JP2008243819A

JP2008243819A - 透明導電性フィルムの製造方法

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Publication number: JP2008243819A
Application number: JP2008087091A
Authority: JP
Inventors: Vito Guido Lambertini; ヴィト・グイド・ランベルティーニ; Pira Nello Li; ネッロ・リ・ピラ; Stefano Bernard; ステファノ・ベルナルド; Valentina Grasso; ヴァレンティナ・グラッソ
Original assignee: Centro Ricerche Fiat SCpA
Current assignee: Centro Ricerche Fiat SCpA
Priority date: 2007-03-28
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2008-10-09
Also published as: US20090045163A1; EP1978407A1; CN101276079A

Abstract

【課題】比較的簡単で、しかも低コストで効率よく透明導電性フィルムを製造する方法を提供する。
【解決手段】i）透明な支持体を供給し、ii）該透明支持体上に、１０μｍを越えない厚さを有する導電性フィルムを沈着させ、次いで、iii）各々のラインが１０ｎｍ〜２μｍの幅を有すると共に隣接ライン間の距離が１０ｎｍ〜２μｍであるライン群によって形成されるパターンであって所望の光透過率に対応する充実スペース／空スペース比が得られるように予め決定される該パターンが、該透明支持体上の該導電性フィルムの残存部分によって規定されるように、該透明支持体の表面の一部から該導電性フィルムの全厚さ部分を除去する。
【選択図】なし

Description

本発明は、透明な導電性フィルム（conductive film）を得るための方法に関する。

透明な支持体（例えば、ガラス製又はプラスチック材料製の支持体）上に透明な導電性フィルムを付与する必要性は広範囲の技術分野において存在する。この種の技術が適用可能な用途としては、自動車用の「ヘッドアップ（head-up）」型のディスプレイ（display）、所謂「タッチスクリーン（touch-screen）」、電磁遮蔽装置、曇り防止用のヒーター（heater）を備えた冷蔵庫用のウィンドウ（window）等が例示される。

本発明が解決しようとする課題は、比較的簡単で、しかも低コストで効率よく透明導電性フィルムを製造する方法を提供することである。

本発明の基礎を成す一般的な技術的思想によれば、下記の工程i）〜iii）を含む透明導電性フィルムの製造方法が提供される：
i）透明な支持体を供給し、
ii）該透明支持体上に、１０μｍを越えない厚さを有する導電性フィルムを沈着させ、次いで
iii）各々のライン（line）が１０ｎｍ〜２μｍの幅を有すると共に隣接ライン間の距離が１０ｎｍ〜２μｍであるライン群によって形成されるパターンであって導電性フィルムに対して所望の予め決定された光透過率に対応する充実スペース（full space）／空スペース（empty space）比が得られるように予め決定される該パターンが、該透明支持体上の該導電性フィルムの残存部分によって規定されるように、該透明支持体の表面の一部から該導電性フィルムの全厚さ部分を除去する。

本発明によれば、導電性フィルムの部分的な除去は、ナノ刻印リソグラフィー（nano imprinting lithography；ＮＩＬ）法、マイクロ密着焼付け（micro contact printing）法、ポリマー自己集合法及び多孔性アルミナ形成法から選択される方法によって得られるマスク（３ａ、５ａ、３１、２ａ）を介在させるエッチング処理によっておこなわれる。このエッチング処理は、支持体上に沈着される薄膜状マスクを通して導電性フィルムを除去することから成る。該マスクによって保護されていない導電性フィルム領域部分は、液相環境中での化学的若しくは物理的なエッチング（湿式エッチング）又は気相環境中での化学的若しくは物理的なエッチング（プラズマエッチング、反応性イオンエッチング）によって除去される。従って、マスクの有するパターンは薄いフィルム上へ転写される。

