JP2008218989A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 256
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 85
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 560
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 109
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 81
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 description 58
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 49
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 44
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 26
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 22
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 21
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 21
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 19
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 18
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 18
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 18
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 15
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- -1 nickel metal hydride Chemical class 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 4
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018119 Li 3 PO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910013290 LiNiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N dilithium;dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mn]([O-])(=O)=O QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910001386 lithium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K trilithium;phosphate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]P([O-])([O-])=O TWQULNDIKKJZPH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 101100112673 Rattus norvegicus Ccnd2 gene Proteins 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
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Abstract
【解決手段】無線通信可能な半導体装置に、アンテナより受信した電磁波の周波数を検知する周波数判定回路と、周波数判定回路の情報により自動でインピーダンスを調整する回路とを設け、一のアンテナで通信と電力の確保を行う。インピーダンスの調整には、インダクタンス若しくはキャパシタンスを変更することができる回路、又は長さが可変のアンテナを用いる。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体装置について、図面を参照して説明する。図1は本発明の半導体装置を示す。図1に示す半導体装置100は、アンテナ回路103と、論理回路105と、メモリ回路104と、アナログ回路102と、を有する。アンテナ回路103はアナログ回路102に接続されている。アナログ回路102は論理回路105に接続されている。論理回路105はアナログ回路102とメモリ回路104に接続されている。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる形態について説明する。本実施の形態に示す半導体装置では、アンテナの長さの調整によりインピーダンスを制御し、複数の周波数帯で通信距離や電源の確保を行う。便宜上、以下の説明では周波数帯が950MHzの場合と2.45GHzの場合について説明する。
本実施の形態では、本発明の半導体装置であって、他の実施の形態にて説明したものとは異なる形態について説明する。具体的には、実施の形態1にて説明した半導体装置にバッテリーを設ける。
(実施の形態4)
(実施の形態5)
(実施の形態6)
上記の実施の形態を適用して作製した、本発明の半導体装置2000は、電磁波の送信と受信ができるという機能を活用して、様々な物品やシステムに用いることができる。物品とは、例えば、鍵(図23(A)参照)、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図23(B)参照)、書籍類、容器類(シャーレ等、図23(C)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図23(E)(F)参照)、記録媒体(ディスクやビデオテープ等)、乗物類(自転車等)、装身具(鞄や眼鏡等、図23(D)参照)、食品類、衣類、生活用品類、電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、携帯端末等)等である。本発明の半導体装置は、上記のような様々な形状の物品の表面に貼り付けたり、埋め込んだりして、固定される。また、システムとは、物品管理システム、認証機能システム、流通システム等である。
101 リーダ/ライタ
102 アナログ回路
103 アンテナ回路
104 メモリ回路
105 論理回路
106 インダクタンス生成回路
107 整流回路
108 復調回路
109 定電圧回路
110 周波数判定回路
111 発振回路
112 リセット生成回路
113 変調回路
150 チップ
151 アンテナ
152 チップ
153 アンテナ
154 チップ
155 アンテナ
156 チップ
157 アンテナ
200 スイッチ
201 スイッチ
202 容量素子
203 容量素子
204 ダイオード
205 ダイオード
206 容量素子
207 入力部
208 入力部
