TW201717277A - 電漿處理裝置及使用於此之排氣構造 - Google Patents

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Abstract

於對載置台施加高功率之高頻電力之情況下，有效果地防止電漿侵入至排氣部之情形，及在擋板之上方放電成為不穩定之情形。對在處理室(4)內被載置於載置台(23)之載置片的基板(G)，邊對載置台(23)施加高頻偏壓邊進行電漿處理裝置的電漿處理裝置，具有被設置在排氣口(30)部分之第1開口擋板(34)及第2開口擋板(35)，第1開口擋板(34)被設置在排氣路徑下游側，第2開口擋板(35)被設置在排氣路徑之上游側，第1開口擋板(34)被接地，第2開口擋板(35)為電性浮動狀態，第1及第2開口擋板(34、35)係以能夠在該些之間生成穩定放電之間隔而被設置。

Description

電漿處理裝置及使用於此之排氣構造
本發明係關於對基板進行電漿處理之電漿處理裝置及使用於此之排氣構造。
在半導體裝置或平面面板顯示器(FPD)之製造工程中，存在對基板進行電漿蝕刻或成膜處理等之電漿處理的工程。
在如此之電漿處理中，使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等之各種電漿處理裝置。於以電漿處理裝置進行電漿處理之時，在被設置在保持真空之處理室內的載置台上載置基板之狀態下，在處理室內生成特定之電漿，且對基板施行電漿處理。
在電漿處理裝置中，為了防止在處理室內之處理區域所生成之異物或電漿侵入至排氣區域，一般進行設置形成網目構造或縫隙構造等之開口部而確保通氣性之構造的擋板(例如，專利文獻1)。
再者，在專利文獻1中，在電性浮動狀態下設置具有開口部之擋板，在專利文獻2中，揭示著將如此 之擋板予以接地的技術。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平6-252245號公報
[專利文獻2]日本特開2010-238980號公報
然而，在如此之電漿處理裝置中，為了有效果地引入電漿中之離子，也對載置台施加高頻偏壓之情況。在大型基板之電漿處理中，需要將如此之高頻偏壓設為高功率。
當如此地對載置台施加高頻偏壓時，排氣口成為對向電極，在排氣口部分產生電容耦合電漿。
於擋板電性浮動狀態之情況下，由於該電漿不會失活，電漿進入排氣部，在壓力控制閥(APC)或真空泵之入口部分產生局部性之輝光放電而消耗了構件。
另外，於擋板被接地之情況下，由於電漿因擋板而失活，故在排氣部之放電被抑制。但是，在被接地之擋板上產生輝光放電而到處活動，排氣空間之放電成為不穩定。
因此，本發明之課題係提供在對載置台施加高功率之高頻電力之情況下，可以有效果地防止電漿入侵 排氣部，以及在擋板之上方放電成為不穩定之電漿處理裝置及被使用於如此之電漿處理裝置的排氣構造。
為了解決上述課題，本發明之第1觀點係提供一種電漿處理裝置，其具備：處理室，其係收容基板而施予電漿處理；載置台，其具有在上述處理室內載置基板之載置面；處理氣體供給系統，其係對上述處理室內供給處理氣體；排氣部，其係將上述處理室內予以排氣；電漿生成機構，其係生成用以對被載置於上述載置台之基板進行電漿處理之電漿；高頻電源，其係用以對上述載置台施加偏壓用之高頻電力；及第1開口擋板及第2開口擋板，其係被設置在從上述處理室至上述排氣部之排氣口部分或其附近，且具有複數之開口，上述第1開口擋板被設置在排氣路徑之下游側，上述第2開口擋板被設置在排氣路徑之上游側，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板都係由導電性材料所構成，上述第1開口擋板被接地，上述第2開口擋板為電性浮動狀態，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板係以能夠在該些之間生成穩定放電的間隔而被設置。