上記のマスクをナノ刻印リソグラフィー法によって調製する本発明の第１の実施態様においては、
i）最初に均一な導電性フィルムを支持体の上部面上へ真空技術（熱蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ）及び湿式技術（シルクスクリーン（silk-screen）印刷法、インクジェット（ink-jet）法、浸漬法）によって沈着させ、
ii）ポリマー材料を導電性フィルム上へスピン塗布法によって塗布し、
iii）導電性フィルム上へ転写されるべきパターンに対応するパターンを形成するナノメーターサイズの刻み目を保有する活性表面（active surface）を有するモールド（mould）を準備し、
iv）該モールドを該ポリマー材料上へ加圧下で適用することによって、該ポリマー材料上に、空スペースによって相互に隔離される一連のポリマー材料製残存部分を形成させ、次いで
v）上記の空スペースに対応する領域において、支持体の表面に達するまでの導電性材料の全厚さ部分を除去するためにエッチング処理をおこなうことにより、支持体上に所望のパターンを導電性フィルムの残存部分によって形成させる。

好ましくは、モールドの活性表面は、種々の幾何学的形態（例えば、ライン状形態、点状形態等）に従って配設された刻み目（incision）を具有しており、該刻み目は、例えば、各々のラインが１０ｎｍ〜５００ｎｍの幅を有すると共に隣接ライン間の距離が１０ｎｍ〜５００ｎｍであるライン群を有する構造を形成し、また、該刻み目の深さは１００ｎｍ〜１０００ｎｍである。

第１実施例においては、ポリマーフィルムはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）製フィルム又は熱可塑性材料製フィルムであって、該フィルムはモールドの適用時において加熱され、所望の形態を帯びるようになる。別の実施例においては、ポリマー材料として滴状のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂が沈着され、該樹脂は、モールドの適用中における紫外線照射によって架橋される。

ディスプレイとして使用するために設計される用途においては、各々のレリーフ（relief）がナノメーターサイズの刻み目を有するマイクロメーターサイズのレリーフ群を具有するモールドを利用することができる。この種のモールドを使用することによって、マイクロメーターサイズの伝導性フィルム製領域群を具有するディスプレイであって、該領域群の各々の領域がナノメーターサイズのパターンを有する該ディスプレイを得ることが可能である。

別の特徴によれば、本発明による方法に使用されるモールドは硬質材料製、例えば、シロコン製又は石英製のモールドであってもよく、あるいは軟質材料製、例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）Ｃ製のモールドであってもよい。

マイクロ密着焼付け法を使用する別の方法においては、モールドの活性表面上へポリマー材料層を供給することによって、該モールドを導電性層の上部面上へ適用させた後、空スペースによって相互に分離されたポリマー材料部分によって被覆された導電性層自体を保持すると共に、該空スペースに対応する領域において、支持体の表面に達するまでの導電性層の全厚み部分をエッチング処理によって除去する。

「アスペクト（aspect）比」（即ち、支持体の表面上における導電性物質による充実スペースと空スペースとの比）を増大させることにより、透過率が同じときの伝導率を増大させるためには、本発明の別の特徴に基づいて、プラズマエッチング工程において、異なる選択度（selectivity）を有する酸化物及び金属を含むナノ複合ポリマー（nano-composite polymer）ポリマーを使用することができる。該選択度に起因して、ポリマー層よりも金属層をより深く浸食することができるので、高いアスペクト比を有する構造体が得られる。

プラズマエッチング法又は反応性イオンエッチング法においては、ポリマー材料と構造化されるべきフィルムとの間の選択度が低いために、この２種の材料に対して類似の浸食度がもたらされる。従って、この場合には、選択度を高くすることができる特定の複合材（例えば、ＰＭＭＡとＳｉとの複合材）は除外される。大部分の場合、１００ｎｍ〜２００ｎｍの厚さを有するポリマーフィルム（この種のフィルムは、ＮＩＬ及びマイクロ密着焼き付け法において一般的に用いられるものである）から出発すると、導電性フィルム上で得られる厚さが３００ｎｍを越えることはありそうもない。ポリマー中へ粒子（例えば、金粒子、炭素粒子、アルミナ粒子、及びシリケート粒子等）を含有させることによって、プラズマエッチング工程に関連する耐性を増大させることができる。