209 出力部
250 チップ
251A アンテナ主要部
251B アンテナ端部
251C スイッチ
252 チップ
253A アンテナ主要部
253B アンテナ端部
253C スイッチ
254 チップ
255A アンテナ主要部
255B アンテナ端部
255C スイッチ
256 チップ
257A アンテナ主要部
257B アンテナ端部
257C スイッチ
263 アンテナ
263A アンテナ
263B アンテナ
264A アンテナ
264B アンテナ
264 アンテナ
265 容量素子
267 スルーホール
268 スルーホール
269 スルーホール
270 スルーホール
300 スイッチ
301 スイッチ
302 容量素子
303 容量素子
304 ダイオード
305 容量素子
306 ダイオード
307 抵抗素子
308 抵抗素子
309 容量素子
310 トランジスタ
311 トランジスタ
312 入力部
313 入力部
314 入力部
315 出力部
400 コンパレータ
401 コンパレータ
402 抵抗素子
403 抵抗素子
404 スイッチ
405 抵抗素子
406 入力部
407 入力部
408 出力部
500 スイッチ
501 スイッチ
502 コイル
503 入力部
504 入力部
505 出力部
600 半導体装置
601 リーダ/ライタ
602 アナログ回路
603 アンテナ回路
604 メモリ回路
605 論理回路
606 アンテナ
607 整流回路
608 復調回路
609 定電圧回路
610 周波数判定回路
611 発振回路
612 リセット生成回路
613 変調回路
621 入力部
622 入力部
623 出力部
630 入力部
631 スイッチ
632 スイッチ
633 出力部
634 アンテナ端部
635 アンテナ端部
636 アンテナ主要部
700a 薄膜トランジスタ
700b 薄膜トランジスタ
700c 薄膜トランジスタ
700e 薄膜トランジスタ
700f 薄膜トランジスタ
701 基板
702 絶縁膜
703 剥離層
704 絶縁膜
705 非晶質半導体膜
705a 結晶質半導体膜
705b 結晶質半導体膜
705c 結晶質半導体膜
705d 結晶質半導体膜
705f 結晶質半導体膜
706 ゲート絶縁膜
707 ゲート電極
707a 導電膜
707b 導電膜
708 不純物領域
709 不純物領域
710 絶縁膜
711 不純物領域
712a 絶縁膜
712b 絶縁膜
713 導電膜
714 絶縁膜
715a 導電膜
715b 導電膜
716 導電膜
717 導電膜
718 絶縁膜
719 素子形成層
720 シート材
721 シート材
731a 導電膜
731b 導電膜
732a 開口部
732b 開口部
734a 導電膜
734b 導電膜
736a 導電膜
736b 導電膜
737 樹脂
738 導電性粒子
781 負極活物質層
782 固体電解質層
783 正極活物質層
784 集電体薄膜
786 配線層
789 二次電池
800 半導体基板
802 絶縁膜
804 領域
806 領域
807 pウェル
832 絶縁膜
834 絶縁膜
836 導電膜
838 導電膜
840 ゲート電極
842 ゲート電極
848 レジストマスク
850 チャネル形成領域
852 不純物領域
866 レジストマスク
868 チャネル形成領域
870 不純物領域
872 絶縁膜
874 配線
891 負極活物質層
892 固体電解質層
893 正極活物質層
894 集電体薄膜
895 配線層
896 層間膜
897 配線
900 基板
902 絶縁膜
904 絶縁膜
906 レジストマスク
908 凹部
910 絶縁膜
911 絶縁膜
912 領域
913 領域
914 領域
915 pウェル
932 絶縁膜
934 絶縁膜
936 導電膜
938 導電膜
940 導電膜
942 導電膜
954 サイドウォール
956 チャネル形成領域
958 不純物領域
960 LDD領域
962 チャネル形成領域
964 不純物領域
966 LDD領域
977 絶縁膜
978 開口部
980 導電膜
982a 導電膜
982d 導電膜
991 負極活物質層
992 固体電解質層
993 正極活物質層
994 集電体薄膜
995 配線層
996 層間膜
997 配線
1000 半導体装置
1001 リーダ/ライタ
1002 アナログ回路
1003 アンテナ回路
1004 メモリ回路
1005 論理回路
1006 インダクタンス生成回路
1007 整流回路
1008 復調回路
1009 定電圧回路
1010 周波数判定回路
1011 発振回路
1012 リセット生成回路
1013 変調回路
1014 充放電回路
1015 バッテリー
2000 半導体装置
Claims (10)
- インダクタンス生成回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記インダクタンス生成回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記インダクタンス生成回路の出力部に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記インダクタンス生成回路が有するコイルに電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチを制御することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 第1及び第2の容量素子を有する復調回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記復調回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記第1の容量素子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記第2の容量素子に電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチを制御し、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量は異なる大きさを有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 第1及び第2の容量素子を有する整流回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記整流回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記第1の容量素子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記第2の容量素子に電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1のスイッチ及び前記第2のスイッチを制御し、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量は異なる大きさを有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 第1及び第2の容量素子を有する整流回路と、第3及び第4の容量素子を有する復調回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記整流回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記第1の容量素子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記第2の容量素子に電気的に接続され、