再者，本發明之第2觀點係屬於在電漿處理裝置中，將被供給至上述處理室之處理氣體引導至上述排氣部之排氣構造，該電漿裝置具有：收容基板而施予電漿處理之處理室；具有在上述處理室內載置基板之載置面的 載置台；對上述處理室內供給處理氣體之處理氣體供給系統；將上述處理室內予以排氣之排氣部；生成用以對被載置在上述載置台之基板進行電漿處理之電漿的電漿生成機構；及用以對上述載置台施加偏壓用之高頻電力之高頻電源，該排氣構造具有：第1開口擋板及第2開口擋板，其係被設置在從上述處理室至上述排氣部之排氣口部分或其附近，且具有複數之開口，上述第1開口擋板被設置在排氣路徑之下游側，上述第2開口擋板被設置在排氣路徑之上游側，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板都係由導電性材料所構成，上述第1開口擋板被接地，上述第2開口擋板為電性浮動狀態，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板係以能夠在該些之間生成穩定放電的間隔而被設置。
上述第1開口擋板被設置成覆蓋上述排氣部之排氣配管之入口部分為佳。再者，上述第1開口擋板和上述第2開口擋板之間隔以1~10mm為佳。
上述第1開口擋板及上述第2開口擋板可以被構成網縫隙狀或是構成網目狀，或是具有多數之沖孔。
上述第1開口擋板和上述第2開口擋板之開口率以61.5%以下為佳。
再者，可以設為下述構成：進一步具有用以區隔成對基板進行電漿處理之處理區域，和與上述排氣部連接之排氣區域，且由導電性所構成，不具有開口部的複數區隔構件，上述複數之區隔構件被連接於接地電位，彼 此鄰接的區隔構件係以在其間形成將被供給至上述處理區域之處理氣體引導至上述排氣區域之隔間之方式而間隔開配置。此時，在與上述區隔構件不同之高度位置，進一步具有被設置成在俯視之情況下遮蔽上述隔間之至少一部分，且由導電性材料所構成，同時不具有開口部，並且被連接於接地電位之遮蔽構件為佳。
上述處理室可以設為具有平面形狀為矩形狀之空間，上述載置台構成平面形狀為矩形狀，載置矩形狀之基板的構成。
上述電漿生成機構為了在上述處理區域生成感應耦合電漿，可以設為具有高頻天線之構成。上述高頻天線即使經由介電體窗而被設置在上述處理室之上部亦可，即使經由金屬窗被配置在上述處理室之上部亦可。
若藉由本發明時，由於在從處理室至排氣部之排氣口部分或其附近以接地狀態設置第1開口擋板，並且在排氣路徑上游側以浮動狀態設置第2開口擋板，並且以該些之間形成穩定放電之程度的間隔配置第1開口擋板及第2開口擋板，故可以抑制電漿朝排氣部漏洩，並且可以抑制在擋板上方之不穩定的輝光放電而生成在處理室內穩定的電漿。
1‧‧‧本體容器
2‧‧‧介電體壁(介電體構件)
3‧‧‧天線室
4‧‧‧處理室
13‧‧‧高頻天線
14‧‧‧匹配器
15‧‧‧高頻電源
16‧‧‧供電構件
19‧‧‧供電線
20‧‧‧處理氣體供給系統
22‧‧‧端子
23‧‧‧載置台
27‧‧‧偏壓用高頻電源
30‧‧‧排氣口
31‧‧‧排氣配管
32‧‧‧自動壓力控制閥(APC)
33‧‧‧真空泵
34‧‧‧第1開口擋板
35‧‧‧第2開口擋板
40‧‧‧排氣部
41‧‧‧處理區域
42‧‧‧排氣區域
50‧‧‧區隔構件
34a、50a、52a‧‧‧接地線
52‧‧‧遮蔽構件
60‧‧‧隔間
100‧‧‧控制部
G‧‧‧基板
圖1為表示與本發明之一實施形態有關之電漿處理裝置之垂直剖面圖。
圖2為表示與本發明之一實施形態有關之電漿處理裝置之水平剖面圖。
圖3為表示與本發明之一實施形態有關之電漿處理裝置之排氣部之詳細的剖面圖。