さらに別の実施態様においては、透明導電性フィルムは所謂「自己集合型（self-assembling type）」のポリマー材料を用いることによって得られる。この場合、導電性フィルムを、例えば、ＰＶＤ（物理蒸着法）、ＳＰ（シルクスクリーン印刷法）又はＩＪ（インクジェット法）によって沈着させた後、該導電性フィルムは薄いポリマーフィルムによってブロック状に被覆され、該積層体は、例えば、熱処理によって誘発される相分離処理に付された後、自己集合に起因して所望の形態を帯びる。

その後の処理、例えば、紫外線照射、熱処理又は化学的除去処理によって、ポリマーフィルムの２つのブロックの一方を除去する。この結果得られる構造体には、所望の配置様式で配設される多数の空洞が付与される。その後のプラズマエッチング工程において、上記のパターンは導電性フィルム上へ転写され、該導電性フィルムは支持体に至るまでの範囲にわたって除去される。この除去は該空洞を通しておこなわれる。もちろん、この別の実施態様の場合にも、この工程を、ディスプレイのような用途に供するための経路（path）を付与するためのマイクロメーターサイズの刻印を形成させる工程と組み合わせることが可能である。

さらにまた、本発明の別の実施態様によれば、導電性フィルムをアルミニウムフィルムで被覆し、次いで該フィルムを陽極酸化処理に付すことによってハネカム（honeycomb）構造状に自己集合させる。このようにして得られるアルミナの細孔を通しておこなわれるプラズマエッチング処理によって、該細孔に対応する領域における導電性フィルムは支持体に至る厚さにわたって除去され、これによって導電性層上への所望のパターンの転写がおこなわれる。

本発明のその他の特徴と利点を、非限定的な実施例を示す添付図面に基づく以下の説明によって明らかにする。
図１Ａ〜図１Ｃ及び図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の第１の実施態様の２つの実施例における本発明方法の一連の工程を示す模式図である。
図３は、図１と図２に示す実施例に関連する本発明の第１の実施態様による方法の最終工程を示す模式図である。
図４は、導電性フィルムに対して得ることができるパターンの一例を示す模式的平面図である。
図５は、本発明方法のディスプレイへの適用例を示す模式的平面図である。
図６は、図５に示すパターンの拡大図である。

図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれＮＩＬ法及びマイクロ密着焼付け法によって図５に示すディスプレイを得るための方法に使用されるモールドの模式的断面図である。
図８Ａ〜図８Ｄは、本発明方法のさらに別の実施態様における一連の工程を示す模式図である。
図９は、本発明方法の別の変形態様に使用される複合ポリマーの構造を示す模式図である。
図１０Ａ〜１０Ｅは、本発明方法の別の実施態様における２つの変形態様を含む一連の工程を示す模式図である。
図１１Ａ〜図１１Ｄは、本発明方法のさらに別の実施態様における一連の工程を示す模式図である。

図１及び図２は、本発明方法の第１の実施態様における２つの変形態様を示す模式図である。透明支持体の上部面上の透明導電性フィルムにおける所望のパターンは、ナノ刻印リソグラフィー（ＮＩＬ）法を用いて得られる。

図１及び図２に示す方法は相互に実質上類似する方法であるが、導電性フィルムの上部面上に適用されるべきポリマーフィルムの沈着と処理の点で相違する。両者における出発点として、硬質又は軟質の透明な支持体（substrate）（１）、例えば、ガラス製又はプラスチック製の透明支持体を使用する。同様に、いずれの場合も、透明支持体（１）の上部面に最初に沈着させるものは導電性フィルム（２）、例えば、金属（例えば、金、銀又は銅）、半導体又は酸化物を材質とする導電性フィルムである。導電性フィルム（２）は既知のいずれかの技法、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）法、シルクスクリーン印刷法又はインクジェット法によって沈着される。沈着される導電性層の厚さは０．５μｍ〜１０μｍである。

