JP2008218964A - 光半導体パッケージ用トランスファモールド金型 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光半導体素子搭載部である凹部5’が1つ以上形成された光半導体パッケージを製造するために用いられるトランスファモールド金型1および2であって、前記凹部5’を形成するための凸部6を有する第一の金型1と、第一の金型1の前記凸部6に対向する第二の金型2とを有し、第二の金型2の前記凸部6に対向する部分にエアベント3が設けられている。
【選択図】図1
Description
〔金型〕
上金型として、略正方形の光半導体パッケージの形状に対応するキャビティ部(凹部)、サイドゲート部、サイドゲート部と最終端部との間に光半導体素子を搭載する枠を形成するための凸部、及び、サイドゲート部以外の3つの角にエアベントを設けた金型を製造した。光半導体素子を搭載する枠を形成するための凸部に対向させる平板状の下金型には、凸部が対向する位置に、断面がリング状のエアベントを形成した。リング状エアベントの幅は、50μmとした。(図1)
〔樹脂組成〕
エポキシ樹脂:トリグリシジルイソシアヌレート 100重量部(エポキシ当量100)
硬化剤:ヘキサヒドロ無水フタル酸 140重量部
硬化促進剤:テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート
2.4重量部
無機充填剤:溶融シリカ(平均粒径20μm) 600重量部
アルミナ(平均粒径0.7μm) 890重量部
白色顔料:中空粒子(平均粒径27μm) 185重量部
カップリング剤:エポキシシラン 19重量部
酸化防止剤:9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキシド 1重量部
上記組成の材料を混練温度20〜30℃、混練時間10分の条件でロール混練し、光反射用樹脂組成物を作製した。
前記トランスファ成形用金型にリードフレームを配置し、前記樹脂組成物を、金型温度180℃、90秒間、6.9MPaの条件のトランスファ成型により、加熱加圧し、成型し、凹み部を持つ光半導体パッケージを作製した。
放射状のエアベント用溝と断面がリング状のエアベントを形成した下金型を使用した以外は実施例1と同様にして光半導体パッケージを作製した。エアベント用溝は、幅500μm、深さ50μmとした。(図2)
(実施例3)
円筒状のエアベントを形成した下金型を使用した以外は実施例1と同様にして光半導体パッケージを作製した。円筒状のエアベントの直径は1mmとした。(図3)
(実施例4)
放射状のエアベント用溝と円筒状のエアベントを形成した下金型を使用した以外は実施例1と同様にして光半導体パッケージを作製した。円筒状のエアベントの直径は1mm、エアベント用溝は、幅500μm、深さ50μmとした。(図4)
(比較例1)
エアベントのない下金型を用いた以外は実施例1と同様にして光半導体パッケージを作製した。
×:ボイド又は未充填の発生あり
表1に示されるように、実施例で作製した光半導体パッケージにおいては、ボイド及び未充填がなく良好であった。
2 下金型(第二の金型)
3 エアベント
4 リードフレーム
5 キャビティ部
5’ 凹部
6 凸部
7 エアベント用溝
10 サイドゲート
11 エアベント
12 最終端部
20 ボイド
21 樹脂未充填部分
101 半導体素子
103 枠
104 凹部
105 リードフレーム
110 光半導体装置
200 透明封止樹脂
Claims (8)
- 光半導体素子搭載部である凹部が1つ以上形成された光半導体パッケージを製造するために用いられるトランスファモールド金型であって、前記凹部を形成するための凸部を有する第一の金型と、第一の金型の前記凸部に対向する第二の金型とを有し、第二の金型の前記凸部に対向する部分にエアベントが設けられていることを特徴とする光半導体パッケージ用トランスファモールド金型。
- 第一の金型がキャビティ部を構成する凹部を有し、キャビティ部を構成する凹部内に前記凸部が設けられている請求項1記載の半導体パッケージ用トランスファモールド金型。
- エアベントがリング状断面を有する請求項1又は2記載の光半導体パッケージ用トランスファモールド金型。
- エアベントがリング状断面を有し、第二の金型が、第一の金型の前記凸部に対向する面に、放射状の溝を有する請求項1又は2記載の光半導体パッケージ用トランスファモールド金型。
- エアベントが円筒状である請求項1又は2記載の光半導体パッケージ用トランスファモールド金型。
- エアベントが円筒状であり、第二の金型が、第一の金型の前記凸部に対向する面に、放射状の溝を有する請求項1又は2記載の光半導体パッケージ用トランスファモールド金型。
- 請求項1〜6いずれかに記載の光半導体パッケージ用トランスファモールド金型を用いて形成された光半導体パッケージ。
- 請求項7記載の光半導体パッケージを用いて製造された光半導体装置。
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