圖4為表示第1及第2開口擋板之構造例的圖示。
圖5為表示排氣口之配置之另外之例的水平剖面圖。
圖6為表示對載置台施加高頻偏壓之時，產生電容耦合電漿之樣子的示意圖。
圖7為用以說明本實施形態中設置兩段開口擋板之情況的作用效果之圖示。
圖8為表示與變形例有關之電漿處理裝置之圖示，(a)為水平剖面圖，(b)為表示區隔構件和遮蔽構件之位置關係的斜視圖。
以下參照附件圖面，針對本發明之實施形態予以說明。圖1為與本發明之一實施形態有關之電漿處理裝置之垂直剖面圖，圖2為其水平剖面圖，圖3為表示排氣部之詳細的剖面圖。
本實施形態之電漿處理裝置係以生成感應耦合電漿，例如對FPD用玻璃基板般之矩形基板進行蝕刻 處理或灰化處理等之感應耦合電漿耦合處理之感應耦合電漿處理裝置而被構成。
該電漿處理裝置具有由導電性材料，例如內壁面被陽極氧化處理之由鋁所構成之角筒形狀之氣密的本體容器1。該本體容器1被組裝成可分解，藉由接地線1a被接地。本體容器1係藉由介電體壁2上下區分成天線室3及處理室4。介電體壁2構成處理室4之天井壁。介電體壁2係由Al2O3等之陶瓷、石英等所構成。
在本體容器1中之天線室3之側壁3a和處理室4之側壁4a之間，設置有突出於內側之支撐架5，在該支撐架5上載置介電體壁2。
在介電體壁2之下側部分，嵌入有處理氣體供給用之噴淋框體11。噴淋框體11係被設置成十字狀，成為從下方支撐介電體壁2之構造，例如樑構造。另外，支撐上述介電體壁2之噴淋框體11，藉由複數本之吊桿(無圖示)，成為被吊於本體容器1之天井之狀態。支撐架5及噴淋框體11即使以介電體構件被覆蓋亦可。
該噴淋框體11係由導電性材料，最佳為金屬，例如以不產生污染物之方式在其內面或外面施予陽極氧化處理之鋁所構成。在該噴淋框體11形成有水平延伸之氣體流路12，在該氣體流路12，連貫有朝下方延伸之複數的氣體吐出孔12a。另外，在介電體壁2之上面中央，以連通於該氣體流路12之方式設置有氣體供給管20a。氣體供給管20a從本體容器1之天井朝其外側貫 通，連接於含有處理氣體供給源及閥系統等之處理氣體供給系統20。因此，在電漿處理中，自處理氣體供給系統20被供給之處理氣體經氣體供給管20a被供給至噴淋框體11內，從其下面之氣體吐出孔12a被吐出至處理室4內。
在天線室3內配設有高頻(RF)天線13。高頻天線13被構成將由銅或鋁等之良導電性之金屬所構成之天線13a配置成環狀或旋渦狀等之以往所使用之任意形狀。即使具有複數天線部之多重天線亦可。
在天線13a之端子22連接有朝天線室3之上方延伸的供電構件16。在供電構件16之上端從供電線19連接有高頻電源15。再者，在供電線19之間安裝有匹配器14。而且，高頻天線13係藉由由絕緣構件所構成之間隔物17而從介電體壁2間隔開。而且，藉由從高頻電源15對高頻天線13供給例如頻率13.56MHz之高頻電力，在處理室4內形成感應電場，藉由該感應電場，從噴淋框體11所供給之處理氣體被電漿化，生成感應耦合電漿。
在處理室4內之底壁4b上，以夾著介電體壁2而與高頻天線13相向之方式，經由具有用以載置矩形狀之基板G之載置面的載置台23經由絕緣構件24而被固定。絕緣體構件24構成框邊狀。載置台23具有由導電性材料，例如表面被陽極氧化處理之鋁所構成之本體23a，和被設置成包圍本體23a之外周的絕緣體框23b。被載置於載置台23之基板G係藉由靜電挾盤(無圖式)被吸附保 持。
載置台23係經本體容器1之底壁、絕緣體構件24***通用以搬入搬出基板G之升降銷(無圖示)。升降銷係藉由被設置在本體容器1外之升降機構(無圖示)而升降驅動來進行基板G之搬入搬出。另外，載置台23即使設為能夠藉由升降機構而升降之構造亦可。
