JP2008226514A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】RF電極3の上面を絶縁プレート4で覆って構成された第1電極上に基板8を載置し、第1電極と対向する蓋部材2との間に形成される放電空間7でプラズマ放電を発生させて基板8の表面処理を行うプラズマ処理装置において、絶縁プレート4の基板載置範囲外の部位に絶縁プレート4を貫通する開口部4aを設け、さらにRF電極3に導電性のピン部材10を植設して開口部4a内に位置させ、ピン部材10の頂部を放電空間7に露呈させる。これにより、プラズマ放電によって発生したイオンをピン部材10に安定して入射させることができ、セルフバイアス電圧を安定して検出してプラズマ放電の状態を適正に監視することができる。
【選択図】図1
Description
成するRF電極3に生じるセルフバイアス電圧を検出する。セルフバイアス電圧は、相対向する2つの電極(ここでは第1の電極としてのRF電極3と第2の電極としての蓋部材2)の間に、交番電圧を印加してプラズマ放電を発生させたときの電極間電圧が負電圧側にバイアスされることによって生じ、プラズマ放電によってプラズマ発生用ガスが電離して生じる正負の荷電粒子、すなわちガスのイオンと電子の質量が大きく異なることに起因する。
2 蓋部材
3 RF電極
4 絶縁プレート
4a 開口部
7 放電空間
8 基板
10 ピン部材
12 マッチングボックス
13 セルフバイアス電圧検出部
14 高周波電源部
15 制御部
16 表示部
17 真空排気部
18 ガス供給部
Claims (2)
- 導電体の上面を絶縁体で覆って構成された第1電極上に基板を載置し、前記第1電極とこの第1電極に対向する第2電極との間に形成される放電空間でプラズマ放電を発生させて前記基板の表面処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記放電空間を減圧する真空排気部と、前記放電空間にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給部と、前記第1電極に高周波電圧を印加することにより前記放電空間においてプラズマ放電を発生させる高周波電源部と、プラズマ放電発生時に前記第1電極に生じるセルフバイアス電圧を検出するセルフバイアス電圧検出部と、前記絶縁体において前記基板が載置される基板載置範囲以外の部位に前記絶縁体を貫通する開口部を設けることにより前記導電体を前記放電空間に露呈させる導電体露呈部とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記導電体露呈部は、前記開口部内に前記導電体と導通する導電性のピン部材を設けて構成されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
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JP2007059424A JP2008226514A (ja) | 2007-03-09 | 2007-03-09 | プラズマ処理装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015026743A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
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2007
- 2007-03-09 JP JP2007059424A patent/JP2008226514A/ja active Pending
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