図１Ａに示す実施例の場合、導電性層（２）の上部面上へは、ナノ刻印リソグラフィー法を実施するために必要なポリマーフィルム、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）製フィルム又は熱可塑性フィルムによって構成される均一層（３）が沈着される。この均一層（３）の好ましい厚さは１００〜１０００ｎｍである。紫外線を用いるナノ刻印リソグラフィー（ＵＶ−ＮＩＬ）法を用いる図２Ａに示す変形態様の場合、ポリマー材料（特に、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂）の滴（drop）（３）を沈着させる。

図１に示す実施例及び図２に示す実施例のいずれの場合においても、硬質材料（例えば、シリコン又は石英）又は軟質材料（例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ））から製造されるモールド（４）を使用する。該モールドの活性表面（４ａ）は、導電性フィルム（２）の層によって支持体（１）上へ転写されるべきパターンを規定する刻み目（４ｂ）を具有する。これらの刻み目は、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍの幅を有するラインに従って配設される。これらの刻み目の隣接ライン間の好ましい距離は１０ｎｍ〜５００ｎｍである。また、これらの刻み目の好ましい深さは１００ｎｍ〜１０００ｎｍである。

図１に示す方法の場合及び図２に示す方法の場合（図１Ｂ及び図２Ｂ参照）、モールド（４）はポリマー材料層（３）の上部面上へ加圧下で押圧される。図１Ｂの場合は、圧力（１０〜５０bar）を加えると同時に加熱し（２００℃まで）、一方、図２Ｂの場合は、圧力（０．５〜２bar）を加えると同時に、樹脂（３）の架橋をもたらすＵＶ照射処理をおこなう。モールド（４）を取り除くと、モールド（４）の刻み目（４ｂ）のパターンはポリマー材料層（３）上へ転写され、該層は、モールドの刻み目又は溝（４ｂ）のパターンに従って配置される突起（３ａ）を有するようになる。隣接する突起（３ａ）の間には、障壁層を形成するポリマー材料の薄層（３ｂ）が残存する。該薄層はプラズマエッチング処理又は反応性イオンエッチング処理（ＲＩＥ）によって除去される。

このようにして得られる製品はエッチング処理に付される。この結果、突起（３ａ）の間に含まれる領域においては（図１Ｃ及び図２Ｃ参照）、導電性材料層が、支持体（１）の表面に達する全厚さ部分にわたって除去され、一方、ポリマー材料の残余部分に対応する領域においては、ポリマー材料のみが除去され、導電性材料層（２）は除去されない。

図１と図２に示す方法によって得られる製品の模式的断面図を図３に示す。該製品は導電性材料製のパターン、例えば、図４の平面図に示す型のパターンを具有する。支持体（１）上へ転写された残存導電性材料（２ａ）によるパターンは、モールド（４）の刻み目によるパターンに対応する。該パターンを予め決定しておくことにより、導電性フィルム中の充実スペースと空スペースとの比の調整に起因して、得られる導電性フィルムの光透過率を制御することが可能となる。

図１に示す実施例及び図２に示す実施例による方法は、ディスプレイの製造に適用することができる。図５は、導電性フィルムで被覆された副領域（５０）を表面に具有するディスプレイを示す。該ディスプレイは、図７Ａ（この図は、図５のVII−VII線に沿った断面を示す）に示す型のモールドを使用して得られるディスプレイである。この場合、モールドの活性表面はマイクロメーターサイズのレリーフ（４０）を有しており、該レリーフは図５に示すマイクロメーターサイズの領域（５０）に対応する。各々のレリーフ（４０）はナノメーター未満のサイズの構造（４１）を有しており、これにより、図５に示す各々の副領域（５０）に対応する領域においては、図６に示す型のパターンに従って導電性材料の沈着物を得ることができる。

図８は、本発明の第２の実施態様を示すものであり、モールド（４）の刻み目のパターンは、マイクロ密着焼き付け法によって導電性材料（２）の上部面へ転写される。この場合、モールド（４）の活性表面（４ａ）はポリマー材料層（５）を具有する。該モールドの表面（４ａ）中の刻み目のラインの幅は０．１μｍ〜２μｍであり、また、該刻み目の隣接ライン間の距離は０．１μｍ〜２μｍである。図８に示す態様においては、導電性層（２）の上部面上への沈着は不要である。