在載置台23之本體23a藉由供電線25經匹配器26連接有偏壓用高頻電源27。該高頻電源27係在電漿處理中，對載置台施加高頻偏壓(偏壓用高頻電力)。高頻偏壓之頻率例如頻率為6MHz。藉由該偏壓用之高頻電力，被生成在處理室4內之電漿中之離子有效地被引入基板G。
再者，在載置台23內設置有用以控制基板G之溫度，由陶瓷加熱器等之加熱手段或冷媒流路等所構成之溫度控制機構，和溫度感測器(任一者皆無圖式)。
而且，載置台23係於載置基板G之時，在此背面側，形成冷卻空間(無圖示)，連接有用以對該冷卻空間以特定壓力供給作為熱傳達用氣體之He氣體流路28。如此一來，藉由將熱傳達用氣體供給至基板G之背面側，可以在真空下使基板G之溫度控制性成為良好。
在處理室4之底壁4b之底部中央形成有開口部4c，供電線25、He氣體流路28及溫度控制機構之配管或配線通過開口部4c而被導出至本體容器1外。
在處理室4之四個側壁4a中之一個，設置用 以搬入搬出基板G之搬入搬出口29a，和開關此之閘閥29。
在處理室4之內壁(側壁4a之內側部分)和載置台23之間，設置有將處理室4內區隔成處理區域41和排氣區域42之4片區隔構件50。區隔構件50係由不具有開口部呈矩形狀的金屬等之導電性材料所形成之板材來構成。各區隔構件50與載置台23之各側面對應設置，藉由接地線50a被連接於接地電位。另外，即使使區隔構件50與側壁4a電性連接，經本體容器1而接地亦可。
鄰接的區隔構件50彼此之間，係以形成將被供給至處理區域41之氣體引導至排氣區域之隔間60方式而間隔開配置，隔間60存在於區隔構件50形成面之四角落。
處理區域41係處理室4中較區隔構件50上方之區域，形成用以對基板G進行電漿處理之感應耦合電漿之區域。再者，排氣區域42係處理室4中較區隔構件50下方之區域，被導入來自處理區域41之處理氣體，且用以將此予以排氣的區域。
在處理室4之底壁4b，於處理室4之底壁4b之四角落分別設置有排氣口30，在各排氣口30設置有排氣部40。排氣部40具有被連接於排氣口30之排氣配管31，和藉由調整排氣配管31之開口度，控制處理室4內之壓力的自動壓力控制閥(APC)32，和用以經排氣配管31使處理室4內予以排氣之真空泵33。而且，藉由真空泵 33使處理室4內排氣，在電漿處理中，調整自動壓力控制閥(APC)32之開口度而將處理室4內設定、維持在特定之真空氛圍。
如圖3所示般，在排氣口30部分，以覆蓋排氣配管31之入口部分，設置有第1開口擋板34，在第1開口擋板34之上方(即是，排氣路徑之上游側)間隔特定長度之位置，與第1開口擋板34相向設置有第2開口擋板35。即是，在排氣口30設置有上下兩段開口擋板。第1開口擋板34及第2開口擋板35係由金屬等之導電性材料所構成，具有多數開口，設為例如圖4(a)所示般之縫隙狀，或是(b)所示網目狀，或是(c)所示般具有多數沖孔之構造。
第1開口擋板34被安裝於構成排氣配管31之上部之內周的絕緣構件36，藉由接地線34a而接地。另外，在第1開口擋板34和第2開口擋板35之間設置有構成環狀之絕緣間隔物37，第2開口擋板35成為電性浮動狀態。該些兩段之開口擋板係以在該些之間能夠穩定放電之間隔來配置。藉由第1開口擋板34和第2開口擋板35，如後述般，可以抑制電漿朝排氣部40漏洩，同時可以形成穩定的電漿。
在自動壓力控制閥(APC)32和真空泵33之間，設置有用以防止異物侵入至真空泵33之網目構件38。網目構件38係由金屬等之導電性材料所構成，且被接地。
第1開口擋板34及第2開口擋板35之間隔之理想範圍為1~10mm。再者，上述第1開口擋板34和上述第2開口擋板35之開口率以61.5%以下為佳。
另外，排氣口30之數量或位置因應裝置之大小而被適當設定。例如，如圖5之水平剖面圖所示般，沿著處理室4之各側壁4a設置每邊各2個合計8個的排氣口30。