前記復調回路の入力部は第3及び第4のスイッチに電気的に接続され、
前記第3のスイッチは前記第3の容量素子に電気的に接続され、
前記第4のスイッチは前記第4の容量素子に電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1乃至第4のスイッチを制御し、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量は異なる大きさを有し、
前記第3の容量素子と前記第4の容量素子の静電容量は異なる大きさを有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 第1及び第2の容量素子を有する整流回路と、インダクタンス生成回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記インダクタンス生成回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記整流回路の入力部は第3及び第4のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記インダクタンス生成回路の出力部に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記インダクタンス生成回路が有するコイルに電気的に接続され、
前記第3のスイッチは前記第1の容量素子に電気的に接続され、
前記第4のスイッチは前記第2の容量素子に電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1乃至第4のスイッチを制御することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 第1及び第2の容量を有する復調回路と、インダクタンス生成回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記インダクタンス生成回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記復調回路の入力部は第3及び第4のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記インダクタンス生成回路の出力部に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記インダクタンス生成回路が有するコイルに電気的に接続され、
前記第3のスイッチは前記第1の容量素子に電気的に接続され、
前記第4のスイッチは前記第2の容量素子に電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1乃至第4のスイッチを制御することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 第1及び第2の容量素子を有する整流回路と、第3及び第4の容量素子を有する復調回路と、インダクタンス生成回路と、周波数判定回路と、アンテナと、を有し、
前記整流回路の入力部は第1及び第2のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチは前記第1の容量素子に電気的に接続され、
前記第2のスイッチは前記第2の容量素子に電気的に接続され、
前記復調回路の入力部は第3及び第4のスイッチに電気的に接続され、
前記第3のスイッチは前記第3の容量素子に電気的に接続され、
前記第4のスイッチは前記第4の容量素子に電気的に接続され、
前記インダクタンス生成回路の入力部は第5及び第6のスイッチに電気的に接続され、
前記第5のスイッチは前記インダクタンス生成回路の出力部に電気的に接続され、
前記第6のスイッチは前記インダクタンス生成回路が有するコイルに電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記第1乃至第6のスイッチを制御し、
前記第1の容量素子と前記第2の容量素子の静電容量は異なる大きさを有し、
前記第3の容量素子と前記第4の容量素子の静電容量は異なる大きさを有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - アンテナと、周波数判定回路と、を有する無線通信可能な半導体装置であって、
前記アンテナは主要部及び端部を有し、
前記主要部と前記端部はスイッチを介して電気的に接続され、
前記周波数判定回路の入力部は前記アンテナに電気的に接続され、
前記周波数判定回路は前記アンテナが受信した電波の周波数に応じて前記スイッチを制御することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記スイッチはトランジスタであることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記半導体装置は無線により充電可能なバッテリーを有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008022364A JP2008218989A (ja) | 2007-02-09 | 2008-02-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007030148 | 2007-02-09 | ||
JP2008022364A JP2008218989A (ja) | 2007-02-09 | 2008-02-01 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218989A true JP2008218989A (ja) | 2008-09-18 |
JP2008218989A5 JP2008218989A5 (ja) | 2011-03-03 |
Family
ID=39367713
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008022364A Withdrawn JP2008218989A (ja) | 2007-02-09 | 2008-02-01 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7940224B2 (ja) |
EP (1) | EP1956524A3 (ja) |
JP (1) | JP2008218989A (ja) |
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EP1956524A2 (en) | 2008-08-13 |
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EP1956524A3 (en) | 2015-08-19 |
US8552921B2 (en) | 2013-10-08 |
US20080191951A1 (en) | 2008-08-14 |
US20110199270A1 (en) | 2011-08-18 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
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