モールド（４）を導電性層（２）の上部面上へ加圧下で押圧すると、該導電性層上にはポリマー材料の沈着部（５ａ）が残存する。一方、残存する沈着部（５ａ）の間の自由空間に起因して、支持体の表面に達するまでの導電性層の全厚さ部分がエッチングによって除去される。これにより、得られる最終製品（図８Ｄ参照）は導電性材料の残存部分（２ａ）を具有する。該残存部分は、モールド（４）の活性表面（４ａ）上に配設された突起のパターンに対応するパターンに従って配設される。このようにして得られる導電性材料の配設は、例えば、図４に示す態様と類似の態様でおこなうことができる。

さらに、図８に示す方法の場合においても、図７Ｂに示すようなモールドを使用する図５に関連して先に説明したようにして、ディスプレイのマイクロメーターサイズの副領域（５０）内に存在する導電性材料に対して図６に示す型のナノメーターサイズのパターンを付与するために、当該方法を適用することができる。

図１に示す方法、図２に示す方法及び図８に示す方法のいずれの場合においても、異なる選択度を有する金属及び酸化物を含有するナノ複合ポリマーを用いることによって、アスペクト比（即ち、導電性フィルムにおける充実スペースと空スペースとの比）を増大させて導電率を増大させると共に、光透過率を実質上同一に維持することができる。異なる選択度に起因して、図１Ｃ、図２Ｃ及び図８Ｃに示す工程においてポリマー材料層よりも金属層を深く浸食させることによって、より高いアスペクト比を有する構造体を得ることができる。

図９は、ポリマー材料（３）中へ導入してもよい包含物（３０）を含む構造の模式図である。この種の包含物としては、糸状物（例えば、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）から構成される糸状物）、層状物（例えば、モンモリロナイト又はセピオライトから構成される層状物）、球状物（例えば、アルミナ、シリカ、カーボンＣ６０又は金属から構成される球状物）、又は任意の形態を有する金属粒子等が例示される。

図１０は、本発明方法の別の実施態様を示す模式図である。この実施態様においては、導電性フィルム（２）はポリマー薄膜によってブロック状に被覆される。この積層体は、相分離処理（例えば、熱処理によって誘発される相分離処理）に付された後、自己集合処理に付され、次いで予め決定されたパターンが付与される。図１０Ｂ１及び図１０Ｂ２は、ポリマー層（３）が２種の異なるタイプのブロック（３１ａ、３１ｂ）を有する層（３１）へ変換する２つの実施例を模式的に示す。得られた製品をその後の処理、例えば、ＵＶ照射処理、熱処理、又は化学的除去処理等に付すことによって、２種のブロックの一方のブロック（図中のブロック３１ｂ）を除去する。これによって得られる製品は予め決定されたパターンに従って配設された空スペースを有する（図１０Ｃ１及び図１０Ｃ２参照）。この時点において、該パターンは、プラズマエッチング処理によって導電性フィルム上へ転写させることができる。即ち、空スペース（３２）に対応する領域においては、該プラズマエッチング処理によって、支持体（１）に達する範囲にわたる導電性層（２）の全厚さ部分が除去されて該パターンが形成される。このようにして得られる構造体の断面図を図１０Ｅに模式的に示す。該構造体は、例えば、図４に示す型のパターンに従って配設される導電性材料の残存部を具有する。

もちろん、図１０に示す方法においても、ディスプレイのマイクロメーターサイズの副領域（５０）に対して、図６に示す型のナノメーターサイズのパターンを付与するためのマイクロメーターサイズの刻印工程に当該方法を組み合わせることが可能である。

さらに、図１０に示す態様においては、エッチング工程における選択度を高めるために、図９に示すようなナノメーターサイズの包含物を含有する自己集合性ポリマーを使用することができる。

