されている構造である。本構造とすることで、光素子をウェハ上に個別に並べる必要が無く、半導体プロセスで一括して形成することが可能である。   FIG. 5 shows a fourth embodiment of the present invention. In this embodiment, the surface light-receiving optical element 17 is directly formed on the Si wafer 19 by a semiconductor process, and this is taken out to the outside by the metal thin film wiring 18. With this structure, the optical elements do not need to be individually arranged on the wafer, and can be collectively formed by a semiconductor process.

そのプロセスは、まず半導体プロセスで面受光光素子１７と金属薄膜配線１８および金属薄膜電極３をＳｉウェハ１９上に形成する。次にスパッタを用いてガラス膜９を形成する。これ以降の工程は、第一の実施例と同様で、貫通穴付きＳｉウェハ６およびガラス７を陽極接合で接合する。   In the process, first, the surface light receiving optical element 17, the metal thin film wiring 18, and the metal thin film electrode 3 are formed on the Si wafer 19 by a semiconductor process. Next, a glass film 9 is formed by sputtering. The subsequent steps are the same as in the first embodiment, and the Si wafer 6 with a through hole and the glass 7 are joined by anodic bonding.

本発明を用いることで、ウェハレベル実装により安価な光モジュールを大量に製造することが可能である。これにより、光記録装置、光通信モジュールの低価格化を実現することができる。   By using the present invention, it is possible to manufacture a large number of inexpensive optical modules by wafer level mounting. Thereby, the price reduction of the optical recording device and the optical communication module can be realized.

本発明の実施例を示す図の一つである。It is one of the figures which show the Example of this invention. 本発明の実施例の製造プロセスを示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the Example of this invention. 本発明の実施例を示す図の一つである。It is one of the figures which show the Example of this invention. 本発明の実施例を示す図の一つである。It is one of the figures which show the Example of this invention. 本発明の実施例を示す図の一つである。It is one of the figures which show the Example of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１…セラミック、２…金属配線、３…金属薄膜電極、４…薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだ、５…面発光光素子、６…貫通穴付きＳｉ、７…ガラス、８…フレネルレンズ、９…ガラス膜、１０…ワイヤーボンディング、１１…１回目のダイシングの端面、１２…２回目のダイシングの端面、１３…金属配線および金属薄膜電極および薄膜Ａｕ−Ｓｎはんだ、１４…貫通穴、１５…面受光光素子、１６…Ａｌ膜、１７…面受光光素子、１８…金属薄膜配線、１９…Ｓｉウェハ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Ceramic, 2 ... Metal wiring, 3 ... Metal thin film electrode, 4 ... Thin film Au-Sn solder, 5 ... Surface emitting optical element, 6 ... Si with a through-hole, 7 ... Glass, 8 ... Fresnel lens, 9 ... Glass film DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wire bonding, 11 ... End surface of 1st dicing, 12 ... End surface of 2nd dicing, 13 ... Metal wiring and metal thin film electrode and thin film Au-Sn solder, 14 ... Through-hole, 15 ... Surface light receiving optical element , 16 ... Al film, 17 ... surface light-receiving optical element, 18 ... metal thin film wiring, 19 ... Si wafer.

Claims (5)

貫通穴を有するＳｉウェハの片面にガラスウェハが陽極接合で接合され、もう一方の片面に電極膜が形成されたウェハが陽極接合で接合され、前記ガラスウェハと前記電極膜が形成されたウェハに挟まれた、前記Ｓｉウェハの貫通穴の内部において、前記電極膜上に光素子が実装されていることを特徴とする光モジュール。   A glass wafer is bonded to one side of a Si wafer having a through hole by anodic bonding, a wafer having an electrode film formed on the other side is bonded by anodic bonding, and the glass wafer and the electrode film are formed on the wafer. An optical module, wherein an optical element is mounted on the electrode film inside the through hole of the Si wafer that is sandwiched. 請求項１に記載の光モジュールにおいて、光素子の上面側に発光する光素子を実装することを特徴とする光モジュール。   2. The optical module according to claim 1, wherein an optical element that emits light is mounted on an upper surface side of the optical element. 請求項１および２において、前記ガラスウェハの表面に、レンズが形成されていることを特徴とする光モジュール。   3. The optical module according to claim 1, wherein a lens is formed on the surface of the glass wafer. 請求項１に記載の光モジュールにおいて、前記電極膜が形成されたウェハ上にガラス膜が形成され、前記ガラス膜と前記貫通穴を有するＳｉウェハが陽極接合で接合されていることを特徴とする光モジュール。   2. The optical module according to claim 1, wherein a glass film is formed on the wafer on which the electrode film is formed, and the glass film and the Si wafer having the through hole are joined by anodic bonding. Optical module. 請求項１に記載の光モジュールにおいて、前記電極膜が形成されたウェハの材質がガラスであり、前記貫通穴を有するＳｉウェハと陽極接合で接合されていることを特徴とする光モジュール。
The optical module according to claim 1, wherein the material of the wafer on which the electrode film is formed is glass, and is bonded to the Si wafer having the through hole by anodic bonding.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100230697A1 (en) * 2007-08-20 2010-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-electronic semiconductor module and method for the production thereof
JP2013214629A (en) * 2012-04-03 2013-10-17 Nippon Electric Glass Co Ltd Wavelength conversion member and light emitting device
JP5838357B1 (en) * 2015-01-13 2016-01-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP5877487B1 (en) * 2014-12-26 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emitting device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9564555B2 (en) 2007-08-20 2017-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-electronic semiconductor module and method for the production thereof
JP2010537411A (en) * 2007-08-20 2010-12-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Optoelectronic semiconductor module and manufacturing method thereof
KR101501795B1 (en) * 2007-08-20 2015-03-11 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 Opto-electronic semiconductor module and method for the production thereof
TWI513029B (en) * 2007-08-20 2015-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor module and method for manufacturing the same
US20100230697A1 (en) * 2007-08-20 2010-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Opto-electronic semiconductor module and method for the production thereof
JP2013214629A (en) * 2012-04-03 2013-10-17 Nippon Electric Glass Co Ltd Wavelength conversion member and light emitting device
JP5877487B1 (en) * 2014-12-26 2016-03-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emitting device
WO2016103547A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emitting device and method for manufacturing same
JPWO2016103547A1 (en) * 2014-12-26 2017-06-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
US9818923B2 (en) 2014-12-26 2017-11-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing same
TWI689112B (en) * 2014-12-26 2020-03-21 日商松下知識產權經營股份有限公司 Light emitting device and its manufacturing method
JP5838357B1 (en) * 2015-01-13 2016-01-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2016127249A (en) * 2015-01-13 2016-07-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Light emission device and manufacturing method for the same

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