本實施形態之電漿處理裝置具有微處理器(電腦)所構成之控制部100、使用者介面101和記憶部102。控制部100係對電漿處理裝置之各構成部，例如閥、高頻電源、真空泵等發出指令，且控制該些。再者，使用者介面101，具有由操作員為了管理電漿處理裝置而執行指令之輸入操作的鍵盤，或使電漿處理裝置之運轉狀況可視化而予以顯示之顯示器等，且被連接於控制部100。記憶部102儲存有用以藉由控制部100之控制實現在電漿處理裝置所實行之各種處理的控制程式，或按處理條件使電漿處理裝置之各構成部實行處理之程式即是處理配方，被連接於控制部100。處理配方係被記憶於記憶部102之中的記憶媒體。記憶媒體即使為內藏在電腦之硬碟或半導體記憶體亦可，即使為CDROM、DVD、快閃記憶體等之可搬運性者亦可。再者，即使自其他裝置經例如專用線路適當傳送配方亦可。然後，依其所需，以來自使用者介面101之指示等自記憶部102叫出任意處理配方，使控制部100實行，依此，在控制部100之控制下，執行電漿處理裝置之 所欲處理。
接著，針對使用如上述般所構成之感應耦合電漿處理裝置而對基板G施予電漿處理例如電漿蝕刻處理或電漿灰化處理之時之處理動作予以說明。
首先，在打開閘閥29之狀態下，從搬入搬出口29a藉由搬運機構(無圖式)將基板G搬入至處理室4內，並載置於載置台23之載置面之後，藉由靜電挾盤(無圖式)，將基板G固定於載置台23上。接著，從處理氣體供給系統20經由噴淋框體11之氣體吐出孔12a而將處理氣體供給至處理室4內，同時邊藉由自動壓力控制閥(APC)32控制壓力，邊從排氣口30經由排氣配管31而藉由真空泵33使處理室4內真空排氣，依此將處理室內維持在例如0.66~26.6Pa程度之壓力氛圍。
再者，此時在基板G之背面側之冷卻空間，為了迴避基板G之溫度上升或溫度變化，經He氣體流路28，供給當作熱傳達用氣體之He氣體。
接著，從高頻電源15對高頻天線13施加例如13.56MHz之高頻，藉此經介電體壁2在處理室4內形成均勻之感應電場。藉由如此所形成之感應電場，在處理室4內處理氣體電漿化，生成高密度之感應耦合電漿。藉由該電漿，對基板G進行電漿處理，例如對基板G之特定膜，進行電漿蝕刻或電漿灰化。此時，同時從高頻電源27對載置台23施加例如頻率為6MHz之高頻電力，而生成在處理室4內之電漿中之離子被引入基板G。
處理氣體係於在處理室4內之處理區域41電漿化而被供給至電漿理之後，藉由真空泵33被吸引，從被形成在相鄰接之區隔構件50之間的隔間60至排氣區域42，從排氣口30經排氣配管31而被排氣。
藉由對載置台23施加高頻偏壓，如圖6所示般，將處理室4之內壁或排氣口30附近之被接地的導電體當作對向電極而產生電容耦合電漿。此時，於基板G為大型基板之時，需要對載置台23施加高功率之高頻電力，當對向電極小時，會產生電弧或電性不穩定。因此，在處理室4之內壁(側壁4a之內側部位)和載置台23之間之位置，接地設置不具有開口部的複數區隔構件50且使當作對向電極發揮功能，藉由放大對向電極確保電性穩定性。再者，在相鄰接之區隔構件50之間形成至排氣區域42之隔間60，藉由區隔構件50也進行排氣之控制。
但是，如此一來，即使設置複數的被接地之區隔構件50，依照處理條件，藉由以真空泵33進行吸引，電漿被吸引至排氣口30附近，當該電漿侵入至排氣部40之內部時，例如在自動壓力控制閥(APC)32附近產生藉由放電所致之發光(電弧)，其表面之陽極氧化皮膜或真空泵33上之網目構件38消耗。
對此，如圖7(a)所示般，當僅設置被接地於排氣口30之第1開口擋板34時，由於電漿在第1開口擋板34失活，故電漿朝排氣部40之侵入被抑制，可以抑制由於在自動壓力控制閥(APC)32附近的放電所致的發光 (電弧)。但是，在處理室4，接地電位產生偏離，在其上區域，產生不穩定之輝光放電，放電產生到處活動的閃爍，處理室4內之電漿成為不穩定。