図１１は、本発明方法のさらに別の実施態様を示す。この実施態様においては、導電性フィルム（２）は、図１１Ａに示すようなタイプのハネカム構造を有する多孔性アルミナ層（６０）へ変換されるように陽極酸化されたアルミニウムフィルムによって被覆される。該ハネカム構造は多数の空洞（６１）を有する。該空洞は、予め決定されたパターンに従って配設され、これらの底部において障壁層によって閉鎖される。該障壁層はエッチング処理によって除去される。即ち、空洞（６１）に対応する領域においては、支持体（１）の表面までの範囲にわたって導電性材料（２）の全厚さ部分が除去される（図１１Ｂ参照）。この時点において、多孔性アルミナ層は除去され（図１１Ｃ参照）、当初は１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有していた導電性フィルム層の厚さは、電気めっき処理によって０．５〜５μｍまで増大する。

上述の説明から明らかなように、本発明による方法の全ての実施態様においては、導電性フィルムは透明支持体の上部面上へ沈着され、次いで、導電性フィルムの全厚さ部分は透明支持体の表面の一部から除去され、支持体上の導電性フィルムの残存部は予め決定されたパターンを規定する。該パターンは、導電性フルム中の充実スペースと空スペースとの比であって、得られる製品に対して要求される光透過率を規定する該比に対応する。

もちろん、本発明の原理に対して先入観を持つことなく、上述の本発明の実施態様と詳細な構成は、本発明の範囲を逸脱することなく、実施例として記載して説明した事項に関連して広範囲に変化させてもよい。

図１は、本発明の第１の実施態様の１つの実施例における一連の工程を示す模式図である。図２は、本発明の第１の実施態様の別の実施例における一連の工程を示す模式図である。図３は、図１と図２に示す実施例に関連する本発明の第１実施例による方法の最終工程を示す模式図である。図４は、導電性フィルムに対して得ることができるパターンの一例を示す模式的平面図である。図５は、本発明方法のディスプレイへの適用例を示す模式的平面図である。図６は、図５に示すパターンの拡大図である。図７Ａは、ＮＩＬ法によって図５に示すディスプレイを得るための方法に使用されるモールドの模式的断面図である。図７Ｂは、マイクロ密着焼付け法によって図５に示すディスプレイを得るための方法に使用されるモールドの模式的断面図である。図８は、本発明方法のさらに別の実施態様における一連の工程を示す模式図である。図９は、本発明方法の別の変形態様に使用される複合ポリマーの構造を示す模式図である。図１０は、本発明方法の別の実施態様における２つの変形態様を含む一連の工程を示す模式図である。図１１は、本発明方法のさらに別の実施態様における一連の工程を示す模式図である。