另外，如圖7(b)所示般，當在排氣口30僅設置浮動狀態之第2開口擋板35時，第2開口擋板35由於係電漿電位，故在其上方區域不會產生不穩定之輝光放電。但是，在浮動狀態之第2開口擋板35中，由於電漿不會失活，故無法有效地防止電漿朝排氣部40侵入，無法充分抑制由於在自動壓力控制閥(APC)32之附近的放電所致之發光(電弧)。
於是，在本實施形態中，如圖7(c)所示般，將下段側之被接地的第1開口擋板34，和上段側(排氣路徑之上游側)之浮動狀態之第2開口擋板35，以在該些之間能夠穩定放電之間隔設置兩段。即是，浮動狀態之第2開口擋板35成為電漿電位，在被接地之第1擋板之間產生電位差。因此，藉由適當地調整該些開口擋板間之間隔，在該些之間形成穩定之放電，且保持電漿。而且，穿透第2開口擋板35之離子或電子藉由該電漿被捕獲。依此，推測為在第1開口擋板34和第2開口擋板35之間形成無閃爍之穩定的輝光放電。再者，被拉進至排氣口30之電漿由於在下段側之第1開口擋板34失活，故可以抑制由於在自動壓力控制閥(APC)32之附近放電所致之發光(電弧)。而且，上段側之第2開口擋板35由於係電漿電位，故處理室4之接地電位之偏離被緩和。而且，藉由該 些可以在處理室4內生成穩定之電漿。
此時，第1開口擋板34和第2開口擋板35之間隔如上述般，成為在該些之間能夠生成穩定放電之程度的間隔。當間隔過寬時，在該些之間產生穩定放電，難以抑制在被接地之第1開口擋板34上之不穩定輝光放電的現象。再者，當該些間隔過窄時，無法藉由第1開口擋板34使電漿充分失活，難以防止電漿侵入至排氣部40。從如此之觀點來看，第1開口擋板34和第2開口擋板35之間隔以1~10mm之範圍為佳。
再者，捕獲電漿之效果，及取得在第1開口擋板34和第2開口擋板35之間形成穩定之放電的效果之觀點來看，第1開口擋板34及第2開口擋板35之開口率以61.5%以下為佳。
若如此藉由本實施形態時，由於以在排氣口30部分覆蓋排氣配管31之入口部分之方式，在接地狀態下設置第1開口擋板34，並且在排氣路徑上游側以浮動狀態設置第2開口擋板35，並且在該些之間形成穩定放電之程度的間隔配置第1開口擋板34及第2開口擋板35，故可以抑制電漿朝排氣部40漏洩，並且可以抑制在擋板上方之不穩定的輝光放電而生成在處理室4內穩定的電漿。
接著，針對本實施形態之變形例予以說明。圖8(a)係表示與變形例有關之電漿處理裝置之水平剖面圖，(b)為表示在其電漿處理裝置中之區隔構件和遮蔽構 件之位置關係的斜視圖。該電漿處理裝置除在被形成相鄰接之區隔構件50之間的隔間60之下方位置設置有遮蔽構件52之外，其他與圖1之電漿處理裝置構成相同。
遮蔽構件52係由以金屬等之導電性材料形成的板狀所構成，分別被配置在處理室4之內壁(側壁4a之內側部位)和載置台23之間的四角落，且在區隔構件50之下方位置。遮蔽構件52在俯視之情況下，其至少一部分被配置成與區隔構件50重疊，遮蔽隔間60。再者，遮蔽構件52藉由接地線52a被連接於接地電位。即使將遮蔽構件52經本體容器1或區隔構件50而接地亦可。
如此一來。在區隔構件50之下方位置，以遮蔽隔間60之方式，設置被接地之遮蔽構件52，依此可以從存在於處理區域41之電漿遮蔽排氣路徑，並可以抑制電漿被拉近排氣口30之情形。
另外，遮蔽構件52並非完全遮蔽隔間60，即使遮蔽隔間60之一部分也可以取得某程度之遮蔽效果。再者，遮蔽構件52若被設置在與區隔構件50不同之位置上即可，即使設置在區隔構件50之上方位置亦可。
並且，本發明並限定於上述實施形態，當然可做各種變形。例如，在上述實施形態中，雖然針對感應耦合型之電漿處理裝置，以在處理室之上部經介電體窗而設置有高頻天線之情況加以表示，但是即使針對非介電體窗而經金屬窗設置高頻天線之情況亦可以適用。此時，處理氣體之供給即使非從樑構造等之十字狀之噴淋框體，而 係在金屬窗設置氣體噴淋頭來進行供給亦可。
再者，在上述實施形態中，雖然表示相對於被施加偏壓用高頻電力之載置台的對向電極之面積小之感應耦合型之電漿處理裝置尤其更有效果地適用本發明，但是並不限定於此，若為載置台被施加偏壓用高頻電力之電漿處理裝置時，則能夠適用，例如，即使為使用微波之電漿處理裝置，或對向電極之面積比較大的電容耦合型(平行平板型)之電漿處理裝置亦能夠適用。
再者，在上述實施形態中，雖然表示在排氣口部分設置第1開口擋板及第2開口擋板之例，但是並不限定於此，即使為排氣口之附近亦可。再者，第1開口擋板不一定要覆蓋排氣配管之入口部分，若配置在可以抑制電漿漏洩至排氣部之位置時即可。而且，即使在處理室4之內壁(側壁4a之內側部分)和載置台23之間之全面設置第1開口擋板及第2開口擋板亦可。
另外，在上述實施形態中，雖然針對在處理室之四角落形成相鄰接之區隔構件之間的隔間之例，但是並不限定於此。
另外，在上述實施形態中，雖然針對將第1及第2開口擋板適用於排氣機構之孔部分之例予以表示，但是若為觀察孔或基板搬入搬出口等，被設置在電漿處理裝置之處理容器之開口時，則可以適用。
另外，在上述實施形態中，雖然針對將本發明適用於進行電漿蝕刻或電漿灰化之裝置之情況予以表 示，但亦可適用於CVD成膜等之其他電漿處理裝置。而且，在上述實施形態中，雖然表示使用FPD用之矩形基板以當作基板之例，但是即使於處理其他矩形基板之情況下亦可適用，並不限於矩形，亦可適用於例如半導體晶圓等之圓形基板。
4b‧‧‧底壁
30‧‧‧排氣口
31‧‧‧排氣配管
32‧‧‧自動壓力控制閥(APC)
33‧‧‧真空泵
34‧‧‧第1開口擋板
35‧‧‧第2開口擋板
36‧‧‧絕緣構件
37‧‧‧絕緣間隔物
38‧‧‧網目構件
40‧‧‧排氣部
34a‧‧‧接地線

Claims (19)

  1. 一種電漿處理裝置，其特徵在於具有：處理室，其係用以收容基板而施予電漿處理；載置台，其具有在上述處理室內載置基板之載置面；處理氣體供給系統，其係對上述處理室內供給處理氣體；排氣部，其係將上述處理室內予以排氣；電漿生成機構，其係生成用以對被載置於上述載置台之基板進行電漿處理之電漿；高頻電源，其係用以對上述載置台施加偏壓用之高頻電力；及第1開口擋板及第2開口擋板，其係被設置在從上述處理室至上述排氣部之排氣口部分或其附近，且具有複數之開口，上述第1開口擋板被設置在排氣路徑之下游側，上述第2開口擋板被設置在排氣路徑之上游側，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板皆由導電性材料所構成，上述第1開口擋板被接地，上述第2開口擋板為電性浮動狀態，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板係以能夠在該些之間生成穩定放電的間隔而被設置。
  2. 如請求項1所記載之電漿處理裝置，其中上述第1開口擋板被設置成覆蓋上述排氣部之排氣配管之入口部分。
  3. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中上述第1開口擋板和上述第2開口擋板之間隔為1~10mm。
  4. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中上述第1開口擋板及上述第2開口擋板被構成縫隙狀或網目狀，或具有多數沖孔。
  5. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中上述第1開口擋板和上述第2開口擋板之開口率為61.5%以下。