符号の説明

１透明支持体
２導電性フィルム
３ポリマー材料
４モールド
４ａ活性表面
５０副領域
６０アルミナ
６１空洞

Claims

下記の工程i）〜iii）を含む透明導電性フィルムの製造方法：
i）透明支持体（１）を供給し、
ii）該透明支持体（１）上に、１０μｍを越えない厚さを有する導電性フィルム（２）を沈着させ、次いで
iii）各々のラインが１０ｎｍ〜２μｍの幅を有すると共に隣接ライン間距離が１０ｎｍ〜２μｍであるライン群によって形成されるパターンであって所望の光透過率に対応する充実スペース／空スペース比が得られるように予め決定される該パターンが、該透明支持体（１）上の該導電性フィルム（２）の残存部分（２ａ）によって規定されるように、該透明支持体（１）の表面の一部から該導電性フィルムの全厚さ部分を除去する。
導電性フィルムの部分的な除去が、ナノ刻印リソグラフィー法、マイクロ密着焼付け法、ポリマー自己集合法及び多孔性アルミナ形成法から選択される方法によって得られるマスク（３ａ、５ａ、３１、２ａ）を通すエッチング処理によっておこなわれる請求項１記載の方法。
マスクがナノ刻印リソグラフィー法によって得られる請求項２記載の方法であって、
i）最初に均一な導電性フィルム（２）を支持体（１）の上部面に沈着させ、
ii）ポリマー材料（３）を導電性フィルム（２）上へ塗布し、
iii）導電性フィルムによって供給されるべきパターンに対応するパターンを形成するナノメーターサイズの刻み目を保有する活性表面（４ａ）を有するモールド（４）を供給し、
iv）該モールド（４）を該ポリマー材料上へ加圧下で適用することによって、該ポリマー材料上に、空スペースによって隔離される一連のポリマー材料製残存部分（３ａ）を形成させ、次いで
v）上記の空スペースに対応する領域において、支持体（１）の表面に達するまでの導電性フィルム（２）の全厚さ部分を除去するためにエッチング処理をおこなうことにより、支持体上に所望のパターンを導電性フィルムの残存部分（２ａ）によって形成させる該方法。
モールド（４）の活性表面（４ａ）が、各々のラインが１０ｎｍ〜５００ｎｍの幅を有すると共に隣接ライン間距離が１０ｎｍ〜５００ｎｍであるライ群ンに従って配設される刻み目であって、１００ｎｍ〜１０００ｎｍの深さを有する該刻み目を保有する請求項３記載の方法。
モールド（４）が硬質材料製、好ましくはシリコン製又は石英製のモールドである請求項３記載の方法。
モールド（４）が軟質材料製、好ましくはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）製のモールドである請求項３記載の方法。
ポリマーフィルム（３）がポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）製フィルム又は熱可塑性材料製フィルムである請求項３記載の方法。
導電性フィルム（２）が、物理蒸着法（ＰＶＤ）、シルクスクリーン印刷法及びインクジェット法から成る群から選択される方法によって沈着される請求項７記載の方法。
ポリマー材料がエポキシ樹脂又はアクリル樹脂から構成され、ポリマー材料上へのモールド（４）の適用を加圧下でおこなうと共に、同時に紫外線を照射することによって該樹脂の架橋をおこなう請求項３記載の方法。
モールドを取り除いた後、ポリマー材料の残存領域（３ａ）の間の各々の空スペースを底部において閉鎖する該ポリマー材料の薄障壁層（３ｂ）をプラズマエッチング法又は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法によって除去する請求項３記載の方法。
ディスプレイ構造の導電性フィルムのマイクロメーターサイズの副区域（５０）内にナノメーターサイズのパターンを付与するために使用される請求項２記載の方法。
マイクロ密着焼き付け法を使用することによって、モールド（４）の活性表面（４ａ）上へポリマー材料層（５）を供給し、該モールドを加圧下で導電性層（２）の上部面上へ適用させた後、空スペースによって分離されたポリマー材料部分（５ａ）によって被覆された導電性層（２）を保持すると共に、該空スペースに対応する領域においては、支持体（１）の表面に達するまでの導電性層（２）の全厚み部分をエッチング処理によって除去する請求項２記載の方法。
ポリマー材料が、金属及び／又は酸化物、例えば、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、モンモリロナイト又はセピオライトの板晶、アルミナ、シリカ、カーボンＣ６０を含む球状晶、任意形態の金属粒子を含むナノ複合材料である請求項３又は１２記載の方法。
導電性フィルム（２）がブロックポリマー薄膜によって被覆され、該ブロックポリマー中の相分離が誘発させることにより、予め決定されるパターンに従って、２つの分離したブロック（３１ａ、３１ｂ）への自己集合がもたらされる請求項２記載の方法であって、さらに、２つのブロック（３１ａ、３１ｂ）の一方のブロックを除去することにより得られる空スペースを利用することにより、該空スペースに対応する領域内の導電性材料の全厚さ部をエッチング処理によって除去する該方法。
支持体の一部から導電性相を除去するために使用される前記のマスク（６０）を、アルミニウム層の沈着及びその後の陽極酸化により形成される多孔性アルミナ（６０）のハニカム構造であってその底部において空スペース（６１）が障壁層によって閉鎖される該構造を得る方法によって供給し、該障壁層をプラズマエッチング法により除去することによって、連通した空洞（６１）を有する構造を形成させ、該構造を利用することにより、該空洞（６１）に対応する領域において支持体（１）の表面に達する導電性材料の全厚さ部を除去し、次いで、アルミナ（６０）の層を除去した後、導電性層の厚さを電気めっき法によって増大させる請求項１０記載の方法。