  6. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中進一步具有用以區隔成對基板進行電漿處理之處理區域，和與上述排氣部連接之排氣區域，且由導電性所構成，不具有開口部的複數區隔構件，上述複數之區隔構件被連接於接地電位，彼此鄰接的區隔構件係以在其間形成將被供給至上述處理區域之處理氣體引導至上述排氣區域之隔間之方式而被間隔開配置。
  7. 如請求項6所記載之電漿處理裝置，其中在與上述區隔構件不同之高度位置，進一步具有被設置成在俯視之情況下遮蔽上述隔間之至少一部分，且由導電性材料所構成，同時不具有開口部，並且被連接於接地電位之遮蔽構件。
  8. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中上述處理室具有平面形狀為矩形狀之空間，上述載置台構成平面形狀為矩形狀，載置矩形狀之基板。
  9. 如請求項1或2所記載之電漿處理裝置，其中上述電漿生成機構為了在上述處理區域生成感應耦合電漿，具有高頻天線。
  10. 如請求項9所記載之電漿處理裝置，其中上述高頻天線經介電體窗被設置在上述處理室之上部。
  11. 如請求項9所記載之電漿處理裝置，其中上述高頻天線經金屬窗被設置在上述處理室之上部。
  12. 一種排氣構造，係屬於在電漿處理裝置中，將被供給至上述處理室之處理氣體引導至上述排氣部之排氣構造，該電漿裝置具有：收容基板而施予電漿處理之處理室；具有在上述處理室內載置基板之載置面的載置台；對上述處理室內供給處理氣體之處理氣體供給系統；將上述處理室內予以排氣之排氣部；生成用以對被載置在上述載置台之基板進行電漿處理之電漿的電漿生成機構；及用以對上述載置台施加偏壓用之高頻電力之高頻電源，該排氣構造之特徵在於具有：具有第1開口擋板及第2開口擋板，其被設置在從上述處理室至上述排氣部之排氣口部分或其附近，且具有複數之開口，上述第1開口擋板被設置在排氣路徑之下游側，上述第2開口擋板被設置在排氣路徑之上游側，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板中之任一者皆由導電性材料所構成，上述第1開口擋板被接地，上述第 2開口擋板為電性浮動狀態，上述第1開口擋板及上述第2開口擋板係以能夠在該些之間生成穩定放電之間隔而被設置。
  13. 如請求項12所記載之排氣構造，其中上述第1開口擋板被設置成覆蓋上述排氣部之排氣配管之入口部分。
  14. 如請求項12或13所記載之排氣構造，其中上述第1開口擋板和上述第2開口擋板之間隔為1~10mm。
  15. 如請求項12或13所記載之排氣構造，其中上述第1開口擋板及上述第2開口擋板被構成縫隙狀或網目狀，或者具有多數之沖孔。
  16. 如請求項12或13所記載之排氣構造，其中上述第1開口擋板和上述第2開口擋板之開口率為61.5%以下。
  17. 如請求項12或13所記載之排氣構造，其中進一步具有用以區隔成對基板進行電漿處理之處理區域，和與上述排氣部連接之排氣區域，且由導電性所構成，不具有開口部的複數區隔構件，上述複數之區隔構件被連接於接地電位，彼此鄰接的區隔構件係以在其間形成將被供給至上述處理區域之處理氣體引導至上述排氣區域之隔間之方式而被間隔開配置。
  18. 如請求項17所記載之排氣構造，其中在與上述區隔構件不同之高度位置，進一步具有被設 置成在俯視之情況下遮蔽上述隔間之至少一部分，且由導電性材料所構成，同時不具有開口部，並且被連接於接地電位之遮蔽構件。
  19. 如請求項12或13所記載之排氣構造，其中上述處理室具有平面形狀為矩形狀之空間，上述載置台構成平面形狀為矩形狀，載置矩形狀之基板。
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